一種三維表面順形或共形圖案的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種三維表面順形或共形圖案的制備方法，屬于微制造領(lǐng)域。其包括：S1將薄膜粘附在輔助基底上；S2采用激光、切割或者蝕刻方式將薄膜加工成預(yù)定的圖案，獲得圖案化薄膜輔助基底；S3在塑料薄膜上添加緩沖層；S4使圖案化薄膜接觸并粘結(jié)在所述緩沖層上；S5分離出輔助基底；S6對圖案化薄膜目標(biāo)基底加熱，待塑料薄膜塑性增大至可在壓力下變形后，將圖案化薄膜目標(biāo)基底移至三維模具上，利用真空壓力吸附或高壓，使圖案化薄膜目標(biāo)基底變形后貼附在三維模具表面，成為與三維模具表面形貌相同的三維表面順形或共形圖案系統(tǒng)。本發(fā)明方法提高了三維表面順形或共形圖案的生產(chǎn)效率、降低了其生產(chǎn)成本。
【專利說明】
一種三維表面順形或共形圖案的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于微制造領(lǐng)域，具體涉及一種三維復(fù)雜表面順形或者共形圖案的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在市場極大的需求下電子器件得到了迅速的發(fā)展。由于電子產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，傳統(tǒng)的電子器件已經(jīng)難以滿足日益嚴(yán)格的要求。隨著可拉伸電子系統(tǒng)的出現(xiàn)，使得電子系統(tǒng)可以非常好的貼合人體復(fù)雜的表面肌膚上，為電子系統(tǒng)的發(fā)展帶來了更多的可能性。除了可以貼合在人體上，可拉伸電子系統(tǒng)也可以貼合在各種復(fù)雜的三維表面上，如航空器、飛行器、大型雷達(dá)等，表面順形電子極大的減小了電子系統(tǒng)的尺寸。在完成一次性表面順形后，對表面順形電子的拉伸性要求不高。一次性表面順形電子不僅可以減小現(xiàn)有電子系統(tǒng)的尺寸、增大電子系統(tǒng)的空間利用率，還為電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)提供了更多的可能性。因此如何快速有效的制造出尺寸小、效率高、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的表面順形電子是當(dāng)前微電子領(lǐng)域新的發(fā)展方向之一。
[0003]為了快速有效的制造尺寸小、效率高的表面順形電子，陸續(xù)出現(xiàn)了一些可行的方案。例如:隨著絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷技術(shù)的發(fā)展，有學(xué)者利用印刷技術(shù)在柔性印刷電路板上印刷電子電路系統(tǒng)，再使柔性印刷電路板發(fā)生變形，成為所需的形狀。由于其容易制造、制造成本低、生產(chǎn)效率高，使得該技術(shù)得到了廣泛的關(guān)注。雖然該方法提高了生產(chǎn)效率，但是該方法只能制造較為平緩的形狀，若變形過大，則會(huì)使金屬導(dǎo)線斷裂破壞，并且該方法采用傳統(tǒng)的濕法刻蝕的方法，對環(huán)境有很大的污染，使該方法具有一定局限性，不能滿足現(xiàn)有的需求。
[0004]為了克服表面順形電子變形過程中導(dǎo)線易斷裂的問題，有學(xué)者(AdamsJ JjDuossE B,Malkowski T F,et a1.Conformal printing of electrically small antennas onthree-dimens1nal surfaces.[J].Advanced Materials,2011,23(11): 1335-40.)結(jié)合最新的3D打印技術(shù)制造出了三維表面順形電子。該學(xué)者利用3D打印技術(shù)將金屬油墨打印到三維半球形表面上，形成蜿蜒的空間導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。通過控制導(dǎo)線的寬度，利用該方法制作的三維表面順形電小天線與傳統(tǒng)平面電小天線的相比帶寬提高一個(gè)數(shù)量級(jí)。但是，由于金屬油墨的導(dǎo)電率只有銅的30%左右，極大的限制了三維表面順形電子系統(tǒng)的工作效率。另外，由于該過程利用的是直寫技術(shù)，使得制造過程很慢，對設(shè)備的要求也比較高，因而其生產(chǎn)效率較低、成本較高。
[0005]為了克服上述三維電子系統(tǒng)工作效率低等問題，密西根學(xué)者(Carl P,Xin X，F(xiàn)orrest S R，et al.Patterning:Direct Transfer Patterning of Electrically SmallAntennas onto Three-Dimens1nally Contoured Substrates(Adv.Mater.9,2012)[J].Advanced Materials，2012，24(9): 1166-70.)利用直接轉(zhuǎn)印法制得了半球形的三維電子系統(tǒng)。該方法首先在柔性材料上制作出帶有突脊的印章，然后利用蒸鍍法在柔性印章上鍍上一層金，由于柔性印章具有一定的可變形性，通過真空吸附和模具的作用，可以使其變形為內(nèi)凹的三維形狀，接著將其轉(zhuǎn)印到對應(yīng)的外凸形三維基體上，最后再利用蝕刻和鍍金技術(shù)制得帶有金屬圖案的三維表面順形電子。由于該方法電路部分采用的是的金，其導(dǎo)電率較高，使得表面順形電子的工作效率也得到了較大的提高。但是，由于該加工工藝繁瑣，使得生產(chǎn)效率較低、成本較高。
[0006]因此，需要開發(fā)一種工藝簡單、生產(chǎn)效率高的三維表面順形電子的制備方法，且要求制備出的三維表面順形電子工作效率較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]針對現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本發(fā)明提供了一種三維表面順形或者共形圖案的制備方法，其目的在于，通過對圖案的加工設(shè)計(jì)和基底緩沖層的優(yōu)化設(shè)計(jì)，極大的簡化了三維表面順形或者共形圖案的的制作過程，從而顯著的提高了三維表面順形或者共形圖案的生產(chǎn)效率、降低了其生產(chǎn)成本，并且可以和傳統(tǒng)的制作工藝相兼容。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種三維表面順形或共形圖案的制備方法，其特征在于，其包括如下步驟:
[0009]S1:將薄膜粘附在輔助基底上；
[0010]S2:采用激光、切割或者蝕刻將所述薄膜加工成預(yù)定的圖案，獲得圖案化薄膜輔助基底;
[0011 ] S3:在塑料薄膜上添加緩沖層，獲得目標(biāo)基底；
[0012]S4:將圖案化薄膜輔助基底與所述目標(biāo)基底相對壓合，使圖案化薄膜接觸并粘結(jié)在所述緩沖層上；
[0013]S5:分離出輔助基底，完成圖案化薄膜由輔助基底到目標(biāo)基底的轉(zhuǎn)印過程，獲得圖案化薄膜目標(biāo)基底；
[0014]S6:對所述圖案化薄膜目標(biāo)基底加熱，待所述塑料薄膜塑性增大至可在真空壓力下變形后，將所述圖案化薄膜目標(biāo)基底移至三維模具上，所述三維模具位于壓力平臺(tái)上，利用真空壓力吸附或高壓，使圖案化薄膜目標(biāo)基底變形后貼附在三維模具表面，成為與三維模具表面形貌相同的三維表面順形或共形圖案。
[0015]以上薄膜可以為導(dǎo)電的金屬薄膜、半導(dǎo)體半透明導(dǎo)電膜(如納米銦錫，也簡稱ΙΤ0)，也可以是不導(dǎo)電的薄膜，總之可以用于各種不同薄膜材料的三維表面順形或共形圖案的加工。
[0016]以上步驟S6中，可以采用譬如空氣壓縮機(jī)，通過高壓使圖案化薄膜目標(biāo)基底成為與三維模具表面形狀相同的三維表面順形或共形圖案。
[0017]以上步驟S2中，采用激光、切割機(jī)或者蝕刻將所述薄膜加工成預(yù)定的圖案時(shí)，可以是在薄膜的一面加工出預(yù)定的電路圖案，也可以是在導(dǎo)電薄膜的兩面均加工出預(yù)定的電路圖案。
[0018]進(jìn)一步的，所述輔助基底材料為硅膠，所述輔助基底的厚度為200微米?400微米。
[0019]進(jìn)一步的，所述緩沖層材料為熱熔膠或者硅膠，所述緩沖層厚度為50微米?100微米。緩沖層材料的選擇較多，不限定為熱熔膠或者硅膠兩種，只要可以起到與本發(fā)明相同的作用都可以采用，具體為，只要滿足楊氏模量與塑料薄膜相似，且滿足熔點(diǎn)低于塑料薄膜就能米用。
[0020]進(jìn)一步的，所述薄膜優(yōu)選為銅薄膜，所述導(dǎo)電薄膜的厚度為5微米?15微米。所述的薄膜還可以是金、銀、鐵、錫等導(dǎo)電金屬薄膜。
[0021]進(jìn)一步的，所述塑料薄膜的材料優(yōu)選為聚碳酸酯，所述塑料薄膜的厚度為100微米?150微米。實(shí)質(zhì)上，目標(biāo)基底中也不一定需要選用塑料材質(zhì)的薄膜，只要是利用了相變，能使其從二維變形成為三維的材料均可作為目標(biāo)基底的柔性層。
[0022]總體而言，通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠取得下列有益效果:
[0023]1、對薄膜直接進(jìn)行圖案化加工，該方法可以簡化加工流程，降低生產(chǎn)成本。通過緩沖層的引入，使薄膜圖案在三維成型時(shí)不會(huì)被破壞。通過對輔助基底的改進(jìn)，可利用較為簡單的加工方法便可實(shí)現(xiàn)較為困難的轉(zhuǎn)印過程。利用熱塑性塑料加熱后塑性增大、柔韌性增強(qiáng)的原理，通過真空吸附或者壓力，可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜三維表面的成型過程，制備獲得三維表面順形或者共形圖案。
[0024]2、本發(fā)明方法對薄膜圖案的采用激光、切割或者蝕刻方式加工，引入基底緩沖層，極大的簡化了三維表面順形或者共形圖案的制作過程，從而顯著的提高了三維表面順形圖案的生產(chǎn)效率、降低了其生產(chǎn)成本，并且可以和傳統(tǒng)的制作工藝相兼容。
【附圖說明】
[0025]圖1是按照本發(fā)明方法完成三維表面順形(共形)圖案加工制作方法的工藝流程圖；
[0026]圖2是按照本發(fā)明方法制作出的半球形三維表面順形(共形)圖案的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3是按照本發(fā)明方法制作的輔助基底的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記用來表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中:
[0029]101-激光設(shè)備201-薄膜 202-輔助基底
[0030]30-目標(biāo)基底301-緩沖層 302-熱塑性塑料薄膜
[0031]2021-第一粘性材料2022-第二粘性材料
【具體實(shí)施方式】
[0032]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0033]本發(fā)明方法提供了一種三維表面順形或者共形圖案的制備方法，其包括如下步驟:
[0034]SI:將薄膜粘附在輔助基底上；
[0035]S2:采用激光、切割機(jī)、蝕刻等方法將所述薄膜加工成預(yù)定的圖案，獲得圖案化薄膜輔助基底；
[0036]S3:在塑料薄膜上添加緩沖層，獲得目標(biāo)基底；
[0037]S4:將圖案化薄膜輔助基底與所述目標(biāo)基底相對壓合，使圖案化薄膜接觸并粘結(jié)在所述緩沖層上；
[0038]S5:分離出輔助基底，完成圖案化薄膜由輔助基底到目標(biāo)基底的轉(zhuǎn)印過程，獲得圖案化薄膜目標(biāo)基底；
[0039]S6:對所述圖案化薄膜目標(biāo)基底加熱，待所述塑料薄膜塑性增大至可在真空壓力下變形后，將所述圖案化薄膜目標(biāo)基底移至三維模具上，所述三維模具位于壓力平臺(tái)上，利用真空壓力吸附，使圖案化薄膜目標(biāo)基底變形后貼附在三維模具表面，成為與三維模具表面形貌相同的三維表面順形或者共形圖案。
[0040]圖1是按照本發(fā)明方法完成三維表面順形或者共形圖案加工制作方法的工藝流程圖，圖2是按照本發(fā)明方法制作出的三維電小天線截面結(jié)構(gòu)示意圖，其包括激光設(shè)備101，薄膜201，輔助基底202，目標(biāo)基底30，其中目標(biāo)基底由緩沖層301和熱塑性塑料薄膜302組成。
[0041]圖3為輔助基底的平面結(jié)構(gòu)示意圖，其由左右對稱結(jié)構(gòu)組成，左右兩側(cè)為粘性較大的粘性材料2021，中間部分為粘性較小的粘性材料2022。
[0042]結(jié)合以上三圖，更為詳細(xì)的說明本制備方法。具體如下:
[0043]利用以下附圖1所示的三維表面順形(共形)圖案加工方法制得到附圖2所示的半球形三維表面順形(共形)圖案的工藝過程:
[0044]S1:利用層壓技術(shù)，使薄膜201粘附在輔助基底202上，為了提高粘附的可靠性，需在壓層前對壓輥進(jìn)行預(yù)熱；
[0045]S2:采用激光、切割機(jī)或者蝕刻等方法將所述薄膜加工成預(yù)定的圖案，獲得圖案化薄膜輔助基底。具體的，利用激光設(shè)備101將薄膜201加工成所需的圖案形狀，通過對激光參數(shù)的調(diào)節(jié)和優(yōu)化以及對圖案的設(shè)計(jì)與優(yōu)化可以獲得精度高、、力學(xué)性能較佳的圖案化薄膜；
[0046]S3:在塑料薄膜上添加緩沖層，獲得目標(biāo)基底。由于熱塑性塑料薄膜302與薄膜201之間的粘附性較差，需在塑料薄膜與薄膜圖案之間增添一層較薄的緩沖層301，由于該緩沖層不僅僅起到了粘附塑料薄膜302與薄膜201的作用，還起到了承受和吸收由于熱塑性變形而產(chǎn)生的巨大應(yīng)力，因此需要對其粘度、柔韌性和厚度進(jìn)行優(yōu)化控制，并可以通過旋涂、噴涂、刮涂或其他方法控制塑料薄膜302表面上緩沖層301的厚度；
[0047]S4:將圖案化薄膜輔助基底與所述目標(biāo)基底相對壓合，使圖案化薄膜接觸并粘結(jié)在所述緩沖層上；具體的，將表面涂有緩沖層的熱塑性塑料薄膜302與粘附有圖案化薄膜201的輔助基底202接觸，對其施加一定的壓力，完成圖案化薄膜201與緩沖層301的粘接過程；
[0048]S5:分離出輔助基底，完成圖案化薄膜由輔助基底到目標(biāo)基底的轉(zhuǎn)印過程，獲得圖案化薄膜目標(biāo)基底;具體的，以一定的速度使表面涂有緩沖層301的熱塑性塑料薄膜302與輔助基底202脫離，圖案化薄膜201則粘附在緩沖層301上，完成了圖案化薄膜201由輔助基底202到目標(biāo)基底30的轉(zhuǎn)印過程；
[0049]S6:對所述圖案化薄膜目標(biāo)基底加熱，待所述塑料薄膜塑性增大至可在真空壓力下變形后，將所述圖案化薄膜目標(biāo)基底移至三維模具上，所述三維模具位于壓力平臺(tái)上，利用真空壓力吸附或高壓，使圖案化薄膜目標(biāo)基底變形后貼附在三維模具表面，成為與三維模具表面形貌相同的三維表面順形(共形)圖案。
[0050]具體的，由于柔性目標(biāo)基底30使用的熱塑性塑料薄膜302，因此對其加熱，其塑性會(huì)增加、柔韌性會(huì)增強(qiáng)，能夠產(chǎn)生更大的變形而不發(fā)生破壞，因此利用加熱裝置將熱塑性塑料薄膜302加熱至其軟化溫度，使塑料薄膜302的塑性得到大幅度的提高；
[0051]由于熱塑性塑料薄膜302隨著溫度的升高，其塑性得到了顯著的提高，將其移動(dòng)至壓力平臺(tái)上，通過真空壓力吸附或高壓，使熱塑性塑料薄膜302發(fā)生變形貼附在三維模具表面，成為三維表面順形(共形)圖案。
[0052]本發(fā)明方法結(jié)合了基于激光的直接圖案化薄膜加工方法、膠轉(zhuǎn)印技術(shù)、力學(xué)緩沖層機(jī)制、集成傳統(tǒng)電子元器件以及表面貼體順形共形加工技術(shù)，通過上述方法可以簡單、快速、有效的制作出三維表面順形(共形)圖案系統(tǒng)。
[0053]本發(fā)明中，利用激光、切割機(jī)、蝕刻等方法直接加工薄膜材料。采用激光加工時(shí)，通過對激光參數(shù)的控制和優(yōu)化，如激光對微米級(jí)薄膜的圖案化加工中光導(dǎo)致熱變形，激光不同參數(shù)對加工圖案的最小線寬線寬、最大深度及粗糙度的影響，以及對圖案化薄膜的力學(xué)、電學(xué)性質(zhì)的控制與優(yōu)化，從而獲得力學(xué)性能較優(yōu)的三維表面順形(共形)圖案系統(tǒng)，滿足后續(xù)工藝的需要。由于激光的穩(wěn)定性已大幅度上升而成本迅速下降，因此使用激光直接加工薄膜不僅可以降低制造成本，還能減少傳統(tǒng)工藝所帶來的環(huán)境污染等問題。
[0054]本發(fā)明中，利用轉(zhuǎn)印技術(shù)，將圖案化薄膜由輔助基底轉(zhuǎn)印到最終的柔性目標(biāo)基底上。由于薄膜和柔性基底材料的熱力學(xué)性質(zhì)、加工方式都存在巨大的差異，因此薄膜的圖案化加工不能直接在最終的目標(biāo)柔性基底上。通過研究輔助基底與圖案化薄膜、圖案化薄膜與柔性目標(biāo)基底之間作用力的關(guān)系，使圖案化薄膜完整有效的從輔助基底上轉(zhuǎn)印至柔性目標(biāo)基底上。
[0055]本發(fā)明中，將輔助基底改成對稱的三部分，左右兩側(cè)采用粘性較大的基底材料，中間部分采用粘性較小的材料，利用左右兩側(cè)基底粘性大，中間部分粘性小，可以實(shí)現(xiàn)選擇性轉(zhuǎn)印，使多余的導(dǎo)電薄膜留在輔助線基底上，所需的圖案化薄膜轉(zhuǎn)印到目標(biāo)基底上，從而實(shí)現(xiàn)多余的薄膜與所需的圖案化導(dǎo)電薄膜間的自動(dòng)化剝離。
[0056]本發(fā)明中，通過導(dǎo)電薄膜電路圖案的設(shè)計(jì)，使其可以承受較大的變形而不發(fā)生斷裂。由于從二維平面到一個(gè)三維表面的急劇變化過程中，會(huì)產(chǎn)生很大的變形，使圖案化薄膜發(fā)生較大的拉伸。而薄膜本身不能承受很大的拉伸變形，會(huì)使得圖案化薄膜與柔性目標(biāo)基底之間產(chǎn)生很大的應(yīng)力，使其極易被破壞。因此，在薄膜化圖案設(shè)計(jì)中引入形狀冗余設(shè)計(jì)、自相似設(shè)計(jì)等提高薄膜圖案的可拉伸性。
[0057]本發(fā)明中，為了使其從二維平面變形成為三維立體的過程中，在圖案化薄膜和熱塑性薄膜基底之間引入了一層較軟的緩沖層后，產(chǎn)生較大變形時(shí)圖案化薄膜不發(fā)生斷裂。該緩沖層在其中主要有兩個(gè)作用，首先其可以解決薄膜與熱塑性塑料薄膜間的粘合問題，其次，在相對較硬的薄膜與熱塑性塑料薄膜之間引入一層較軟的材料，可以有效的隔離在變形中產(chǎn)生的應(yīng)力不匹配的問題。
[0058]本發(fā)明中，可以通過表面等離子處理，先對薄膜和緩沖層表面進(jìn)行處理，再通過真空蒸鍍在其兩者表面鍍上一層很薄的表面活性劑，以增強(qiáng)其表面能，從而使緩沖層和導(dǎo)電薄膜粘附的更牢固。
[0059]本發(fā)明中，通過傳統(tǒng)的回流焊接技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)電子元器件的集成，由于熱塑性塑料薄膜加熱至軟化溫度后，其會(huì)軟化變形，而熱塑性塑料薄膜在貼體熱成型前的變形會(huì)對成品的精度有所影響。因此采用低溫焊錫膏，使在回流焊接時(shí)的溫度低于熱塑性塑料薄膜的軟化溫度，從而實(shí)現(xiàn)回流焊接與貼體熱成型技術(shù)的匹配。
[0060]本發(fā)明中，利用表面貼體順形加工技術(shù)，使二維平面圖案變形為三維立體形狀。該技術(shù)利用熱塑性塑料加熱后塑性增大、柔韌性增強(qiáng)的原理，再利用真空或高壓使其吸附在三維模具表面，形成所需的三維立體形狀，該方法操作簡單、對設(shè)備要求不高、生產(chǎn)效率高，便于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)。
[0061]本發(fā)明中，可以通過3D打印技術(shù)，制作出精度高結(jié)構(gòu)復(fù)雜的三維模具，從而使貼體成型后的表面順形三維表面順形(共形)圖案系統(tǒng)的精度更高，能夠適應(yīng)更多復(fù)雜的三維表面。
[0062]本發(fā)明中，可以通過熱壓成型或者熱吸使其貼附在凹模上的方式，使其變形成為所需三維立體形狀。
[0063]本發(fā)明方法、工藝過程，可以迅速簡單有效的實(shí)現(xiàn)三維表面順形三維表面順形(共形)圖案系統(tǒng)的制作，該工藝過程可靠，裝置簡單，成本低廉，方法簡易，制作出的三維表面順形三維表面順形(共形)圖案系統(tǒng)工作效率較高，例如可以普遍適用于目前的三維電小天線的制造，但是該方法不僅僅局限于電小天線的制造，也可以用于其他三維表面順形電子的制作。
[0064]本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種三維表面順形或共形圖案的制備方法，其特征在于，其包括如下步驟: S1:將薄膜粘附在輔助基底上； S2:采用激光、切割或者蝕刻將所述薄膜加工成預(yù)定的圖案，獲得圖案化薄膜輔助基底； S3:在塑料薄膜上添加緩沖層，獲得目標(biāo)基底； S4:將圖案化薄膜輔助基底與所述目標(biāo)基底相對壓合，使圖案化薄膜接觸并粘結(jié)在所述緩沖層上； S5:分離出輔助基底，完成圖案化薄膜由輔助基底到目標(biāo)基底的轉(zhuǎn)印過程，獲得圖案化薄膜目標(biāo)基底； S6:對所述圖案化薄膜目標(biāo)基底加熱，待所述塑料薄膜塑性增大至可在真空壓力下變形后，將所述圖案化薄膜目標(biāo)基底移至三維模具上，所述三維模具位于壓力平臺(tái)上，利用真空壓力吸附或高壓，使圖案化薄膜目標(biāo)基底變形后貼附在三維模具表面，成為與三維模具表面形貌相同的三維表面順形或共形圖案。2.如權(quán)利要求1所述的一種三維表面順形或共形圖案的制備方法，其特征在于，所述輔助基底材料為硅膠，所述輔助基底的厚度為200微米?400微米。3.如權(quán)利要求1或2所述的一種三維表面順形或共形圖案的制備方法，其特征在于，所述緩沖層材料為熱熔膠或者硅膠，所述緩沖層厚度為50微米?150微米。4.如權(quán)利要求1所述的一種三維表面順形或共形圖案的制備方法，其特征在于，所述薄膜為銅薄膜，所述薄膜的厚度為5微米?15微米。5.如權(quán)利要求1所述的一種三維表面順形或共形圖案的制備方法，其特征在于，所述塑料薄膜的材料優(yōu)選為聚碳酸酯，所述塑料薄膜的厚度為100微米?150微米。6.如權(quán)利要求1、2、4或者5所述的一種三維表面順形或共形圖案的制備方法，其特征在于，以上方法步驟S2中，采用激光、切割機(jī)或者蝕刻將所述薄膜的一面或者兩面加工成預(yù)定圖案。
【文檔編號(hào)】B81C3/00GK105905867SQ201610257442
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月25日
【發(fā)明人】吳志剛, 彭鵬, 張碩
【申請人】華中科技大學(xué)