1.一種微機電系統(tǒng)mems器件，按從底部到頂部的順序包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件，其中，所述第一電絕緣層包括至少一個多晶硅饋通，所述至少一個多晶硅饋通從所述第一器件層延伸至所述第二器件層，以用于將所述第一器件層的結(jié)構(gòu)元件電耦接至所述第二器件層的結(jié)構(gòu)元件以及/或者或電耦接至設(shè)置在所述蓋層中的電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems器件，其中，已在所述至少一個多晶硅饋通周圍去除所述第二電絕緣層中的電絕緣材料，使得所述至少一個多晶硅饋通是所述第一器件層和所述第二器件層的相應(yīng)結(jié)構(gòu)元件之間的唯一機械接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件，其中，所述第一器件層包括至少一個阻止結(jié)構(gòu)，所述至少一個阻止結(jié)構(gòu)在小于所述第二電絕緣層的厚度的距離上朝向所述第二器件層延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems器件，其中，所述第一器件層包括至少一個阻止結(jié)構(gòu)，所述至少一個阻止結(jié)構(gòu)在小于所述第二電絕緣層的厚度的距離上朝向所述第二器件層延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mems器件，其中，所述第一器件層包括至少一個阻止結(jié)構(gòu)，所述至少一個阻止結(jié)構(gòu)在小于所述第二電絕緣層的厚度的距離上朝向所述第二器件層延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的mems器件，還包括在所述第二器件層與所述蓋層之間的金屬接合層，并且所述金屬接合層還被配置成形成所述殼體的所述壁的一部分。
8.一種用于制造微機電系統(tǒng)mems器件的方法，所述mems器件按從底部到頂部的順序包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中：
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中：
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中：
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求8至14中任一項所述的方法，還包括：