本公開涉及一種具有浮置金屬部分的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、許多應(yīng)用需要僅被流體包圍和/或能夠相對于靜止元件機(jī)械移動的金屬結(jié)構(gòu)。

2、us2015/084139a1公開了用于提供半導(dǎo)體封裝件的精確制造的結(jié)構(gòu)的技術(shù)和機(jī)制。在一個實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件的堆積載體包括多孔電介質(zhì)材料。在多孔介電材料上設(shè)置籽晶銅和電鍍銅。執(zhí)行后續(xù)蝕刻以移除鄰近多孔介電材料的銅，從而形成將mems結(jié)構(gòu)的懸置部分與多孔介電材料分離的間隙。在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件包括設(shè)置在絕緣層的一些部分或氮化硅材料層的一些部分之間的銅結(jié)構(gòu)。氮化硅材料層將絕緣層耦合到另一絕緣層。絕緣層中的一個或兩個層均通過相應(yīng)的釋放層結(jié)構(gòu)被保護(hù)，免于表面去污處理。

3、然而，us2015/084139a1中公開的技術(shù)不適用于后段制程(beol)處理。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、可能需要一種具有浮置金屬部分的半導(dǎo)體封裝件及一種用于制造適于beol處理的所述封裝件的方法。

2、示例公開一種半導(dǎo)體封裝件，其包括：半導(dǎo)體芯片；包封體，其中所述半導(dǎo)體芯片至少部分地嵌入所述包封體中；金屬結(jié)構(gòu)，形成于所述包封體的外表面上，其中所述金屬結(jié)構(gòu)包括浮置部分，其中所述浮置部分浮置于所述包封體上，其中所述金屬結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體芯片電耦合。

3、其它示例公開一種用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法，所述方法包括：提供至少部分嵌入包封體中的半導(dǎo)體芯片；在所述包封體上提供金屬結(jié)構(gòu)；通過在包封體中形成凹陷來形成金屬結(jié)構(gòu)的浮置部分。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝件(1000)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件(1000)，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體封裝件(1000)，其中所述金屬結(jié)構(gòu)(1005、0706)由第一金屬制成，其中所述第一金屬包括以下至少一者：銅cu、鋁al、鎢w、鎳ni、鈀pd、鉑pt。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝件(1000)，其中所述包封體(0102)包括凹陷(1007)，其中所述浮置部分(1005)設(shè)置在所述凹陷(1007)上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件(1300)，其中所述凹陷(1307)至少部分地被第二金屬(1308)覆蓋，其中所述第二金屬(1308)不同于所述第一金屬，或者所述第二金屬與所述第一金屬相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件(1300)，其中所述第二金屬(1308)包括以下至少一者：銅cu、鋁al、鎢w、鎳ni、鈀pd、鉑pt。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝件(1000)，其中所述金屬結(jié)構(gòu)(0705；1305；1505；1705；1805；1905)是以下至少一者：加熱器(0705)、天線(1305)、揚(yáng)聲器(1505)、開關(guān)、電阻器(1705；1805；1905)、特別是氣體傳感器元件(1705；1805；1905)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝件(1900)，其中所述金屬結(jié)構(gòu)(1905)由蓋(1913)覆蓋。

9.根據(jù)權(quán)利要求1到8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝件(1900)，其中所述浮置部分(1905)被提供在所述包封體(1901、1902)的凹痕中。

10.根據(jù)權(quán)利要求4至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝件(1000)，其中所述凹陷(1007)具有矩形開口、特別是正方形開口，或者所述凹陷具有圓形開口、特別是圓形開口或橢圓形開口。

11.一種用于制造半導(dǎo)體封裝件(1000)、特別是根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝件的方法，所述方法包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述包封體(0102)上提供所述金屬結(jié)構(gòu)(0705、0706)包括以下至少一項(xiàng)：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在所述包封體(0102)上提供所述金屬結(jié)構(gòu)(0705、0706)包括結(jié)構(gòu)化所述第一金屬(0404)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的方法，其中在所述包封體(0102)中形成凹陷(1007)包括使用激光來去除所述包封體(0102)的一部分。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的方法，其中在所述包封體(0102)中形成凹陷(1007)包括蝕刻所述包封體(0102)的一部分。

技術(shù)總結(jié)
本公開的示例公開了一種半導(dǎo)體封裝件，其包括：半導(dǎo)體芯片；包封體，其中半導(dǎo)體芯片至少部分地嵌入于包封體中；金屬結(jié)構(gòu)，形成于包封體的外表面上，其中金屬結(jié)構(gòu)包括浮置部分，其中浮置部分浮置于包封體上，其中金屬結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體芯片電耦合。其它示例公開了一種用于制造半導(dǎo)體封裝件的方法，方法包括：提供至少部分嵌入于包封體中的半導(dǎo)體芯片；在包封體上提供金屬結(jié)構(gòu)；通過在包封體中形成凹陷來形成金屬結(jié)構(gòu)的浮置部分。

技術(shù)研發(fā)人員：H·托伊斯,張超發(fā),呂志鴻,R·沙勒,蔡國耀,J·凱蒂哈斯,K·C·安德魯·索
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英飛凌科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21