粘合片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種粘合片，其在貼附于半導(dǎo)體晶圓并供于半導(dǎo)體晶圓的背面磨削工序時(shí)，能夠防止磨削水和/或磨削屑侵入粘合片和半導(dǎo)體晶圓之間。本發(fā)明的粘合片具備包含2種以上樹(shù)脂的粘合劑層，該粘合劑層中，由利用原子力顯微鏡測(cè)定的與被粘物相接觸側(cè)的表面的相位圖像獲得的、以相位差為縱軸（y軸）、以測(cè)定距離為橫軸（x軸）的第1方向和垂直于該第1方向的第2方向的線輪廓中，第1方向上的相位差的大?。≒1-avg）與第2方向上的相位差的大?。≒2-avg）之比（P1-avg/P2-avg）為0.94～1.06。
【專利說(shuō)明】粘合片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及粘合片。

【背景技術(shù)】
[0002] 由硅、鎵、砷等形成的半導(dǎo)體晶圓以大直徑狀態(tài)制造，在表面形成圖案后磨削背 面，通常將晶圓的厚度磨薄至100?600μπι左右，進(jìn)而切割分離（dicing)為元件小片，進(jìn) 一步轉(zhuǎn)移至安裝工序。
[0003] 在磨削半導(dǎo)體晶圓背面的工序(背面磨削工序）中，為了保護(hù)半導(dǎo)體晶圓的圖案面 而使用粘合片。該粘合片通常在背面磨削工序后被剝離。出于這種目的而使用的粘合片需 要在背面磨削工序中不會(huì)發(fā)生剝離的程度的粘合力，另一方面，要求在背面磨削工序后能 夠容易地剝離，以及不損壞半導(dǎo)體晶圓的程度的低粘合力。為了如此調(diào)節(jié)粘合力，提出了具 有將2種以上的樹(shù)脂(例如，粘合性樹(shù)脂和非粘合性樹(shù)脂）共混而形成的粘合劑層的粘合片 (專利文獻(xiàn)1)。
[0004] 但是，將具有由2種以上的樹(shù)脂形成的粘合劑層的粘合片貼附于半導(dǎo)體晶圓，并 將半導(dǎo)體晶圓供于背面磨削工序時(shí)，有這樣的問(wèn)題：磨削水和/或磨削屑容易侵入粘合片 和半導(dǎo)體晶圓之間，存在污染半導(dǎo)體晶圓的擔(dān)心。
[0005] 現(xiàn)有摶術(shù)f獻(xiàn)
[0006] 專利f獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)2012-62406號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 發(fā)明要解決的問(wèn)是頁(yè)
[0009] 本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有問(wèn)題而作出的，其目的在于提供一種粘合片，其在貼 附于半導(dǎo)體晶圓并供于半導(dǎo)體晶圓的背面磨削工序時(shí)，能夠防止磨削水和/或磨削屑侵入 粘合片和半導(dǎo)體晶圓之間。
[0010] 用于解決問(wèn)題的方案
[0011] 本發(fā)明的粘合片具備包含2種以上樹(shù)脂的粘合劑層，該粘合劑層中，由利用原子 力顯微鏡測(cè)定的與被粘物相接觸側(cè)的表面的相位圖像獲得的、以相位差為縱軸（y軸)、以測(cè) 定距離為橫軸（X軸）的第1方向和垂直于該第1方向的第2方向的線輪廓中，第1方向上 的相位差的大?。≒h Vg)與第2方向上的相位差的大?。≒2_avg)之比為0. 94? 1. 06。
[0012] 優(yōu)選的實(shí)施方式中，構(gòu)成上述粘合劑層的2種以上的樹(shù)脂分別具有共通的構(gòu)成單 元作為主要構(gòu)成單元。
[0013] 發(fā)明的效果
[0014] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種粘合片，其在貼附于半導(dǎo)體晶圓并供于半導(dǎo)體晶圓的 背面磨削工序時(shí)，能夠防止磨削水和/或磨削屑侵入粘合片和半導(dǎo)體晶圓之間。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015] 圖1是本發(fā)明的粘合劑層的由基于原子力顯微鏡的相位圖像而得到的線輪廓。
[0016] 圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的粘合片的截面示意圖。
[0017] 附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0018] 10 粘合劑層
[0019] 20 中間層
[0020] 30 基材層
[0021] 100粘合片

【具體實(shí)施方式】
[0022] A.粘合劑層
[0023] 本發(fā)明的粘合片具備粘合劑層。該粘合劑層包含2種以上的樹(shù)脂，優(yōu)選的是包含 至少1種以上的粘合性樹(shù)脂和至少1種以上的非粘合性樹(shù)脂。若粘合劑層如此包含2種 以上的樹(shù)脂，則變得容易調(diào)節(jié)樹(shù)脂的種類和樹(shù)脂的含有比例來(lái)適當(dāng)控制粘合力和儲(chǔ)能模量 (G，）。
[0024] 上述粘合劑層在50°C下熟化2天后，將半導(dǎo)體鏡面晶圓(硅制）作為試驗(yàn)板，利用 以JIS Z0237 (2000)為基準(zhǔn)的方法(貼合條件：2kg輥往復(fù)1次、剝離速度：300mm/min、剝 離角度180° )測(cè)定的粘合力優(yōu)選為0· lN/20mm?3. 0N/20mm，進(jìn)一步優(yōu)選為0· 2N/20mm? 2. 5N/20mm，特別優(yōu)選為0. 2N/20mm?2. 0N/20mm。如果為這種范圍，則能夠兼顧粘合力和剝 離性，能夠得到例如在半導(dǎo)體晶圓的背面磨削工序中的磨削加工中不剝離，而在磨削加工 后能夠各易地剝尚的粘合片。
[0025] 上述粘合劑層的儲(chǔ)能模量（G'）優(yōu)選為0. 5X106Pa?1.0X108Pa，進(jìn)一步優(yōu)選為 0. 8X 106Pa?3. OX 107Pa。如果上述粘合劑層的儲(chǔ)能模量（G'）為這樣的范圍，則能夠獲得 可以兼顧對(duì)表面具有凹凸的被粘物的充分的粘合力和適度的剝離性的粘合片。另外，具備 這種儲(chǔ)能模量（G'）的上述粘合劑層的粘合片在用于半導(dǎo)體晶圓加工用時(shí)，能夠有助于達(dá)成 晶圓的背面磨削中的優(yōu)異的磨削精度。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中的儲(chǔ)能模量（G'）可以通過(guò) 動(dòng)態(tài)粘彈性光譜測(cè)定來(lái)測(cè)定。
[0026] 上述粘合劑層中，由利用原子力顯微鏡測(cè)定的與被粘物相接觸側(cè)的表面的相位圖 像得到的、以相位差(基于原子力顯微鏡測(cè)定的輸入信號(hào)和輸出信號(hào)的相位差（° ))為縱軸 (y軸)、以測(cè)定距離為橫軸（X軸）的第1方向和垂直于該第1方向的第2方向的線輪廓中， 第1方向上的相位差的大?。≒n)與第2方向上的相位差的大?。╬ 2_avg)之比 為0.94?1.06。此處，第1方向上的相位差的大小（P^g)是指，在上述第1方向的線輪廓 中，將以第1方向的規(guī)定距離L上的相位差平均線為基準(zhǔn)的波形面積除以該距離L而得到 的值設(shè)為Pi (° )，由隨機(jī)抽取的128條線得到的Pi的平均值。另外，第2方向上的相位差 的大?。≒2_avg)是指，上述第2方向的線輪廓中，將以第2方向的規(guī)定距離L上的相位差平均 線為基準(zhǔn)的波形面積除以該距離L而得到的值設(shè)為P 2 (° )，由隨機(jī)抽取的128條線得到的 己的平均值。圖1中示出由上述相位圖像得到的線輪廓的一例。另外，Pi (° )和己（° ) 用下式（1)表不。上述L例如設(shè)定為1 μ m?10 μ m，優(yōu)選為2 μ m?5 μ m，更優(yōu)選為2. 5 μ m。 相位圖像的測(cè)定方法隨后進(jìn)行說(shuō)明。在一個(gè)實(shí)施方式中，上述第2方向?yàn)槠叫杏谥圃煺澈?片時(shí)的運(yùn)送方向的方向（MD)，上述第1方向?yàn)榇怪庇贛D的方向（TD)。
[0027]

【權(quán)利要求】
1. 一種粘合片，其具備包含2種以上樹(shù)脂的粘合劑層， 該粘合劑層中，由利用原子力顯微鏡測(cè)定的與被粘物相接觸側(cè)的表面的相位圖像獲得 的、以相位差為縱軸（y軸)、以測(cè)定距離為橫軸（X軸)的第1方向和垂直于該第1方向的第2 方向的線輪廓中，第1方向上的相位差的大小（Ph Vg)與第2方向上的相位差的大?。≒2_avg) 之比（Phvg/Phvg)為 〇· 94 ?1. 06。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合片，其中，構(gòu)成所述粘合劑層的2種以上的樹(shù)脂分別具有 共通的構(gòu)成單元作為主要構(gòu)成單元。
【文檔編號(hào)】C09J7/02GK104046287SQ201410087004
【公開(kāi)日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年3月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月11日
【發(fā)明者】本田哲士, 龜井勝利, 盛田美希, 高橋智一 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社