專利名稱：：酞菁化合物,制備該酞菁化合物的方法以及含有該酞菁化合物的光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種新的酞菁化合物，其用于光電子學(xué)相關(guān)領(lǐng)域例如光盤記錄材料，信息記錄，顯示傳感器和光卡片；一種制備該酞菁化合物的方法；和一種光記錄介質(zhì)，例如形成光盤以使在其記錄層中含有酞菁化合物。
背景技術(shù)：
：隨著近年來信息化社會的迅速發(fā)展，具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于磁記錄介質(zhì)的記錄密度的光信息記錄介質(zhì)被廣泛使用并且被積極地研究。就該光信息記錄介質(zhì)而言，已知的只讀類型，信息預(yù)先記錄在其中，使用者只能閱讀其中的信息；只寫一次類型，使用者可以記錄和閱讀其中的信息；可擦寫類型，使用者可以記錄/閱讀/擦除其中的信息。在這些記錄介質(zhì)中，只寫一次類型介質(zhì)正被廣泛用作貯存大量壓縮數(shù)據(jù)的介質(zhì)，因為他們一般低成本并且貯存穩(wěn)定性優(yōu)異。在只寫一次光信息記錄介質(zhì)中，單片類型的CD-R(可記錄CD)是由有機(jī)染料的記錄層，設(shè)置在記錄層上的反射層和設(shè)置在反射層上的保護(hù)層組成；多片類型的DVD-R(可記錄DVD)是常見的，被廣泛使用。CD-R或DVD-R記錄信號形式的信息，該信息的產(chǎn)生是由于使用激光束從記錄層的基板照射記錄層引起其中的有機(jī)染料發(fā)生變化。而且，使用高輸出量的半導(dǎo)體激光器作為記錄設(shè)備的各種類型的刻寫器，和其中用于信息記錄的軟件是可商購的。近年來，大量的以高速記錄的CD-R記錄設(shè)備已出售，其速度是傳統(tǒng)記錄速度的32-52倍。4倍速或更高速度的DVD-R記錄設(shè)備也已出現(xiàn)在市場上。在高速記錄中，在比通常刻寫更短的時間內(nèi)進(jìn)行記錄，但是另一方面，其要求更高能量的激光照射；因此，用于記錄閱讀特性所需要的空白減少。一些問題，尤其，以通常的記錄速度不存在的抖動特性的惡化問題表現(xiàn)出來，并且激光器的負(fù)荷增加。為了解決這些問題，作了許多嘗試以實現(xiàn)即使在高速記錄中也能以更短的時間形成尖銳和更好形狀的刻痕(pit)。象日本專利公開Nos.09-058123所公開的，從記錄層中的染料的熱解和放熱行為考慮，通過在一定時間內(nèi)借助激光照射引起記錄層中的染料的熱解行為和通過提高熱解中的失重速度，或通過使熱解反應(yīng)峰上升來實現(xiàn)。然而，在上述文獻(xiàn)中公開的內(nèi)容是通過使用特別的金屬偶氮染料或花青染料，或通過向染料中添加驟冷劑來改善染料的熱解行為，它們并沒有產(chǎn)生充分改善的效果。同時，作了許多嘗試，將茂金屬衍生物和/或二茂鐵衍生物引入記錄層中的染料組合物中，通過向染料組合物中添加和/混合這些物質(zhì)來實現(xiàn)，這點公開在例如日本特開平7-098887，8-118800和11-70732號專利公報，WO97/23354和WO00/09522中。在日本特開平7-098887，8-118800和11-70732號專利公報中提到有機(jī)金屬化合物例如茂金屬衍生物和/或二茂鐵衍生物在改善染料的熱解特性和記錄層的記錄特性方面是非常有效的。而且，日本特開平11-70732號專利公報在0012欄里公開了，添加上述有機(jī)金屬化合物例如茂金屬衍生物和/或二茂鐵衍生物的效果顯然不同于為了穩(wěn)定記錄層和改善其耐光性而添加的用作單態(tài)氧淬火劑的過渡金屬的鰲形化合物的效果。WO97/23354和WO00/09522公開了，染料再生/再利用問題的改善可以通過將茂金屬衍生物和/或二茂鐵衍生物化學(xué)連接到記錄層中的染料側(cè)鏈上或中心金屬的軸向取代基上實現(xiàn)。本發(fā)明的發(fā)明人也證實了，為了使高速記錄特性更好，最好的措施是使有機(jī)金屬化合物，例如茂金屬衍生物和/或二茂鐵衍生物在記錄層中的染料上作用，從而改善染料的熱解行為?？墒?，通過混合和添加，或僅連接有機(jī)金屬化合物例如茂金屬衍生物和/或二茂鐵衍生物到該記錄層中的染料上不能完全實現(xiàn)近來高速記錄所要求的更高靈敏度和更好的抖動特性。而且，這樣的記錄介質(zhì)不是總能夠與只讀CD兼容。同時，茂金屬化合物的連接方法需要許多步驟，其產(chǎn)生增加制造成本的問題。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是解決上述問題，提供一種用于光信息記錄介質(zhì)的染料填料，甚至當(dāng)記錄以高速進(jìn)行時，也能提高與CD播放機(jī)的兼容性。為了解決上述問題進(jìn)行了非常艱辛的研究后，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過由下面所示的連接基團(tuán)將有機(jī)金屬化合物例如茂金屬衍生物和/或二茂鐵衍生物結(jié)合到酞菁化合物上，在高速記錄時不僅能夠獲得充分高的記錄靈敏度而且降低抖動的效果。發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)按照下面的生產(chǎn)方法能夠以低成本獲得化合物/混合物。具體的說，本發(fā)明通過下述(1)-(6)實現(xiàn)(1)一種由下面的通式(I)表示的酞菁化合物其中，式(I)中，M是兩個氫原子，二價金屬原子，單取代的三價金屬原子，二取代的四價金屬原子，或氧化金屬；L1，L2，L3，和L4各自是獨立的式(a)、式(b)、或式(c)在式(a)，式(b)和式(c)中，X表示取代或未取代的烷基，烷氧基，烷硫基，芳氧基，和芳硫基；每個R獨立地是氫原子，取代或未取代的碳原子總數(shù)為1-6的烷基，取代或未取代的碳原子總數(shù)為6-10的芳基；A表示羰基，硫代羰基，砜基，锍化物基，或碳亞氨基(carboimidoyl)，Y表示金屬化合物殘基，Z獨立地表示氫原子，硝基，或鹵素原子，和L1-L4中的至少一個是式(a)或(b)。(2)根據(jù)(1)的酞菁化合物，其中，前述式(I)中，M是Cu，所述L1-L4中的至少一個表示式(a-1)，并且所述L1-L4中的至少一個表示式(c-1)(3)根據(jù)(1)的酞菁化合物，其中，式(I)中，M是Cu，所述L1-L4中的至少一個表示式(b-1)，并且所述L1-L4中的至少一個表示式(c-1)(4)一種包括由下面的通式(II)表示的酞菁化合物的混合物其中，式(II)中，M表示兩個氫原子，二價金屬原子，單取代的三價金屬原子，二取代的四價金屬原子，或氧化金屬；L’1，L’2，L’3，和L’4各自獨立地是式(a)、式(b)、或式(c)其中，在式(a)，(b)和(c)中，X表示取代或未取代的烷基，烷氧基，烷硫基，芳氧基，或芳硫基；每個R獨立地是氫原子，取代或未取代的碳原子總數(shù)為1-6的烷基，取代或未取代的碳原子總數(shù)為6-10的芳基；A表示羰基，硫代羰基，砜基，锍化物基，或碳亞氨基；Y表示金屬化合物殘基；Z獨立地表示氫原子，硝基，或鹵素原子，但條件是，排除僅由L’1-L’4都是式(c)的酞菁化合物組成的混合物。(5)一種制備上述(1)-(4)中任一所述的酞菁化合物/混合物的方法，其包括下述步驟將由下面的通式(III)表示的酞菁化合物與由具有N-CHO基團(tuán)的化合物和鹵化劑制備的維路斯梅爾(Vilsmeier)絡(luò)合物進(jìn)行反應(yīng)以合成酞菁化合物的亞胺正離子鹽(immoniumsalt)其中，式(III)中，M表示兩個氫原子，二價金屬原子，單取代的三價金屬原子，二取代的四價金屬原子，或氧化金屬；L”1，L”2，L”3，和L”4獨立地表示式(c)式(c)中，X表示取代或未取代的烷基，烷氧基，烷硫基，芳氧基，和芳硫基；Z獨立地表示氫原子，硝基，或鹵素原子；并且在L”1-L”4中的至少一個Z是氫原子；添加具有由下面的通式(IV)表示的堿性化合物R’-NH2(IV)其中，R’表示氫原子，未取代的碳原子總數(shù)為1-4的烷基，或取代或未取代的碳原子總數(shù)為6-15的芳基；以及將由前述步驟得到的產(chǎn)品和具有由下面的通式(V)表示的化合物進(jìn)行反應(yīng)Y-A-NH2(V)其中，A表示羰基，硫代羰基，砜基，锍化物基，或碳亞氨基；Y表示金屬化合物殘基；(6)一種光記錄介質(zhì)，在其記錄層中含有上述(1)-(5)中任一酞菁化合物/混合物。本發(fā)明的最佳實施方式以下，將詳細(xì)的描述本發(fā)明。(酞菁化合物)首先，將詳細(xì)的描述本發(fā)明的酞菁化合物的的優(yōu)選實施例。由式(a)-(c)中的X表示的基團(tuán)的具體例子包括具有1-10個碳原子的取代或未取代的直鏈，支鏈或環(huán)烷基；具有1-10個碳原子的取代或未取代的直鏈，支鏈或環(huán)烷氧基；具有1-15個碳原子的取代或未取代的直鏈，支鏈或環(huán)烷硫基；取代或未取代的芳氧基；和取代或未取代的芳硫基。具有1-10個碳原子的取代或未取代的直鏈，支鏈或環(huán)烷基的例子包括未取代的烷基例如，甲基，乙基，丙基，丁基，戊基，己基，庚基，辛基，壬基，異丙基，仲丁基，叔丁基，新戊基，1，2-二甲基丙基，環(huán)己基，1，3-二甲基丁基，1-異丙基丙基，1，2-二甲基丁基，1，4-二甲基戊基，2-甲基-1-異丙基丙基，1-乙基-3-甲基丁基，3-甲基-1-異丙基丁基，2-甲基-1-異丙基丁基，1-叔丁基-2-甲基丙基，2-甲基戊基和2-乙基己基；鹵代烷基例如，2-氯代乙基，3-溴代丙基，2，2，3，3-四氟代丙基和1，1，1，3，3，3-六氟代-2-丙基；烷氧基取代的烷基例如，2-甲氧基乙基，2-乙氧基乙基，2-丁氧基乙基，1-乙氧基-2-丙基，3-甲氧基丙基，3-甲氧基丁基，2，2-二甲基-1，3-二氧戊環(huán)-4-基甲基，和1，3-二乙氧基-2-丙基；氨基取代的烷基例如，2-二甲基氨基乙基，2-二乙基氨基乙基，2-二丁基氨基乙基，和2-二乙基氨基丙基；和烷硫基取代的烷基例如1，3-二乙硫基-2-丙基。具有1-10個碳原子的取代或未取代的直鏈，支鏈或環(huán)烷氧基的例子包括未取代的烷氧基例如，甲氧基，乙氧基，丙氧基，丁氧基，戊氧基，己氧基，庚氧基，辛氧基，壬氧基，異丙氧基，仲丁氧基，叔丁氧基，新戊氧基，1，2-二甲基丙氧基，環(huán)己氧基，1，3-二甲基丁氧基，1-異丙基丙氧基，1，2-二甲基丁氧基，1，4-二甲基戊氧基，2-甲基-1-異丙基丙氧基，1-乙基-3-甲基丁氧基，3-甲基-1-異丙基丁氧基，2-甲基-1-異丙基丁氧基，1-叔丁基-2-甲基丙氧基，2-甲基戊氧基和2-乙基己氧基；鹵代烷氧基例如，2-氯代乙氧基，3-溴代丙氧基，2，2，3，3-四氟代丙氧基和1，1，1，3，3，3-六氟代-2-丙氧基；烷氧基取代的烷氧基例如，2-甲氧基乙氧基，2-乙氧基乙氧基，2-丁氧基乙氧基，1-乙氧基-2-丙氧基，3-甲氧基丙氧基，3-甲氧基丁氧基，2，2-二甲基-1，3-二氧戊環(huán)-4-基甲氧基，和1，3-二乙氧基-2-丙氧基；氨基取代的烷氧基例如，2-二甲基氨基乙氧基，2-二乙基氨基乙氧基，2-二丁基氨基乙氧基，和2-二乙基氨基丙氧基；和烷硫基取代的烷氧基例如1，3-二乙硫基-2-丙氧基。具有1-15個碳原子的取代或未取代的直鏈，支鏈或環(huán)烷硫基的例子包括未取代的烷硫基例如，甲硫基，乙硫基，丙硫基，丁硫基，戊硫基，己硫基，庚硫基，辛硫基，壬硫基，異丙硫基，仲丁硫基，叔丁硫基，新戊硫基，1，2-二甲基丙硫基，環(huán)己硫基，1，3-二甲基丁硫基，1-異丙基丙硫基，1，2-二甲基丁硫基，1，4-二甲基戊硫基，2-甲基-1-異丙基丙硫基，1-乙基-3-甲基丁硫基，3-甲基-1-異丙基丁硫基，2-甲基-1-異丙基丁硫基，1-叔丁基-2-甲基丙硫基，2-甲基戊硫基和2-乙基己硫基；鹵代烷硫基例如，2-氯代乙硫基，3-溴代丙硫基，2，2，3，3-四氟代丙硫基和1，1，1，3，3，3-六氟代-2-丙硫基；烷氧基取代的烷硫基例如，2-甲氧基乙硫基，2-乙氧基乙硫基，2-丁氧基乙硫基，1-乙氧基-2-丙硫基，3-甲氧基丙硫基，3-甲氧基丁硫基，2，2-二甲基-1，3-二氧戊環(huán)-4-基甲硫基，和1，3-二乙氧基-2-丙硫基；氨基取代的烷硫基例如，2-二甲基氨基乙硫基，2-二乙基氨基乙硫基，2-二丁基氨基乙硫基，和2-二乙基氨基丙硫基；和烷硫基取代的烷硫基例如1，3-二乙硫基-2-丙硫基。取代或未取代的芳氧基的例子包括苯氧基，2-氯代苯氧基，3-氯代苯氧基，4-氯代苯氧基，2-溴代苯氧基，3-溴代苯氧基，4-溴代苯氧基，2-甲基苯氧基，3-甲基苯氧基，4-甲基苯氧基，2-氯代-3-甲基苯氧基，3-氯代-4-乙基苯氧基，2-甲氧基苯氧基，3-甲氧基苯氧基，4-甲氧基苯氧基，4-氯代-3-甲氧基苯氧基，4-甲基-3-甲氧基苯氧基，2-甲基氨基苯氧基，2-二甲基氨基苯氧基，2-乙基氨基苯氧基，2-(甲基乙基氨基)苯氧基，2-二乙基氨基苯氧基，2-丙基氨基苯氧基，2-二丙基氨基苯氧基，3-甲基氨基苯氧基，3-二甲基氨基苯氧基，3-乙基氨基苯氧基，3-(甲基乙基氨基)苯氧基，3-二乙基氨基苯氧基，3-丙基氨基苯氧基，3-二丙基氨基苯氧基，4-甲基氨基苯氧基，4-二甲基氨基苯氧基，4-乙基氨基苯氧基，4-(甲基乙基氨基)苯氧基，4-二乙基氨基苯氧基，4-丙基氨基苯氧基，和4-二丙基氨基苯氧基。取代或未取代的芳硫基的例子包括苯硫基，2-氯代苯硫基，3-氯代苯硫基，4-氯代苯硫基，2-溴代苯硫基，3-溴代苯硫基，4-溴代苯硫基，2-甲基苯硫基，3-甲基苯硫基，4-甲基苯硫基，2-氯代-3-甲基苯硫基，3-氯代-4-乙基苯硫基，2-甲氧基苯硫基，3-甲氧基苯硫基，4-甲氧基苯硫基，4-氯代-3-甲氧基苯硫基，4-甲基-3-甲氧基苯硫基，2-甲基氨基苯硫基，2-二甲基氨基苯硫基，2-乙基氨基苯硫基，2-(甲基乙基氨基)苯硫基，2-二乙基氨基苯硫基，2-丙基氨基苯硫基，2-二丙基氨基苯硫基，3-甲基氨基苯硫基，3-二甲基氨基苯硫基，3-乙基氨基苯硫基，3-(甲基乙基氨基)苯硫基，3-丙基氨基苯硫基，3-二丙基氨基苯硫基，4-甲基氨基苯硫基，4-二甲基氨基苯硫基，4-乙基氨基苯硫基，4-(甲基乙基氨基)苯硫基，4-二乙基氨基苯硫基，4-丙基氨基苯硫基，和4-二丙基氨基苯硫基。由M表示的二價金屬的例子包括Cu(II)，Zn(II)，F(xiàn)e(II)，Co(II)，Ni(II)，Ru(II)，Rh(II)，Pd(II)，Pt(II)，Mn(II)，Mg(II)，Ti(II)，Bi(II)，Ca(II)，Ba(II)，Cd(II)，Hg(II)，Pb(II)，Sn(II)；單取代的三價金屬的例子包括Al-Cl，Al-Br，Al-F，Al-I，Ga-Cl，Ga-F，Ga-I，Ga-Br，In-Cl，In-Br，In-I，In-F，Tl-Cl，Tl-Br，Tl-I，Tl-F，Al-C6H5，Al-C6H4(CH3)，In-C6H5，In-C6H4(CH3)，In-C10H7，Mn(OH)，Mn(OC6H5)，Mn[OSi(CH3)3]，F(xiàn)eCl和RuCl。二取代的三價金屬的例子包括CrCl2，SiCl2，SiBr2，SiF2，SiI2，ZrCl2，GeCl2，GeBr2，GeI2，GeF2，SnCl2，SnBr2，SnI2，SnF2，TiCl2，TiBr2，TiF2和Si(OH)2，Ge(OH)2，Zr(OH)2，Mn(OH)2，Sn(OH)2，TiR12，CrR12，SiR12，SnR12，GeR12，(其中R1是烷基，苯基，萘基及其衍生物)，Si(OR2)2，Sn(OR2)2，Ge(OR2)2，Ti(OR2)2，和Cr(OR2)2(其中R2是烷基，烷基羰基，苯基，萘基，三烷基甲硅烷基，二甲氧基甲硅烷基及其衍生物)。氧化金屬的例子包括VO，MnO和TiO。由式(c)中的Z表示的基團(tuán)的具體例子包括氫原子；硝基；和鹵素原子例如氟，溴或碘原子，優(yōu)選氫原子和溴原子。由式(a)或(b)中的A表示的基團(tuán)的具體例子包括羰基，硫代羰基，砜，亞砜和碳亞氨基，優(yōu)選羰基和硫代羰基。該碳亞氨基可以被取代，取代的碳亞氨基的例子包括N-甲基碳亞氨基，N-苯基碳亞氨基，N-甲氧基碳亞氨基和N-羥基碳亞氨基。由式(a)或(b)中的Y表示的金屬化合物殘基，可以是任意殘基，只要它們是含金屬的化合物的殘基即可，優(yōu)選茂金屬化合物或其衍生物的殘基。具體的，作為例子有，茂金屬化合物例如Fe(Cp)2(其中，Cp指環(huán)戊二烯基)，Co(Cp)2，Ni(Cp)2，Ru(Cp)2，Os(Cp)2，Mn(Cp)2，Cr(Cp)2，W(Cp)2，V(Cp)2，Sc(Cp)3，Y(Cp)2，La(Cp)3，Ce(Cp)3，Pr(Cp)3，Nd(Cp)3，Sm(Cp)3，Gd(Cp)3，Er(Cp)3，Tm(Cp)3，Yb(Cp)3，和環(huán)戊二烯基茂錳三羰基；具有取代金屬的茂金屬化合物殘基例如茂鈦二苯氧化物，二(環(huán)戊二烯基)二(2，6-二氟代-3-(1H-吡咯-1-基)苯基鈦和環(huán)戊二烯基茂錳三羰基。更具體的，例如Fe(Cp)2。而且，這些茂金屬化合物殘基可以被烷基、芳基，和?；〈Ｓ墒?b)中的R表示的基團(tuán)的例子是氫原子，取代或未取代的碳原子總數(shù)為1-6的烷基，以及取代或未取代的碳原子總數(shù)為6-10的芳基，優(yōu)選的基團(tuán)是未取代的烷基例如，甲基，乙基，正丙基和異丙基；和芳基例如，苯基和萘基。(酞菁混合物的定義)本發(fā)明的酞菁混合物是由具有下面通式(II)的酞菁化合物組成的混合物，優(yōu)選通過本發(fā)明的制備方法得到。其中M和L’1-L’4與上述相同。具體的說，本發(fā)明的酞菁混合物是含有選自下述至少2種或更多種的化合物的混合物酞菁化合物(C)L’1-L’4都是(c)；酞菁化合物(A)L’1-L’4中的一個是(a)，其余三個是(c)；酞菁化合物(A2)L’1-L’4中的兩個是(a)，其余兩個是(c)；酞菁化合物(A3)L’1-L’4中的三個是(a)，其余一個是(c)；酞菁化合物(A4)L’1-L’4都是(a)；酞菁化合物(B)L’1-L’4中的一個是(b)，其余三個是(c)；酞菁化合物(B2)L’1-L’4中的兩個是(b)，其余兩個是(c)；酞菁化合物(B3)L’1-L’4中的三個是(b)，其余一個是(c)；酞菁化合物(B4)L’1-L’4中都是(b)；酞菁化合物(AB)L’1-L’4中的一個是(a)，另外一個是(b)，其余兩個是(c)；酞菁化合物(A2B)L’1-L’4中的兩個是(a)，另外一個是(b)，其余一個是(c)；酞菁化合物(AB2)L’1-L’4中的一個是(a)，另外2個是(b)，其余一個是(c)；酞菁化合物(A2B2)L’1-L’4中的兩個是(a)，其余2個是(b)；酞菁化合物(A3B)L’1-L’4中的三個是(a)，其余1個是(b)；和酞菁化合物(AB3)L’1-L’4中的一個是(a)，其余3個是(b)。更具體的，該混合物含有酞菁化合物(c)L’1-L’4都是(c)；酞菁化合物(A)L’1-L’4中的一個是(a)，其余三個是(c)；酞菁化合物(A2)L’1-L’4中的兩個是(a)，其余兩個是(c)；酞菁化合物(B)L’1-L’4中的一個是(b)，其余三個是(c)；酞菁化合物(B2)L’1-L’4中的兩個是(b)，其余兩個是(c)；和酞菁化合物(AB)L’1-L’4中的一個是(a)，另外一個是(b)，其余兩個是(c)；在組成本發(fā)明的混合物的酞菁化合物的各種類型中，當(dāng)L’1-L’4中的2個或更多是由式(a)表示的部分時，每個X，A和Y可以是相互不同的部分；當(dāng)L’1-L’4中的2個或更多是由式(b)表示的部分時，每個X，A和Y可以是相互不同的部分；和當(dāng)L’1-L’4中的2個或更多是由式(c)表示的部分時，每個X和Z可以是相互不同的部分。當(dāng)然，區(qū)別在于L’1-L’4上的取代基的相對位置的不同結(jié)構(gòu)和區(qū)別在于式(a)，式(b)和式(c)中的單元的方向的不同結(jié)構(gòu)也包括在上述不同類型的化合物/混合物中。(制備方法)本發(fā)明的酞菁化合物/混合物可以不經(jīng)過中間的萃取工序而制備，以下述方法作為制備方法例子使具有下面通式(III)的酞菁化合物與由具有N-CHO基團(tuán)的化合物和鹵化劑制備的Vilsmeier絡(luò)合物反應(yīng)以合成酞菁化合物的亞胺正離子鹽(immoniumsalt)其中，式(III)中，M表示兩個氫原子，一個二價金屬原子，一個單取代的三價金屬原子，一個二取代的四價金屬原子，或一個氧化金屬；L”1，L”2，L”3，和L”4獨立地表示式(c)其中，X和Z與上述相同；將具有下面的通式(IV)的堿性化合物添加進(jìn)該亞胺正離子鹽中R’-NH2(IV)其中，R’表示氫原子，未取代的碳原子總數(shù)為1-4的烷基，或取代或未取代的碳原子總數(shù)為6-15的芳基；和使由前述步驟得到的產(chǎn)物和具有下面的通式(V)的化合物反應(yīng)Y-A-NH2(V)其中，A表示羰基，硫代羰基，砜基，亞砜基，或碳亞氨基；和Y表示金屬化合物殘基。用作原料的酞菁化合物(III)可以通過描述在例如日本專利公開No.5-247363中的已知的方法制備。Vilsmeier絡(luò)合物是由具有N-CHO基團(tuán)的化合物和鹵化劑制備的，添加到上面的酞菁化合物(III)溶劑溶液中的Vilsmeier絡(luò)合物可以通過使具有N-CHO基團(tuán)的化合物和鹵化劑直接反應(yīng)或者通過在溶劑中混合該化合物和鹵化劑而制備，或者該Vilsmeier絡(luò)合物可以在上面的酞菁化合物(III)的溶劑溶液中通過將它們分開引入該體系中形成。具有N-CHO基團(tuán)的化合物的具體例子包括N，N-二甲基甲酰胺，N-甲基甲酰苯胺，和N，N-二異丙基甲酰胺，優(yōu)選的是N，N-二甲基甲酰胺和N-甲基甲酰苯胺。鹵化劑的具體例子包括三氯氧化磷(磷酰氯等)，碳酰氯(光氣)，亞硫酰氯，草酰氯，三苯基膦溴和六氯代三膦氮雜三烯(hexachlorotriphosphazatriene)，優(yōu)選的是磷酰氯，光氣和草酰氯。用于Vilsmeier絡(luò)合物的制備和亞胺正離子鹽的合成的溶劑包括例如極性溶劑例如吡啶，N，N-二甲基甲酰胺，N-甲基甲酰苯胺，二甲基乙酰胺，二甲基亞砜，N，N-二甲基咪唑烷酮和環(huán)丁砜；和芳烴溶劑例如，苯，甲苯，二甲苯，三甲基苯，氯苯，二氯苯和硝基苯。以摩爾計，制備的Vilsmeier絡(luò)合物與上面的酞菁化合物的用量比率是1-30，優(yōu)選1-15。具有N-CHO基團(tuán)的化合物和鹵化劑與上面的酞菁化合物的使用量比率分別是1-100和1-30，優(yōu)選1-50和1-30。在酞菁化合物與Vilsmeier絡(luò)合物的反應(yīng)中，具有N-CHO基團(tuán)的化合物可以作為溶劑使用。在Vilsmeier絡(luò)合物的制備和亞胺正離子鹽的合成中，反應(yīng)溫度是-50～80℃，并且優(yōu)選-10～50℃。當(dāng)預(yù)先制備Vilsmeier絡(luò)合物時，用于制備的反應(yīng)時間是5分鐘至10小時，優(yōu)選30分鐘至3小時。在隨后的亞胺正離子鹽合成中，反應(yīng)時間優(yōu)選1-96小時，更優(yōu)選3-36小時。當(dāng)現(xiàn)場制備Vilsmeier絡(luò)合物時，反應(yīng)時間也優(yōu)選1-96小時，更優(yōu)選3-36小時。在合成亞胺正離子鹽后添加的具有通式(IV)的堿性化合物的具體例子包括氨，烷基胺和芳基胺，優(yōu)選氨；烷胺例如，甲胺，乙胺和丁胺；芳基胺例如苯胺和2-甲基苯胺，更優(yōu)選氨。優(yōu)選添加過量的堿性化合物使得作為Vilsmeier絡(luò)合物和酞菁化合物的反應(yīng)產(chǎn)物亞胺正離子鹽，過量的Vilsmeier絡(luò)合物以及鹵代劑反應(yīng)完全，其添加量以摩爾計，優(yōu)選是所使用的鹵代劑量的1-100倍，更優(yōu)選是2-30倍。堿性化合物可以在某一時刻添加，但是優(yōu)選在冷卻混合物時逐漸添加，因為其添加引起作為放熱反應(yīng)的中和反應(yīng)。當(dāng)堿性化合物是液體時，優(yōu)選滴加，然而，當(dāng)堿性化合物是氣體時，優(yōu)選使用導(dǎo)管一邊鼓泡一邊添加。反應(yīng)溫度是-50～80℃，-10～50℃。反應(yīng)時間是30分鐘至30小時，優(yōu)選是1-6小時，盡管其取決于添加堿性化合物所用的時間。優(yōu)選添加包括金屬化合物殘基具有通式(V)的化合物使得通過上面的堿性化合物的添加合成的亞胺化合物完全反應(yīng)，其添加量以摩爾計，優(yōu)選是酞菁化合物量的1-30倍，更優(yōu)選1-10倍。該化合物可以在某一時刻添加或分成幾份添加。為了使反應(yīng)順利進(jìn)行，可以添加酸性催化劑例如對甲苯磺酸。反應(yīng)溫度是0℃至溶劑的回流溫度，優(yōu)選20℃至溶劑的回流溫度。反應(yīng)時間優(yōu)選是30分鐘至72小時，更優(yōu)選2-24小時。在添加具有通式(V)的化合物之前，可以過濾出在添加堿性化合物(IV)時無機(jī)鹽副產(chǎn)品。然后，在反應(yīng)之后進(jìn)行后處理，例如蒸餾溶劑或/和將劣溶劑中的反應(yīng)液排放到酞菁化合物中過濾出沉淀物，以得到本發(fā)明的酞菁化合物/混合物。如果得到的酞菁化合物/混合物通過重結(jié)晶或通過色譜柱提純，可以得到高純度的酞菁化合物。這樣得到的高純度的酞菁化合物可以和其他酞菁化合物/混合物結(jié)合使用，向其中添加的酞菁化合物/混合物和高純度的酞菁化合物/混合物可以以其混合物的形式使用。本發(fā)明優(yōu)選的具有通式(I)的酞菁化合物/混合物的具體例子示于下面的表1-4中；但是，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并不限制于這些例子。表1酞菁化合物(A)<tablesid="table3"num="003"><tablewidth="690">化合物MXAYmZn(90)InClSPhC(CH3)3C＝OFe(Cp)21Br，H1，2(91)VOSPhC(CH3)3C＝OFe(Cp)21Br，H1，2(92)CuSPhC(CH3)3C＝OFe(Cp)21Br，H1，2(93)NiSPhC(CH3)3C＝SCo(Cp)21Br，H1，2(94)PbSPhC(CH3)3C＝SSc(Cp)31Br，H1，2(95)FeClSPhC(CH3)3C＝SW(Cp)21Br，H1，2(96)VOSPhC(CH3)3SO2Fe(Cp)21Br，H1，2(97)CuSPhC(CH3)3SO2La(Cp)31Br，H1，2(98)CoSPhC(CH3)3SO2Er(Cp)21Br，H1，2(99)AlClSPhC(CH3)3SO2Ti(Cp)2(OPh)21Br，H1，2(100)TiOSPhC(CH3)3SO2Ti(Cp)2(OPh)21Br，H1，2(101)CuOCH[CH(CH3)2]2C＝OFe(Cp)22H2(102)VOOCH[CH(CH3)2]2C＝OFe(Cp)22H2(103)CuOCH[CH(CH3)2]2C＝SFe(Cp)22H2(104)VOOCH[CH(CH3)2]2C＝SFe(Cp)22H2(105)CuOCH[CH(CH3)2]2SO2Fe(Cp)22H2</table></tables>表2酞菁化合物(B)<tablesid="table4"num="004"><tablewidth="693">化合物MXAYRIZn(106)CuOCH[CH(CH3)2]2C＝OFe(Cp)2CH3，Ph1H3(107)CuOCH[CH(CH3)2]2C＝OFe(Cp)2CH3，CH31H3(108)CuOCH[CH(CH3)2]2C＝SFe(Cp)2CH3，Ph1H3(109)CuOCH[CH(CH3)2]2C＝SFe(Cp)2CH3，CH31H3(110)PdOCH[CH(CH3)2]2C＝OFe(Cp)2CH3，Ph1H3(111)PdOCH[CH(CH3)2]2C＝SFe(Cp)2CH3，Ph1H3(112)PdOCH[CH(CH3)2]2C＝OFe(Cp)2CH3，Ph1H，Br2，1</table></tables>表3酞菁化合物(C)表4酞菁化合物的混合物酞菁化合物(A)酞菁化合物(B)酞菁化合物(C)*也包括溴化度不同的化合物本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)由其中根據(jù)需要預(yù)形成有槽(導(dǎo)向槽)的透明基板；設(shè)置在基板上用于吸收激光束而在其中形成刻痕的記錄層；設(shè)置在記錄層上用于提高記錄層的反射率的反射層；設(shè)置在記錄層上用于保護(hù)記錄層和反射層的保護(hù)層。保護(hù)層可以用作粘合層以提供具有2層粘合結(jié)構(gòu)的光信息記錄介質(zhì)。對于上面的基板，只要其實際上能傳輸半導(dǎo)體激光束并且用于普通的光記錄介質(zhì)中，可以使用任何材料。例如，大分子材料如聚碳酸酯樹脂，丙烯酸樹脂，聚苯乙烯樹脂，氯乙烯樹脂，環(huán)氧樹脂，聚酯樹脂和無定形聚烯烴樹脂，或無機(jī)材料如可以使用玻璃。取決于條件，將聚碳酸酯樹脂等通過注射成型或兩步法形成其中具有預(yù)形成槽的基板。基板可以采取板，膜，盤或卡的形式?；蹇梢跃哂酗@示記錄位置的導(dǎo)向槽，顯示記錄位置的刻痕或在其基板上部分只讀信息的刻痕。本發(fā)明的記錄層含有本發(fā)明的酞菁化合物/混合物，其λmax是約650nm-900nm。一般的，有機(jī)染料特征在于其波長為λ時折射率n和消光系數(shù)k的巨大變化。如果在激光波長處的折射率n小于1.8，不能得到用于信號閱讀所要求的反射率和信號調(diào)制比，當(dāng)k大于0.40時，反射率降低，從而不能得到令人滿意的閱讀信號，而且，信號對于閱讀光的變化靈敏；因此，具有這樣的折射率n和消光系數(shù)k的染料不適于實際應(yīng)用。具有高反射率和靈敏度的介質(zhì)的制造可以通過考慮上述的染料特性，選擇在所要的激光波長處具有更好的光學(xué)常數(shù)的有機(jī)染料而使用其形成記錄介質(zhì)。用在本發(fā)明中的本發(fā)明的酞菁化合物/混合物是滿足記錄層在上述激光波長(n是1.8或更大，k在0.04-0.40范圍內(nèi)，優(yōu)選n是2.0或k在0.04-0.20范圍內(nèi))處具有所要求的上述光學(xué)常數(shù)的非常有用的化合物，原因在于它們各自具有高的光吸收系數(shù)，并且它們的吸收波長區(qū)域可以通過選擇它們的中心金屬或取代基而任意選擇。在記錄層中的本發(fā)明的酞菁化合物/混合物的含量是30％或更高，優(yōu)選60％或更高。實際含量為100％也是優(yōu)選的。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的記錄層可以通過象旋涂，蒸鍍或噴鍍這樣的方法形成；但是，從形成膜和控制在槽區(qū)域和槽脊區(qū)域的顏料層厚度的容易程度考慮，優(yōu)選旋涂方法。當(dāng)采用如旋涂方法的涂覆方法時，使用這樣的涂覆液本發(fā)明的酞菁化合物/混合物溶解或分散在其中使得在該液體中含量是1-40wt％，優(yōu)選3-30wt％。在這種情況下使用不破壞介質(zhì)基板的溶劑。這樣的溶劑包括非極性溶劑，例如，脂肪族或環(huán)脂族如己烷，庚烷，辛烷，癸烷，環(huán)己烷，甲基環(huán)己烷，乙基環(huán)己烷，二甲基環(huán)己烷，異丙基環(huán)己烷，環(huán)庚烷和環(huán)辛烷；和醚類溶劑如二乙醚，二丁醚，二異丁醚，二異丙醚和二戊醚；醇類極性溶劑如甲醇，乙醇，異丙醇，3-羥基-3-甲基-2-丁酮，雙丙酮醇，氟醇，烯丙醇和甲基纖維素溶劑。這些溶劑可以單獨，或結(jié)合2種或更多種使用。當(dāng)添加第二種溶劑時，優(yōu)選使用這樣的溶劑如苯，甲苯，二甲苯，苯乙烯，乙苯，丁苯，異丙苯，三甲苯，三乙苯，1，2，3，4-四氫化萘，對異丙基苯甲烷，甲基異丙基甲酮和二異丙基甲酮，因為它們對于基板槽具有令人滿意的均涂性能。第二種溶劑和涂覆液的混合比率優(yōu)選在0.1-20vol％范圍內(nèi)。在該范圍內(nèi)的混合比率是最佳的，其提供了顏料和混合溶劑的充分的相容性，不破壞基板，和提供了優(yōu)良的基板槽的顏料膜的形狀。當(dāng)不能選擇不破壞基板的溶劑時，象噴鍍、化學(xué)蒸鍍或真空蒸鍍這樣的方法可以有效的使用。優(yōu)選而不限于，記錄層的膜厚度是30nm-300nm。如果膜厚度小于30nm，引起記錄信號失真，而且信號振幅減小。如果膜厚度大于300nm，靈敏度降低，高速記錄特性惡化，記錄閱讀信號特性也惡化。當(dāng)在本發(fā)明中使用上述混合溶劑進(jìn)行涂覆時，優(yōu)選使用其槽深為150nm或更深和槽寬為650nm或更寬的基板。根據(jù)條件，可以在形成記錄層后進(jìn)行干燥步驟。根據(jù)介質(zhì)的生產(chǎn)性和介質(zhì)的記錄信號特性的穩(wěn)定度，干燥步驟優(yōu)選在20℃或其以上，100℃或其以下進(jìn)行。干燥方法可以選自空氣干燥，熱空氣干燥和通過紅外線輻射干燥，干燥時間通常是約10秒至2小時。干燥可以在大氣壓或減壓下進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明，反射層設(shè)置在光信息記錄介質(zhì)的記錄層上。反射層可以是除了反射性能外，具有例如絕熱和增光性能的膜。在這種情況下，反射層可以是由2層或更多層組成的多層結(jié)構(gòu)。這樣的反射層的具體例子是鋁，金，銀，銅，鉑，鎳和其中至少一種成分為所說的金屬的合金。反射層的厚度通常是20-200nm?？梢栽O(shè)置例如氧化鋁，氧化硅，氮化硅，氮化鋁，氮化硼，氟化鎂或碳化硅的無機(jī)膜作為具有絕熱和增光性能的第二層。形成反射層的方法包括，例如，噴鍍，離子鍍，化學(xué)蒸鍍和真空蒸鍍。根據(jù)本發(fā)明，保護(hù)層設(shè)置在光信息記錄介質(zhì)的反射層上。保護(hù)層不限定于任何具體的，只要其能保護(hù)記錄層和反射層即可。大分子材料例如聚碳酸酯，丙烯酸酯，聚苯乙烯，氯乙烯，環(huán)氧和聚酯或無機(jī)材料例如SiO2，Al2O3和AlN可以用于保護(hù)層。在上述材料中，紫外線固化丙烯酸樹脂是優(yōu)選的，由于它們的使用使得容易形成保護(hù)層。紫外線固化丙烯酸樹脂的具體例子包括尿烷丙烯酸酯，環(huán)氧丙烯酸酯和聚丙烯酸酯。這些可以單獨或結(jié)合使用。保護(hù)層可以是層壓2層或更多層的多層。形成保護(hù)層的方法包括，例如，涂覆方法如旋涂和澆鑄，噴鍍和化學(xué)蒸鍍，與用于記錄層的方法相似。在這些方法中，旋涂方法是優(yōu)選的。保護(hù)層的厚度通常在0.1-100μm；但是，在本發(fā)明中的，厚度優(yōu)選為3-30μm。標(biāo)簽等可以印刷在保護(hù)層上。而且，將保護(hù)片或基板粘結(jié)到反射層的表面上或使兩種光記錄介質(zhì)相互粘結(jié)使其內(nèi)面相貼合。紫外線固化樹脂或無機(jī)材料的薄膜可以形成于基板的反射面上以保護(hù)表面或阻擋灰塵等粘附在表面上。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)記錄和閱讀當(dāng)其上照射激光束時所產(chǎn)生的信號。在該記錄和閱讀中，使用振蕩波長在770-830nm范圍內(nèi)的半導(dǎo)體激光器作為CD-R。當(dāng)考慮和CD播放機(jī)的兼容性時，通常使用振蕩波長在770-830nm范圍內(nèi)的半導(dǎo)體激光器閱讀。但是，本發(fā)明的酞菁染料在300-450nm處也有吸收，因此在770-830nm范圍外，即使使用振蕩波長在400-600nm范圍內(nèi)的藍(lán)色半導(dǎo)體激光器，也能夠以高速記錄和在短時間內(nèi)進(jìn)行記錄。由于本發(fā)明的目的是提高光信息記錄介質(zhì)的靈敏度和減少在高速記錄時的靈敏度抖動值，所以測量靈敏度和抖動值是重要的。因此，本發(fā)明人重視記錄激光功率(靈敏度)和在BETA＝0％(BETA是記錄激光功率的指數(shù)，定義在OrangeBookStandard一書中)附近的抖動值并且對其作了評價。以下，將給出幾個實施例詳細(xì)說明本發(fā)明；但是，應(yīng)當(dāng)理解為這些實施例不是用來限定本發(fā)明的。酞菁化合物的合成(具體實施例混合物(120))在反應(yīng)容器中，在干燥的氮氣流中，將根據(jù)日本特開平5-247363號專利公報中描述的方法制備的6.5g(6.26mmol)四(α-2，4-二甲基-3-戊氧基)銅酞菁溶解在32mL的甲苯中，加入5.08g(37.6mmol)N-甲基甲酰苯胺，在5分鐘內(nèi)滴加5.76g(37.56mmol)磷酰氯，在45-50C下攪拌混合物20小時。然后，一邊在冰浴中冷卻混合物到5℃或更低溫度，一邊在混合物中吹入氨氣6小時(20mL/min)，過濾出副產(chǎn)物無機(jī)鹽，加入4.3g(18.8mmol)二茂鐵羧酸酰胺，使混合物回流4小時。將反應(yīng)溶液冷卻到室溫，過濾出不溶性物質(zhì)，用水清洗有機(jī)層使其濃縮，加入甲醇，過濾出沉淀的綠色固體物質(zhì)得到5.3g綠色粉末酞菁混合物(120)，示于具體實施例。通過液相色譜分析該混合物，結(jié)果是，該混合物含有58％的具體實施例化合物(1)，4％的具體實施例化合物(101)，11％的具體實施例化合物(106)，和24％的具體實施例化合物(113)(％表示在LC分析中的面積比)。該化合物在甲苯溶液中的最大吸收波長(λmax)和克吸收系數(shù)(εg)，以及在780nm處的光學(xué)常數(shù)(折射率和消光系數(shù))和該化合物的熱解溫度如下λmax716.5nmεg142000mL/g·cm折射率(780nm)2.31消光系數(shù)(780nm)0.12熱解拐點(TGA)345℃[實施例2]將實施例1得到的20g酞菁混合物(120)柱提純得到8.2g酞菁化合物，示于具體實施例化合物(1)。該化合物在甲苯溶液中的最大吸收波長(λmax)和克吸收系數(shù)(εg)，以及該化合物在780nm處的光學(xué)常數(shù)(折射率和消光系數(shù))如下λmax719.5nmεg152000mL/g·cm折射率(780nm)2.20消光系數(shù)(780nm)0.14[實施例3]將實施例1得到的20g酞菁混合物(120)柱提純得到1.8g酞菁化合物，示于具體實施例化合物(106)。該化合物在甲苯溶液中的最大吸收波長(λmax)和克吸收系數(shù)(εg)，以及該化合物在780nm處的光學(xué)常數(shù)(折射率和消光系數(shù))如下λmax717.5nmεg163000mL/g·cm折射率(780nm)2.28消光系數(shù)(780nm)0.10[實施例4]酞菁混合物的合成(具體實施例混合物(125))。除了使用4.3g(18.8mmol)二茂鐵硫代羧酸酰胺而不使用二茂鐵羧酸酰胺以外，進(jìn)行和實施例1相同的操作，得到含有5.9g酞菁混合物(125)的酞菁混合物，示于具體實施例。該化合物在甲苯溶液中的最大吸收波長(λmax)和克吸收系數(shù)(εg)，以及在780nm處的光學(xué)常數(shù)(折射率和消光系數(shù))和該混合物的熱解溫度如下λmax718nmεg134000mL/g·cm折射率(780nm)2.24消光系數(shù)(780nm)0.14熱解拐點(TGA)245℃，355℃對混合物進(jìn)行LC分析，結(jié)果是，該混合物含有62％的具體實施例化合物(8)，6％的具體實施例化合物(103)，14％的具體實施例化合物(108)，和15％的具體實施例化合物(113)。酞菁化合物的合成(具體實施例混合物(124))。除了使用根據(jù)日本特開平5-247363號專利公報中描述的方法制備的7.2g(6.3mmol)溴代-[四(α-2，4-二甲基-3-戊氧基)鈀酞菁]而不使用6.5g四(α-2，4-二甲基-3-戊氧基)銅酞菁以外，進(jìn)行和實施例1相同的操作，得到5.7g綠色粉末酞菁混合物(124)，示于表4中的具體實施例。該化合物在甲苯溶液中的最大吸收波長(λmax)和克吸收系數(shù)(εg)如下λmax719nmεg125000mL/g·cm[實施例6]酞菁化合物的合成(具體實施例化合物(16))。除了使用5.04g(19mmol)二茂鐵磺酰胺而不使用二茂鐵羧酸酰胺以外，進(jìn)行和實施例1相同的操作，得到3.8g綠色粉末含有具體實施例化合物(16)的酞菁混合物。該混合物在甲苯溶液中的最大吸收波長(λmax)和克吸收系數(shù)(εg)如下λmax726，707nmεg104000mL/g·cm[實施例7]酞菁化合物的合成(具體實施例化合物(19))。除了使用7.2g(6.3mmol)四(α-2，4-二甲基-3-戊氧基)鈀酞菁而不使用6.5g四(α-2，4-二甲基-3-丁氧基)銅酞菁以外，進(jìn)行和實施例1相同的操作，得到2.6g綠色粉末含有具體實施例化合物(19)的酞菁混合物。該化合物在甲苯溶液中的最大吸收波長(λmax)和克吸收系數(shù)(εg)如下λmax712nmεg110000mL/g·cm[實施例8]除了使用2.8gN，N-二甲基甲酰胺而不使用5.08gN-甲基甲酰苯胺以外，進(jìn)行和實施例1相同的操作，在滴加完磷酰氯之后，使反應(yīng)在70-80℃下繼續(xù)20小時，得到4.1g綠色粉末含有具體實施例化合物(1)的酞菁混合物。通過LC分析該混合物，結(jié)果是，該混合物含有45％的具體實施例化合物(1)，10％的具體實施例化合物(106)，44％的具體實施例化合物(113)。該混合物在甲苯溶液中的最大吸收波長(λmax)和克吸收系數(shù)(εg)如下λmax713.8nmεg162000mL/g·cm折射率(780nm)2.22消光系數(shù)(780nm)0.13[實施例9]涂覆液是通過將實施例1合成的0.9g酞菁混合物(120)溶解在50mL的混合溶液中制備，其中該混合物溶液是通過將2mL偏三甲苯(CosmoMatsuyamaOilCo.，Ltd.)作為第二種溶劑添加到50mL二甲基環(huán)己烷(IWATANIINDUSTRIALGASESCORP.)中得到的。將該涂覆液旋涂在具有螺旋槽(螺距1.6μm，槽寬度0.7μm，槽深度180nm)的注射成型的聚碳酸酯基板(外徑120mm，厚度1.2mm)上形成記錄層使得Abs(記錄層的吸收率)＝0.50。然后，將記錄層形成于其上的基板在70℃下干燥2小時以除去該染料中的殘留溶劑。接著，使用Balzers制造的噴鍍裝置(CDI-900)將銀噴鍍在記錄層上使得銀膜的厚度是約70nm從而形成反射層。然后，將紫外線固化樹脂“SD-1700”(DainipponInkandChemicals，Ins.)旋涂在反射層上，以用于固化的紫外射線照射該涂覆液形成6μm厚的保護(hù)層。在由此制造的光記錄介質(zhì)上，以38.4m/s的線速度(EFM記錄)，使用由SanyoElectricCo.，Ltd.制造的32倍速的光盤記錄系統(tǒng)(波長約780nm，NA＝約0.5)進(jìn)行記錄，在光盤評價裝置DDU-1000(PULSTECINDUSTRIALCo.，Ltd.，激光波長782nm，NA＝0.45，使用裝配在可商購的CD播放器上的投影器)上閱讀時的抖動和調(diào)制比率的測定使用LJM-1851抖動儀(LEADERELECTRONICSCORP.)和CD解碼器由KenwoodCorporation制造的DR3552，由Hitachi，Ltd.制造的數(shù)字存貯示波器VC-6100和由ADC制造的TIA-175定時間隔分析儀(TimingIntervalAnaylyzer)。評價結(jié)果示于表5。獲得令人滿意的記錄靈敏度，在BETA＝0％時記錄激光功率＝43.0mW，以及令人滿意的抖動特性，可以進(jìn)行具有32倍高速記錄特性的優(yōu)良的記錄和閱讀。該介質(zhì)和各種類型的CD播放器的兼容性也是優(yōu)良的。介質(zhì)制造和記錄特性的評價使用實施例4合成的酞菁混合物(125)以和實施例9相同的方法制造光記錄介質(zhì)。以和實施例9相同的方法評價光記錄介質(zhì)在32倍速時的記錄和閱讀。獲得令人滿意的記錄靈敏度，在BETA＝0％時記錄激光功率＝42.0mW，以及令人滿意的抖動特性，可以進(jìn)行具有32倍高速記錄特性的優(yōu)良的記錄和閱讀。該介質(zhì)和各種類型的CD播放器的兼容性也是優(yōu)良的。使用實施例5合成的酞菁混合物(124)以和實施例9相同的方法制造光記錄介質(zhì)。評價其在32倍速時的記錄和閱讀。獲得令人滿意的記錄靈敏度，在BETA＝0％時記錄激光功率＝43.0mW，以及令人滿意的抖動特性，可以進(jìn)行具有32倍高速記錄特性的優(yōu)良的記錄和閱讀。該介質(zhì)和各種類型的CD播放器的兼容性也是優(yōu)良的。對比例1根據(jù)在WO98/14520和WO00/09522中公開的方法，單甲酰酞菁化合物的得到是首先通過進(jìn)行四(α-2，4-二甲基-3-戊氧基)鈀酞菁的甲酰化，然后經(jīng)過萃取和柱提純步驟。然后，溴化單甲酰酞菁化合物，使其通過硼烷鈉發(fā)生還原反應(yīng)，柱提純得到溴化單甲酰酞菁化合物。接著，使用二茂鐵碳酰氯使該化合物酯化以合成在WO00/09522中描述的具有以下結(jié)構(gòu)式(化合物1)的酞菁顏料。(化合物1)如上所述，該化合物的合成需要多個步驟。通過旋涂方法使用該化合物以和實施例9相同的方法形成記錄層，依次在記錄層上形成反射層和保護(hù)層制造光記錄介質(zhì)。評價該介質(zhì)在32倍速時的記錄和閱讀。在BETA＝0％時記錄激光功率＝48mW。這顯示出該對比例的介質(zhì)的記錄靈敏度低于實施例9-11的記錄靈敏度。對比例2由四(α-2，4-二甲基-3-戊氧基)銅酞菁得到單甲酰酞菁化合物，然后，通過硼烷鈉使該單甲酰酞菁化合物發(fā)生還原反應(yīng)，并且以和對比例1相同的方法，柱提純得到單羥基酞菁化合物。接著，使用二茂鐵碳酰氯使該化合物酯化以合成具有以下結(jié)構(gòu)式(化合物2)的酞菁顏料。如上所述，該化合物的合成需要多個步驟。(化合物2)通過旋涂方法使用該化合物以和實施例9相同的方法形成記錄層，依次在記錄層上形成反射層和保護(hù)層制造光記錄介質(zhì)。評價該介質(zhì)在32倍速時的記錄和閱讀。在BETA＝0％時記錄激光功率＝46mW。這顯示出該對比例的介質(zhì)的記錄靈敏度低于實施例9-11的記錄靈敏度。使用以和實施例1相同的方法合成的化合物以和實施例9相同的方法制造光記錄介質(zhì)，并評價其在32倍速時的記錄和閱讀。其結(jié)果包括實施例9-11的結(jié)果，示于表5。表5靈敏度○＜46mW×≥46mW抖動○≥35ns×＞35ns權(quán)利要求1.一種由下面的通式(I)表示的酞菁化合物其中，式(I)中，M是兩個氫原子，二價金屬原子，單取代的三價金屬原子，二取代的四價金屬原子，或氧化金屬；L1，L2，L3，和L4各自獨立地是式(a)、式(b)、或式(c)在式(a)，式(b)和式(c)中，X表示取代或未取代的烷基，烷氧基，烷硫基，芳氧基，和芳硫基；每個R獨立地是氫原子，取代或未取代的碳原子總數(shù)為1-6的烷基，取代或未取代的碳原子總數(shù)為6-10的芳基；A表示羰基，硫代羰基，砜基，锍化物基，或碳亞氨基，Y表示金屬化合物殘基，Z獨立地表示氫原子，硝基，或鹵素原子，以及L1-L4中的至少一個是式(a)或(b)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的酞菁化合物，其中，前述式(I)中，M是Cu，所述L1-L4中的至少一個表示式(a-1)，并且所述L1-L4中的至少一個表示式(c-1)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的酞菁化合物，其中，前述式(I)中，M是Cu，所述L1-L4中的至少一個表示式(b-1)，并且所述L1-L4中的至少一個表示式(c-1)。4.一種包括下面的通式(II)表示的酞菁化合物的混合物其中，式(II)中，M表示兩個氫原子，二價金屬原子，單取代的三價金屬原子，二取代的四價金屬原子，或氧化金屬；L’1，L’2，L’3，和L’4各自獨立地是式(a)、式(b)、或式(c)其中，在式(a)，(b)和(c)中，X表示取代或未取代的烷基，烷氧基，烷硫基，芳氧基，或芳硫基；每個R獨立地是氫原子，取代或未取代的碳原子總數(shù)為1-6的烷基，取代或未取代的碳原子總數(shù)為6-10的芳基；A表示羰基，硫代羰基，砜基，锍化物基，或碳亞氨基；Y表示金屬化合物殘基；Z獨立地表示氫原子，硝基，或鹵素原子，但條件是，排除僅由L’1-L’4都是式(c)的酞菁化合物組成的混合物。5.一種制備權(quán)利要求1-4中任一項所述的酞菁化合物/混合物的方法，其包括下述步驟將下面的通式(III)表示的酞菁化合物與由具有N-CHO基團(tuán)的化合物和鹵化劑制備的維路斯梅爾(Vilsmeier)絡(luò)合物進(jìn)行反應(yīng)以合成酞菁化合物的亞胺正離子鹽，其中，式(III)中，M表示兩個氫原子，二價金屬原子，單取代的三價金屬原子，二取代的四價金屬原子，或氧化金屬；L”1，L”2，L”3，和L”4獨立地表示式(c)式(c)中，X表示取代或未取代的烷基，烷氧基，烷硫基，芳氧基，和芳硫基；Z獨立地表示氫原子，硝基，或鹵素原子；并且在L”1-L”4中的至少一個Z是氫原子；添加具有下面的通式(IV)的堿性化合物R’-NH2(IV)其中，R’表示氫原子，未取代的碳原子總數(shù)為1-4的烷基，或取代或未取代的碳原子總數(shù)為6-15的芳基；以及將由前述步驟得到的產(chǎn)物和具有下面的通式(V)的化合物進(jìn)行反應(yīng)Y-A-NH2(V)其中，A表示羰基，硫代羰基，砜基，锍化物基，或碳亞氨基；Y表示金屬化合物殘基。6.一種光記錄介質(zhì)，在其記錄層中含有權(quán)利要求1-5中任一項所述的酞菁化合物/混合物。全文摘要一種由下面的通式(I)表示的酞菁化合物及其混合物，和一種在其記錄層含有該化合物/混合物的的光記錄介質(zhì)。其中，通式(I)中，M是兩個氫原子，二價金屬原子，單取代基的三價金屬原子，二取代的四價金屬原子，或氧化金屬，和L文檔編號C09B47/04GK1633475SQ0380388公開日2005年6月29日申請日期2003年2月14日優(yōu)先權(quán)日2002年2月15日發(fā)明者清野和浩,中川真一,三澤傳美,木下智之,高坂明宏,寺尾博,熊谷洋二郎申請人:三井化學(xué)株式會社,山本化成株式會社