技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種單晶硅片制絨方法及其絨添加劑，制備步驟包括1)清洗；2)放入含有金屬離子、氧化劑和化學(xué)腐蝕劑的第一化學(xué)溶液中，在硅片表面形成納米結(jié)構(gòu)絨面；3)清洗；4)放入第二化學(xué)溶液中，通過微化學(xué)刻蝕形成金字塔結(jié)構(gòu)；5)清洗。制絨添加劑為表面活性劑和異丙醇，葡萄糖，可溶性淀粉，尿素中的任意一種或者幾種本發(fā)明的晶體硅太陽能電池表面微納米結(jié)構(gòu)的制備方法與現(xiàn)有技術(shù)的制備方法相比，具有下述有益效果：刻蝕速率快；2)形成均勻的金字塔結(jié)構(gòu)；3)制備出的硅片表面光反射率為8?12％。4)刻蝕硅片速度極大提高，生產(chǎn)效率提高，降低了生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：蘇曉東;胡奮琴
受保護的技術(shù)使用者：嘉興尚能光伏材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.08.24
技術(shù)公布日：2017.11.10