一種拋光層及其制備方法以及低損傷化學機械拋光墊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種拋光層及其制備方法以及低損傷化學機械拋光墊，解決了現(xiàn)有拋光層硬度高、損傷率高的問題，本發(fā)明方法以由異氰酸酯封端的預聚物、固化劑以及功能填料為原料混合固化而成，其中，所述異氰酸酯封端的預聚物由多官能異氰酸酯和分子量為650?2000的多元醇反應制備。本發(fā)明拋光層由上述方法制得，本發(fā)明拋光墊含有上述拋光層。本發(fā)明具有工藝簡單、具有優(yōu)良的平坦化能力、低損傷率和低缺陷含量的優(yōu)點。
【專利說明】
-種拋光層及其制備方法從及低損傷化學機械拋光墊
技術(shù)領域
[0001] 本發(fā)明設及一種化學機械拋光技術(shù)領域，具體的說是一種拋光層及其制備方法W 及低損傷化學機械拋光墊。
【背景技術(shù)】
[0002] 化學機械拋光(CMP)是用于對基底材料如半導體基材、光學基材和磁性基材進行 平坦化的常見技術(shù)。除了平坦化W外，要求拋光墊不會引入過多的缺陷，例如劃痕或其它不 均勻結(jié)構(gòu)。另外，電子工業(yè)的持續(xù)發(fā)展對拋光墊的平面化和缺陷度能力提出了更高的要求。
[0003] 在CMP過程中，拋光墊與拋光液結(jié)合起來，W化學腐蝕和機械摩擦的方式除去過量 的材料，進行平坦化W接受隨后的層。運些層W-定的方式堆疊起來形成集成電路。由于人 們需要具有更高運行速度、更低漏電電流和更低能耗的器件，所W運些半導體器件的制造 變得越來越復雜，運意味著器件的構(gòu)建需要有更加精細的特征構(gòu)造和更多數(shù)量的金屬化平 面。運些越來約苛刻的器件設計要求使得線路間隔越來越小，導致圖案密度增大。器件越來 越小的規(guī)模和越來越高的復雜性導致人們對拋光墊和拋光液之類的CMP消耗品的要求越來 越高。另外，隨著集成電路特征尺寸的減小，CMP引發(fā)的缺陷，例如劃痕成為越來越大的問 題。另外，集成電路越來越小的膜厚度需要缺陷度獲得改進，同時還要為晶片基板提供可接 受的形貌;運些形貌上的需求對平坦度、線路凹陷和陣列蝕刻拋光的要求越來越苛刻。
[0004] 歷史上，誘注的聚氨醋拋光墊為用于制造集成電路的大多數(shù)拋光操作提供了機械 整體性和耐化學腐蝕性。例如，聚氨醋拋光墊具有足夠的硬度，用于防止在拋光過程中發(fā)生 磨損問題的耐磨性，W及抗酸堿拋光液侵蝕的穩(wěn)定性。但另一方面，當拋光墊具有高硬度 時，則存在易于劃傷的問題。人們一直需要一款具有優(yōu)良的平坦化能力W及改進的缺陷度 性能的拋光墊。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明是為了解決上述技術(shù)問題，提供一種工藝簡單、具有優(yōu)良的平坦化能力、低 損傷率和低缺陷含量的拋光層。
[0006] 本發(fā)明還提供一種上述拋光層的制備方法。
[0007] 本發(fā)明還提供一種含有上述拋光層的低損傷化學機械拋光墊。
[000引本發(fā)明拋光層的制備方法W由異氯酸醋封端的預聚物、固化劑W及功能填料為原 料混合固化而成，其中，所述異氯酸醋封端的預聚物由多官能異氯酸醋和分子量為650- 2000的多元醇反應制備。
[0009] 控制反應后得到的異氯酸醋封端的預聚物中NCO含量在質(zhì)量百分數(shù)3.3-8.6wt%。
[0010] 所述固化劑為官能度為2的固化多胺和/或固化多元醇，優(yōu)選為含有環(huán)結(jié)構(gòu)的固化 族多胺和固化多元醇，進一步優(yōu)選為4,4'-二氨基-3,3'-二氯二苯甲燒(MOCA)、二乙基甲苯 二胺(DETDA)、對苯二酪二徑乙基酸化犯E)、l ,4-下二醇(BDO)中的至少一種。
[0011] 所述固化劑中的活性基團與異氯酸醋封端預聚體中的活性基團的計量比1:1。
[0012] W異氯酸醋封端的預聚物、固化劑從及功能填料總量lOOwt%計，功能填料的添加 比占 。
[0013] 本發(fā)明拋光層由上述制備方法制得，其邵氏硬度為15D-30D。
[0014] 本發(fā)明拋光墊至少包含拋光層和底墊兩部分，優(yōu)選僅由拋光層和底墊組成。
[0015] 現(xiàn)有技術(shù)中的通常認識是將拋光層的硬度調(diào)得很高，邵氏硬度一般在40DW上，運 樣的高硬度帶來的問題在【背景技術(shù)】中已有解釋，基于上述問題，發(fā)明人發(fā)揮了創(chuàng)造性思維， 一改拋光層高硬度的慣常作法，制備一種低硬度的拋光層，通過對原料進行改進，使得運種 低硬度的拋光層具有了一種"彈性"效果，既能起到拋光層的功能，又具有保持拋光壓力平 衡的作用，從而達到降低損傷率和缺陷含量的目的。
[0016] 本發(fā)明的發(fā)明點之一是獲得一種異氯酸醋封端的預聚物，其由多官能異氯酸醋和 分子量為650-2000的多元醇反應而成，其中，嚴格限定了多元醇的分子量為650-2000,分子 量高于2000會到導致材料過軟，體系彈性過大，拋光速率低下，低于650會導致材料過硬，并 且成型操作困難，進一步優(yōu)選多元醇的分子量為1000;所述分子量為650-2000的多元醇可 W為聚酸型多元醇和/或聚醋型多元醇，聚酸型多元醇可W列舉出聚四亞甲基酸二醇 ((PTMEG)和聚亞丙基酸二醇（（PPG);聚醋多元醇可W列舉出如聚己二酸乙二醇醋二醇；聚 己二酸下二醋二醇；聚己二酸乙締丙二醋二醇;鄰苯二甲酸-1、6-己二醇醋;聚（己二酸六亞 甲基醋)二醇；1、6-己二醇-引發(fā)的聚己酸內(nèi)醋；二乙二醇引發(fā)的聚己酸內(nèi)醋己徑甲基丙烷 引發(fā)的聚己酸內(nèi)醋;新戊二醇引發(fā)的聚己內(nèi)醋；1、4-下二醇引發(fā)的聚己內(nèi)醋、聚四亞甲基酸 二醇引發(fā)的聚己內(nèi)醋等。
[0017] 所述異氯酸醋封端的預聚物的制備中，多官能異氯酸醋可列舉出異佛爾酬二異氯 酸醋（IPDI)、苯二亞甲基二異氯酸醋（XDI)、1,6-己二異氯酸醋化DI)、甲苯二異氯酸醋 (TDI )、二苯甲燒二異氯酸醋(MDI)或它們的混合物，優(yōu)選芳族的異氯酸醋（如TDI，MDI )，更 優(yōu)選芳族異氯酸醋和脂肪(環(huán))族異氯酸醋的混合物(如TDI和皿I)。
[001引進一步的，限定了異氯酸醋封端的預聚物中NCO含量在質(zhì)量百分數(shù)3.3-8.6wt%， 本領域技術(shù)人員根據(jù)NCO的含量可理調(diào)節(jié)多官能異氯酸醋和多元醇之間的添加比例，過高 會導致誘注工藝操作困難，過低會導致物料混合不均并且生產(chǎn)能耗較高。進一步優(yōu)選為 3.3-8.6wt%。
[0019] 進一步的，固化劑優(yōu)選為官能度為2的固化多胺和/或固化多元醇，保證材料結(jié)構(gòu) 的均一性，在此基礎上，優(yōu)選含有環(huán)結(jié)構(gòu)的固化族多胺和固化多元醇，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，分 子中含有環(huán)結(jié)構(gòu)可W賦予材料一定的機械性能，保證了材料的使用壽命，使低硬度下的拋 光層在其它機械性能方面與高硬度拋光層相當。具體地，上述固化多胺和/或固化多元醇可 W列舉出4,4'-二氨基-3，3'-二氯二苯甲燒(MOCA)、二乙基甲苯二胺(DETDA)，對苯二酪二 徑乙基酸化犯E)、l ,4-下二醇(BDO)中的至少一種，所述固化劑的添加量可根據(jù)所述異氯酸 醋封端的預聚物中NCO的含量計算得知。
[0020] 所述功能填料主要作用是在拋光過程中形成孔隙，制造一定的表面粗糖度，保持 拋光液濃度和儲存轉(zhuǎn)移拋光廢屑，包括在拋光過程中被除去或溶解的固體微粒和填充了液 體的微?；蚯蝮w，填充了氣體的微粒、填充了氣體的球體和通過其它方法形成的空隙，其它 方法包括例如通過機械法在粘性體系中產(chǎn)生氣泡，將氣體注入聚氨醋烙體、通過產(chǎn)生氣態(tài) 產(chǎn)物的化學反應原位引入氣體，或通過減壓使溶解的氣體形成氣泡。本發(fā)明優(yōu)選高孔隙與 小孔徑的組合，可W特別有益地減小缺陷度。本發(fā)明優(yōu)選聚合物空屯、微球，所述功能填料粒 徑范圍為1-100微米，優(yōu)選2-40微米。
[0021] W異氯酸醋封端的預聚物、固化劑W及功能填料總量lOOwt%計，所述功能填料優(yōu) 選占過多會導致材料硬度下降，體系支撐不夠，過少會導致材料保持拋光液體效 果下降，拋光去除效率下降。
[0022] 本發(fā)明中所述拋光層的混合固化方法為現(xiàn)有技術(shù)，在此不作詳述。
[0023] 有益效果
[0024] 本發(fā)明通過對選用特殊分子量的多元醇與多官能異氯酸醋進行預聚反應獲得異 氯酸醋封端的預聚物，W此為原料制備拋光層的邵氏硬度控制為15D-30D，具有優(yōu)異的低缺 陷度、平滑度和低損傷率，且各項機械能力、拋光效率與現(xiàn)有拋光墊相當；使用本發(fā)明拋光 層用于制備拋光墊時，可兼具拋光層和緩沖層兩個功能，因此可取消原有的緩沖層，而直接 由拋光層和底墊粘合，制造工藝和結(jié)構(gòu)更為簡單，可大大降低生產(chǎn)成本。
【具體實施方式】
[0025] 本發(fā)明拋光墊的拋光層制備方法如下：
[00%]拋光層實施例1
[0027]將35g TDI投入到=口瓶中、在30分鐘內(nèi)升高反應溫度至70°C、待融化后、開動攬 拌器攬拌均勻。將100g己斯夫PTHF1000滴加到上述溶液中、滴加時間控制在0.5小時。滴加 完畢后、繼續(xù)在80°C條件下保溫反應2小時、然后將對反應物進行脫泡處理、即得異氯酸根 離子封端預聚體Al，NCO含量6. Owt %。
[002引將質(zhì)量百分數(shù)為1.8%的填料C空屯、聚合物微球體(AkzoNobel制造的EXPANC化的 461DE40d60或551DE40d42)使用高剪切混合器W大約3600巧m的轉(zhuǎn)速進行混合，將微球體均 勻地分散在異氯酸根離子封端預聚體Al中，得到AlC均勻混合物。將19g固化劑B冊EE加入 到AlC均勻混合物中、并攬拌混合均勻。將混合物誘注至薄片模具中、然后轉(zhuǎn)移至固化烘箱 中、在100°C熟化16小時、然后在2小時內(nèi)降至室溫、脫模、然后在表面機械加工出通道或溝 槽即得拋光層實施例1。測得拋光層硬度為邵氏25D。
[0029] 拋光層實施例2
[0030] 將34g HDI投入到S 口瓶中、在30分鐘內(nèi)升高反應溫度至70°C，將65g己斯夫 PTHF650滴加到上述溶液中、滴加時間控制在0.5小時。滴加完畢后、繼續(xù)在80°C條件下保溫 反應2小時、然后將對反應物進行脫泡處理、即得異氯酸根離子封端預聚體A2，NC0含量 8.6wt%。
[0031] 將質(zhì)量百分數(shù)為2%的填料C空屯、聚合物微球體(AkzoNobel制造的EXPANC化的 461DE40d60或551DE40d42)使用高剪切混合器W大約3600巧m的轉(zhuǎn)速進行混合，將微球體均 勻地分散在異氯酸根離子封端預聚體A2中，得到A2C均勻混合物。
[0032] 將21g固化劑B朋邸加入到A2C均勻混合物中、并攬拌混合均勻。將混合物誘注至 薄片模具中、然后轉(zhuǎn)移至固化烘箱中、在IOOC熟化16小時、然后在2小時內(nèi)降至室溫、脫模、 然后在表面機械加工出通道或溝槽即得拋光層實施例2。測得拋光層硬度為邵氏28D。拋光 層實施例3
[0033] 將50g MDI投入到=口瓶中、在30分鐘內(nèi)升高反應溫度至70°C、待融化后、開動攬 拌器攬拌均勻。將200g己斯夫PTHF2000滴加到上述溶液中、滴加時間控制在0.5小時。滴加 完畢后、繼續(xù)在80°C條件下保溫反應2小時、然后將對反應物進行脫泡處理、即得異氯酸根 離子封端預聚體A3，NCO含量3.3wt %。
[0034] 將質(zhì)量百分數(shù)為1.5%的填料C空屯、聚合物微球體(AkzoNobel制造的EXPANC化的 461DE40d60或551DE40d42)使用高剪切混合器W大約3600巧m的轉(zhuǎn)速進行混合，將微球體均 勻地分散在異氯酸根離子封端預聚體A3中，得到A3C均勻混合物。
[0035] 將8.9g固化劑B BDO加入到A3C均勻混合物中、并攬拌混合均勻。將混合物誘注至 薄片模具中、然后轉(zhuǎn)移至固化烘箱中、在IOOC熟化16小時、然后在2小時內(nèi)降至室溫、脫模、 然后在表面機械加工出通道或溝槽即得拋光層實施例4。測得拋光層硬度為邵氏20D。拋光 層實施例4
[0036] 將25g MDI和22g IPDI投入到S口瓶中、在30分鐘內(nèi)升高反應溫度至70°C、待融化 后、開動攬拌器攬拌均勻。將200g拜爾Arcol PPG-2000滴加到上述溶液中、滴加時間控制在 0.5小時。滴加完畢后、繼續(xù)在80°C條件下保溫反應2小時、然后將對反應物進行脫泡處理、 即得異氯酸根離子封端預聚體A4，NCO含量3.4wt %。
[0037] 將質(zhì)量百分數(shù)為1.5%的填料C空屯、聚合物微球體(AkzoNobel制造的EXPANC化的 461DE40d60或551DE40d42)使用高剪切混合器W大約3600巧m的轉(zhuǎn)速進行混合，將微球體均 勻地分散在異氯酸根離子封端預聚體A4中，得到A4C均勻混合物。
[003引將17g固化劑B DETDA加入到A4C均勻混合物中、并攬拌混合均勻。將混合物誘注至 薄片模具中、然后轉(zhuǎn)移至固化烘箱中、在IOOC熟化16小時、然后在2小時內(nèi)降至室溫、脫模、 然后在表面機械加工出通道或溝槽即得拋光層實施例4。測得拋光層硬度為邵氏18D。拋光 層實施例5
[0039] 將17g TDI和17g HDI投入到S口瓶中、在30分鐘內(nèi)升高反應溫度至70°C、待融化 后、開動攬拌器攬拌均勻。將100g拜爾Arcol PPG-1000 滴加到上述溶液中、滴加時間控制在 0.5小時。滴加完畢后、繼續(xù)在80°C條件下保溫反應2小時、然后將對反應物進行脫泡處理、 即得異氯酸根離子封端預聚體A5,NCO含量5. Iwt%。
[0040] 將質(zhì)量百分數(shù)為1.8%的填料C空屯、聚合物微球體(AkzoNobel制造的EXPANC化的 461DE40d60或551DE40d42)使用高剪切混合器W大約3600巧m的轉(zhuǎn)速進行混合，將微球體均 勻地分散在異氯酸根離子封端預聚體A5中，得到A5C均勻混合物。
[0041 ] 將固化劑B14g MOCA和4g抓0加入到A5C均勻混合物中、并攬拌混合均勻。將混合物 誘注至薄片模具中、然后轉(zhuǎn)移至固化烘箱中、在IOOC熟化16小時、然后在2小時內(nèi)降至室 溫、脫模、然后在表面機械加工出通道或溝槽即得拋光層實施例5。測得拋光層硬度為邵氏 27D。
[0042] 拋光層實施例6
[0043] 將17g TDI和23g IPDI投入到=口瓶中、在30分鐘內(nèi)升高反應溫度至70°C、待融化 后、開動攬拌器攬拌均勻。將100g大賽踰Placcel 210滴加到上述溶液中、滴加時間控制在 0.5小時。滴加完畢后、繼續(xù)在80°C條件下保溫反應2小時、然后將對反應物進行脫泡處理、 即得異氯酸根離子封端預聚體A6，NC0含量4.5wt%。
[0044] 將質(zhì)量百分數(shù)為1 %的填料C空屯、聚合物微球體(AkzoNobel制造的EXPANC化的 461DE40d60或551 DE40d42)使用高剪切混合器W大約3600巧m的轉(zhuǎn)速進行混合，將微球體 均勻地分散在異氯酸根離子封端預聚體A6中，得到A6C均勻混合物。
[0045] 將固化劑B 8g DETDA和4g BDO加入到A6C均勻混合物中、并攬拌混合均勻。將混合 物誘注至薄片模具中、然后轉(zhuǎn)移至固化烘箱中、在IOCTC熟化16小時、然后在2小時內(nèi)降至室 溫、脫模、然后在表面機械加工出通道或溝槽即得拋光層實施例6。測得拋光層硬度為邵氏 20D。
[0046] 拋光層實施例7
[0047] 將38g XDI投入到S口瓶中，將200g大賽踰Placcel 220AL滴加到上述溶液中、滴 力郵寸間控制在0.5小時。滴加完畢后、繼續(xù)在80°C條件下保溫反應2小時、然后將對反應物進 行脫泡處理、即得異氯酸根離子封端預聚體A7，NCO含量3.5wt %。
[004引將質(zhì)量百分數(shù)為2%的填料C空屯、聚合物微球體(AkzoNobel制造的EXPANC化的 461DE40d60)使用高剪切混合器W大約3600巧m的轉(zhuǎn)速進行混合，將微球體均勻地分散在異 氯酸根離子封端預聚體A7中，得到A7C均勻混合物。
[0049] 將2?固化劑B MOCA加入到A7C均勻混合物中、并攬拌混合均勻。將混合物誘注至 薄片模具中、然后轉(zhuǎn)移至固化烘箱中、在IOOC熟化16小時、然后在2小時內(nèi)降至室溫、脫模、 然后在表面機械加工出通道或溝槽即得拋光層實施例7。測得拋光層硬度為邵氏15D。拋光 層實施例8
[(K)加]將25g MDI和17g HDI投入到S口瓶中、在30分鐘內(nèi)升高反應溫度至7(TC、待融化 后、開動攬拌器攬拌均勻。將200g Kuraray Polyol P2010滴加到上述溶液中、滴加時間控 制在0.5小時。滴加完畢后、繼續(xù)在80°C條件下保溫反應2小時、然后將對反應物進行脫泡處 理、即得異氯酸根離子封端預聚體A8，NCO含量5. Swt %。
[0051 ] 將質(zhì)量百分數(shù)為1.5%的填料C空屯、聚合物微球體(AkzoNobel制造的EXPANC化的 551 DE40d42)使用高剪切混合器W大約3600巧m的轉(zhuǎn)速進行混合，將微球體均勻地分散在 異氯酸根離子封端預聚體A8中，得到A8C均勻混合物。
[0052] 將固化劑B 9g朋邸和9g DETDA加入到A8C均勻混合物中、并攬拌混合均勻。將混 合物誘注至薄片模具中、然后轉(zhuǎn)移至固化烘箱中、在IOCTC熟化16小時、然后在2小時內(nèi)降至 室溫、脫模、然后在表面機械加工出通道或溝槽即得拋光層實施例8。測得拋光層硬度為邵 氏1抓。
[0053] 拋光層實施例9
[0化4] 將45g IPDI投入到S口瓶中，將100g Kuraray化Iyol PlOlO滴加到上述溶液中、 滴加時間控制在0.5小時。滴加完畢后、繼續(xù)在80°C條件下保溫反應2小時、然后將對反應物 進行脫泡處理、即得異氯酸根離子封端預聚體A9，NCO含量7. Iwt %。
[0055] 將質(zhì)量百分數(shù)為1.3%的填料C空屯、聚合物微球體(AkzoNobel制造的EXPANC化的 461DE40d60)使用高剪切混合器W大約3600巧m的轉(zhuǎn)速進行混合，將微球體均勻地分散在異 氯酸根離子封端預聚體A9中，得到A9C均勻混合物。
[0056] 將9g固化劑B BDO加入到A9C均勻混合物中、并攬拌混合均勻。將混合物誘注至薄 片模具中、然后轉(zhuǎn)移至固化烘箱中、在IOOC熟化16小時、然后在2小時內(nèi)降至室溫、脫模、然 后在表面機械加工出通道或溝槽即得拋光層實施例9。測得拋光層硬度為邵氏25D。
[0057] 拋光層實施例10
[005引將35g TDI投入到=口瓶中、在30分鐘內(nèi)升高反應溫度至70°C、待融化后、開動攬 拌器攬拌均勻。將200g Bayer的Desmophen2000滴加到上述溶液中、滴加時間控制在0.5小 時。滴加完畢后、繼續(xù)在80°C條件下保溫反應2小時、然后將對反應物進行脫泡處理、即得異 氯酸根離子封端預聚體A10，NC0含量3.6wt%。
[0059] 將質(zhì)量百分數(shù)為1.6%的填料C空屯、聚合物微球體(AkzoNobel制造的EXPANC化的 551 DE40d42)使用高剪切混合器W大約3600巧m的轉(zhuǎn)速進行混合，將微球體均勻地分散在 異氯酸根離子封端預聚體AlO中，得到AlOC均勻混合物。
[0060] 將固化劑B IOg冊邸和12gM0CA加入到Aioc均勻混合物中、并攬拌混合均勻。將混 合物誘注至薄片模具中、然后轉(zhuǎn)移至固化烘箱中、在IOCTC熟化16小時、然后在2小時內(nèi)降至 室溫、脫模、然后在表面機械加工出通道或溝槽即得拋光層實施例10。測得拋光層硬度為邵 氏 30D。
[0061] 本發(fā)明中底墊的制備方法為現(xiàn)有技術(shù)、在此不作詳述。
[0062] 拋光墊的制備
[0063] 在拋光層的底部均勻涂上丙締酸類膠粘劑，將拋光層和底墊粘結(jié)在一起，室溫下 放置24小時待膠粘劑完全固化、即得相對應的聚氨醋拋光墊。在此不再寶述。
[0064] 硬度測定
[00化]參照日本工業(yè)標準JISK6253-1997來測量硬度。材料樣品被切割成2cmX2cm的方 塊W作為測量硬度的樣品、然后樣品在溫度為23°C±2°C且濕度為50% ±5%的環(huán)境下放置 16個小時。把樣品堆積在一起(堆積的厚度不小于6mm)、然后通過硬度測量儀化Obunsh i生 產(chǎn)的Asker C硬度測量儀)測量樣品的硬度。
[0066] 拋光測定
[0067] 使用應用材料公司(Applied MaterialsJnc.)的Mirra拋光機測試實施例的拋光 墊，采用的臺板轉(zhuǎn)速為93rpm，晶片支架頭轉(zhuǎn)速為87rpm，下向力為5psi，對TEOS和SiN晶片進 行拋光。使用0pti-Probe2600形貌數(shù)據(jù)來判斷去除速率，使用沈MVision G2的Compass 300 對振痕和劃痕進行定量檢查，使用Celexis CX2000的拋光漿液，使用Diagrid AD3BG- 150855修整盤，通過原位調(diào)理工藝對拋光墊進行金剛石調(diào)理。
[0068] 將市場上主流拋光墊(如陶氏IC1000)與本發(fā)明的拋光墊拋光效果進行比較，具體 參見表1:
[0069] 表1
[0070]
[0071]
[0072] 表1數(shù)據(jù)顯示出，使用本發(fā)明的拋光墊可W得到低得多的缺陷含量，拋光墊具有較 好的低損傷性，同時拋光效率可W同主流產(chǎn)品基本保持平衡。
【主權(quán)項】
1. 一種化學機械拋光墊中的拋光層的制備方法，其特征在于，以由異氰酸酯封端的預 聚物、固化劑以及功能填料為原料混合固化而成，其中，所述異氰酸酯封端的預聚物由多官 能異氰酸酯和分子量為650-2000的多元醇反應制備。2. 如權(quán)利要求1所述的化學機械拋光墊中的拋光層的制備方法，其特征在于，控制反應 后得到的異氰酸酯封端的預聚物中NCO含量在百分數(shù)3.3-8.6wt%。3. 如權(quán)利要求1所述的化學機械拋光墊中的拋光層的制備方法，其特征在于，所述固化 劑為官能度為2的固化多胺和/或固化多元醇。4. 如權(quán)利要求3所述的化學機械拋光墊中的拋光層的制備方法，其特征在于，所述固化 劑為含有環(huán)結(jié)構(gòu)的固化族多胺和固化多元醇。5. 如權(quán)利要求4所述的化學機械拋光墊中的拋光層的制備方法，其特征在于，所述固化 劑為4, 二氨基-3,3'-二氯二苯甲烷、二乙基甲苯二胺、對苯二酚二羥乙基醚、1，4_丁二 醇中的至少一種。6. 如權(quán)利要求1或3所述的化學機械拋光墊中的拋光層的制備方法，其特征在于，所述 固化劑中的活性基團與異氰酸酯封端預聚體中的活性基團的化學計量比1:1。7. 如權(quán)利要求1或2所述的化學機械拋光墊中的拋光層的制備方法，其特征在于，以異 氰酸酯封端的預聚物、固化劑以及功能填料總量IOOwt %計，功能填料的添加比占 l-2wt %。8. -種拋光層，其特征在于，由權(quán)利要求1-7任一個項制備方法制得。9. 如權(quán)利要求8的所述的拋光層，其特征在于，所述拋光層的邵氏硬度為15D-30D。10. -種低損傷化學機械拋光墊，其特征在于，至少包含權(quán)利要求8或9所述的拋光層和 底墊兩部分。
【文檔編號】C08G18/10GK105904352SQ201610390856
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年6月3日
【發(fā)明人】朱順全, 梅黎黎
【申請人】湖北鼎龍化學股份有限公司