光學(xué)裝置以及包括該光學(xué)裝置的有機發(fā)光顯示器的制造方法
【專利摘要】本申請涉及光學(xué)裝置及包括所述光學(xué)裝置的有機發(fā)光顯示器。本公開的實施方案的光學(xué)裝置包括：包括UV吸收劑的相位差層，以及在所述相位差層上的線性偏振層。所述相位差層還可以包括基膜、液晶層以及在所述液晶層上的覆蓋層。所得的光學(xué)裝置以及包括所述光學(xué)裝置的有機發(fā)光顯示器可以具有改善的偏振特性和光學(xué)特性如透射率，以及優(yōu)異的外部光抗反射特性和柔性。
【專利說明】
光學(xué)裝置從及包括該光學(xué)裝置的有機發(fā)光顯示器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本公開的實施方案的一個或多個方面設(shè)及光學(xué)裝置W及包括該光學(xué)裝置的有機 發(fā)光顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002] 平板顯示器的非限制性實例包括有機發(fā)光顯示器、液晶顯示器、等離子顯示面板 等。
[0003] 在相關(guān)領(lǐng)域，如果外部光被反射或散射在顯示設(shè)備的顯示表面上，則可能不能很 好地看到該設(shè)備所顯示的圖像。運對于便攜式設(shè)備尤其如此，所述便攜式設(shè)備如移動電話、 PMP(便攜式多媒體播放器）、PDA(個人數(shù)字助理)和便攜式計算機，因為運些顯示設(shè)備通常 在其中存在大量的外部光的室外使用，并且因此經(jīng)常經(jīng)歷外部光在顯示設(shè)備的顯示表面上 的反射和散射的問題。
[0004] 最近，已經(jīng)開發(fā)出能夠彎曲和折疊的可折疊的顯示設(shè)備?？烧郫B的顯示設(shè)備易于 攜帶，同時具有相對大型的屏幕。除了諸如TV和計算機監(jiān)控器中的多種其它應(yīng)用之外，可折 疊的顯示設(shè)備可W用于移動設(shè)備，如移動電話、PMP、PDP、導(dǎo)航、UMPC(超級移動PC)、電子書 和/或電子報紙。
[0005] 此類可折疊的顯示設(shè)備可能需要附接抗反射膜，并且為了能夠折疊具有較小曲率 半徑的可折疊的顯示設(shè)備，需要具有較薄結(jié)構(gòu)的抗反射膜。
[0006] 在本【背景技術(shù)】部分公開的信息僅用于增強對本公開的背景的理解，并且因此其可 W包含不形成在本國中對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已經(jīng)已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 本公開的實施方案的一個或多個方面設(shè)及具有使外部光反射最小化的光學(xué)特性 的光學(xué)裝置和有機發(fā)光顯示器。此外，本公開的實施方案的一個或多個方面設(shè)及提供具有 薄的總厚度和改善的柔性的光學(xué)裝置和有機發(fā)光顯示器。
[000引本公開的一個或多個示例性實施方案提供了光學(xué)裝置，包括:包括UV吸收劑的相 位差層W及在所述相位差層上的線性偏振層。
[0009] 所述相位差層還可W包括基膜、液晶層W及在所述液晶層上的覆蓋層。
[0010] 所述UV吸收劑可W在所述基膜的后表面上。
[0011] 所述UV吸收劑可W在所述基膜的前表面上。
[0012] 所述基膜可W包括所述UV吸收劑。
[OOU]所述液晶層可從包括所述UV吸收劑。
[0014]所述UV吸收劑可W包括選自由化學(xué)式1和化學(xué)式2中的任一個表示的化合物中的 至少一個：
[0015
[0016
[0017
[001引化學(xué)式2。
[0019] 在化學(xué)式巧日化學(xué)式帥，R哇護可從各自獨立地為取代基或氨原子，其中所述取代 基選自烷基、環(huán)烷基、芳基、酷氨基、燒硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、雜環(huán)基、烷基橫 酷基、芳基橫酷基、烷基亞橫酷基、芳基亞橫酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨橫酷基、橫酷 胺基、氯基、烷氧基、芳氧基、雜環(huán)氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、橫酸基、氨基幾基氧基、氨基、 苯胺基、酷亞胺基、酷脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、雜環(huán)硫基、硫酷脈 基、簇基、徑基、琉基和硝基。
[0020] 由化學(xué)式3表示的化合物還可W包括在所述UV吸收劑中：
[0021]
[0022] 化學(xué)式3。
[0023] 在化學(xué)式3中，Ri至R3可W各自獨立地為取代基或氨原子，其中所述取代基選自燒 基、環(huán)烷基、芳基、酷氨基、燒硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、雜環(huán)基、烷基橫酷基、芳基 橫酷基、烷基亞橫酷基、芳基亞橫酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨橫酷基、橫酷胺基、氯基、 烷氧基、芳氧基、雜環(huán)氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、橫酸基、氨基幾基氧基、氨基、苯胺基、酷亞 胺基、酷脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、雜環(huán)硫基、硫酷脈基、簇基、徑基、 琉基和硝基。
[0024] 本公開的一個或多個示例性實施方案提供了有機發(fā)光顯示器，包括:光學(xué)裝置，W 及在所述光學(xué)裝置的后表面上的顯示面板，其中所述光學(xué)裝置包括:包括UV吸收劑的相位 差層W及在所述相位差層上的線性偏振層。
[0025] 所述相位差層可W包括基膜、液晶層W及在所述液晶層上的覆蓋層。
[0026] 所述UV吸收劑可W在所述基膜的后表面上。
[0027] 所述UV吸收劑可W在所述基膜的前表面上。
[00%]所述基膜可W包括所述UV吸收劑。
[0029] 所述液晶層可W包括所述UV吸收劑。
[0030] 所述UV吸收劑可W包括選自由化學(xué)式1和化學(xué)式2中任一個表示的化合物中的至 少一個：
[003
[003
[003
[0034] 化學(xué)式2。
[0035] 在化學(xué)式1和化學(xué)式2中，Ri至R5可W各自獨立地為取代基或氨原子，其中所述取代 基選自烷基、環(huán)烷基、芳基、酷氨基、燒硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、雜環(huán)基、烷基橫 酷基、芳基橫酷基、烷基亞橫酷基、芳基亞橫酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨橫酷基、橫酷 胺基、氯基、烷氧基、芳氧基、雜環(huán)氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、橫酸基、氨基幾基氧基、氨基、 苯胺基、酷亞胺基、酷脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、雜環(huán)硫基、硫酷脈 基、簇基、徑基、琉基和硝基。
[0036] 由化學(xué)式3表示的化合物還可W包括在所述UV吸收劑中：
[0037]
[0038] 化學(xué)式3。
[0039] 在化學(xué)式3中，Ri至R3可W各自獨立地為取代基或氨原子，其中所述取代基選自燒 基、環(huán)烷基、芳基、酷氨基、燒硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、雜環(huán)基、烷基橫酷基、芳基 橫酷基、烷基亞橫酷基、芳基亞橫酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨橫酷基、橫酷胺基、氯基、 烷氧基、芳氧基、雜環(huán)氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、橫酸基、氨基幾基氧基、氨基、苯胺基、酷亞 胺基、酷脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、雜環(huán)硫基、硫酷脈基、簇基、徑基、 琉基和硝基。
[0040] 所述有機發(fā)光顯示器還可W包括在所述基膜的后表面上的觸摸傳感器。
[0041] 所述相位差層可W具有V4相位差值。根據(jù)本公開的實施方案，當所述光學(xué)裝置W 及包括所述光學(xué)裝置的有機發(fā)光顯示器包括在顯示設(shè)備中時，即使當UV光照射在其上時， 也可W保持所述光學(xué)裝置的特性，并且因此所得的顯示設(shè)備可W具有改善的透射率和偏振 度。此外，通過所述光學(xué)裝置的外部光反射可W被抑制或降低W提供具有較好顯示品質(zhì)的 顯示設(shè)備。另外，本公開的實施方案的所述光學(xué)裝置可W具有降低的總厚度，并且因此所得 的顯示設(shè)備可W具有降低的總厚度和改善的柔性。
【附圖說明】
[0042] 圖1為根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案的光學(xué)裝置的橫截面視圖。
[0043] 圖2為示出根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案的制造光學(xué)裝置的方法的橫 截面視圖。
[0044] 圖3、圖4和圖5為根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案的光學(xué)裝置的橫截面 視圖。
[0045] 圖6為示出根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案的有機發(fā)光顯示器的橫截面 視圖。
[0046] 圖7為示出圖6中示出的相位差層和線性偏振層的光軸的視圖。
[0047] 圖8為示出使用線性偏振板和相位延遲器的外部光反射的橫截面視圖。
【具體實施方式】
[0048] 將參考附圖在下文中更充分地描述本公開的實施方案，在所述附圖中，示出了本 公開的示例性實施方案。如本領(lǐng)域技術(shù)人員會認識到的，所描述的實施方案可W W多種不 同的方式改變，而均不背離本公開的精神或范圍。
[0049] 將省略對于理解本公開而言并非必需的部分，W便更清楚地描述本公開，并且在 整個附圖和說明書中，相同的元件(例如，二極管)將由相同的參考數(shù)字指定。
[0050] 此外，在示例性實施方案中，因為相同的參考數(shù)字指定具有相同配置的相同元件， 所W-旦已經(jīng)代表性描述一個示例性實施方案，則將不再提供其重復(fù)的描述，并且其它示 例性實施方案將僅在它們的配置不同于上述示例性實施方案的情況下進行描述。
[0051] 在附圖中，出于理解和易于描述的目的，可W任意地顯示每個配置的尺寸和厚度， 但本公開不局限于此。例如，在附圖中，出于清楚的目的，可W放大層、膜、面板、區(qū)域等的厚 度。
[0052] 應(yīng)理解，當諸如層、膜、區(qū)域或襯底的元件被稱為在另一元件"上"時，其可W直接 在另一元件上或者也可W存在介于中間的元件。
[0053] 另外，除非明確相反描述，詞語"包括/包含"應(yīng)被理解為意味著包括所規(guī)定的要 素，但并不排除任何其它要素。此外，在說明書中，詞語"在……上"意指布置在目標部分之 上或之下，并且不旨在限于具體的方向。另外，如本文所用，單數(shù)形式也旨在包括復(fù)數(shù)形式， 并且反之亦然，除非上下文另外明確指出（例如，液晶層LCL可W包括多個液晶層LCL)。
[0054] 諸如"選自……中的至少一個"W及"選自……中的一個"的表達，當在一系列要素 之前時，修飾整列要素而不修飾該列的個別要素。此外，當描述本公開的實施方案時，"可 的使用是指"本公開的一個或多個實施方案"。
[0055] 在下文中，將參考圖1和圖2描述本公開的一個或多個示例性實施方案的光學(xué)裝置 和根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案的制造光學(xué)裝置的方法。圖1為根據(jù)本公開的 一個或多個示例性實施方案的光學(xué)裝置的橫截面視圖，W及圖2為示出根據(jù)本公開的一個 或多個示例性實施方案的制造光學(xué)裝置的方法步驟的橫截面視圖。
[0056] 參考圖1，光學(xué)裝置OM包括觸摸傳感器TS、相位差層化和線性偏振層POL。
[0057] 觸摸傳感器TS可W包括傳感部分和布線部分。傳感部分可W被布置成對應(yīng)于顯示 區(qū)域，在顯示區(qū)域中顯示裝置DM的有機發(fā)光二極管被布置成顯示圖像，W及布線部分可W 被布置成對應(yīng)于與該顯示區(qū)域相鄰的非顯示區(qū)域。
[0058] 傳感部分可W包括透明導(dǎo)電氧化物，如IT0;導(dǎo)電材料和/或?qū)щ娋酆衔锊牧?，如銀 納米線(AgNW)和/或聚(3,4-亞乙基二氧嚷吩）（PEDOT);含碳的導(dǎo)電材料，如石墨締和/或碳 納米管CNT;銀納米線（AgNW)和透明導(dǎo)電氧化物（如IT0)的層壓物；導(dǎo)電聚合物材料（如 PEDOT)和透明導(dǎo)電氧化物(如口0)的層壓物，和/或類似物。在一些實施方案中，傳感部分可 W包括橋，并且可W包括口 0、IZOXu和/或基于Ag-Pd-化的材料作為橋。布線部分可W包括 化和/或基于Ag-Pd-化的材料、Ag，和/或類似物。
[0059] 在其中傳感部分由銀納米線(AgNW)形成的實施方案中，傳感部分還可W包括覆蓋 層W便改善緊密接觸性。例如，覆蓋層可W被配置成改善銀納米線(AgNW)和相位差層化的 緊密接觸性。
[0060] 然而，觸摸傳感器TS不局限于此，并且可W W顯示設(shè)備領(lǐng)域中通?？捎玫娜魏魏?適的形式形成。
[0061] 在一些實施方案中，相位差層化具有總的V4相位差值(例如，相位差層化可W為 四分之一波片），并且包括UV吸收劑化、布置在UV吸收劑化上的基膜BF、布置在基膜BF上的 液晶層LCLW及布置在液晶層LCL上的覆蓋層0C。
[0062] 相位差層化可W包括布置在基膜BF的后(或底)表面上的UV吸收劑化。在一些實施 方案中，UV吸收劑化可W W膜的形式附接至基膜BF，或者可W涂覆在基膜BF上并且然后固 化，但形成UV吸收劑化的方法不局限于此。
[0063] UV吸收劑化可W在制造過程期間吸收照射在光學(xué)裝置OM上的UV光W控制UV光對 液晶層LCL的影響。否則，當UV光照射在液晶層LCL上時，包括在液晶層LCL中的液晶分子和 染料的結(jié)合可能另外發(fā)生變化W影響設(shè)備品質(zhì)。
[0064] 用于形成UV吸收劑化的材料可W為能夠吸收UV光的任何合適的材料，并且可W包 括苯并S挫化合物，例如，基于2-(2'-徑基苯基)-苯并S挫的化合物，如2-(2'-徑基-5'-甲 基苯基)苯并=挫、2-(3 '，5 ' -二叔下基-2 ' -徑基苯基)苯并=挫、2-(5 ' -叔下基-2 ' -徑基苯 基)苯并=挫、2-(2-?基-5-a，l，3,3-四甲基下基)苯基)苯并 = 挫、2-(3'，5'-二叔下基- 2'-?基苯基)-5-苯并S挫、2-(3'-叔下基-2'-?基苯基-5'-甲基苯基）-5-苯并S挫、2- (3'-仲下基-5'-叔下基-2'-徑基苯基)苯并S挫、2-(2'-徑基-4'-辛氧基苯基苯基)-5-苯 并S挫和/或2-(3'，5'-二叔下基-2'-徑基苯基）苯并S挫；二苯甲酬化合物，如具有4-徑 基、4-甲氧基、4-辛氧基、4-癸氧基、4-十二烷氧基、4-節(jié)氧基、4,2'，4'-S徑基和/或2'-徑 基-4,4'-二甲氧基官能團的基于2-?基二苯甲酬的化合物;苯甲酸醋化合物，例如，具有取 代的苯甲酸醋結(jié)構(gòu)的化合物，如4-叔下基-苯基水楊酸醋、水楊酸苯醋、水楊酸辛基苯醋、聯(lián) 苯甲酯間苯二酪、雙(4-叔下基-苯甲酯基）間苯二酪、苯甲酯基間苯二酪、2,4-二叔下基苯 基-3，5 二叔下基-4-徑基苯甲酸醋、3，5-二叔下基-4-徑基苯甲酸十六燒醋、3，5-二叔下 基-4-徑基苯甲酸十八燒醋和/或2-甲基-4，6-二叔下基苯基3，5-二叔下基-4-徑基苯甲酸 醋;=嗦化合物，和/或類似物。
[0065]在一些實施方案中，UV吸收劑化可W包括選自由W下化學(xué)式1和化學(xué)式2表示的化 合物中的至少一個：
[0066
[0067
[0068
[0069] 化學(xué)式2。
[0070] 在化學(xué)式1和化學(xué)式2中，Ri至R5各自獨立地為取代基或氨原子，其中取代基選自燒 基、環(huán)烷基、芳基、酷氨基、燒硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、雜環(huán)基、烷基橫酷基、芳基 橫酷基、烷基亞橫酷基、芳基亞橫酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨橫酷基、橫酷胺基、氯基、 烷氧基、芳氧基、雜環(huán)氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、橫酸基、氨基幾基氧基、氨基、苯胺基、酷亞 胺基、酷脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、雜環(huán)硫基、硫酷脈基、簇基、徑基、 琉基和硝基。
[0071] 根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案的UV吸收劑UL可W吸收波長為約340nm 至約400nm的UV光。
[0072] 在一些實施方案中，UV吸收劑化還可W包括由W下化學(xué)式3表示的化合物。下述化 學(xué)式3表示的化合物前W巧化巧應(yīng)穩(wěn)定劑：
[0073]
[0074] 化學(xué)式3。
[0075] 在化學(xué)式3中，Ri至R3各自獨立地為取代基或氨原子，其中取代基選自烷基、環(huán)燒 基、芳基、酷氨基、燒硫基、芳硫基、締基、面素原子、烘基、雜環(huán)基、烷基橫酷基、芳基橫酷基、 烷基亞橫酷基、芳基亞橫酷基、麟酷基、酷基、氨甲酯基、氨橫酷基、橫酷胺基、氯基、烷氧基、 芳氧基、雜環(huán)氧基、甲娃烷氧基、酷氧基、橫酸基、氨基幾基氧基、氨基、苯胺基、酷亞胺基、酷 脈基、烷氧基幾基氨基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、雜環(huán)硫基、硫酷脈基、簇基、徑基、琉基和 硝基。
[0076] 在一些實施方案中，相位差層化還可W包括布置在液晶層LCL與基膜BF之間的取 向?qū)?圖2中示出）。
[0077] 線性偏振層POL布置在相位差層化上。此處，線性偏振層POL可W具有包括聚乙締 醇(PVA)的膜形式、通過涂層形成的層形式、金屬圖案層形式如線柵偏振片WGP，和/或類似 物。線性偏振層POL的光軸與相位差層化的光軸的交叉角可W為45°。
[0078] 在根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案的光學(xué)裝置OM中，在觸摸傳感器TS的 制造期間，照射的UV光在UV吸收劑化上被吸收，W便不影響相位差層化的液晶層LCL，并且 因此包括OM的顯示設(shè)備的光學(xué)特性如透射率和/或偏振度可W得到改善。
[0079] 在下文中，將參考圖2描述根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案的制造光學(xué) 裝置OM的方法。
[0080] 如圖2A和圖2B中所示，取向?qū)覣L形成在基膜BF上，并且然后液晶層IXL形成在取向 層AL上。
[0081] 在一些實施方案中，可W省略取向?qū)覣L,并且在運種情況下，液晶層LCL可W為包 括液晶材料和光刻膠材料的聚合物材料層。
[0082] 隨后，如圖2C中所示，形成覆蓋液晶層LCL的覆蓋層0C，因此制造包括基膜BF、取向 層AL、液晶層LCL和覆蓋層OC的相位差層化。如上文所述，在一些實施方案中，可W省略取向 層AL。
[0083] 此處，覆蓋層OC可W由（但不限于）有機材料或無機材料形成，并且可W用于保護 各個液晶層LCL，同時并發(fā)地或同步地改善待在覆蓋層OC上形成的線性偏振層POL的粘附 性。
[0084] 接下來，如圖2D中所示，線性偏振層POL形成在相位差層化上。
[0085] 例如，線性偏振層POL形成在相位差層化的覆蓋層OC上。此處，線性偏振層POL可W 具有包括PVA的膜形式、通過涂層形成的層形式、金屬圖案層形式如線柵偏振片WGP，和/或 類似物。線性偏振層POL的光軸與相位差層化的光軸的交叉角可W為45°。
[0086] 接下來，如圖沈中所示，UV吸收劑化可W形成在基膜BF的后(或底)表面上。在運種 情況下，UV吸收劑化可W W膜的形式附接至基膜BF，或者可W涂覆并且然后固化，但形成UV 吸收劑化的方法不局限于此。
[0087] 盡管本說明書描述了在已經(jīng)附接線性偏振層POL之后，在基膜BF的后(或底)表面 上形成UV吸收劑化，但其中可W在基膜BF的后(或底)表面上形成UV吸收劑化的順序不局限 于此。
[0088] 根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案，布置在基膜BF的后(或底)表面上的UV 吸收劑化可W在形成在UV吸收劑化等上布置的觸摸傳感器的刻蝕過程期間通過例如保護 基膜BF而用作阻擋物(stopper)。
[0089] 接下來，如圖2F中所示，可W形成布置在UV吸收劑化的后(或底)表面上的觸摸傳 感器TS。觸摸傳感器TS可W包括傳感部分和布線部分。
[0090] 傳感部分可W包括透明導(dǎo)電氧化物，如IT0;導(dǎo)電材料和/或?qū)щ娋酆衔锊牧希玢y 納米線(AgNW)和/或PEDOT;含碳的導(dǎo)電材料，如石墨締和/或碳納米管CNT;銀納米線(AgNW) 和透明導(dǎo)電氧化物（如ITO)的層壓物；導(dǎo)電聚合物材料（如PEDOT)和透明導(dǎo)電氧化物（如 IT0)的層壓物，和/或類似物。在一些實施方案中，傳感部分可W包括橋，并且可W包括IT0、 IZO、化和/或基于Ag-Pd-化的材料作為橋。
[0091] 布線部分可W包括Cu和/或基于Ag-Pd-Cu的材料、Ag,和/或類似物。如上文所述， 觸摸傳感器TS可W W顯示設(shè)備領(lǐng)域中通?？捎玫娜魏魏线m的形式形成。
[0092] 在其中傳感部分由銀納米線(AgNW)等形成的實施方案中，傳感部分還可W包括覆 蓋層W便改善緊密接觸性。例如，覆蓋層可W被配置成改善銀納米線(AgNW)和相位差層化 的緊密接觸性。
[0093] 包括在觸摸傳感器TS中的覆蓋層可W通過照射UV光制造，并且照射的UV光可W固 化觸摸傳感器TS的覆蓋層，并且可W被布置在觸摸傳感器TS上的UV吸收劑化吸收。
[0094] 在其中不包括UV吸收劑化的比較性顯示設(shè)備中，為了固化包括在觸摸傳感器TS中 的覆蓋層而照射的UV光可W改變布置在液晶層LCL中的液晶材料與染料之間的取向。然而， 根據(jù)本公開的示例性實施方案的UV吸收劑化防止或基本上阻斷UV光到達液晶層LCL。
[00M]因此，由于照射在相位差層化上的UV光在制造過程期間基本上不影響相位差層化 的液晶層LCL，因而顯示設(shè)備的光學(xué)特性如透射率和偏振度可W得到改善。
[0096] 然后，通過上述過程形成的光學(xué)裝置可W層壓在包括有機發(fā)光二極管的顯示裝置 上W制造有機發(fā)光顯示器。
[0097] 在下文中，將參考圖3至圖5描述根據(jù)本公開的一個或多個其它示例性實施方案的 光學(xué)裝置。圖3、圖4和圖5為根據(jù)本公開的一個或多個其它示例性實施方案的光學(xué)裝置的橫 截面視圖。此處，與上述光學(xué)裝置的組成元件相同或類似的組成元件的重復(fù)描述是不必要 的，并且不會被提供。
[009引參考圖3,根據(jù)本示例性實施方案的光學(xué)裝置OM可W包括布置在基膜BF上的UV吸 收劑化。此處，UV吸收劑化可W在制造基膜BF的過程期間與基膜一起形成。
[0099] 與上述UV吸收劑化類似，本示例性實施方案的UV吸收劑化可W由能夠吸收照射在 觸摸傳感器TS上的UV光的任何合適的材料形成，并且可W W膜形式實施。
[0100] 接下來，參考圖4,在根據(jù)本示例性實施方案的光學(xué)裝置OM中，UV吸收劑化可W布 置在基膜BF上(例如，在基膜BF的前表面上）。在運種情況下，由于取向?qū)涌蒞布置在基膜BF 上，因而UV吸收劑化可W布置在取向?qū)由稀?br>[0101] 在本實施方案的制造過程中，由于液晶層LCL在形成UV吸收劑化之后形成，因而在 該過程中利用的UV吸收劑化不得不經(jīng)受制造液晶層LCL的過程，包括，例如，添加溶劑和形 成溫度。
[0102] 接下來，參考圖5,在根據(jù)本公開的一個或多個其它示例性實施方案的光學(xué)裝置OM 中，UV吸收劑化可W布置在液晶層IXL上。在運種情況下，UV吸收劑可W與包括在液晶層IXL 中的液晶材料混合。
[0103] 例如，根據(jù)本公開的示例性實施方案的光學(xué)裝置OM可W包括UV吸收劑，其中UV吸 收劑可W但不限于布置在基膜BF上或下、布置為包括在基膜BF中、或者布置在液晶層LCL 中。
[0104]包括在觸摸傳感器TS中的覆蓋層可W通過UV光的照射形成，并且照射的UV光可W 固化觸摸傳感器TS的覆蓋層，并且然后可W被布置在觸摸傳感器TS上的UV吸收劑化吸收。 [010引因此，在制造過程期間，照射在相位差層化上的UV光基本上不影響相位差層化的 液晶層LCL，并且因此顯示設(shè)備的光學(xué)特性如透射率和偏振度可W得到改善。
[0106] 在下文中，將參考圖6至圖8描述根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案的有機 發(fā)光顯示器。圖6為示出根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案的有機發(fā)光顯示器的橫 截面視圖，圖7為示出圖6中示出的相位差層和線性偏振層的光軸的圖，W及圖8為示出使用 線性偏振板和相位延遲器的外部光反射的橫截面視圖。
[0107] 如圖6中所示，根據(jù)本公開的示例性實施方案的有機發(fā)光顯示器1000包括顯示裝 置DM和光學(xué)裝置0M。此處，顯示裝置DM為有機發(fā)光顯示器，并且光學(xué)裝置OM可W通過上述根 據(jù)本公開的示例性實施方案的制造光學(xué)裝置的方法制造。
[0108] 光學(xué)裝置OM可W通過諸如OCA(光學(xué)透明粘合劑）的粘合層或諸如PSA(壓敏粘合 劑）的附接層而附接至顯示裝置DM，但其附接方法不局限于此，并且光學(xué)裝置OM可W通過使 用包括光刻工藝的MEMS (微機電系統(tǒng))和/或類似物在顯示裝置DM上直接形成。
[0109] 顯示裝置DM包括第一襯底F1、第一有機發(fā)光二極管R、第二有機發(fā)光二極管G、第= 有機發(fā)光二極管B和第二襯底F2。
[0110] 第一襯底Fl可W由玻璃襯底或聚合物膜如聚酷亞胺形成，并且可W具有柔性的、 可彎曲的、可卷曲的、可折疊的和/或可伸縮的特性。當?shù)谝灰r底Fl具有柔性的、可彎曲的、 可卷曲的、可折疊的和/或可伸縮的特性時，整個有機發(fā)光顯示器1000可W具有柔性的、可 彎曲的、可卷曲的、可折疊的和/或可伸縮的特性。
[0111] 在第一襯底Fl的表面上，可W形成驅(qū)動第一有機發(fā)光二極管R、第二有機發(fā)光二極 管G和第=有機發(fā)光二極管B中的每一個的驅(qū)動器。驅(qū)動器可W包括連接至一個或多個柵極 布線、一個或多個數(shù)據(jù)布線、一個有機發(fā)光二極管和一個或多個電容器的多個薄膜晶體管， 但驅(qū)動器不局限于此，并且可W具有本領(lǐng)域中通常可用的任何合適的配置。
[0112] 第一有機發(fā)光二極管R、第二有機發(fā)光二極管G和第=有機發(fā)光二極管B可W各自 包括第一電極、布置在第一電極上的第二電極W及布置在第一電極與第二電極之間的有機 發(fā)光層，其中選自第一電極和第二電極中的至少一個可W由光透射電極、光半透射電極或 光反射電極形成。在根據(jù)本公開的示例性實施方案的有機發(fā)光顯示器1000中，由第一有機 發(fā)光二極管R、第二有機發(fā)光二極管G和第=有機發(fā)光二極管B中的每一個發(fā)射的光在其中 布置有線性偏振層POL的光學(xué)裝置OM的方向上被輸出。第一有機發(fā)光二極管R、第二有機發(fā) 光二極管G和第=有機發(fā)光二極管B可W各自獨立地W本領(lǐng)域中通常可用的任何合適的形 式形成。
[0113] 雖然在本公開的上述示例性實施方案中，為了方便描述，僅示出=個有機發(fā)光二 極管，但本公開的實施方案的顯示設(shè)備不局限于此，并且可W包括兩個或四個或多于四個 的有機發(fā)光二極管，只要所述多個有機發(fā)光二極管可W形成一個圖像，并且每個有機發(fā)光 二極管可W形成像素，所述像素為形成圖像的最小單位。
[0114] 在一些實施方案中，第一有機發(fā)光二極管R發(fā)射具有第一波長的光，第二有機發(fā)光 二極管G發(fā)射具有第二波長的光，并且第=有機發(fā)光二極管B發(fā)射具有第=波長的光。此處， 波長大小從第=波長增加至第一波長，其中第一波長大于第二波長和第=波長中的每一 個，W及第二波長大于第=波長。例如，第一有機發(fā)光二極管R可W發(fā)射紅光，第二有機發(fā)光 二極管G可W發(fā)射綠光，W及第=有機發(fā)光二極管B可W發(fā)射藍光。
[0115] 第二襯底F2可W由玻璃襯底、聚合物膜如聚酷亞胺或薄膜封裝部分形成，并且在 其中第二襯底F2由薄膜封裝部分形成的情況下，包括在第二襯底F2中的一個或多個有機層 和一個或多個無機層可W被交替地層壓。
[0116] 在一些實施方案中，有機發(fā)光顯示器1000的光學(xué)裝置OM包括觸摸傳感器TS、相位 差層化和線性偏振層POL。
[0117] 觸摸傳感器TS可W包括傳感部分和布線部分。傳感部分可W被布置成對應(yīng)于顯示 區(qū)域，在顯示區(qū)域中顯示裝置DM的有機發(fā)光二極管被布置成顯示圖像，并且布線部分可W 被布置成對應(yīng)于與顯示區(qū)域相鄰的非顯示區(qū)域。
[0118] 傳感部分可W包括透明導(dǎo)電氧化物，如IT0;導(dǎo)電材料和/或?qū)щ娋酆衔锊牧?，如銀 納米線(AgNW)和/或PEDOT;含碳的導(dǎo)電材料，如石墨締和/或碳納米管CNT;銀納米線(AgNW) 和透明導(dǎo)電氧化物（如ITO)的層壓物；導(dǎo)電聚合物材料（如PEDOT)和透明導(dǎo)電氧化物（如 IT0)的層壓物，和/或類似物。此外，傳感部分可W包括橋，并且可W包括IT0、IZ0、Cu和/或 基于Ag-Pd-Cu的材料作為橋。布線部分可W包括Cu和/或基于Ag-Pd-Cu的材料、Ag和/或類 似物。然而，觸摸傳感器TS不局限于此，并且可W W顯示設(shè)備領(lǐng)域中通?？捎玫娜魏魏线m的 形式形成。
[0119] 在其中傳感部分由銀納米線(AgNW)和/或類似物形成的實施方案中，傳感部分還 可W包括覆蓋層W便改善緊密接觸性。例如，覆蓋層可W被配置成改善銀納米線(AgNW)和 相位差層化的緊密接觸性。
[0120] 覆蓋層可W通過照射UV光制造，并且照射的UV光可W固化觸摸傳感器TS的覆蓋層 W及可W被布置在觸摸傳感器TS上的UV吸收劑化吸收。
[0121] 在一些實施方案中，相位差層化具有總的V4相位差值(例如，相位差層化可W為 四分之一波片），并且包括UV吸收劑化、布置在UV吸收劑化上的基膜BF、布置在基膜BF上的 液晶層LCLW及布置在液晶層LCL上的覆蓋層0C。
[0122] 雖然已在圖6中示出包括光學(xué)裝置OM的有機發(fā)光顯示器1000,但本公開的示例性 實施方案不局限于此，并且有機發(fā)光顯示器可W包括根據(jù)本公開的任何上述示例性實施方 案的光學(xué)裝置0M。
[0123] 在一些實施方案中，相位差層化還可W包括布置在液晶層LCL與基膜BF之間的取 向?qū)?，但不局限于此?br>[0124] 圖7為示出圖6中示出的相位差層和線性偏振層的光軸的圖。
[012引如圖7中所示，基膜BF和液晶層IXL的光軸各自與線性偏振層POL的光軸形成45°的 交叉角，并且因此，相位差層化的光軸與線性偏振層POL的光軸形成45°的交叉角，從而抑制 (或基本上抑制)外部光反射。此外，當基膜BF具有IOnm或小于IOnm的厚度時，可W抑制或降 低透過基膜BF的光中延遲的出現(xiàn)。
[0126]在下文中，將參考圖8描述使用本實施方案的線性偏振板和相位延遲器可W基本 上抑制或降低外部光反射的原理。
[0127]如圖8A中所示，當外部光化經(jīng)過線性偏振層POL時，W與線性偏振層POL的線性偏 振軸不相同（例如，平行或基本上平行）的方向入射在線性偏振層POL上的光被線性偏振層 P化吸收，并且因此，當經(jīng)過線性偏振層POL時，外部光化變?yōu)榫€性偏振的。
[01%]然后，當經(jīng)過V4相位延遲器時，線性偏振的外部光化可W為圓偏振的，W提供具 有紅色波長(例如，對應(yīng)于紅光的波長)的光RW、具有綠色波長(例如，對應(yīng)于綠光的波長)的 光GWW及具有藍色波長(例如，對應(yīng)于藍光的波長)的光BW。
[0129] 接下來，現(xiàn)參考圖8B，具有紅色波長的光RW、具有綠色波長的光GWW及具有藍色波 長的光BW被反射在有機發(fā)光二極管化抓上，當再次經(jīng)過V4相位延遲器(例如，兩次)時，具 有紅色波長的光RW、具有綠色波長的光GWW及具有藍色波長的光BW各自被延遲180°并且為 線性偏振的，并且被線性偏振層POL吸收。
[0130] 總之，即使照射UV光W制造觸摸傳感器TS，根據(jù)本公開的示例性實施方案的光學(xué) 裝置可W通過包括在相位差層中的UV吸收劑而最小化或降低UV光對液晶層的影響。
[0131] 因此，在根據(jù)本公開的一個或多個示例性實施方案的光學(xué)裝置W及包括該光學(xué)裝 置的有機發(fā)光顯示器中，可W改善偏振特性和光學(xué)特性如透射率。此外，根據(jù)本公開的一個 或多個示例性實施方案的光學(xué)裝置W及包括該光學(xué)裝置的有機發(fā)光顯示器可W具有優(yōu)異 的外部光抗反射特性和柔性。
[0132] 雖然已經(jīng)關(guān)于目前所被認為是實用的示例性實施方案來描述了本公開，但對本領(lǐng) 域技術(shù)人員容易理解的是，本公開不限于公開的實施方案，而相反，旨在涵蓋包括在所附的 權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍內(nèi)的各種改變和等同布置。
[0133] 如本文所用，術(shù)語"使用"可W被認為分別與術(shù)語"利用"同義。另外，術(shù)語"基本 上"、"約"和類似術(shù)語被用作近似的術(shù)語且不用作程度的術(shù)語，并旨在說明本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員會認識到的測量值或計算值中的固有偏差。
[0134] 另外，本文所列舉的任何數(shù)值范圍旨在包括所列舉的范圍內(nèi)所包含的相同數(shù)值精 度的所有子范圍。例如，"1.0至10.0"的范圍旨在包括在所列舉的最小值1.0與所列舉的最 大值10.0之間（并且包括所列舉的最小值1.0與所列舉的最大值10.0)的所有子范圍，即，具 有等于或大于1.0的最小值W及等于或小于10.0的最大值，諸如，例如2.4至7.6。本文列舉 的任何最大數(shù)值限制旨在包括其中所包含的所有較低的數(shù)值限制，并且在本說明書中列舉 的任何最小數(shù)值限制旨在包括其中所包含的所有較高的數(shù)值限制。因此，
【申請人】保留了修 改包括權(quán)利要求在內(nèi)的本說明書的權(quán)利W明確列舉本文所明確列舉的范圍內(nèi)所包含的任 何子范圍。
[0135] 符號說明
[0136] 顯示裝置:DM 光學(xué)裝置:OM
[0137] 相位差層:RL 覆蓋層:OC
[0138] 線性偏振層:P化 液晶層:IXL
[0139] 基膜:邸 UV吸收劑:UL
[0140] 觸摸傳感器:TS 取向?qū)?AL
[0141] 第一襯底:Fl 第二襯底:F2
[0142] 第一有機發(fā)光二極管:R 第二有機發(fā)光二極管:G
[0143] 第S有機發(fā)光二極管:B 具有紅色波長的光:RW
【主權(quán)項】
1. 光學(xué)裝置，包括： 包括UV吸收劑的相位差層，以及 在所述相位差層上的線性偏振層， 其中所述相位差層還包括： 基膜， 液晶層，以及 在所述液晶層上的覆蓋層。2. 如權(quán)利要求1所述的光學(xué)裝置，其中： 所述UV吸收劑在所述基膜的后表面以及所述基膜的前表面之一上。3. 如權(quán)利要求2所述的光學(xué)裝置，其中： 所述基膜和所述液晶層中的至少一個包括所述UV吸收劑。4. 如權(quán)利要求1所述的光學(xué)裝置，其中所述UV吸收劑包括選自由化學(xué)式1和化學(xué)式2中 的任一個表示的化合物中的至少一個： 化學(xué)式1化學(xué)式2， 其中Ri至R5各自獨立地為取代基或氫原子，并且所述取代基選自烷基、環(huán)烷基、芳基、酰 氣基、燒硫基、芳硫基、烯基、鹵素原子、炔基、雜環(huán)基、烷基橫醜基、芳基橫醜基、烷基亞橫醜 基、芳基亞磺?；?、膦?；Ⅴ；奔柞；?、氨磺?；⒒酋０坊⑶杌?、烷氧基、芳氧基、雜 環(huán)氧基、甲硅烷氧基、酰氧基、磺酸基、氨基羰基氧基、氨基、苯胺基、酰亞胺基、酰脲基、烷氧 基幾基氣基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、雜環(huán)硫基、硫醜脈基、駿基、羥基、疏基和硝基， 其中所述UV吸收劑還包括由化學(xué)式3表示的化合物： 化學(xué)式3，其中Rl至R3各自獨立地為取代基或氫原子，并且所述取代基選自烷基、環(huán)烷基、芳基、酰 氣基、燒硫基、芳硫基、烯基、鹵素原子、炔基、雜環(huán)基、烷基橫醜基、芳基橫醜基、烷基亞橫醜 基、芳基亞磺酰基、膦?；?、?；?、氨甲?；?、氨磺酰基、磺酰胺基、氰基、烷氧基、芳氧基、雜 環(huán)氧基、甲硅烷氧基、酰氧基、磺酸基、氨基羰基氧基、氨基、苯胺基、酰亞胺基、酰脲基、烷氧 基幾基氣基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、雜環(huán)硫基、硫醜脈基、駿基、羥基、疏基和硝基。5. 有機發(fā)光顯示器，包括： 光學(xué)裝置，以及 在所述光學(xué)裝置的后表面上的顯示面板， 其中所述光學(xué)裝置包括： 包括UV吸收劑的相位差層，以及 在所述相位差層上的線性偏振層， 其中所述相位差層還包括： 基膜， 液晶層，以及 在所述液晶層上的覆蓋層。6. 如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示器，其中： 所述UV吸收劑在所述基膜的后表面以及所述基膜的前表面之一上。7. 如權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示器，其中： 所述基膜和所述液晶層中的至少一個包括所述UV吸收劑。8. 如權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示器，其中： 所述UV吸收劑包括選自由化學(xué)式1和化學(xué)式2中任一個表示的化合物中的至少一個： 化學(xué)式1化學(xué)式2，其中Rl至R5各自獨立地為取代基或氫原子，并且所述取代基選自烷基、環(huán)烷基、芳基、酰 氣基、燒硫基、芳硫基、烯基、鹵素原子、炔基、雜環(huán)基、烷基橫醜基、芳基橫醜基、烷基亞橫醜 基、芳基亞磺?；?、膦?；?、酰基、氨甲?；被酋；⒒酋０坊?、氰基、烷氧基、芳氧基、雜 環(huán)氧基、甲硅烷氧基、酰氧基、磺酸基、氨基羰基氧基、氨基、苯胺基、酰亞胺基、酰脲基、烷氧 基幾基氣基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、雜環(huán)硫基、硫醜脈基、駿基、羥基、疏基和硝基， 其中： 所述UV吸收劑還包括由化學(xué)式3表示的化合物： 化學(xué)式3，其中Ri至R3各自獨立地為取代基或氫原子，并且所述取代基選自烷基、環(huán)烷基、芳基、酰 氣基、燒硫基、芳硫基、烯基、鹵素原子、炔基、雜環(huán)基、烷基橫醜基、芳基橫醜基、烷基亞橫醜 基、芳基亞磺?；?、膦?；?、酰基、氨甲酰基、氨磺?；?、磺酰胺基、氰基、烷氧基、芳氧基、雜 環(huán)氧基、甲硅烷氧基、酰氧基、磺酸基、氨基羰基氧基、氨基、苯胺基、酰亞胺基、酰脲基、烷氧 基幾基氣基、烷氧基幾基、芳氧基幾基、雜環(huán)硫基、硫醜脈基、駿基、羥基、疏基和硝基。9. 如權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光顯示器，還包括： 在所述基膜的后表面上的觸摸傳感器。10. 如權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示器，其中： 所述相位差層具有λ/4相位差值。
【文檔編號】G02B5/30GK106019446SQ201610168928
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月23日
【發(fā)明人】李熙榮, 尚炫廷, 催碩, 金熙燮, 樸乘范, 張潤
【申請人】三星顯示有限公司