陣列基板及其制造方法、液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：依次層疊設(shè)置的基板、公共電極層、隔離層、柵極層、第一絕緣層、數(shù)據(jù)線層、第二絕緣層、第一透明電極、第三絕緣層和第二透明電極，所述隔離層上設(shè)有第一過孔，所述第一絕緣層上設(shè)有第二過孔，所述第二絕緣層設(shè)有第三過孔和與所述第二過孔連通的第四過孔，所述第一透明電極經(jīng)所述第一過孔、所述第二過孔和所述第四過孔連接至所述公共電極層，所述第三絕緣層設(shè)有與所述第三過孔連通的第五過孔，所述第二透明電極經(jīng)所述第五過孔和所述第三過孔與所述數(shù)據(jù)線層連接。本發(fā)明中將柵極線層和公共電極層設(shè)置在不同的導(dǎo)電層中，避免了由于兩者距離過近造成的短路形成線類不良異常，提升了液晶顯示面板的穩(wěn)定性。
【專利說明】
陣列基板及其制造方法、液晶顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]LTPS-LCD(Low Temperature Poly-Silicon Liquid Crystal Display，低溫多晶硅液晶顯示面板)具有高分辨率、反應(yīng)速度快、高亮度、高開口率等優(yōu)點，因此在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]液晶顯示面板通常包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板和彩膜基板對盒形成液晶面板(Panel)。其中，一般情況下，陣列基板上設(shè)置有柵極線層(Gate line)即掃描線、數(shù)據(jù)線層(Data line)以及公共電極層(Common line)。柵極線層和公共電極層采用同一層金屬層鋪設(shè)，通過刻蝕等加工工藝形成柵極線層和公共電極層，但是由于兩者距離較近，極易造成短路形成線類不良異常。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供陣列基板及其制造方法，能夠有效改善柵極線層和公共電極層的斷路異常，提升液晶顯示面板的穩(wěn)定性。
[0005]本發(fā)明的另一目的在于提供采用上述陣列基板的液晶顯示面板。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施方式提供如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括:依次層疊設(shè)置的基板、公共電極層、隔離層、柵極層、第一絕緣層、數(shù)據(jù)線層、第二絕緣層、第一透明電極、第三絕緣層和第二透明電極，所述隔離層上設(shè)有第一過孔，所述第一絕緣層上設(shè)有第二過孔，所述第二絕緣層設(shè)有第三過孔和與所述第二過孔連通的第四過孔，所述第一透明電極經(jīng)所述第一過孔、所述第二過孔和所述第四過孔連接至所述公共電極層，所述第三絕緣層設(shè)有與所述第三過孔連通的第五過孔，所述第二透明電極經(jīng)所述第五過孔和所述第三過孔與所述數(shù)據(jù)線層連接。
[0008]其中，所述隔離層包括依次層疊設(shè)置的緩沖層、多晶硅層和柵極絕緣層，所述緩沖層覆蓋在所述公共電極層上。
[0009]其中，所述第一絕緣層上還設(shè)有第六過孔，所述柵極絕緣層上設(shè)有與所述第六過孔連通的第七過孔，所述數(shù)據(jù)線層經(jīng)所述第六過孔和所述第七過孔連接至所述多晶硅層。
[0010]其中，所述緩沖層包括SiNx或Si02或者兩者的復(fù)合材料。
[0011]其中，所述柵極層包括導(dǎo)電塊，所述導(dǎo)電塊經(jīng)所述第一過孔與所述公共電極層連接，所述第一透明電極經(jīng)所述第二過孔和所述第四過孔與所述導(dǎo)電塊連接。
[0012]本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，其中，包括上述任意一項所述的陣列基板。
[0013]本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，其中，包括:在所述基板上形成公共電極層;在所述基板上形成覆蓋所述公共電極層的隔離層;在所述隔離層形成第一過孔;在所述隔離層上形成柵極線層;在所述柵極線層上形成第一絕緣層;在所述第一絕緣層上形成數(shù)據(jù)線層;在所述數(shù)據(jù)線層上形成第二絕緣層;在所述第二絕緣層形成與所述第一過孔連通的第一長過孔;在所述第二絕緣層上形成第一透明電極，所述第一透明電極經(jīng)所述第一過孔、所述第一長過孔與所述公共電極層連接;在所述第一透明電極上形成第三絕緣層;在所述第三絕緣層形成連通至所述數(shù)據(jù)線層的第二長過孔;在所述第三絕緣層上形成第二透明電極，所述第二透明電極經(jīng)所述第二長過孔與所述數(shù)據(jù)線層連接。
[0014]其中，在所述隔離層上形成柵極線層步驟中包括:在柵極層上形成經(jīng)所述第一過孔連接所述公共電極層的導(dǎo)電塊。
[0015]其中，所述在所述基板上形成覆蓋所述公共電極層的隔離層步驟中，包括:依次形成緩沖層、多晶硅層和柵極絕緣層，其中，所述緩沖層覆蓋在所述公共電極層上。
[0016]其中，所述在所述柵極線層上形成第一絕緣層步驟中，包括在所述第一絕緣層上形成連通至所述多晶硅層的第三長過孔。
[0017]本發(fā)明實施例具有如下優(yōu)點或有益效果:
[0018]本發(fā)明中將柵極線層和公共電極層設(shè)置在不同的導(dǎo)電層中，并通過隔離層隔開所述柵極線層和所述公共電極層，避免了由于兩者距離過近造成的短路形成線類不良異常，提升了陣列基板和液晶顯示面板的穩(wěn)定性。本發(fā)明還提供一種上述陣列基板的制造方法。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1是本發(fā)明陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2是具有圖1所述陣列基板的電容結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0022]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0023]此外，以下各實施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明中所提到的方向用語，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“側(cè)面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語是為了更好、更清楚地說明及理解本發(fā)明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0024]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸地連接，或者一體地連接;可以是機械連接;可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0025]此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。若本說明書中出現(xiàn)“工序”的用語，其不僅是指獨立的工序，在與其它工序無法明確區(qū)別時，只要能實現(xiàn)該工序所預(yù)期的作用則也包括在本用語中。另外，本說明書中用“?”表示的數(shù)值范圍是指將“?”前后記載的數(shù)值分別作為最小值及最大值包括在內(nèi)的范圍。在附圖中，結(jié)構(gòu)相似或相同的用相同的標(biāo)號表不。
[0026]請參與圖1，本發(fā)明提供一種陣列基板100，包括:基板110、公共電極層120、隔離層130、柵極線層(圖未編號)、第一絕緣層150、數(shù)據(jù)線層(圖未編號)、第二絕緣層170、第一透明電極180、第三絕緣層190和第二透明電極182;所述公共電極層120設(shè)置于所述基板110上方;所述隔離層130設(shè)置于所述基板110上方且覆蓋所述公共電極層120，所述隔離層130上設(shè)有第一過孔131;所述柵極線層設(shè)置于所述隔離層130上方，所述柵極線層包括多條間隔設(shè)置的柵極線140;第一絕緣層150覆蓋于所述柵極線層上方，所述第一絕緣層150上設(shè)有第二過孔152;數(shù)據(jù)線層設(shè)置于所述第一絕緣層150上方，所述數(shù)據(jù)線層包括多條間隔設(shè)置的數(shù)據(jù)線160;所述第二絕緣層170覆蓋在所述數(shù)據(jù)線層上方，所述第二絕緣層170上設(shè)有第三過孔173和與所述第二過孔152連通的第四過孔174;所述第二絕緣層170上方設(shè)置有第一透明電極180，所述第一透明電極180經(jīng)所述第一過孔131、所述第二過孔152和所述第四過孔174與所述公共電極層120連接;第三絕緣層190設(shè)置于所述第一透明電極180上方，所述第三絕緣層190設(shè)有與所述第三過孔173連通的第五過孔195;第二透明電極182設(shè)置于所述第三絕緣層190上方，所述第二透明電極182經(jīng)所述第三過孔173和所述第五過孔195與所述柵極線層上的柵極線140連接。
[0027]本發(fā)明中將柵極線層和公共電極層設(shè)置在不同的導(dǎo)電層中，并通過隔離層隔開所述柵極線層和所述公共電極層，避免了由于兩者距離過近造成的短路形成線類不良異常，提升了液晶顯示面板的穩(wěn)定性。
[0028]具體的，所述隔離層130包括依次層疊設(shè)置的緩沖層132、多晶硅層133和柵極絕緣層134，所述緩沖層132覆蓋在所述公共電極層120上，所述多晶硅層133覆蓋介于所述緩沖層132和所述柵極絕緣層134之間。
[0029]進一步具體的，所述第一絕緣層150上還設(shè)有第六過孔156，所述柵極絕緣層上設(shè)有與所述第六過孔156連通的第七過孔137，所述數(shù)據(jù)線層160經(jīng)所述第六過孔156和所述第七過孔137連接至所述多晶硅層133?？梢岳斫獾氖牵龅诹^孔156和所述第七過孔137可以在一次蝕刻中同時得到(即下文中的第三長過孔)。同理，所述第五過孔195和所述第三過孔173也可以一次得到(即下文中的第二長過孔)。
[0030]請結(jié)合參閱圖2，本發(fā)明中所述第一透明電極180與所述第二透明電極182之間形成第一存儲電容Csl。所述多晶硅層133與所述公共電極層120之間形成第二存儲電容Cs2。所述多晶硅層133構(gòu)成第二存儲電容Cs2的一個基板，所述緩沖層132構(gòu)成存儲電容Cs2的絕緣層，所述公共電極層120構(gòu)成另一個基板。相當(dāng)于在原有的基礎(chǔ)(第一存儲電容Csl)上并聯(lián)一個等效存儲電容。在不改變像素開口率的情況下，增大了存儲電容的電容值。
[0031]優(yōu)選的，所述第三絕緣層190和所述緩沖層132的材料為SiNx、Si02或者兩者之間任意組合的復(fù)合材料。
[0032]優(yōu)選的，所述柵極層還包括導(dǎo)電塊141。進一步的所述導(dǎo)電塊141為金屬導(dǎo)電塊。所述導(dǎo)電塊141經(jīng)所述第一過孔131與所述公共電極層120連接，所述第一透明電極180經(jīng)所述第二過孔152和所述第四過孔174與所述導(dǎo)電塊141連接?？梢岳斫獾氖牵龅诙^孔152和所述第四過孔174可以在一次蝕刻中同時形成。
[0033]通過第一金屬塊141使得所述第一透明電極180與所述公共電極層120連接的目的在于:避免由于所述第二過孔152和所述第四過孔174組成的過孔(即下文中的第一長過孔)過深，導(dǎo)致所述第一透明電極180與所述公共電極層120連接時出現(xiàn)斷層。
[0034]進一步的，為達(dá)到良好的遮光效果，公共電極層120可采用鉬鋁合金、鉻金屬、鉬金屬或者其它既具有遮光功能又具有導(dǎo)電性能的材料。
[00；35] 優(yōu)選的，所述隔離層的厚度為0.2mm?0.35mm。
[0036]基于上述陣列基板100，本發(fā)明還提供一種采用上述陣列基板100的液晶顯示面板。
[0037]本發(fā)明還提供一種上述陣列基板的制造方法。主要包括如下步驟:
[0038]SOOl:在所述基板上形成公共電極層。
[0039]具體的，所述基板為玻璃基板，通過成膜、光刻及刻蝕工藝在所述基板上形成所述公共電極層。
[0040]S002:在所述基板上形成覆蓋所述公共電極層的隔離層。
[0041]具體的，包括利用成膜工藝在所述公共電極層上依次形成緩沖層和多晶硅層，所述緩沖層包括SiNx或Si02或者兩者的復(fù)合材料，緩沖層厚度和多晶硅層的順序不限于此。然后進行非晶硅結(jié)晶工藝，然后利用光刻和刻蝕工藝制作有源層圖案，并覆蓋一層?xùn)艠O絕緣層。
[0042]S003:在所述隔離層形成第一過孔。
[0043]具體的，利用干刻工藝在柵絕緣層和下方的緩沖層、多晶硅層上刻蝕所述第一過孔。
[0044]S004:在所述隔離層上形成柵極線層。
[0045]具體的，利用成膜和光刻工藝制作柵極層，所形成的柵極層包括柵描線和導(dǎo)電塊，使公共電極層和導(dǎo)電塊層經(jīng)第一過孔連接，目的是避免過孔過深，造成上方的第一透明電極和公共電極層聯(lián)通時出現(xiàn)斷層。
[0046]S004:在所述柵極線層上形成第一絕緣層。
[0047]具體的，包括在所述第一絕緣層上利用成膜和光刻工藝形成連通至所述多晶硅層的第三長過孔。
[0048]S005:在所述第一絕緣層上形成數(shù)據(jù)線層。
[0049]具體的，利用成膜工藝在所述第一絕緣層上制作數(shù)據(jù)線層。
[0050]S006:在所述數(shù)據(jù)線層上形成第二絕緣層。
[0051]S007:在所述第二絕緣層形成與所述第一過孔連通的第一長過孔。
[0052]具體的，所述第一長過孔穿過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層。
[0053]S008:在所述第二絕緣層上形成第一透明電極，所述第一透明電極經(jīng)所述第一過孔、所述第一長過孔與所述公共電極層連接。
[0054]S009:在所述第一透明電極上形成第三絕緣層。
[0055]S010:在所述第三絕緣層形成連通至所述數(shù)據(jù)線層的第二長過孔。
[0056]具體的，利用成膜、光刻工藝制作第三絕緣層，并在所述第三絕緣層上蝕刻處第二長過孔，所述第二長過孔穿過所述一三絕緣層和所述第二絕緣層，并連通至所述數(shù)據(jù)線層。
[0057]S011:在所述第三絕緣層上形成第二透明電極，所述第二透明電極經(jīng)所述第二長過孔與所述數(shù)據(jù)線層連接。
[0058]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0059]以上所述的實施方式，并不構(gòu)成對該技術(shù)方案保護范圍的限定。任何在上述實施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括:依次層疊設(shè)置的基板、公共電極層、隔離層、柵極層、第一絕緣層、數(shù)據(jù)線層、第二絕緣層、第一透明電極、第三絕緣層和第二透明電極，所述隔離層上設(shè)有第一過孔，所述第一絕緣層上設(shè)有第二過孔，所述第二絕緣層設(shè)有第三過孔和與所述第二過孔連通的第四過孔，所述第一透明電極經(jīng)所述第一過孔、所述第二過孔和所述第四過孔連接至所述公共電極層，所述第三絕緣層設(shè)有與所述第三過孔連通的第五過孔，所述第二透明電極經(jīng)所述第五過孔和所述第三過孔與所述數(shù)據(jù)線層連接。2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述隔離層包括依次層疊設(shè)置的緩沖層、多晶硅層和柵極絕緣層，所述緩沖層覆蓋在所述公共電極層上。3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層上還設(shè)有第六過孔，所述柵極絕緣層上設(shè)有與所述第六過孔連通的第七過孔，所述數(shù)據(jù)線層經(jīng)所述第六過孔和所述第七過孔連接至所述多晶硅層。4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述緩沖層包括SiNx或Si02或者兩者的復(fù)合材料。5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極層包括導(dǎo)電塊，所述導(dǎo)電塊經(jīng)所述第一過孔與所述公共電極層連接，所述第一透明電極經(jīng)所述第二過孔和所述第四過孔與所述導(dǎo)電塊連接。6.—種液晶顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任意一項所述的陣列基板。7.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括:在所述基板上形成公共電極層;在所述基板上形成覆蓋所述公共電極層的隔離層;在所述隔離層形成第一過孔;在所述隔離層上形成柵極線層;在所述柵極線層上形成第一絕緣層;在所述第一絕緣層上形成數(shù)據(jù)線層；在所述數(shù)據(jù)線層上形成第二絕緣層;在所述第二絕緣層形成與所述第一過孔連通的第一長過孔;在所述第二絕緣層上形成第一透明電極，所述第一透明電極經(jīng)所述第一過孔、所述第一長過孔與所述公共電極層連接;在所述第一透明電極上形成第三絕緣層;在所述第三絕緣層形成連通至所述數(shù)據(jù)線層的第二長過孔;在所述第三絕緣層上形成第二透明電極，所述第二透明電極經(jīng)所述第二長過孔與所述數(shù)據(jù)線層連接。8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述隔離層上形成柵極線層步驟中包括:在柵極層上形成經(jīng)所述第一過孔連接所述公共電極層的導(dǎo)電塊。9.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板上形成覆蓋所述公共電極層的隔離層步驟中，包括:依次形成緩沖層、多晶硅層和柵極絕緣層，其中，所述緩沖層覆蓋在所述公共電極層上。10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述柵極線層上形成第一絕緣層步驟中，包括在所述第一絕緣層上形成連通至所述多晶硅層的第三長過孔。
【文檔編號】H01L27/12GK105974699SQ201610493244
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年6月29日
【發(fā)明人】林碧芬, 甘啟明
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司