本發(fā)明涉及液晶顯示器制造領(lǐng)域，特別涉及一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示器已被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中，目前的液晶顯示器主要包括彩膜基板、陣列基板以及形成于這兩個基板間的液晶層以及設(shè)于兩個基板外表面的偏光片。

相關(guān)技術(shù)中，在制作偏光片時，主要以高分子碘類聚乙烯醇型(I-PVA)為主要偏光材料，其偏光原理主要是，通過拉伸的細長碘分子吸收平行于其長軸方向的偏振光并透過垂直于其長軸方向的偏振光，從而達到了偏光的效果，以這種偏光材料制成的偏光片因具有良好的偏光特性和可量產(chǎn)性而被廣泛應(yīng)用。

但是，現(xiàn)有技術(shù)中的偏光片是采用貼附的方式附著在玻璃基板的上下表面的，這種貼附的方式不但會增加液晶顯示器的厚度，而且容易出現(xiàn)偏光片翹曲的問題。在信賴性測試時由于偏光材料的特性，會出現(xiàn)偏光片內(nèi)層的I-PVA收縮的問題，導(dǎo)致扭曲向列(英文：Twist Nematic；簡稱：TN)型偏光片出現(xiàn)四角漏光、高級超維轉(zhuǎn)換(英文：ADvanced Super Dimension Switch；簡稱：ADS)型偏光片出現(xiàn)四角發(fā)藍的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中容易出現(xiàn)偏光片翹曲、偏光片內(nèi)層的I-PVA收縮導(dǎo)致顯示裝置四角漏光或四角發(fā)藍的問題，本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板及其制造方法、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，提供了一種顯示面板，包括：

兩個顯示基板，以及形成在所述兩個顯示基板之間的液晶層；

所述兩個顯示基板中每個顯示基板包括：

襯底基板，所述襯底基板的一面上采用納米壓印技術(shù)形成有線柵偏光層，所述線柵偏光層包括多個陣列排布的線柵結(jié)構(gòu)；

其中，所述兩個顯示基板中的線柵結(jié)構(gòu)的長度方向垂直。

可選的，所述兩個顯示基板包括陣列基板，在所述陣列基板中，形成有所述線柵偏光層的襯底基板的一面上形成有薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)。

可選的，所述兩個顯示基板包括彩膜基板，在所述彩膜基板中，形成有所述線柵偏光層的襯底基板的一面上形成有彩色濾光片。

可選的，所述線柵偏光層中的每個所述線柵結(jié)構(gòu)的寬度范圍為25納米(nm)至250nm；

所述線柵偏光層中的線柵結(jié)構(gòu)等間距排布，且每兩個相鄰的線柵結(jié)構(gòu)的間距范圍為25nm至250nm。

第二方面，提供了一種顯示面板的制造方法，包括：

提供兩個顯示基板，所述兩個顯示基板中每個顯示基板的形成過程包括：

提供襯底基板，在所述襯底基板的一面上采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏光層，所述線柵偏光層包括多個陣列排布的線柵結(jié)構(gòu)；

在所述兩個顯示基板之間形成液晶層；

其中，所述兩個顯示基板中的線柵結(jié)構(gòu)的長度方向垂直。

可選的，所述兩個顯示基板包括陣列基板，

所述陣列基板的形成過程包括：

在形成有所述線柵偏光層的襯底基板的一面上形成薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)。

可選的，所述兩個顯示基板包括彩膜基板，

所述彩膜基板的形成過程包括：

形成有所述線柵偏光層的襯底基板的一面上形成有彩色濾光片。

可選的，所述在所述襯底基板的一面上采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏光層，包括：

在所述襯底基板的一面上形成塑形層；

對所述塑形層進行加熱，所述塑形層的加熱溫度高于所述塑形層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度；

將壓制模具壓入所述塑形層，使得所述塑形層上形成目標壓制圖案；

降低所述塑形層的溫度至所述塑形層的溫度低于所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，去除所述壓制模具；

去除形成有所述目標壓制圖案的塑形層上的低凹區(qū)域以暴露出所述襯底基板上低凹區(qū)域下方的襯底區(qū)域；

在形成有所述塑形層的襯底基板上形成金屬薄膜；

去除所述塑形層及附著在所述塑形層上的所述金屬薄膜，得到所述線柵偏光層。

可選的，所述塑形層為薄層熱塑性高分子材料。

可選的，所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為105℃(攝氏度)；

所述對所述塑形層的加熱溫度范圍為150℃至220℃。

可選的，所述線柵偏光層中的每個所述線柵結(jié)構(gòu)的寬度范圍為25nm至250nm；

所述線柵偏光層中的線柵結(jié)構(gòu)等間距排布，且每兩個相鄰的線柵結(jié)構(gòu)的間距范圍為25nm至250nm。

第三方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：第一方面任一所述的顯示面板。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

本發(fā)明實施例提供的顯示面板及其制造方法、顯示裝置，通過在顯示基板的襯底基板上采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏光層，替代在顯示基板上貼附傳統(tǒng)偏光片，解決了傳統(tǒng)偏光片容易出現(xiàn)翹曲、偏光片內(nèi)層的I-PVA收縮導(dǎo)致顯示裝置四角漏光或四角發(fā)藍的問題，在顯示面板制程中省去偏光片貼附制程，提高了顯示面板的產(chǎn)能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的制造方法的方法流程圖；

圖4-1是本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的制造方法的方法流程圖；

圖4-2是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制造方法的方法流程圖；

圖4-3是本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板的制造工藝流程示意圖；

圖4-4是本發(fā)明實施例提供的一種彩膜基板的制造方法的方法流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。

本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板，如圖1所示，包括：

兩個顯示基板，以及形成在兩個顯示基板之間的液晶層103。示例的，該兩個顯示基板可以為陣列基板101和彩膜基板102。

該兩個顯示基板中每個顯示基板包括：

襯底基板，襯底基板的一面上采用納米壓印技術(shù)形成有線柵偏光層，線柵偏光層包括多個陣列排布的線柵結(jié)構(gòu)。示例的，陣列基板101中的襯底基板可以為第一襯底基板1011，彩膜基板102的襯底基板可以為第二襯底基板1021。

其中，兩個顯示基板中的線柵結(jié)構(gòu)的長度方向垂直。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示面板，在顯示基板的襯底基板上采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏光層，替代在顯示基板上貼附傳統(tǒng)偏光片，解決了傳統(tǒng)偏光片容易出現(xiàn)翹曲、偏光片內(nèi)層的I-PVA收縮導(dǎo)致顯示裝置四角漏光或四角發(fā)藍的問題，在顯示面板制程中省去偏光片貼附制程，提高了顯示面板的產(chǎn)能。

進一步的，如圖1所示，在陣列基板101中，形成有第一線柵偏光層1012的第一襯底基板1011的一面上形成有薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)1013；在彩膜基板102中，形成有第二線柵偏光層1022的第二襯底基板1021的一面上形成有彩色濾光片1023。

需要說明的是，在陣列基板101中，可以在形成有薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)1013的第一襯底基板1011的一面上形成有第一線柵偏光層1012，也可以在沒有形成有薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)1013的第一襯底基板1011的一面上形成有第一線柵偏光層1012；在彩膜基板102中，可以在形成有彩色濾光片1023的第二襯底基板1021的一面上形成有第二線柵偏光層1022，也可以在沒有形成彩色濾光片1023的第二襯底基板1021的一面上形成有第二線柵偏光層1022。在顯示基板的襯底基板上直接形成線柵偏光層，不僅省去了偏光片的貼附工藝，還減小了顯示面板的厚度，使得顯示面板更加輕薄。

可選的，以在第一襯底基板1011上形成的第一線柵偏光層1012為例進行說明，如圖2所示，圖2為圖1中陣列基板的局部放大圖，第一線柵偏光層1012中的每個線柵結(jié)構(gòu)1012a的寬度范圍為25至250nm；第一線柵偏光層1012中的線柵結(jié)構(gòu)1012a等間距排布，且每兩個相鄰的線柵結(jié)構(gòu)1012a的間距范圍為25至250nm?？蛇x的，該線柵結(jié)構(gòu)1012a可以是細線狀金屬結(jié)構(gòu)，第一線柵偏光層1012中的線柵結(jié)構(gòu)1012a等間距排布，即形成平行的金屬細線結(jié)構(gòu)。當相鄰的線柵結(jié)構(gòu)1012a的間距充分小于可見光波長，入射光γ照射第一線柵偏光層1012時，等間距排布的線柵結(jié)構(gòu)1012a可以使入射光中與線柵結(jié)構(gòu)1012a正交的光線分量透過線柵結(jié)構(gòu)1012a，即p偏振光可以透過線柵結(jié)構(gòu)1012a；等間距排布的線柵結(jié)構(gòu)1012a可以使入射光中與線柵結(jié)構(gòu)1012a平行的光線分量反射，即s偏振光被線柵結(jié)構(gòu)1012a反射。需要說明的是，陣列基板101中的線柵結(jié)構(gòu)的長度方向與彩膜基板102中的線柵結(jié)構(gòu)的長度方向垂直。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示面板，在顯示基板的襯底基板上采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏光層，替代在顯示基板上貼附傳統(tǒng)偏光片，解決了傳統(tǒng)偏光片容易出現(xiàn)翹曲、偏光片內(nèi)層的I-PVA收縮導(dǎo)致顯示裝置四角漏光或四角發(fā)藍的問題，在顯示面板制程中省去偏光片貼附制程，提高了顯示面板的產(chǎn)能，在襯底基板上直接形成偏光圖案，提高了顯示面板的光線透過率。

本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板的制造方法，以制造如圖1所示的顯示面板為例，如圖3所示，該顯示面板的制造方法包括：

步驟301、提供兩個顯示基板，兩個顯示基板中每個顯示基板的形成過程包括：提供襯底基板，在襯底基板的一面上采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏光層，線柵偏光層包括多個陣列排布的線柵結(jié)構(gòu)。

步驟302、在兩個顯示基板之間形成液晶層。

其中，兩個顯示基板中的線柵結(jié)構(gòu)的長度方向垂直。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示面板的制造方法，在顯示基板的襯底基板上采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏光層，替代在顯示基板上貼附傳統(tǒng)偏光片，解決了傳統(tǒng)偏光片容易出現(xiàn)翹曲、偏光片內(nèi)層的I-PVA收縮導(dǎo)致顯示裝置四角漏光或四角發(fā)藍的問題，在顯示面板制程中省去偏光片貼附制程，提高了顯示面板的產(chǎn)能。

本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板的制造方法，如圖4-1所示，該方法包括：

步驟401、提供兩個顯示基板，兩個顯示基板中每個顯示基板的形成過程包括：提供襯底基板，在襯底基板的一面上采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏光層，線柵偏光層包括多個陣列排布的線柵結(jié)構(gòu)。

需要說明的是，在顯示基板的襯底基板上直接形成線柵偏光層，不僅省去了偏光片的貼附工藝，還減小了顯示基板的厚度，相應(yīng)的減少了顯示面板的厚度，可以使顯示面板更加輕薄。

具體的，兩個顯示基板包括陣列基板和彩膜基板。一方面，如圖4-2所示，陣列基板的形成過程包括：

步驟4011a、提供第一襯底基板，在第一襯底基板的一面上采用納米壓印技術(shù)形成第一線柵偏光層，第一線柵偏光層包括多個陣列排布的線柵結(jié)構(gòu)。

示例的，圖4-3是陣列基板采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏光層的工藝流程示意圖，如圖4-3所示，工藝流程包括：

S1、在第一襯底基板1011的一面上形成塑形層1012b。

需要說明的是，該塑形層1012b為薄層熱塑性高分子材料?？蛇x的，該塑形層可以是聚甲基丙烯酸甲酯(英文：polymethacrylates；簡稱：PMMA)，也可以是聚碳酸酯，本發(fā)明實施例對塑形層1012b的材料不做限定。如圖4-3中的S1所示，在第一襯底基板1011的一面上形成塑形層1012b。

S2、對塑形層1012b進行加熱，塑形層1012b的加熱溫度高于塑形層1012b的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，將壓制模具201壓入所述塑形層，使得塑形層1012b上形成目標壓制圖案。

示例的，塑形層1012b的材料可以是PMMA，PMMA的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為105℃，可選的，對塑形層1012b的加熱溫度范圍可以為150℃至220℃。需要說明的是，在塑形層上形成的目標壓制圖案與壓制模具201上的壓制圖案相反。

S3、降低塑形層1012b的溫度至塑形層1012b的溫度低于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，去除壓制模具201，去除形成有目標壓制圖案的塑形層1012b上的低凹區(qū)域V以暴露出第一襯底基板1011上低凹區(qū)域V下方的襯底區(qū)域。

可選的，壓制模具201可以采用二氧化硅材料制成，在去除壓制模具201時，不會與塑形層1012b粘附?？蛇x的，可以采用氧氣反應(yīng)型離子刻蝕的方法去除形成有目標壓制圖案的塑形層1012b上的低凹區(qū)域V，直至暴露出第一襯底基板1011上低凹區(qū)域V下方的襯底區(qū)域。

S4、在形成有塑形層1012b的襯底基板101上形成金屬薄膜1012c。

具體的，可以采用濺射沉積的方式在在形成有塑形層1012b的襯底基板101上濺射金屬形成金屬薄膜1012c，可選的，該金屬可以是鋁或銀，本發(fā)明實施例對形成金屬薄膜1012c的金屬的種類不做限定?？蛇x的，形成的金屬薄膜1012c的厚度為1微米。

S5、去除塑形層1012b及附著在塑形層1012b上的金屬薄膜1012c，得到第一線柵偏光層1012。

可選的，由于PMMA可以溶于乙酸、乙酸乙酯、丙酮等有機溶劑的特性，可以在乙酸、乙酸乙酯、丙酮等有機溶劑采用溶脫的方式去除塑形層1012b及附著在塑形層1012b上的金屬薄膜1012c。如圖4-3中的S5所示，溶脫結(jié)束后，在原先塑形層1012b的低凹區(qū)域V對應(yīng)的下方的第一襯底基板1011上形成線柵型金屬結(jié)構(gòu)，即得到第一線柵偏光層1012。得到的第一線柵偏光層1012的圖案與壓制模具201上的壓制圖案的線柵結(jié)構(gòu)和相鄰的線柵結(jié)構(gòu)的間距一致。可選的，線柵偏光層中的每個線柵結(jié)構(gòu)的寬度范圍為25至250nm；線柵偏光層中的線柵結(jié)構(gòu)等間距排布，且每兩個相鄰的線柵結(jié)構(gòu)的間距范圍為25至250nm。采用厚度為1微米的線柵偏光層替代了傳統(tǒng)偏光片，減小了顯示面板的厚度，使得顯示面板更加輕薄。

步驟4012a、在形成有第一線柵偏光層的第一襯底基板的一面上形成薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)。

具體的，形成后的陣列基板101的結(jié)構(gòu)如圖1所示，在第一襯底基板1011上形成第一線柵偏光層1012，再在第一線柵偏光層1012上形成薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)1013。需要說明的是，在陣列基板101中，可以在形成有薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)1013的第一襯底基板1011的一面上形成第一線柵偏光層1012，也可以在沒有形成有薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)1013的第一襯底基板1011的一面上形成第一線柵偏光層1012。

另一方面，如圖4-4所示，彩膜基板的形成過程包括：

步驟4011b、提供第二襯底基板，在第二襯底基板的一面上采用納米壓印技術(shù)形成第二線柵偏光層，第二線柵偏光層包括多個陣列排布的線柵結(jié)構(gòu)。

該步驟4011b可以參考上述步驟4011a，本發(fā)明實施例對此不做贅述。

步驟4012b、在形成有第二線柵偏光層的第二襯底基板的一面上形成彩色濾光片。

具體的，形成后的彩膜基板102的結(jié)構(gòu)如圖1所示，在第二襯底基板1021上形成第二線柵偏光層1022，再在第二線柵偏光層1022上形成彩色濾光片1023。需要說明的是，在彩膜基板102中，可以在形成有彩色濾光片1023的第二襯底基板1021的一面上形成第二線柵偏光層1022，也可以在沒有形成彩色濾光片1023的第二襯底基板1021的一面上形成第二線柵偏光層1022。

需要說明的是，兩個顯示基板中的線柵結(jié)構(gòu)的長度方向垂直。采用納米壓印技術(shù)以顯示基板的襯底基板為襯底形成線柵偏光層，不僅省去了偏光片的貼附工藝，還減小了顯示面板的厚度，使得顯示面板更加輕薄。

步驟402、在兩個顯示基板之間形成液晶層。

步驟403、將兩個顯示基板對盒成型。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示面板的制造方法，在顯示基板的襯底基板上采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏光層，替代在顯示基板上貼附傳統(tǒng)偏光片，解決了傳統(tǒng)偏光片容易出現(xiàn)翹曲、偏光片內(nèi)層的I-PVA收縮導(dǎo)致顯示裝置四角漏光或四角發(fā)藍的問題，在顯示面板制程中省去偏光片貼附制程，提高了顯示面板的產(chǎn)能，在襯底基板上直接形成偏光圖案，提高了顯示面板的光線透過率。

本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：本發(fā)明實施例提供的顯示面板，該顯示面板可以為圖1所示的顯示面板。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，在顯示基板的襯底基板上采用納米壓印技術(shù)形成線柵偏光層，替代在顯示基板上貼附傳統(tǒng)偏光片，解決了傳統(tǒng)偏光片容易出現(xiàn)翹曲、偏光片內(nèi)層的I-PVA收縮導(dǎo)致顯示裝置四角漏光或四角發(fā)藍的問題，在顯示面板制程中省去偏光片貼附制程，提高了顯示面板的產(chǎn)能。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。