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帶電路的懸掛基板和其制造方法

文檔序號:10601319閱讀:633來源:國知局
帶電路的懸掛基板和其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供帶電路的懸掛基板和其制造方法。帶電路的懸掛基板包括:金屬支承基板,其具有支承開口部;基底絕緣層,其配置于金屬支承基板的一側(cè);以及導體層,其配置于基底絕緣層的一側(cè)并具有多個端子部,該多個端子部與支承開口部重疊并互相隔開間隔地配置?;捉^緣層具有:多個基底開口部,該多個基底開口部在排列方向上配置在多個端子部之間;多個厚壁部,該多個厚壁部同多個端子部各自的在與厚度方向和排列方向這兩個方向正交的正交方向上的端部重疊;以及多個薄壁部,該多個薄壁部沿著多個基底開口部的邊緣部配置在多個厚壁部之間,且該多個薄壁部的厚度薄于多個厚壁部的厚度。
【專利說明】
帶電路的懸掛基板和其制造方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及帶電路的懸掛基板和其制造方法,詳細而言,涉及在硬盤驅(qū)動器中使用的帶電路的懸掛基板和其制造方法。
【背景技術】
[0002]以往,作為帶電路的懸掛基板,公知有一種包括支承基板、形成于支承基板之上的基底層、形成于基底層之上且具有連接端子的導體層、以及覆蓋導體層的覆蓋層的帶電路的懸掛基板。
[0003]作為這樣的帶電路的懸掛基板,公知有一種在支承基板和基底層上分別形成有開口部且在沿厚度方向進行投影時在這些開口部內(nèi)包含有多個連接端子的帶電路的懸掛基板(例如,參照日本特開2001 — 209918號公報)。在該帶電路的懸掛基板中,由于沒有在厚度方向上與連接端子重疊的區(qū)域內(nèi)形成支承基板和基底層,因此,在利用超聲波振動將連接端子和外部的讀寫基板的端子相連接時,能夠順暢地傳遞振動。
[0004]然而,在日本特開2001— 209918號公報所記載的帶電路的懸掛基板中,在I個連接端子與同將該連接端子相鄰的連接端子之間,基底層的厚度較厚且均等地形成,而剛性較大。因此,在將連接端子和外部的讀寫基板的端子相連接時產(chǎn)生振動的情況下、在將連接端子和外部的讀寫基板的端子相連接之后對連接端子施加應力的情況下,容易經(jīng)由基底層對與該連接端子相鄰的連接端子施加振動、應力。因此,存在使連接端子的連接可靠性降低這樣的問題。
[0005]另一方面,應力容易集中于連接端子的端部。因此,配置有連接端子的端部的區(qū)域的剛性較高為宜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]因此,本發(fā)明的目的在于,提供能夠增強多個端子部各自的端部并能夠提高多個端子部中的各端子部的連接可靠性的帶電路的懸掛基板和其制造方法。
[0007]本發(fā)明提供一種帶電路的懸掛基板,其中,該帶電路的懸掛基板包括:金屬支承基板,其具有沿厚度方向貫穿該金屬支承基板的支承開口部;基底絕緣層,其配置于金屬支承基板的厚度方向的一側(cè);以及導體層,其配置于基底絕緣層的厚度方向的一側(cè)并具有多個端子部,在沿厚度方向進行投影時,該多個端子部與支承開口部重疊并互相隔開間隔地配置,基底絕緣層具有:多個基底開口部,該多個基底開口部沿厚度方向貫穿基底絕緣層,在沿厚度方向進行投影時,該多個基底開口部在多個端子部的排列方向上配置在多個端子部之間;多個厚壁部,在沿厚度方向進行投影時,該多個厚壁部同多個端子部各自的在與厚度方向和排列方向這兩個方向正交的正交方向上的端部重疊;以及多個薄壁部,該多個薄壁部沿著多個基底開口部的邊緣部配置在多個厚壁部之間,且該多個薄壁部的厚度薄于多個厚壁部的厚度。
[0008]采用這樣的帶電路的懸掛基板,在沿厚度方向進行投影時,多個厚壁部中的各厚壁部與多個端子部各自的在正交方向上的端部重疊。
[0009]因此,能夠利用多個厚壁部中的各厚壁部來相對地提高多個端子部各自的在正交方向上的端部的剛性。
[0010]其結果,能夠增強多個端子部各自的在正交方向上的端部。
[0011]另外,在沿厚度方向進行投影時,多個基底開口部中的各基底開口部在排列方向上配置在多個端子部之間。多個薄壁部中的各薄壁部沿著多個基底開口部的各基底開口部的邊緣部配置。
[0012]因此,多個薄壁部中的各薄壁部在排列方向上配置在多個端子部之間。
[0013]其結果,能夠使基底絕緣層的位于多個端子部之間的部分的剛性相對地降低。
[0014]因此,即使在I個端子部上產(chǎn)生了振動、應力的情況下,也能夠利用薄壁部來降低或吸收該振動、應力,從而能夠抑制振動、應力被傳遞至與該端子部相鄰的端子部。
[0015]因此,能夠提高多個端子部的中的各端子部的連接可靠性。
[0016]另外,在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中,優(yōu)選的是,金屬支承基板包括在沿厚度方向進行投影時分別與多個端子部重疊的端子連接部,該端子連接部以與支承開口部的邊緣部分開的方式配置在支承開口部內(nèi),基底絕緣層具有:絕緣部,其在厚度方向上配置在端子連接部與端子部之間;以及連接開口部,其沿厚度方向貫穿絕緣部,端子連接部經(jīng)由連接開口部與端子部電連接。
[0017]采用這樣的帶電路的懸掛基板,當自厚度方向的另一側(cè)電連接于端子連接部時,能夠經(jīng)由端子連接部與端子部電連接。
[0018]因此,能夠自厚度方向上的兩側(cè)電連接于端子部。
[0019]另外,本發(fā)明的帶電路的懸掛基板中,優(yōu)選的是,多個端子部中的各端子部的除了在沿厚度方向進行投影時與厚壁部重疊的部分以外的部分的在厚度方向上的兩面暴露。
[0020]采用這樣的帶電路的懸掛基板,能夠自厚度方向上的兩側(cè)電連接于端子部。
[0021]另外,本發(fā)明提供一種帶電路的懸掛基板的制造方法,其中,該帶電路的懸掛基板的制造方法包括以下工序:準備金屬支承基板;在金屬支承基板的厚度方向的一側(cè)形成基底絕緣層,該基底絕緣層具有:互相隔開間隔地配置的厚度較薄的多個第I部分;以包圍多個第I部分的方式配置且厚度厚于多個第I部分的厚度的第2部分;在基底絕緣層的厚度方向的一側(cè)形成導體層,該導體層在多個第I部分的排列方向上具有在沿厚度方向進行投影時與多個第I部分之間的第2部分重疊的多個端子部;對金屬支承基板進行蝕刻并沿厚度方向貫穿金屬支承基板而形成多個第I支承開口部,該多個第I支承開口部配置為在沿厚度方向進行投影時包含多個第I部分中的各第I部分;經(jīng)由多個第I支承開口部對基底絕緣層進行蝕刻而將多個第I部分去除,形成沿厚度方向貫穿基底絕緣層的多個基底開口部,并且,使第2部分的自多個第I支承開口部暴露且在沿厚度方向進行投影時與多個基底開口部的周緣部相連續(xù)的部分形成為多個薄壁部;以及在形成多個薄壁部之后,對金屬支承基板進行蝕刻而在金屬支承基板上形成沿厚度方向貫穿金屬支承基板的多個第2支承開口部,在沿厚度方向進行投影時,該多個第2支承開口部至少同多個端子部各自的在與厚度方向和排列方向這兩個方向正交的正交方向上的端部重疊,在基底絕緣層中,使第2部分的在沿厚度方向進行投影時與多個第2支承開口部重疊的部分形成為多個厚壁部。
[0022]采用這樣的帶電路的懸掛基板的制造方法,在對金屬支承基板進行蝕刻而形成第I支承開口部的工序中,在金屬支承基板中的在沿厚度方向進行投影時與多個端子部各自的在正交方向上的端部重疊的部分沒有形成第I支承開口部。并且,在對基底絕緣層進行蝕刻的工序之后,在該部分上形成多個第2支承開口部,因此,在基底絕緣層中,能夠使第2部分的與多個第2支承開口部重疊的部分形成為沒有被蝕刻的多個厚壁部。并且,在沿厚度方向進行投影時,多個厚壁部中的各厚壁部與多個端子部各自的在正交方向上的端部重疊。
[0023]因此,能夠利用多個厚壁部中的各厚壁部來相對地提高多個端子部各自的在正交方向上的端部的剛性。
[0024]其結果,能夠增強多個端子部各自的在正交方向上的端部。
[0025]另外,在沿厚度方向進行投影時,多個基底開口部中的各基底開口部在排列方向上配置在多個端子部之間。多個薄壁部中的各薄壁部沿著多個基底開口部的各基底開口部的邊緣部配置。
[0026]因此,多個薄壁部中的各薄壁部在排列方向上配置在多個端子部之間。
[0027]其結果,能夠使基底絕緣層的位于多個端子部之間的部位的剛性相對地降低。
[0028]因此,即使在I個端子部上產(chǎn)生了振動、應力的情況下,也能夠利用薄壁部來降低或吸收該振動、應力,從而能夠抑制振動、應力被傳遞至與該端子部相鄰的端子部。
[0029]因此,能夠提高多個端子部中的各端子部的連接可靠性。
[0030]另外,在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的制造方法中,優(yōu)選的是,在形成基底絕緣層的工序中包括形成連接開口部的工序,該連接開口部沿厚度方向貫穿基底絕緣層且在排列方向上配置于多個第I部分之間的第2部分,在形成導體層的工序中包括經(jīng)由連接開口部將金屬支承基板和端子部電連接的工序,在對金屬支承基板進行蝕刻而形成多個第2支承開口部的工序中包括如下工序,即,在金屬支承基板上,以留有金屬支承基板的在沿厚度方向進行投影時與多個端子部各自的中央部重疊的部分的方式形成多個第2支承開口部,使金屬支承基板的與多個端子部各自的中央部重疊的部分形成為端子連接部。
[0031]采用這樣的帶電路的懸掛基板的制造方法,當自厚度方向的另一側(cè)電連接于端子連接部時,能夠經(jīng)由端子連接部與端子部電連接。
[0032]因此,能夠自厚度方向上的兩側(cè)電連接于端子部。
[0033]另外,在本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的制造方法中,優(yōu)選的是,在形成基底絕緣層的工序中包括形成多個第3部分的工序,該多個第3部分在排列方向上配置在多個第I部分之間并具有與多個第I部分的厚度相同的厚度,在對金屬支承基板進行蝕刻而形成多個第I支承開口部的工序中還包括在金屬支承基板上形成多個第3支承開口部的工序,該多個第3支承開口部沿厚度方向貫穿金屬支承基板且配置為在沿厚度方向進行投影時與多個第3部分重疊,在對基底絕緣層進行蝕刻的工序中包括將自多個第3支承開口部暴露且在沿厚度方向進行投影時與多個第3支承開口部重疊的第3部分去除的工序。
[0034]采用這樣的帶電路的懸掛基板的制造方法,使多個端子部中的各端子部的在厚度方向上的兩面暴露。
[0035]因此,能夠自厚度方向上的兩側(cè)電連接于端子部。
【附圖說明】
[0036]圖1是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的一實施方式的俯視圖。
[0037]圖2是圖1所示的帶電路的懸掛基板的外部連接部的放大俯視圖。
[0038]圖3A是圖2所示的帶電路的懸掛基板的A—A剖視圖。
[0039]圖3B是圖2的B—B剖視圖。
[0040]圖3C是圖2的C—C剖視圖。
[0041]圖4是圖2所示的帶電路的懸掛基板的基底絕緣層的第I基底開口部、厚壁部以及薄壁部的放大俯視圖。
[0042]圖5A?圖5C是對帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示準備金屬支承基板的工序,其中,圖5A是與圖3A相對應的剖視圖,圖5B是與圖3B相對應的剖視圖,圖5C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0043]圖6A?圖6C是對帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成基底覆膜的工序,其中,圖6A是與圖3A相對應的剖視圖,圖6B是與圖3B相對應的剖視圖,圖6C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0044]圖7A?圖7C是對帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成基底絕緣層的工序,其中,圖7A是與圖3A相對應的剖視圖,圖7B是與圖3B相對應的剖視圖,圖7C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0045]圖8A?圖SC是對帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成導體圖案的工序,其中,圖8A是與圖3A相對應的剖視圖,圖8B是與圖3B相對應的剖視圖,圖8C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0046]圖9A?圖9C是對帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成覆蓋絕緣層的工序,其中,圖9A是與圖3A相對應的剖視圖,圖9B是與圖3B相對應的剖視圖,圖8C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0047]圖1OA?圖1OC是對帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成第I支承開口部的工序,其中,圖1OA是與圖3A相對應的剖視圖,圖1OB是與圖3B相對應的剖視圖,圖1OC是與圖3C相對應的剖視圖。
[0048]圖1lA?圖1lC是對帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示對基底絕緣層進行蝕刻的工序,其中,圖1IA是與圖3A相對應的剖視圖,圖1IB是與圖3B相對應的剖視圖,圖1lC是與圖3C相對應的剖視圖。
[0049]圖12A?圖12C是對帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成鍍層的工序,其中,圖12A是與圖3A相對應的剖視圖,圖12B是與圖3B相對應的剖視圖,圖12C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0050]圖13A?圖13C是對第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示準備金屬支承基板的工序,其中,圖13A是與圖3A相對應的剖視圖,圖13B是與圖3B相對應的剖視圖,圖13C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0051]圖14A?圖14C是對第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成基底覆膜的工序,其中,圖14A是與圖3A相對應的剖視圖,圖14B是與圖3B相對應的剖視圖,圖14C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0052]圖15A?圖15C是對第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成基底絕緣層的工序,其中,圖15A是與圖3A相對應的剖視圖,圖15B是與圖3B相對應的剖視圖,圖15C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0053]圖16A?圖16C是對第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成導體圖案的工序,其中,圖16A是與圖3A相對應的剖視圖,圖16B是與圖3B相對應的剖視圖,圖16C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0054]圖17A?圖17C是對第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成覆蓋絕緣層的工序,其中,圖17A是與圖3A相對應的剖視圖,圖17B是與圖3B相對應的剖視圖,圖17C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0055]圖18A?圖18C是對第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成第I支承開口部和第3支承開口部的工序,其中,圖18A是與圖3A相對應的剖視圖,圖18B是與圖3B相對應的剖視圖,圖18C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0056]圖19A?圖19C是對第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示對基底絕緣層進行蝕刻的工序,其中,圖19A是與圖3A相對應的剖視圖,圖19B是與圖3B相對應的剖視圖,圖19C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0057]圖20A?圖20C是對第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成鍍層的工序,其中,圖20A是與圖3A相對應的剖視圖,圖20B是與圖3B相對應的剖視圖,圖20C是與圖3C相對應的剖視圖。
[0058]圖21A?圖21C是對第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法進行說明的工序圖,表示形成第2支承開口部的工序,其中,圖21A是與圖3A相對應的剖視圖,圖21B是與圖3B相對應的剖視圖,圖21C是與圖3C相對應的剖視圖。
【具體實施方式】
[0059]1.帶電路的懸掛基板的結構
[0060]如圖1所示,帶電路的懸掛基板I搭載于硬盤驅(qū)動器且安裝有磁頭(未圖示),以對抗磁頭與磁盤相對運動時的氣流地在該磁頭與磁盤之間保持微小的間隔的方式支承該磁頭,該帶電路的懸掛基板形成有與其成為一體的、用于將磁頭和作為外部電路的讀寫基板相連接的配線。
[0061]帶電路的懸掛基板I形成為沿長度方向延伸的俯視大致矩形的平帶形狀。帶電路的懸掛基板I包括:滑撬搭載部2,其配置于帶電路的懸掛基板I的長度方向一側(cè),用于搭載具有磁頭(未圖示)的滑撬(未圖示);外部連接部3,其配置于帶電路的懸掛基板I的長度方向另一側(cè),用于與讀寫基板40電連接;以及配線部4,其在滑撬搭載部2與外部連接部3之間沿帶電路的懸掛基板I的長度方向延伸。
[0062]此外,在以下的說明中,在提及方向時,將設有滑撬搭載部2的一側(cè)(圖1中的紙面左側(cè))作為長度方向的一側(cè),將設有外部連接部3的一側(cè)(圖1中的紙面右側(cè))作為長度方向的另一側(cè)。另外,將圖1中的紙面上側(cè)作為帶電路的懸掛基板I的左寬度方向的一側(cè),將圖1中的紙面下側(cè)作為帶電路的懸掛基板I的寬度方向的另一側(cè)。另外,在圖1中,將紙面近前側(cè)作為帶電路的懸掛基板I的上側(cè)(厚度方向的一側(cè)),將紙面進深側(cè)作為帶電路的懸掛基板I的下側(cè)(厚度方向的另一側(cè))。即,上下方向是帶電路的懸掛基板I的厚度方向的一個例子。
[0063]此外,在圖1中,為了明確表不支承基板10和導體圖案12的相對配置關系,省略了基底絕緣層U、覆蓋絕緣層13以及鍍層34。同樣地,在圖2和圖4中,為了明確表示支承基板1、基底絕緣層11以及導體圖案12的相對配置關系,省略了覆蓋絕緣層13和鍍層34。
[0064]如圖3A?圖3C所示,這樣的帶電路的懸掛基板I具有層疊構造,具體而言,帶電路的懸掛基板I通過自下側(cè)朝向上側(cè)地依次層疊作為金屬支承基板的一個例子的支承基板10、基底絕緣層11、作為導體層的一個例子的導體圖案12以及覆蓋絕緣層13而形成。
[0065]支承基板10由例如不銹鋼、42合金、鋁、銅一鈹以及磷青銅等金屬材料形成,優(yōu)選由不銹鋼形成。另外,支承基板10形成為沿長度方向延伸的俯視大致矩形形狀的大致平板形狀(參照圖1)。另外,支承基板10的厚度例如為ΙΟμπι以上,且例如為50μηι以下,優(yōu)選為25μ??以下。
[0066]另外,如圖2所示,支承基板10在與外部連接部3相對應的部分上具有支承開口部15和多個(6個)端子連接部16。
[0067]支承開口部15形成于支承基板10的長度方向另一側(cè)端部中的寬度方向另一側(cè)端部。支承開口部15具有沿長度方向延伸的仰視大致矩形形狀,并沿上下方向貫穿支承基板10(參照圖3Α)。
[0068]支承開口部15的長度方向尺寸例如為4000μηι以上,優(yōu)選為5500μηι以上,且例如為20000μηι以下,優(yōu)選為ΙΟΟΟΟμηι以下。支承開口部15的寬度方向尺寸例如為50μηι以上,優(yōu)選為ΙΟΟμπι以上,且例如為3000μηι以下,優(yōu)選為2000μηι以下。
[0069]多個端子連接部16中的各端子連接部16與多個外部側(cè)端子32(后述)相對應,并以與支承開口部15的內(nèi)周端緣(邊緣部)分開的方式配置在支承開口部15內(nèi)。多個端子連接部16中的各端子連接部16具有沿寬度方向延伸的仰視大致矩形形狀的平板形狀。多個端子連接部16在長度方向上互相隔開等間隔地配置。
[0070]多個端子連接部16各自的長度方向尺寸例如為20μηι以上,優(yōu)選為50μηι以上,且例如為1500μπι以下,優(yōu)選為1200μπι以下。多個端子連接部16各自的寬度方向尺寸例如為20μπι以上,優(yōu)選為30μηι以上,且例如為1200μηι以下,優(yōu)選為800μηι以下。
[0071]如圖3Α所示,基底絕緣層11層疊于支承基板10的上表面,在基底絕緣層11的要形成導體圖案12的部分上,基底絕緣層11配置為規(guī)定的圖案。基底絕緣層11由例如聚酰亞胺、聚酰胺一酰亞胺、丙烯、聚醚腈、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成樹脂等形成。從尺寸熱穩(wěn)定性等觀點來看,基底絕緣層11優(yōu)選由聚酰亞胺形成。
[0072]如圖2所示,基底絕緣層11具有主體部26、多個(5個)基底開口部21、多個(6個)厚壁部22、以及多個(7個)薄壁部23。
[0073]在沿厚度方向進行投影時,主體部26與支承基板10的除了支承開口部15以外的部分重疊。主體部26的外形形狀與支承基板10的外形形狀大致相同。
[0074]主體部26的厚度例如為Ιμπι以上,優(yōu)選為3μηι以上,且例如為15μηι以下,優(yōu)選為25μηι以下。
[0075]在沿厚度方向進行投影時,多個基底開口部21中的各基底開口部21包含在支承基板10的支承開口部15內(nèi)且配置于在長度方向上相鄰的端子連接部16之間。多個基底開口部21中的各基底開口部21具有仰視大致矩形形狀,并沿上下方向貫穿基底絕緣層11(參照圖3Β)0
[0076]多個基底開口部21各自的長度方向尺寸例如為50μηι以上,優(yōu)選為80μηι以上,且例如為1500μηι以下,優(yōu)選為1200μηι以下。多個基底開口部21各自的寬度方向尺寸例如為50μηι以上,優(yōu)選為80μηι以上,且例如為1500μηι以下,優(yōu)選為1200μηι以下。
[0077]在沿厚度方向進行投影時,多個厚壁部22配置在支承基板10的支承開口部15內(nèi)且在長度方向上互相隔開間隔地配置。具體而言,在沿厚度方向進行投影時,多個厚壁部22在長度方向上配置在個基底開口部21之間,另外,多個厚壁部22配置于被配置在長度方向兩外側(cè)的基底開口部21的長度方向兩外側(cè)(參照圖2)。多個厚壁部22中的各厚壁部22具有沿寬度方向延伸的仰視大致矩形形狀。多個厚壁部22中的各厚壁部22的寬度方向一側(cè)端緣與支承基板10的支承開口部15的寬度方向一側(cè)端緣重疊,多個厚壁部22中的各厚壁部22的寬度方向另一側(cè)端緣與支承基板10的支承開口部15的寬度方向另一側(cè)端緣重疊。并且,多個厚壁部22與主體部26相連續(xù)。另外,多個厚壁部22中的各厚壁部22具有連接開口部27。
[0078]連接開口部27配置于多個厚壁部22各自的中央部。連接開口部27具有俯視大致圓形狀,并沿上下方向貫穿多個厚壁部22中的各厚壁部22。
[0079]此外,多個厚壁部22中的、層疊在多個端子連接部16的上表面上的部分是絕緣部的一個例子。
[0080]多個厚壁部22各自的長度方向尺寸與多個端子連接部16各自的長度方向尺寸大致相同。多個厚壁部22各自的寬度方向尺寸與支承基板10的支承開口部15的寬度方向尺寸大致相同。多個厚壁部22各自的厚度與主體部26的厚度大致相同。
[0081 ] 連接開口部27的直徑例如為5μηι以上,優(yōu)選為IΟμπι以上,且例如為10ym以下,優(yōu)選為90μηι以下。
[0082]在沿厚度方向進行投影時,多個薄壁部23配置于支承基板10的支承開口部15內(nèi)的除了多個基底開口部21和多個厚壁部22以外的部分。具體而言,多個薄壁部23被多個厚壁部22劃分為在長度方向上互相隔開間隔。在多個薄壁部23之中,薄壁部23的除了配置在長度方向兩外側(cè)的部分以外的部分是中央薄壁部23a,薄壁部23的配置在長度方向兩外側(cè)的部分是端部薄壁部23b。
[0083]多個中央薄壁部23a配置于多個基底開口部21各自的外側(cè)。多個中央薄壁部23a中的各中央薄壁部23a具有仰視大致矩形框狀,并與多個基底開口部21各自的內(nèi)周端緣(邊緣部)相連續(xù)。多個中央薄壁部23a各自的長度方向一側(cè)端部與多個厚壁部22各自的長度方向另一側(cè)端部相連續(xù),多個中央薄壁部23a各自的長度方向另一側(cè)端部與多個厚壁部22各自的長度方向一側(cè)端部相連續(xù)。在沿厚度方向進行投影時,多個中央薄壁部23a中的各中央薄壁部23a的寬度方向一側(cè)端緣與支承基板10的支承開口部15的寬度方向一側(cè)端緣重疊,多個中央薄壁部23a中的各中央薄壁部23a的寬度方向另一側(cè)端緣與支承基板10的支承開口部15的寬度方向另一側(cè)端緣重疊。也就是說,多個中央薄壁部23a中的各中央薄壁部23a劃分為被多個厚壁部22各自的長度方向一側(cè)端緣、多個厚壁部22各自的長度方向另一側(cè)端緣、支承開口部15的寬度方向一側(cè)端緣、以及支承開口部15的寬度方向另一側(cè)端緣包圍的、且除了基底開口部21之外的部分。
[0084]多個中央薄壁部23a各自的寬度方向一側(cè)端部沿著多個基底開口部21各自的寬度方向一側(cè)的內(nèi)周端緣(邊緣部)配置。多個中央薄壁部23a各自的寬度方向另一側(cè)端部沿著多個基底開口部21各自的寬度方向另一側(cè)的端緣(邊緣部)配置。
[0085]配置在長度方向一側(cè)的端部薄壁部23b與配置在最靠長度方向的一側(cè)的位置的厚壁部22相連續(xù)。也就是說,配置在長度方向一側(cè)的端部薄壁部23b劃分為被配置在最靠長度方向的一側(cè)的位置的厚壁部22的長度方向一側(cè)端緣、支承開口部15的長度方向一側(cè)端緣、支承開口部15的寬度方向一側(cè)端緣、以及支承開口部15的寬度方向另一側(cè)端緣包圍的部分。
[0086]配置在長度方向另一側(cè)的端部薄壁部23b與配置在最靠長度方向的另一側(cè)的位置的厚壁部22相連續(xù)。也就是說,配置在長度方向另一側(cè)的端部薄壁部23b劃分為被配置在最靠長度方向的另一側(cè)的位置的厚壁部22的長度方向另一側(cè)端緣、支承開口部15的長度方向另一側(cè)端緣、支承開口部15的寬度方向一側(cè)端緣、以及支承開口部15的寬度方向另一側(cè)端緣包圍的部分。
[0087]多個中央薄壁部23a各自的寬度方向中央部部分的長度方向尺寸、具體而言自多個中央薄壁部23a各自的長度方向一側(cè)端緣起到多個基底開口部21各自的長度方向一側(cè)端緣為止的尺寸例如為50μηι以上,優(yōu)選為80μηι以上,且例如為1500μηι以下,優(yōu)選為1200μηι以下,自多個中央薄壁部23a各自的長度方向另一側(cè)端緣起到多個基底開口部21各自的長度方向另一側(cè)端緣為止的尺寸例如為50μηι以上,優(yōu)選為80μηι以上,且例如為1500μηι以下,優(yōu)選為1200μηι以下。
[0088]多個中央薄壁部23a各自的自寬度方向一側(cè)端緣起到多個基底開口部21各自的寬度方向一側(cè)端緣為止的尺寸例如為5μηι以上,優(yōu)選為ΙΟμπι以上,且例如為100ym以下,優(yōu)選為800μπι以下,多個中央薄壁部23a各自的自寬度方向另一側(cè)端緣起到多個基底開口部21各自的寬度方向另一側(cè)端緣為止的尺寸例如為50μηι以上,優(yōu)選為80μηι以上,且例如為1500μηι以下,優(yōu)選為1200μπι以下。
[0089]多個端部薄壁部23b各自的長度方向尺寸例如為50μπι以上,優(yōu)選為80μπι以上,且例如為1500μηι以下,優(yōu)選為1200μηι以下。
[0090]多個薄壁部23各自的寬度方向尺寸(多個中央薄壁部23a各自的寬度方向尺寸和多個端部薄壁部23b各自的寬度方向尺寸)與支承基板10的支承開口部15的寬度方向尺寸大致相同。多個薄壁部23各自的厚度(多個中央薄壁部23a各自的厚度和多個端部薄壁部23b各自的厚度)薄于主體部26和厚壁部22的厚度,相對于主體部26和厚壁部22的厚度為100%,多個薄壁部23各自的厚度(多個中央薄壁部23a各自的厚度和多個端部薄壁部23b各自的厚度)例如為5%以上,優(yōu)選為10%以上,且例如為90%以下,優(yōu)選為80%以下,具體而言為50%。
[0091]如圖3A所示,導體圖案12層疊于基底絕緣層11的上表面,并由例如銅、鎳、金、軟釬料或所述材料的合金等導體材料等形成。導體圖案12優(yōu)選由銅形成。
[0092]導體圖案12的厚度例如為3μηι以上,優(yōu)選為5μηι以上,且例如為30μηι以下,優(yōu)選為20μπι以下。
[0093]另外,導體圖案12以規(guī)定的配線電路圖案配置于基底絕緣層11的上表面,具體而言,如圖1所示,導體圖案12包括多個(6個)磁頭側(cè)端子31、多個(6個)作為端子部的一個例子的外部側(cè)端子32以及多條(6條)配線33。
[0094]多個磁頭側(cè)端子31以在寬度方向上互相隔開等間隔的方式并列配置于滑撬搭載部2。磁頭側(cè)端子31形成為俯視大致矩形形狀(方形接線片)。磁頭側(cè)端子31用于與滑撬(未圖示)的磁頭(未圖示)電連接。
[0095]如圖2所示,多個外部側(cè)端子32以在長度方向上互相隔開間隔的方式并列配置于外部連接部3 ο多個外部側(cè)端子32配置為在沿厚度方向進行投影時與支承開口部15重疊。多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32具有俯視大致矩形形狀(方形接線片)。在沿厚度方向進行投影時,多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32以其外緣包含多個端子連接部16中的各端子連接部16的方式與多個端子連接部16的各端子連接部16重疊,多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32的寬度方向兩側(cè)端部與支承開口部15的內(nèi)周端緣重疊。多個外部側(cè)端子32各自的中央部被填充到多個連接開口部27各自的內(nèi)部,并朝向下方凹陷。并且,多個外部側(cè)端子32各自的中央部的下表面與多個端子連接部16各自的上表面相接觸。即,多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32經(jīng)由多個連接開口部27的各連接開口部27與多個端子連接部16的各端子連接部16電連接。
[0096]在沿厚度方向進行投影時,多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32與多個厚壁部22中的各厚壁部22重疊。多個外部側(cè)端子32中的除了在沿厚度方向進行投影時配置在長度方向兩外側(cè)的部分以外的部分配置于多個基底開口部21之間。另外,在沿厚度方向進行投影時,配置在最靠長度方向的一側(cè)的位置的外部側(cè)端子32相對于配置在最靠長度方向的一側(cè)的位置的基底開口部21配置在長度方向一側(cè),配置在最靠長度方向的另一側(cè)的位置的外部側(cè)端子32相對于配置在最靠長度方向的另一側(cè)的位置的基底開口部21配置在長度方向另一側(cè)。
[0097]多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32中的除了在沿厚度方向進行投影時配置在最靠長度方向的一側(cè)的位置的外部側(cè)端子32以外的其他外部側(cè)端子32的長度方向一側(cè)端部與多個基底開口部21的各基底開口部21的另一側(cè)端部重疊。多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32中的除了在沿厚度方向進行投影時配置在最靠長度方向的另一側(cè)的位置的外部側(cè)端子32以外的其他外部側(cè)端子32的長度方向另一側(cè)端部與多個基底開口部21的各基底開口部21的一側(cè)端部重疊。配置在最靠長度方向的一側(cè)的位置的外部側(cè)端子32的一側(cè)端部與配置在長度方向的一側(cè)的端部薄壁部23b重疊。配置在最靠長度方向的另一側(cè)的位置的外部側(cè)端子32的另一側(cè)端部與配置在長度方向的另一側(cè)的端部薄壁部23b重疊。
[0098]沒有在多個外部側(cè)端子32各自的上表面上形成后述的覆蓋絕緣層13。另外,如所述那樣,多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32與多個端子連接部16的各端子連接部16電連接。也就是說,多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32構成為能夠自上側(cè)和下側(cè)進行電連接的飛線。
[0099]多個外部側(cè)端子32各自的長度方向尺寸例如為ΙΟΟμπι以上,優(yōu)選為150μηι以上,且例如為400μηι以下,優(yōu)選為300μηι以下。多個外部側(cè)端子32各自的寬度方向尺寸例如為50μηι以上,優(yōu)選為ΙΟΟμπι以上,且例如為3000μηι以下,優(yōu)選為2000μηι以下。多個外部側(cè)端子32之間的在長度方向上的尺寸例如為10ym以上,優(yōu)選為150μηι以上,且例如為400μηι以下,優(yōu)選為300μηι以下。
[0100]另外,如圖3Β所示,在多個外部側(cè)端子32各自的上表面、長度方向一側(cè)面、長度方向另一側(cè)面、寬度方向一側(cè)端部的下表面、以及寬度方向另一側(cè)端部的下表面設有鍍層34。
[0101]鍍層34由例如鎳、金等形成,鍍層34的厚度例如為0.05μπι以上,優(yōu)選為ο.?μπι以上,且例如為5μπι以下,優(yōu)選為3μπι以下。另外,鍍層34既可以由單個鍍層形成,也可以由多個鍍層層疊而形成。
[0102]并且,如圖1所示,多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32與讀寫基板40的外部端子(未圖示)電連接。
[0103]多條配線33將多個磁頭側(cè)端子31和多個外部側(cè)端子32相連接。詳細而言,多條配線33以在寬度方向上互相隔開間隔的方式并列配置于配線部4,并以沿長度方向延伸的方式形成。并且,配線33在滑撬搭載部2中向?qū)挾确较騼赏鈧?cè)鼓出,之后向長度方向一側(cè)延伸,之后,向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)延伸,然后向長度方向另一側(cè)折回,配線33的長度方向另一側(cè)端部與磁頭側(cè)端子31的長度方向一側(cè)端部相連接。另外,配線33在外部連接部3中向?qū)挾确较蛄硪粋?cè)彎曲,之后,配線33的寬度方向另一側(cè)端部與外部側(cè)端子32的寬度方向一側(cè)端部相連接(參照圖2)。此外,配線33形成為寬度窄于磁頭側(cè)端子31的寬度和外部側(cè)端子32的寬度。
[0104]如圖3A所示,覆蓋絕緣層13以自上側(cè)覆蓋導體圖案12的方式層疊于基底絕緣層11的上表面。具體而言,覆蓋絕緣層13以使多個磁頭側(cè)端子31和多個外部側(cè)端子32暴露的方式自上側(cè)覆蓋導體圖案12。
[0105]覆蓋絕緣層13由與基底絕緣層11相同的合成樹脂形成,優(yōu)選由聚酰亞胺形成。覆蓋絕緣層13的厚度例如為2μηι?20μηι。
[0106]2.帶電路的懸掛基板的制造方法
[0107]接下來,參照圖5Α?圖12C說明這樣的帶電路的懸掛基板I的制造方法。
[0108]在帶電路的懸掛基板I的制造方法中,首先,如圖5Α?圖5C所示,準備支承基板10。
[0109]接著,如圖6Α?圖6C所示,在支承基板10的上表面上涂敷作為基底絕緣層11的材料的感光性的合成樹脂的溶液(清漆)并使該溶液(清漆)干燥,從而形成感光性的基底覆膜41ο
[0110]之后,將光掩模42以與感光性的基底覆膜41相對的方式配置在感光性的基底覆膜41的上方。
[0111]光掩模42以規(guī)定的圖案包括遮光部分43、光全透過部分44以及光半透過部分45。具體而言,將遮光部分43配置在基底覆膜41中的與基底絕緣層11的連接開口部27相對應的部分的上方,將光全透過部分44配置在基底覆膜41中的與基底絕緣層11的厚壁部22、薄壁部23以及主體部26相對應的部分的上方,將光半透過部分45配置在基底覆膜41中的與基底絕緣層11的基底開口部21相對應的部分的上方。
[0112]接著,隔著光掩模42對基底覆膜41進行曝光。
[0113]接著,對曝光后的基底覆膜41進行顯影,并對顯影后的基底覆膜41進行加熱固化。
[0114]由此,使基底絕緣層11以規(guī)定的圖案形成在支承基板10的上表面上。具體而言,如圖7Α和圖7Β所示,使基底覆膜41的配置在遮光部分43的下方的部分形成為連接開口部27,如圖7Α?圖7C所示,使基底覆膜41的配置在光全透過部分44的下方的部分形成為厚度相對較厚的全厚部46,如圖7Β所示,使基底覆膜41的配置在光半透過部分45的下方的部分形成為作為厚度相對較薄的第I部分的一個例子的半厚部47。
[0115]此外,全厚部46中的、與基底絕緣層11的厚壁部22和薄壁部23相對應的部分是第2部分的一個例子。如圖7Β所示,全厚部46中的、與基底絕緣層11的厚壁部22和薄壁部23相對應的部分以包圍半厚部47的方式配置。
[0116]之后,如圖8Α?圖8C所示,在基底絕緣層11的上表面上形成導體圖案12。
[0117]為了在基底絕緣層11的上表面上形成導體圖案12,使用例如減去法、添加法等公知的圖案形成法來將導體圖案12形成于基底絕緣層11的上表面即可,優(yōu)選使用添加法。
[0118]由此,在基底絕緣層11的上表面上形成包括多個磁頭側(cè)端子31、多個外部側(cè)端子32以及多條配線33的導體圖案12(參照圖1)。
[0119]此外,從抑制導體圖案12向覆蓋絕緣層13擴散的觀點考慮,優(yōu)選導體圖案12被鍍層(例如鍍鎳層)覆蓋。像這樣利用鍍層來覆蓋導體圖案12,例如可以使用電解電鍍和非電解鍍中的任意一種方法,優(yōu)選使用非電解鍍。
[0120]接著,如圖9A?圖9C所示,具體而言,如圖9A所示,將覆蓋絕緣層13形成于基底絕緣層11的上表面。
[0121]為了將這樣的覆蓋絕緣層13形成于基底絕緣層11的上表面,例如,首先,將作為覆蓋絕緣層13的材料的感光性的合成樹脂(清漆)涂敷在導體圖案12和基底絕緣層11的上表面上并使該感光性的合成樹脂(清漆)干燥,從而形成感光性的覆蓋覆膜。接著,對覆蓋覆膜進行曝光、顯影,之后,對其進行加熱固化。由此,在基底絕緣層11的上表面上形成覆蓋絕緣層13。
[0122]這樣一來,導體圖案12的磁頭側(cè)端子31和外部側(cè)端子32自上側(cè)暴露。另外,導體圖案12的多條配線33被覆蓋絕緣層13覆蓋。
[0123]接著,如圖1OA?圖1OC所示,具體而言,如圖1OB和圖1OC所示,去除支承基板1的局部,從而在支承基板10上形成多個第I支承開口部51。
[0124]具體而言,多個第I支承開口部51形成于在沿厚度方向進行投影時與支承開口部15重疊的部分中的、除了與多個厚壁部22重疊的部分以外的區(qū)域。更具體而言,如圖4所示,多個第I支承開口部51形成于與所述支承開口部15相對應的部分且以在長度方向上隔開間隔地配置的方式形成。即,在沿厚度方向進行投影時,基底絕緣層11的與第I支承開口部51重疊的部分與所述基底開口部21和薄壁部23相對應。
[0125]為了形成第I支承開口部51,能夠使用例如干蝕刻(例如,等離子體蝕刻)、濕蝕刻(例如,化學蝕刻)等蝕刻法、例如鉆頭穿孔、激光加工等,優(yōu)選使用濕蝕刻。
[0126]由此,如圖1OB和圖1OC所示,在支承基板10上形成有多個第I支承開口部51。
[0127]之后,利用例如濕蝕刻(例如,化學蝕刻)等所述蝕刻法來去除基底絕緣層11的經(jīng)由多個第I支承開口部51中的各第I支承開口部51暴露的部分。
[0128]由此,如圖1lA?圖1lC所示,具體而言,如圖1lB所示,在基底絕緣層11中,將半厚部47去除而形成多個基底開口部21,并且,如圖1lB和圖1lC所示,使與多個基底開口部21各自的周緣部相連續(xù)的全厚部46的被蝕刻后的部分形成為多個薄壁部23。
[0129]然后,如圖12Α?圖12C所示,在外部側(cè)端子32上形成鍍層34。
[0130]在形成鍍層34時,能夠使用電解電鍍。具體而言,經(jīng)由支承基板10對外部側(cè)端子32通電而在外部側(cè)端子32的表面上形成鍍層34。
[0131]接著,如圖3Α?圖3C所示,具體而言,如圖3Α和圖3C所示,將支承基板1的局部去除,從而在支承基板10上形成多個(10個)第2支承開口部52。
[0132]具體而言,多個第2支承開口部52形成于在沿厚度方向進行投影時與支承開口部15重疊的部分中的、與多個厚壁部22重疊的部分。更具體而言,如圖4所示,多個第2支承開口部52以配置在多個第I支承開口部51之間的區(qū)域中的、寬度方向兩側(cè)端部的區(qū)域的方式形成。即,在支承基板10中,在沿厚度方向進行投影時以留有多個端子連接部16、換言之以留有在沿厚度方向進行投影時與多個外部側(cè)端子32各自的中央部重疊的部分的方式形成多個第2支承開口部52。
[0133]為了形成第2支承開口部52,能夠使用例如干蝕刻(例如,等離子體蝕刻)、濕蝕刻(例如,化學蝕刻)等蝕刻法、例如鉆頭穿孔、激光加工等,優(yōu)選使用濕蝕刻。
[0134]由此,如圖3A所示,在支承基板10上形成有多個第2支承開口部52。并且,多個第2支承開口部52和多個第I支承開口部51相連通而形成支承開口部15。另外,如圖3A和圖3B所示,在支承基板10上形成有多個端子連接部16。另外,如圖4所示,在基底絕緣層11中,全厚部46的在沿厚度方向進行投影時與多個第2支承開口部52重疊的部分和與多個端子連接部16(參照圖3B)重疊的部分形成為多個厚壁部22。
[0135]通過以上方法,完成帶電路的懸掛基板I的制造。
[0136]3.作用效果
[0137]采用該帶電路的懸掛基板I的制造方法,如圖1OA和圖1OB所示,在對支承基板10進行蝕刻而形成第I支承開口部51的工序中,在支承基板10中的在沿厚度方向進行投影時與多個外部側(cè)端子32重疊的部分上沒有形成第I支承開口部51。
[0138]并且,在對基底絕緣層11進行蝕刻的工序之后,如圖3A所示,由于在支承基板10的在沿厚度方向進行投影時與多個外部側(cè)端子32各自的在寬度方向上的端部重疊的部分形成多個第2支承開口部52,因此,在基底絕緣層11中,能夠使全厚部46的與多個第2支承開口部52重疊的部分形成為沒有被蝕刻的多個厚壁部22。
[0139]另外,采用該帶電路的懸掛基板I和帶電路的懸掛基板I的制造方法,如圖3A所示,多個厚壁部22中的各厚壁部22以在沿厚度方向進行投影時與多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32重疊的方式配置,尤其是以在沿厚度方向進行投影時與多個外部側(cè)端子32各自的在寬度方向上的端部重疊的方式配置。
[0140]因此,能夠利用多個厚壁部22中的各厚壁部22來相對地提高多個外部側(cè)端子32各自的在寬度方向上的端部的剛性。
[0141]其結果,能夠增強多個外部側(cè)端子32各自的在寬度方向上的端部。
[0142]另外,在沿厚度方向進行投影時,多個薄壁部23中的各薄壁部23在長度方向上配置在多個外部側(cè)端子32之間。
[0143]其結果,能夠使基底絕緣層11的位于多個外部側(cè)端子32之間的部分的剛性相對地降低。
[0144]因此,即使在I個外部側(cè)端子32上產(chǎn)生了振動、應力的情況下,也能夠利用薄壁部23來降低或吸收該振動、應力,從而能夠抑制振動、應力被傳遞至與該外部側(cè)端子32相鄰的外部側(cè)端子32。
[0145]因此,能夠提高多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32的連接可靠性。
[0146]另外,采用該帶電路的懸掛基板I和帶電路的懸掛基板I的制造方法,如圖3A所示,當電連接于多個端子連接部16中的各端子連接部16時,經(jīng)由多個端子連接部16中的各端子連接部16與多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32電連接。
[0147]因此,能夠自上側(cè)和下側(cè)這兩側(cè)電連接于多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32ο
[0148]4.第2實施方式
[0149]參照圖13Α?圖21C說明帶電路的懸掛基板和其制造方法的變形例。此外,在變形例中,對于與所述實施方式相同的構件標注相同的附圖標記而省略其說明。
[0150](I)第2實施方式的帶電路的懸掛基板的結構
[0151]在所述第I實施方式中,如圖3B所示,帶電路的懸掛基板I包括多個端子連接部16。
[0152]與此相對,在第2實施方式中,如圖21B所示,帶電路的懸掛基板I不包括多個端子連接部16。
[0153]詳細而言,如圖21A所示,基底絕緣層11具有多個(6個)暴露開口部61和多個(12個)開口端部62。
[0154]多個暴露開口部61中的各暴露開口部61具有沿寬度方向延伸的大致矩形形狀,并沿上下方向貫穿基底絕緣層11。在沿厚度方向進行投影時,多個暴露開口部61中的各暴露開口部61與多個外部側(cè)端子32各自的中央部分重疊。具體而言,多個暴露開口部61在長度方向上互相隔開間隔地配置,并在長度方向上配置在多個基底開口部21之間,另外,多個暴露開口部61配置于被配置在長度方向的最外側(cè)的基底開口部21的長度方向外側(cè)(參照圖2)。此外,多個暴露開口部61中的各暴露開口部61與多個基底開口部21中的各基底開口部21相連通。
[0155]多個開口端部62中的各開口端部62以與多個暴露開口部61各自的寬度方向兩外側(cè)端部相對的方式配置。多個開口端部62中的各開口端部62與多個厚壁部22的寬度方向兩內(nèi)側(cè)端部相連續(xù)。多個開口端部62各自的厚度與多個薄壁部23各自的厚度相同。
[0156]多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32以與多個暴露開口部61中的各暴露開口部61相對應的方式配置且以落入到多個暴露開口部61中的各暴露開口部61內(nèi)的方式配置。多個外部側(cè)端子32各自的寬度方向中央部分的上表面和下表面暴露。即,多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32的除了在沿厚度方向進行投影時與多個厚壁部22中的各厚壁部22重疊的部分以外的部分的上表面和下表面暴露。
[0157](2)第2實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法
[0158]在第2實施方式的帶電路的懸掛基板I的制造方法中,首先,如圖13A?圖13C所示,準備支承基板10。
[0159]接著,如圖14A?圖14C所示,在支承基板10的上表面上涂敷作為基底絕緣層11的材料的感光性的合成樹脂的溶液(清漆)并使該溶液(清漆)干燥,從而形成感光性的基底覆膜41。
[0160]之后,將光掩模42以與感光性的基底覆膜41相對的方式配置在感光性的基底覆膜41的上方。
[0161]具體而言,將光全透過部分44配置在與基底絕緣層11的與厚壁部22、薄壁部23以及主體部26相對應的部分的上方,將光半透過部分45配置基底絕緣層11的與基底開口部21和暴露開口部61相對應的部分的上方。
[0162]接著,隔著光掩模42對基底覆膜41進行曝光。
[0163]接著,對曝光后的基底覆膜41進行顯影,并對顯影后的基底覆膜41進行加熱固化。
[0164]由此,如圖15A?圖15B所示,使基底絕緣層11以規(guī)定的圖案形成在支承基板10的上表面上。具體而言,使基底覆膜41的配置在光全透過部分44的下方的部分形成為厚度相對較厚的全厚部66,使基底覆膜41的配置在光半透過部分45的下方的部分形成為厚度相對較薄的半厚部67。此外,半厚部67中的、與基底絕緣層11的暴露開口部61相對應的部分、詳細而言在沿厚度方向進行投影時與多個外部側(cè)端子32各自的中央部分相對應的部分是第3部分的一個例子。
[0165]之后,如圖16A?圖16C所示,在基底絕緣層11的上表面上形成導體圖案12。
[0166]然后,如圖17A?圖17C所示,具體而言,如圖17A所示,在基底絕緣層11的上表面上形成覆蓋絕緣層13。
[0167]這樣一來,多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32自上側(cè)暴露。
[0168]接著,如圖18A?圖18C所示,具體而言,如圖18C所示,將支承基板10局部去除,從而在支承基板10上形成多個第I支承開口部51,并如圖18A所示那樣形成多個第3支承開口部53。如圖18B所示,多個第3支承開口部53在長度方向上配置在多個第I支承開口部51之間且與多個第I支承開口部51相連通。另外,多個第3支承開口部53中的各第3支承開口部53在沿厚度方向進行投影時與多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32重疊。
[0169]之后,對基底絕緣層11經(jīng)由多個第I支承開口部51中的各第I支承開口部51和多個第3支承開口部中的各第3支承開口部暴露的部分進行蝕刻。
[0170]由此,如圖19A?圖19C所示,在基底絕緣層11中,將半厚部67去除而形成多個基底開口部21和多個暴露開口部61。另外,如圖19A所示,使全厚部66的在沿厚度方向進行投影時與多個第3支承開口部53各自的寬度方向外側(cè)端部重疊的部分、即被蝕刻后的部分形成為多個開口端部62。
[0171]然后,如圖20A?圖20C所示,在外部側(cè)端子32上形成鍍層34。
[0172]在形成鍍層34時,能夠使用電解電鍍。具體而言,經(jīng)由未圖示的鍍引線對外部側(cè)端子32通電而在外部側(cè)端子32的表面上形成鍍層34。
[0173 ]接著,如圖21A?圖21C所示,具體而言,如圖21A和圖21C所示,去除支承基板1的局部,從而在支承基板10上形成多個第2支承開口部52 ο于是,基底絕緣層11的在沿厚度方向進行投影時與多個第2支承開口部52重疊的全厚部66形成為多個厚壁部22。
[0174]通過以上方法,完成帶電路的懸掛基板I的制造。
[0175](3)第2實施方式的作用效果
[0176]采用第2實施方式的帶電路的懸掛基板I和帶電路的懸掛基板I的制造方法,如圖21A所示,多個外部側(cè)端子32中的各外部側(cè)端子32的除了在沿厚度方向進行投影時與多個厚壁部22中的各厚壁部22重疊的部分以外的部分的上表面和下表面暴露。
[0177]因此,能夠自上側(cè)和下側(cè)的兩側(cè)電連接于多個外部側(cè)端子32。
[0178]另外,作為本發(fā)明的例示的實施方式提供了所述說明,但是所述說明只不過是例示,不能進行限定性的解釋。對于本領域的技術人員來說顯而易見的本發(fā)明的變形例包含在權利要求書中。
【主權項】
1.一種帶電路的懸掛基板,其特征在于, 該帶電路的懸掛基板包括: 金屬支承基板,其具有沿厚度方向貫穿該金屬支承基板的支承開口部; 基底絕緣層,其配置于所述金屬支承基板的所述厚度方向的一側(cè);以及導體層,其配置于所述基底絕緣層的所述厚度方向的一側(cè)并具有多個端子部,在沿所述厚度方向進行投影時,該多個端子部與所述支承開口部重疊并互相隔開間隔地配置,所述基底絕緣層具有: 多個基底開口部,該多個基底開口部沿所述厚度方向貫穿所述基底絕緣層,在沿所述厚度方向進行投影時,該多個基底開口部在所述多個端子部的排列方向上配置在所述多個端子部之間; 多個厚壁部,在沿所述厚度方向進行投影時,該多個厚壁部同所述多個端子部各自的在與所述厚度方向和所述排列方向這兩個方向正交的正交方向上的端部重疊;以及 多個薄壁部,該多個薄壁部沿著所述多個基底開口部的邊緣部配置在所述多個厚壁部之間,且該多個薄壁部的厚度薄于所述多個厚壁部的厚度。2.根據(jù)權利要求1所述的帶電路的懸掛基板,其特征在于, 所述金屬支承基板包括在沿所述厚度方向進行投影時分別與所述多個端子部重疊的端子連接部,該端子連接部以與所述支承開口部的邊緣部分開的方式配置在所述支承開口部內(nèi), 所述基底絕緣層具有: 絕緣部,其在所述厚度方向上配置在所述端子連接部與所述端子部之間;以及 連接開口部,其沿所述厚度方向貫穿所述絕緣部, 所述端子連接部經(jīng)由所述連接開口部與所述端子部電連接。3.根據(jù)權利要求1所述的帶電路的懸掛基板,其特征在于, 所述多個端子部中的各端子部的除了在沿所述厚度方向進行投影時與所述厚壁部重疊的部分以外的部分的在所述厚度方向上的兩面暴露。4.一種帶電路的懸掛基板的制造方法,其特征在于, 該帶電路的懸掛基板的制造方法包括以下工序: 準備金屬支承基板; 在所述金屬支承基板的厚度方向的一側(cè)形成基底絕緣層,該基底絕緣層具有:互相隔開間隔地配置的厚度較薄的多個第I部分;以包圍所述多個第I部分的方式配置且厚度厚于所述多個第I部分的厚度的第2部分; 在所述基底絕緣層的所述厚度方向的一側(cè)形成導體層,該導體層在所述多個第I部分的排列方向上具有在沿所述厚度方向進行投影時與所述多個第I部分之間的所述第2部分重疊的多個端子部; 對所述金屬支承基板進行蝕刻并沿所述厚度方向貫穿所述金屬支承基板而形成多個第I支承開口部,該多個第I支承開口部配置為在沿所述厚度方向進行投影時包含所述多個第I部分中的各第I部分; 經(jīng)由所述多個第I支承開口部對所述基底絕緣層進行蝕刻而將所述多個第I部分去除,形成沿所述厚度方向貫穿所述基底絕緣層的多個基底開口部,并且,使所述第2部分的自所述多個第I支承開口部暴露且在沿所述厚度方向進行投影時與所述多個基底開口部的周緣部相連續(xù)的部分形成為多個薄壁部;以及 在形成所述多個薄壁部之后,對所述金屬支承基板進行蝕刻而在所述金屬支承基板上形成沿所述厚度方向貫穿所述金屬支承基板的多個第2支承開口部,在沿所述厚度方向進行投影時,該多個第2支承開口部至少同所述多個端子部各自的在與所述厚度方向和所述排列方向這兩個方向正交的正交方向上的端部重疊,在所述基底絕緣層中,使所述第2部分的在沿所述厚度方向進行投影時與所述多個第2支承開口部重疊的部分形成為多個厚壁部。5.根據(jù)權利要求4所述的帶電路的懸掛基板的制造方法,其特征在于, 在形成所述基底絕緣層的工序中包括形成連接開口部的工序,該連接開口部沿所述厚度方向貫穿所述基底絕緣層且在所述排列方向上配置于所述多個第I部分之間的所述第2部分, 在形成所述導體層的工序中包括經(jīng)由所述連接開口部將所述金屬支承基板和所述端子部電連接的工序, 在對所述金屬支承基板進行蝕刻而形成所述多個第2支承開口部的工序中包括如下工序,即,在所述金屬支承基板上,以留有所述金屬支承基板的在沿所述厚度方向進行投影時與所述多個端子部各自的中央部重疊的部分的方式形成所述多個第2支承開口部,使所述金屬支承基板的與所述多個端子部各自的中央部重疊的部分形成為端子連接部。6.根據(jù)權利要求4所述的帶電路的懸掛基板的制造方法,其特征在于, 在形成所述基底絕緣層的工序中包括形成多個第3部分的工序,該多個第3部分在所述排列方向上配置在所述多個第I部分之間并具有與所述多個第I部分的厚度相同的厚度, 在對所述金屬支承基板進行蝕刻而形成所述多個第I支承開口部的工序中還包括在所述金屬支承基板上形成多個第3支承開口部的工序,該多個第3支承開口部沿所述厚度方向貫穿所述金屬支承基板且配置為在沿所述厚度方向進行投影時與所述多個第3部分重疊, 在對所述基底絕緣層進行蝕刻的工序中包括將自所述多個第3支承開口部暴露且在沿所述厚度方向進行投影時與所述多個第3支承開口部重疊的所述第3部分去除的工序。
【文檔編號】G11B5/48GK105979700SQ201610096183
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年2月22日
【發(fā)明人】藤村仁人, 金崎沙織, 寺田直弘
【申請人】日東電工株式會社
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