液晶顯示裝置的制造方法
【專利摘要】提供了一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括：基板；柵極線和數(shù)據(jù)線，設(shè)置在所述基板上；薄膜晶體管，連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；鈍化層，設(shè)置在所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管上；第一電極，設(shè)置在所述鈍化層上；層間絕緣層，設(shè)置在所述第一電極上；第二電極，設(shè)置在所述層間絕緣層上，其中，所述第一電極包括由氧化銦的重量比是20wt％或更小的氧化銦鋅制成或者由不含氧化銦的透明金屬氧化物制成的第一層。
【專利說(shuō)明】
液晶顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。更具體地，本發(fā)明涉及能夠增大透射率的液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置作為當(dāng)前廣泛使用的平板顯示裝置中的一種，包括諸如像素電極、共電極等電場(chǎng)發(fā)生電極形成在其上的兩個(gè)顯示面板和插入在這兩個(gè)顯示面板之間的液晶層，并且通過(guò)向電場(chǎng)發(fā)生電極施加電壓在液晶層中產(chǎn)生電場(chǎng)，從而確定液晶層的液晶分子的取向并且控制入射光的偏振，從而顯示圖像。
[0003]液晶顯示裝置具有易于變薄的優(yōu)點(diǎn)，但具有側(cè)表面可視性低于前表面可視性的缺點(diǎn)。因此，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出布置和驅(qū)動(dòng)液晶以克服這個(gè)缺點(diǎn)的各種方法。作為實(shí)現(xiàn)廣視角的方法，突出的是其中像素電極和共電極形成在一個(gè)基板上以形成水平電場(chǎng)的液晶顯示裝置。
[0004]在這個(gè)水平電場(chǎng)方案中的液晶顯示裝置中，像素電極或共電極被形成為具有擁有桿形的縫隙圖案，在像素電極和共電極之間形成層間絕緣層。這里，像素電極和共電極可由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等透明金屬氧化物制成。另外，層間絕緣層可由氧化娃(S1x)或氮化娃(SiNx)制成。
[0005]當(dāng)供應(yīng)氫氣(H2)或硅烷SiN4氣體以在由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等透明金屬氧化物制成的電極層上形成層間絕緣層時(shí)，銦的氧化物被還原，以沉淀為金屬。因此，電極層變得不透明，使得透射率降低。
[0006]該背景部分中公開(kāi)的以上信息只是為了增強(qiáng)對(duì)發(fā)明背景的理解，因此它可包含沒(méi)有形成本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本國(guó)中已經(jīng)知道的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明已致力于提供具有增大透射率的優(yōu)點(diǎn)的液晶顯示裝置。
[0008]本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置包括:基板；柵極線和數(shù)據(jù)線，設(shè)置在所述基板上；薄膜晶體管，連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；鈍化層，設(shè)置在所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管上；第一電極，設(shè)置在所述鈍化層上；層間絕緣層，設(shè)置在所述第一電極上；第二電極，設(shè)置在所述層間絕緣層上，其中，所述第一電極包括由氧化銦的重量比是20wt%S更小的氧化銦鋅制成或者由不含氧化銦的透明金屬氧化物制成的第一層。
[0009]所述第一層可由氧化鋁鋅或氧化鎵鋅制成。
[0010]所述層間絕緣層可由氧化硅或氮化硅制成。
[0011 ] 所述鈍化層可由有機(jī)絕緣材料制成。
[0012]所述第一電極還可包括設(shè)置在所述第一層下方的第二層。
[0013]所述第一層可由氧化鋁鋅或氧化鎵鋅制成。
[0014]所述第二層可由氧化銦鋅或氧化銦錫制成。
[0015]所述第一電極還可包括設(shè)置在所述第二層下方的第三層。
[0016]所述第三層可由氧化銦的重量比是20被％或更小的氧化銦鋅制成或者由不含氧化銦的透明金屬氧化物制成。
[0017]所述第二層可由氧化銦鋅或氧化銦錫制成。
[0018]所述第一電極還可包括:第二層，設(shè)置在所述第一層下方；第一混合層，設(shè)置在所述第一層和所述第二層之間。
[0019]所述第一層可由第一材料制成，所述第二層可由第二材料制成，所述第一混合層可由所述第一材料和所述第二材料的混合物制成。
[0020]在所述第一混合層中，所述第一材料的比率和所述第二材料的比率可在厚度方向上變化。
[0021]越靠近所述第一層，所述第一混合層中的所述第一材料的比率越高，越靠近所述第二層，所述第一混合層中的所述第二材料的比率越高。
[0022]所述第一材料可以是氧化鋁鋅或氧化鎵鋅。
[0023]所述第二材料可以是氧化銦鋅或氧化銦錫。
[0024]可通過(guò)原子層沉積方法或等離子體增強(qiáng)原子層沉積方法形成所述第一電極。
[0025]所述第一電極還可包括:第三層，設(shè)置在所述第二層下方；第二混合層，設(shè)置在所述第二層和所述第三層之間。
[0026]所述第一層和所述第三層可由第一材料制成，所述第二層可由第二材料制成，所述第一混合層和所述第二混合層可由所述第一材料和所述第二材料的混合物制成。
[0027]在所述第一混合層和所述第二混合層中，所述第一材料的比率和所述第二材料的比率可在厚度方向上變化。
[0028]越靠近所述第一層，所述第一混合層中的所述第一材料的比率越高，越靠近所述第二層，所述第一混合層中的所述第二材料的比率越高，并且越靠近所述第三層，所述第二混合層中的所述第一材料的比率越高，越靠近所述第二層，所述第二混合層中的所述第二材料的比率越高。
[0029]所述第一材料可以是氧化銦的重量比是20wt %或更小的氧化銦鋅或者是不含氧化銦的透明金屬氧化物。
[0030]所述第二材料可以是氧化銦鋅或氧化銦錫。
[0031]可通過(guò)原子層沉積方法或等離子體增強(qiáng)原子層沉積方法形成所述第一電極。
[0032]可向所述第一電極施加預(yù)定電壓。
[0033]所述第二電極可連接到所述薄膜晶體管。
[0034]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置具有以下效果。
[0035]在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置中，設(shè)置在層間絕緣層下方的電極的氧化銦的含量減小，以防止銦的氧化物被還原，從而能夠提高透射率。
【附圖說(shuō)明】
[0036]當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)參照下面的詳細(xì)描述，發(fā)明的更全面的解釋及其許多附加優(yōu)點(diǎn)將更加清楚，同時(shí)也變得更易于理解，在附圖中，同樣的附圖標(biāo)記指示相同或同樣的組件，在附圖中:
[0037]圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的平面圖。
[0038]圖2是沿著圖1的線I1-1I截取的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0039]圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0040]圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0041 ]圖5是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0042]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置中的第一電極的折射率在厚度方向上的變化的視圖。
[0043]圖7至圖11是示出形成第一電極的第一層、第一混合層和第二層的方法的工藝剖視圖。
[0044]圖12是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0045]圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置中的第一電極的折射率在厚度方向上的變化的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，以使其容易被本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員實(shí)踐。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，在所有都沒(méi)有脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可按各種不同方式修改所描述的實(shí)施例。
[0047]在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，夸大層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，同樣的附圖標(biāo)記指明同樣的元件。應(yīng)該理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件被稱為“在”另一個(gè)元件“上”時(shí)，它可直接在另一個(gè)元件上或者還可存在中間元件。相比之下，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一個(gè)元件“上”時(shí)，不存在中間元件。
[0048]接下來(lái)，將參照?qǐng)D1至圖2描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置。
[0049]圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的平面圖，圖2是沿著圖1的線I1-1I截取的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0050]參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置包括彼此面對(duì)的下顯不面板100和上顯不面板200以及插入在上顯不面板200和下顯不面板100之間的液晶層3ο
[0051]首先，將描述下顯示面板100。
[0052]包括多條柵極線121和從柵極線121突出的柵電極124的柵極導(dǎo)體沿一個(gè)方向形成在由透明玻璃、塑料等制成的第一絕緣基板110上。
[0053]柵極線121主要沿水平方向延伸并且傳遞柵極信號(hào)。柵電極124可形成為如所示出的它們從柵極線121突出的形狀或者由柵極線121的一些部分形成。
[0054]盡管未示出，但還可形成維持電極，使維持電極沒(méi)有連接到柵極線121和柵電極124。維持電極可形成在與柵極線121平行的方向上，并且可被施加有諸如共電壓等的預(yù)定電壓。
[0055]柵極絕緣層140形成在柵極線121和柵電極124上。柵極絕緣層140可由諸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(S1x)等無(wú)機(jī)絕緣材料制成。另外，柵極絕緣層140可由單層或多層形成。
[0056]半導(dǎo)體154形成在柵極絕緣層140上。半導(dǎo)體154可設(shè)置在柵電極124上方。半導(dǎo)體154可由非晶娃、多晶娃、金屬氧化物等制成。
[0057]在半導(dǎo)體154上還可設(shè)置歐姆接觸構(gòu)件163和165。歐姆接觸構(gòu)件中的每個(gè)可由諸如以高濃度摻雜有η型雜質(zhì)的硅化物或η+氫化非晶硅的材料制成。
[0058]包括源電極173的數(shù)據(jù)線171和包括漏電極175的數(shù)據(jù)導(dǎo)體設(shè)置在歐姆接觸構(gòu)件163和165和柵極絕緣層140上。
[0059]數(shù)據(jù)線171傳遞數(shù)據(jù)信號(hào)并且主要沿垂直方向延伸，以與柵極線121相交。數(shù)據(jù)線171可周期性地彎曲(圖1)。例如，如圖1中所示，各條數(shù)據(jù)線171可在與一個(gè)像素PX的水平中心線CL對(duì)應(yīng)的那些部分至少?gòu)澢淮巍?br>[0060]源電極173沒(méi)有從數(shù)據(jù)線171突出，但可與數(shù)據(jù)線171設(shè)置在同一條線上，如圖1中所示。漏電極175面對(duì)源電極173。漏電極175可包括與源電極173基本上平行延伸的桿形部分和設(shè)置在與桿形部分相對(duì)的側(cè)的延伸部分177。
[0061]柵電極124、源電極173和漏電極175與半導(dǎo)體154 —起形成一個(gè)薄膜晶體管(TFT) ο薄膜晶體管可用作傳遞數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)電壓的開(kāi)關(guān)元件SW。這里，開(kāi)關(guān)元件SW的溝道形成在源電極173和漏電極175之間的半導(dǎo)體154中。
[0062]第一鈍化層180a設(shè)置在數(shù)據(jù)線171、源電極173、漏電極175和半導(dǎo)體154的被暴露的部分上。第一鈍化層180a可由諸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(S1x)等無(wú)機(jī)絕緣材料制成。第一鈍化層180a可包括接觸孔185a，接觸孔185a暴露漏電極175的一部分(例如，延伸部分177) ο
[0063]還可在第一鈍化層180a上設(shè)置第二鈍化層180b。第二鈍化層180b可由有機(jī)絕緣材料制成。第二鈍化層180b可包括與第一鈍化層180a的接觸孔185a對(duì)應(yīng)的開(kāi)口 185b。開(kāi)口 185b可大于接觸孔185a (如所示出的)或者基本上與接觸孔185a —致。
[0064]第一電極270可設(shè)置在第二鈍化層180b上。第一電極270具有被施加于其的諸如共電壓Vcom的預(yù)定電壓。設(shè)置在多個(gè)像素PX中的第一電極270可通過(guò)連接腿276等彼此連接，以傳遞基本上相同的共電壓Vcom。第一電極270可包括多個(gè)分支電極273。在相鄰的分支電極273之間形成其中去除了電極的縫隙73。
[0065]第一電極270可由單層形成。
[0066]第一電極270可以是氧化銦鋅(IZO)。氧化銦鋅(IZO)由氧化銦(In2O3)和氧化鋅(ZnO)制成。這里，優(yōu)選地，氧化銦的重量比是20wt%S更小。第一電極270還可由不含氧化銦(In2O3)的透明金屬氧化物制成。例如，第一電極270可由氧化鋁鋅(AZO)或氧化鎵鋅(GZO)制成。也就是說(shuō)，優(yōu)選地，第一電極270不含氧化銦鋅或者含有少量氧化銦鋅。
[0067]氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫(ITO)都含有氧化銦(In2O3)。當(dāng)氧化銦鋅中的氧化銦(In2O3)和氧化鋅(ZnO)的重量比分別是90被％和10被％時(shí)，氧化銦(In2O3)和氧化鋅(ZnO)的原子重量比分別是73at^^P27at%。當(dāng)氧化銦錫中的氧化銦(In2O3)和氧化錫(SnO2)的重量比分別是90界七％和10界七％時(shí)，氧化銦(In2O3)和氧化錫(SnO2)的原子重量比分別是83&丨％和17at%。也就是說(shuō)，當(dāng)氧化銦鋅和氧化銦錫中的氧化銦的重量比彼此相同時(shí)，氧化銦鋅中的氧化銦的原子重量比相對(duì)小于氧化銦錫中的氧化銦的原子重量比。更優(yōu)選地，第一電極270由氧化銦鋅制成，其中，相比于第一電極270由氧化銦錫制成，氧化銦的原子重量比更小。
[0068]例如，第一電極270可由其中氧化銦(In2O3)的重量比是20wt%并且氧化鋅(ZnO)的重量比是80wt%的氧化銦鋅制成。這里，在氧化銦鋅中，氧化銦(In2O3)的原子重量比是7at%，氧化鋅(ZnO)的原子重量比是93at%。另外，第一電極270可由其中氧化銦(In2O3)的重量比是10wt%并且氧化鋅(ZnO)的重量比是90wt%的氧化銦鋅制成。這里，在氧化銦鋅中，氧化銦(In2O3)的原子重量比是3at%，氧化鋅(ZnO)的原子重量比是97at%。
[0069]層間絕緣層180c形成在第一電極270上。層間絕緣層180c可由諸如氮化硅(SiNx)、氧化娃(S1x)等無(wú)機(jī)絕緣材料制成。
[0070]為了沉積由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)制成的層間絕緣層180c，使用氫氣(H2)或硅烷(SiH4)氣體。從這個(gè)反應(yīng)氣體中產(chǎn)生氫自由基，以允許在帶走由透明金屬氧化物制成的第一電極270的氧的同時(shí)，產(chǎn)生還原反應(yīng)。在透明金屬氧化物之中的最大程度產(chǎn)生還原反應(yīng)的材料是氧化銦(In2O3)。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，第一電極270由含有低含量的氧化銦(In2O3)或不含氧化銦(In2O3)的透明金屬氧化物制成，從而能夠防止在沉積層間絕緣層180c的過(guò)程中產(chǎn)生還原反應(yīng)。因此，能夠防止沉淀銦金屬，并且增大透射率。
[0071]第二電極191形成在層間絕緣層180c上。各個(gè)像素PX的第二電極191可具有平面形狀。第二電極191與第一電極270的多個(gè)分支電極273重疊。第二電極191和第一電極270通過(guò)層間絕緣層180c彼此分離。層間絕緣層180c用于將第二電極191和第一電極270彼此絕緣。
[0072]第二電極191可包括用于連接到另一層的突出部分193。第二電極191的突出部分193通過(guò)接觸孔185a物理且電連接到漏電極175，以接收從漏電極175施加的電壓。第二電極191可由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等透明金屬氧化物制成。
[0073]第二電極191可包括沿著數(shù)據(jù)線171的彎曲形狀彎曲的邊。例如，第二電極191可由多邊形形成，該多邊形包括在與像素PX的水平中心線CL對(duì)應(yīng)的那部分彎曲至少一次的邊。
[0074]通過(guò)開(kāi)關(guān)元件SW接收數(shù)據(jù)電壓的第二電極191和接收共電壓Vcom的第一電極270是兩個(gè)電場(chǎng)發(fā)生電極，彼此協(xié)作在液晶層3中產(chǎn)生電場(chǎng)，從而確定液晶層3的液晶分子31的方向并且顯示圖像。特別地，第一電極270的分支電極273與第二電極191 一起在液晶層3中形成邊緣場(chǎng)，從而能夠確定液晶分子31的取向方向。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置還可包括至少一個(gè)偏振器，并且根據(jù)偏振器的偏振軸方向在常黑模式或常白模式下操作。
[0075]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例，第二電極191和第一電極270的位置也可彼此交換。也就是說(shuō)，盡管在本示例性實(shí)施例中已經(jīng)描述了層間絕緣層180c形成在第一電極270上并且第二電極191形成在層間絕緣層180c上的情況，但層間絕緣層180c可形成在第二電極191上并且第一電極270可形成在層間絕緣層180c上。另外，第二電極191可包括分支電極和縫隙，第一電極270可具有平面形狀。
[0076]盡管未不出，但第一取向?qū)涌尚纬稍谙嘛@不面板100的內(nèi)表面上。第一取向?qū)涌稍O(shè)置在第二電極191上。
[0077]接下來(lái)，將描述上顯示面板200。
[0078]阻光構(gòu)件220形成在由透明玻璃、塑料等制成的第二絕緣基板210上。阻光構(gòu)件220也被稱為黑矩陣并且防止漏光。阻光構(gòu)件220可形成在諸如柵極線121、數(shù)據(jù)線171和薄膜晶體管等像素區(qū)的那些邊界部分上。
[0079]還可在第二絕緣基板210上形成多個(gè)濾色器230。濾色器230可主要存在于被阻光構(gòu)件220包圍的區(qū)域中，并且可沿著第二電極191的列在垂直方向上長(zhǎng)長(zhǎng)地延伸。濾色器230中的每個(gè)可顯示諸如包括紅色、綠色和藍(lán)色的三原色的原色中的一種。原色的示例可包括紅色、綠色和藍(lán)色的三原色以及黃色、青色、品紅色三原色等。盡管未示出，但濾色器還可包括除了原色之外還顯示原色的混合顏色或白色的濾色器。
[0080]保護(hù)層250可形成在濾色器230和阻光構(gòu)件220上。保護(hù)層250可由有機(jī)絕緣材料制成，防止濾色器230被暴露，并且提供平坦表面。保護(hù)層250也可被省略。
[0081]盡管未示出，但第二取向?qū)涌尚纬稍谏巷@示面板200的內(nèi)表面上。第二取向?qū)涌稍O(shè)置在保護(hù)層250上。
[0082]液晶層3可包括具有介電各向異性的液晶分子31。液晶分子31可具有正介電各向異性或負(fù)介電各向異性。液晶分子31可被布置成，使得在液晶層3中不存在電場(chǎng)的狀態(tài)下，液晶分子31的長(zhǎng)邊平行于顯示面板100和200。也就是說(shuō)，液晶分子31可水平取向。液晶分子31還可取向成在預(yù)定方向上具有預(yù)傾角。
[0083]接下來(lái)，將參照?qǐng)D3描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置。
[0084]由于在圖3中示出的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置基本上類似于在圖1和圖2中示出的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置，因此將省略對(duì)其的描述。根據(jù)本示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置與根據(jù)前一示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置部分不同，且不同之處在于，第一電極由雙層構(gòu)成，將詳細(xì)對(duì)此進(jìn)行描述。
[0085]圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0086]類似于前一示例性實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置包括彼此面對(duì)的下顯示面板100和上顯示面板200以及插入在上顯示面板200和下顯示面板100之間的液晶層3。
[0087]下顯示面板100包括設(shè)置在第一絕緣基板110上的柵極線121和數(shù)據(jù)線171和與柵極線121和數(shù)據(jù)線171連接的薄膜晶體管。第一鈍化層180a和第二鈍化層180b設(shè)置在柵極線121、數(shù)據(jù)線171和薄膜晶體管上。第一電極270設(shè)置在第二鈍化層180b上，層間絕緣層180c設(shè)置在第一電極270上，第二電極191設(shè)置在層間絕緣層180c上。
[0088]在前一示例性實(shí)施例中第一電極270由單層形成，而在本示例性實(shí)施例中第一電極270由雙層形成。第一電極270包括第一層270a和設(shè)置在第一層270a下方的第二層270b ο
[0089]第一電極270的第一層270a可以是氧化銦鋅(IZO)。氧化銦鋅(IZO)由氧化銦(In2O3)和氧化鋅(ZnO)制成。這里，優(yōu)選地，氧化銦的重量比是20wt%或更小。第一電極270的第一層270a還可由不含氧化銦(In2O3)的透明金屬氧化物制成。例如，第一電極270的第一層270a可由氧化鋁鋅(AZO)或氧化鎵鋅(GZO)制成。也就是說(shuō)，優(yōu)選地，第一電極270的第一層270a不含氧化銦鋅或者含有少量的氧化銦鋅。
[0090]第一電極270的第二層270b可由氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)制成。這里，氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)中的氧化銦(In2O3)的重量比可以是80wt%s更大。也就是說(shuō)，第一電極270的第二層270b可含有大量的氧化銦鋅。
[0091]層間絕緣層180c設(shè)置在第一電極270上，在形成層間絕緣層180c的過(guò)程中，第一電極270的第一層270a被暴露。也就是說(shuō)，層間絕緣層180c接觸第一電極270的第一層270a，而不接觸第一電極270的第二層270b?？梢酝ㄟ^(guò)用于沉積由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)制成的層間絕緣層180c的氫氣(H2)或硅烷(SiH4)氣體來(lái)產(chǎn)生還原反應(yīng)。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，在形成層間絕緣層180c的過(guò)程中被暴露的第一電極270的第一層270a由含有低含量的氧化銦(In2O3)或者不含氧化銦(In2O3)的透明金屬氧化物制成，從而能夠防止在沉積層間絕緣層180c的過(guò)程中產(chǎn)生還原反應(yīng)。
[0092]另外，在本示例性實(shí)施例中，不直接接觸層間絕緣層180c的第一電極270的第二層270b可由其中氧化銦(In2O3)的含量高的透明金屬氧化物制成。氧化銦(In2O3)的含量越高，導(dǎo)電率越高。由于在形成層間絕緣層180c的過(guò)程中沒(méi)有暴露第一電極270的第二層270b，因此在第二層270b中沒(méi)有發(fā)生還原反應(yīng)。因此，在本示例性實(shí)施例中，防止了銦金屬的沉淀，從而能夠增大透射率并且提高第一電極270的導(dǎo)電率。
[0093]接下來(lái)，將參照?qǐng)D4描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置。
[0094]由于圖4中示出的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置基本上類似于圖3中示出的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置，因此將省略對(duì)其的描述。根據(jù)本示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置與根據(jù)前一示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置部分不同，且不同之處在于，第一電極由三個(gè)層構(gòu)成，將詳細(xì)對(duì)此進(jìn)行描述。
[0095]圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0096]類似于前一示例性實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置包括彼此面對(duì)的下顯示面板100和上顯示面板200以及插入在上顯示面板200和下顯示面板100之間的液晶層3。
[0097]下顯示面板100包括設(shè)置在第一絕緣基板110上的柵極線121和數(shù)據(jù)線171和與柵極線121和數(shù)據(jù)線171連接的薄膜晶體管。第一鈍化層180a和第二鈍化層180b設(shè)置在柵極線121、數(shù)據(jù)線171和薄膜晶體管上。第一電極270設(shè)置在第二鈍化層180b上，層間絕緣層180c設(shè)置在第一電極270上，第二電極191設(shè)置在層間絕緣層180c上。
[0098]在前一示例性實(shí)施例中第一電極270由雙層形成，而在本示例性實(shí)施例中第一電極270由三個(gè)層形成。第一電極270包括第一層270a、設(shè)置在第一層270a下方的第二層270b和設(shè)置在第二層270b下方的第三層270c。
[0099]第一電極270的第一層270a可以是氧化銦鋅(IZO)。氧化銦鋅(IZO)由氧化銦(In2O3)和氧化鋅(ZnO)制成。這里，優(yōu)選地，氧化銦的重量比是20wt%或更小。第一電極270的第一層270a還可由不含氧化銦(In2O3)的透明金屬氧化物制成。例如，第一電極270的第一層270a可由氧化鋁鋅(AZO)或氧化鎵鋅(GZO)制成。也就是說(shuō)，優(yōu)選地，第一電極270的第一層270a不含氧化銦鋅或者含有少量的氧化銦鋅。
[0100]第一電極270的第二層270b可由氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)制成。這里，氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)中的氧化銦(In2O3)的重量比可以是80wt%s更大。也就是說(shuō)，第一電極270的第二層270b可含有大量的氧化銦鋅。
[0101]第一電極270的第三層270c可以是氧化銦鋅(IZO)。氧化銦鋅(IZO)由氧化銦(In2O3)和氧化鋅(ZnO)制成。這里，優(yōu)選地，氧化銦的重量比是20wt%或更小。第一電極270的第三層270c還可由不含氧化銦(In2O3)的透明金屬氧化物制成。例如，第一電極270的第三層270c可由氧化鋁鋅(AZO)或氧化鎵鋅(GZO)制成。也就是說(shuō)，優(yōu)選地，第一電極270的第三層270c不含氧化銦鋅或者含有少量的氧化銦鋅。
[0102]接下來(lái)，將參照?qǐng)D5描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置。
[0103]由于圖5中示出的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置基本上類似于圖3中示出的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置，因此將省略對(duì)其的描述。根據(jù)本示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置與根據(jù)前一示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置部分不同，并且不同之處在于，在第一電極的第一層和第二層之間還設(shè)置混合層，將詳細(xì)對(duì)此進(jìn)行描述。
[0104]圖5是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0105]類似于前一示例性實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置包括彼此面對(duì)的下顯示面板100和上顯示面板200以及插入在上顯示面板200和下顯示面板100之間的液晶層3。
[0106]下顯示面板100包括設(shè)置在第一絕緣基板110上的柵極線121和數(shù)據(jù)線171和與柵極線121和數(shù)據(jù)線171連接的薄膜晶體管。第一鈍化層180a和第二鈍化層180b設(shè)置在柵極線121、數(shù)據(jù)線171和薄膜晶體管上。第一電極270設(shè)置在第二鈍化層180b上，層間絕緣層180c設(shè)置在第一電極270上，第二電極191設(shè)置在層間絕緣層180c上。
[0107]第一電極270包括第一層270a和設(shè)置在第一層270a下方的第二層270b。另外，第一電極還包括設(shè)置在第一層270a和第二層270b之間的第一混合層270m。
[0108]第一電極270的第一層270a可以是氧化銦鋅(IZO)。氧化銦鋅(IZO)由氧化銦(In2O3)和氧化鋅(ZnO)制成。這里，優(yōu)選地，氧化銦的重量比是20wt%或更小。第一電極270的第一層270a還可由不含氧化銦(In2O3)的透明金屬氧化物制成。例如，第一電極270的第一層270a可由氧化鋁鋅(AZO)或氧化鎵鋅(GZO)制成。也就是說(shuō)，優(yōu)選地，第一電極270的第一層270a不含氧化銦鋅或者含有少量的氧化銦鋅。
[0109]第一電極270的第二層270b可由氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)制成。這里，氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)中的氧化銦(In2O3)的重量比可以是80wt%s更大。也就是說(shuō)，第一電極270的第二層270b可含有大量的氧化銦鋅。
[0110]第一電極270的第一混合層270m由構(gòu)成第一層270a的第一材料和構(gòu)成第二層270b的第二材料的混合物制成。這里，第一材料的比率和第二材料的比率在厚度方向上變化。越靠近第一層270a，第一混合層270m中的第一材料的比率越高，越靠近第二層270b，第一混合層270m中的第二材料的比率越高。也就是說(shuō)，在第一混合層270m的上部區(qū)域中第一材料的比率高于第二材料的比率，在第一混合層270m的下部區(qū)域中第二材料的比率高于第一材料的比率，并且在第一混合層270m的中間區(qū)域中第一材料的比率和第二材料的比率彼此近似。
[0111]以下，將參照?qǐng)D6描述取決于第一材料和第二材料的混合比的第一電極270的折射率變化。
[0112]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置中的第一電極的折射率在厚度方向上的變化的視圖。
[0113]第一電極270的第一層270a可由氧化鋁鋅(AZO)制成，第一電極270的第二層270b可由氧化銦錫(ITO)制成。這里，第一混合層270m可由氧化鋁鋅(AZO)和氧化銦錫(ITO)的混合物制成。
[0114]由氧化鋁鋅(AZO)制成的第一層270a的折射率是大約1.8，由氧化銦錫(ITO)制成的第二層270b的折射率是大約1.6。第一混合層270m的折射率可介于大約1.6和大約1.8之間。由于在第一混合層270m的上部區(qū)域中氧化鋁鋅(AZO)的比率高于氧化銦錫(ITO)的比率，因此第一混合層270m的上部區(qū)域具有接近于1.8的折射率。由于在第一混合層270m的下部區(qū)域中氧化銦錫(ITO)的比率高于氧化鋁鋅(AZO)的比率，因此第一混合層270m的下部區(qū)域具有接近于1.6的折射率。由于在第一混合層270m的中間區(qū)域中氧化鋁鋅(AZO)的比率和氧化銦錫(ITO)的比率彼此近似，因此第一混合層270m的中間區(qū)域具有大約1.7的折射率。
[0115]在第一混合層270m中，第一材料的比率和第二材料的比率逐漸變化，使得折射率逐漸變化。在折射率快速變化的區(qū)域中，產(chǎn)生界面反射。在本示例性實(shí)施例中，由于在第一電極270的第一層270a和第二層270b之間存在折射率逐漸變化的第一混合層270m，因此能夠防止產(chǎn)生界面反射。
[0116]接下來(lái)，將參照?qǐng)D7和圖11描述形成第一電極270的第一層270a、第一混合層270m和第二層270b的方法。
[0117]圖7至圖11是示出形成第一電極的第一層、第一混合層和第二層的方法的工藝剖視圖。
[0118]可通過(guò)原子層沉積(ALD)方法或等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)方法，形成第一電極。
[0119]原子層沉積(ALD)方法是一種薄膜沉積方法。首先，在預(yù)定的時(shí)間內(nèi)包括待形成薄膜的金屬源的反應(yīng)物A被注入并且吸附到安裝在反應(yīng)室中的基板的表面上，作為不活潑氣體的氮?dú)?N2)、氬(Ar)、氦(H)等凈化氣體注入，以去除仍然沒(méi)有反應(yīng)的氣體狀態(tài)下的反應(yīng)物A。然后，反應(yīng)物B被作為反應(yīng)氣體注入，與吸附在基板上的反應(yīng)物A交換，以誘發(fā)吸附在基板上的反應(yīng)物A中的交換反應(yīng)，從而形成薄膜。通過(guò)如上所述的反應(yīng)物A的注入一凈化氣體的注入一反應(yīng)物B的注入一凈化氣體的注入形成一層薄膜的沉積工藝的一個(gè)周期被執(zhí)行多次，從而形成具有期望厚度的薄膜。
[0120]等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)方法類似于原子層沉積(ALD)方法，并且在等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)方法中重復(fù)由反應(yīng)物A的注入一凈化氣體的注入一反應(yīng)物B的注入一凈化氣體的注入構(gòu)成的沉積工藝的一個(gè)周期。這里，在注入反應(yīng)物B時(shí)產(chǎn)生等離子體或者在等離子體狀態(tài)下注入反應(yīng)物B以形成薄膜。
[0121]首先，如圖7中所示，形成由第二材料274制成的第二層270b。第二材料274可以是氧化銦錫(ITO)。通過(guò)原子層沉積方法或等離子體增強(qiáng)原子層沉積方法，沉積第二材料274。
[0122]通過(guò)由環(huán)戊二稀基銦(InCp)的注入一凈化氣體的注入一臭氧(O3)的注入一凈化氣體的注入一四二甲基胺錫(TDMASn)的注入一凈化氣體的注入一過(guò)氧化氫(H2O2)的注入構(gòu)成的一個(gè)周期，沉積第二材料274。沉積第二材料274的過(guò)程被重復(fù)多次。
[0123]然后，如圖8中所示，由第二材料274和第一材料275的混合物制成的第一混合層270m的下部區(qū)域270ml形成在由第二材料274制成的第二層270b上。第一材料275可以是氧化鋁鋅(AZO)。通過(guò)原子層沉積方法或等離子體增強(qiáng)原子層沉積方法沉積第一材料275和第二材料274。
[0124]通過(guò)由環(huán)戊二稀基銦(InCp)的注入一凈化氣體的注入一臭氧(O3)的注入一凈化氣體的注入一四二甲基胺錫(TDMASn)的注入一凈化氣體的注入一過(guò)氧化氫(H2O2)的注入構(gòu)成的一個(gè)周期，沉積第二材料274。
[0125]通過(guò)由二乙基鋅(DEZn)的注入一凈化氣體的注入一水蒸氣(H2O)的注入一凈化氣體的注入一三甲基鋁(TMAl)的注入一凈化氣體的注入一水蒸氣(H2O)的注入一凈化氣體的注入構(gòu)成的一個(gè)周期，沉積第一材料275。
[0126]在第一混合層270m的下部區(qū)域270ml中，沉積第二材料274的周期的重復(fù)次數(shù)大于沉積第一材料275的周期的重復(fù)次數(shù)。例如，在沉積第二材料274的周期被重復(fù)大約十次之后，沉積第一材料275的周期被執(zhí)行大約一次。因此，在第一混合層270m的下部區(qū)域270ml中，第二材料274的薄膜厚度比第一材料275的薄膜厚度厚。
[0127]然后，如圖9中所示，分別重復(fù)沉積第二材料274的周期和沉積第一材料275的周期，以形成第一混合層270m。這里，沉積第二材料274的周期的重復(fù)次數(shù)逐漸減少，沉積第一材料275的周期的重復(fù)次數(shù)逐漸增大。
[0128]在第一混合層270m的中間區(qū)域270m2中，沉積第二材料274的周期的重復(fù)次數(shù)近似于沉積第一材料275的周期的重復(fù)次數(shù)。例如，在沉積第二材料274的周期被重復(fù)大約五次之后，沉積第一材料275的周期被重復(fù)大約五次。因此，在第一混合層270m的中間區(qū)域270m2中，第二材料274的薄膜厚度近似于第一材料275的薄膜厚度。
[0129]然后，如圖10中所示，分別重復(fù)沉積第二材料274的周期和沉積第一材料275的周期，以形成第一混合層270m。這里，沉積第二材料274的周期的重復(fù)次數(shù)逐漸減少，沉積第一材料275的周期的重復(fù)次數(shù)逐漸增大。
[0130]在第一混合層270m的上部區(qū)域270m3中，沉積第二材料274的周期的重復(fù)次數(shù)少于沉積第一材料275的周期的重復(fù)次數(shù)。例如，在沉積第二材料274的周期被執(zhí)行大約一次之后，沉積第一材料275的周期被執(zhí)行大約十次。因此，在第一混合層270m的上部區(qū)域270m3中，第二材料274的薄膜厚度比第一材料275的薄膜厚度薄。
[0131]然后，如圖11中所不，重復(fù)沉積第一材料275的周期，以形成第一層270a。
[0132]如上所述，可使用原子層沉積方法或等離子體增強(qiáng)原子層沉積方法形成僅由第二材料制成的層、僅由第一材料制成的層和由第一材料和第二材料的混合物制成的層。另外，在由第一材料和第二材料的混合物制成的層中，可調(diào)節(jié)第一材料和第二材料的薄膜厚度，以調(diào)節(jié)第一材料的比率和第二材料的比率并且允許第一材料的比率和第二材料的比率在厚度方向上變化。
[0133]接下來(lái)，將參照?qǐng)D12描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置。
[0134]由于圖12中示出的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置基本上類似于圖5中示出的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置，因此將省略對(duì)其的描述。根據(jù)本示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置與根據(jù)前一示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置部分不同，并且不同之處在于，在第一電極的第二層下方還設(shè)置了第三層并且在第一電極的第二層和第三層之間還設(shè)置了混合層，將詳細(xì)對(duì)此進(jìn)行描述。
[0135]圖12是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0136]類似于前一示例性實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置包括彼此面對(duì)的下顯示面板100和上顯示面板200以及插入在上顯示面板200和下顯示面板100之間的液晶層3。
[0137]下顯示面板100包括設(shè)置在第一絕緣基板110上的柵極線121和數(shù)據(jù)線171和與柵極線121和數(shù)據(jù)線171連接的薄膜晶體管。第一鈍化層180a和第二鈍化層180b設(shè)置在柵極線121、數(shù)據(jù)線171和薄膜晶體管上。第一電極270設(shè)置在第二鈍化層180b上，層間絕緣層180c設(shè)置在第一電極270上，第二電極191設(shè)置在層間絕緣層180c上。
[0138]第一電極270包括第一層270a、設(shè)置在第一層270a下方的第二層270b和設(shè)置在第二層270b下方的第三層270c。另外，第一電極270還包括設(shè)置在第一層270a和第二層270b之間的第一混合層270m和設(shè)置在第二層270b和第三層270c之間的第二混合層270η。
[0139]第一電極270的第一層270a可以是氧化銦鋅(IZO)。氧化銦鋅(IZO)由氧化銦(In2O3)和氧化鋅(ZnO)制成。這里，優(yōu)選地，氧化銦的重量比是20wt%或更小。第一電極270的第一層270a還可由不含氧化銦(In2O3)的透明金屬氧化物制成。例如，第一電極270的第一層270a可由氧化鋁鋅(AZO)或氧化鎵鋅(GZO)制成。也就是說(shuō)，優(yōu)選地，第一電極270的第一層270a不含氧化銦鋅或者含有少量的氧化銦鋅。
[0140]第一電極270的第二層270b可由氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)制成。這里，氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)中的氧化銦(In2O3)的重量比可以是80wt%s更大。也就是說(shuō)，第一電極270的第二層270b可含有大量的氧化銦鋅。
[0141]第一電極270的第三層270c可以是氧化銦鋅(IZO)。氧化銦鋅(IZO)由氧化銦(In2O3)和氧化鋅(ZnO)制成。這里，優(yōu)選地，氧化銦的重量比是20wt%或更小。第一電極270的第三層270c還可由不含氧化銦(In2O3)的透明金屬氧化物制成。例如，第一電極270的第三層270c可由氧化鋁鋅(AZO)或氧化鎵鋅(GZO)制成。也就是說(shuō)，優(yōu)選地，第一電極270的第三層270c不含氧化銦鋅或者含有少量的氧化銦鋅。
[0142]第一電極270的第一混合層270m由構(gòu)成第一層270a的第一材料和構(gòu)成第二層270b的第二材料的混合物制成。這里，第一材料的比率和第二材料的比率在厚度方向上變化。越靠近第一層270a，第一混合層270m中的第一材料的比率越高，越靠近第二層270b，第一混合層270m中的第二材料的比率越高。也就是說(shuō)，在第一混合層270m的上部區(qū)域中第一材料的比率高于第二材料的比率，在第一混合層270m的下部區(qū)域中第二材料的比率高于第一材料的比率，并且在第一混合層270m的中間區(qū)域中，第一材料的比率和第二材料的比率彼此近似。
[0143]第一電極270的第二混合層270η由構(gòu)成第二層270b的第二材料和構(gòu)成第三層270c的第一材料的混合物制成。這里，第二材料的比率和第一材料的比率在厚度方向上變化。越靠近第二層270b，第二混合層270η中的第二材料的比率越高，越靠近第三層270c，第二混合層270η中的第一材料的比率越高。也就是說(shuō)，在第二混合層270η的上部區(qū)域中第二材料的比率高于第一材料的比率，在第二混合層270η的下部區(qū)域中第一材料的比率高于第二材料的比率，并且在第二混合層270η的中間區(qū)域中第一材料的比率和第二材料的比率彼此近似。
[0144]以下，將參照?qǐng)D13描述取決于第一材料和第二材料的混合比的第一電極270的折射率變化。
[0145]圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置中的第一電極的折射率在厚度方向上的變化的視圖。
[0146]第一電極270的第一層270a和第三層270c可由氧化鋁鋅(AZO)制成，第一電極270的第二層270b可由氧化銦錫(ITO)制成。這里，第一混合層270m和第二混合層270η可由氧化鋁鋅(AZO)和氧化銦錫(ITO)的混合物制成。
[0147]由氧化鋁鋅(AZO)制成的第一層270a和第三層270c的折射率是大約1.8，由氧化銦錫(ITO)制成的第二層270b的折射率是大約1.6。第一混合層270m和第二混合層270η的折射率可介于大約1.6和大約1.8之間。由于在第一混合層270m的上部區(qū)域和第二混合層270η的下部區(qū)域中氧化鋁鋅(AZO)的比率高于氧化銦錫(ITO)的比率，因此第一混合層270m的上部區(qū)域和第二混合層270η的下部區(qū)域具有接近1.8的折射率。由于在第一混合層270m的下部區(qū)域和第二混合層270η的上部區(qū)域中氧化銦錫(ITO)的比率高于氧化鋁鋅(AZO)的比率，因此第一混合層270m的下部區(qū)域和第二混合層270η的上部區(qū)域具有接近1.6的折射率。由于在第一混合層270m的中間區(qū)域和第二混合層270η的中間區(qū)域中氧化鋁鋅(AZO)和氧化銦錫(ITO)的比率彼此近似，因此第一混合層270m的中間區(qū)域和第二混合層270η的中間區(qū)域具有大約1.7的折射率。
[0148]在第一混合層270m和第二混合層270η中，第一材料的比率和第二材料的比率逐漸變化，使得折射率逐漸變化。在折射率快速變化的區(qū)域中，產(chǎn)生界面反射。在本示例性實(shí)施例中，由于在第一電極270的第一層270a和第二層270b之間存在折射率逐漸變化的第一混合層270m并且在第一電極270的第二層270b和第三層270c之間存在折射率逐漸變化的第二混合層270η，因此能夠防止產(chǎn)生界面反射。
[0149]可使用原子層沉積(ALD)方法或等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)方法形成第一電極270。可使沉積第一材料的周期重復(fù)以形成僅由第一材料制成的層，可使沉積第二材料的周期重復(fù)以形成僅由第二材料制成的層。另外，可分別使沉積第一材料的周期和沉積第二材料的周期重復(fù)以形成由第一材料和第二材料的混合物制成的層。這里，調(diào)節(jié)沉積第一材料的周期的重復(fù)次數(shù)和沉積第二材料的周期的重復(fù)次數(shù)以調(diào)節(jié)第一材料和第二材料的薄膜厚度，從而能夠調(diào)節(jié)第一材料的比率和第二材料的比率。因此，第一材料的比率和第二材料的比率可在厚度方向上變化。
[0150]雖然已經(jīng)結(jié)合目前被視為實(shí)際示例性實(shí)施例的內(nèi)容描述了本發(fā)明，但要理解，發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，而是相反地，意在覆蓋包括在隨附權(quán)利要求書(shū)的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
[0151]〈對(duì)符號(hào)的描述〉
[0152]110:第一絕緣基板121:柵極線
[0153]171:數(shù)據(jù)線
[0154]180a:第一鈍化層
[0155]180b:第二鈍化層
[0156]180c:層間絕緣層
[0157]191:第二電極
[0158]210:第二絕緣基板
[0159]270:第一電極
[0160]270a:第一電極的第一層
[0161]270b:第一電極的第二層
[0162]270c:第一電極的第三層
[0163]270m:第一電極的第一混合層
[0164]270ml:第一混合層的下部區(qū)域
[0165]270m2:第一混合層的中間區(qū)域
[0166]270m3:第一混合層的上部區(qū)域
[0167]270η:第一電極的第二混合層
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括: 基板； 柵極線和數(shù)據(jù)線，設(shè)置在所述基板上； 薄膜晶體管，連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線； 鈍化層，設(shè)置在所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管上； 第一電極，設(shè)置在所述鈍化層上； 層間絕緣層，設(shè)置在所述第一電極上； 第二電極，設(shè)置在所述層間絕緣層上， 其中，所述第一電極包括由氧化銦的重量比是20wt %或更小的氧化銦鋅制成或者由不含氧化銦的透明金屬氧化物制成的第一層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一層由氧化鋁鋅或氧化鎵鋅制成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述層間絕緣層由氧化硅或氮化娃制成。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述鈍化層由有機(jī)絕緣材料制成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極還包括設(shè)置在所述第一層下方的第二層。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一層由氧化鋁鋅或氧化鎵鋅制成。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第二層由氧化銦鋅或氧化銦錫制成。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極還包括設(shè)置在所述第二層下方的第三層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第三層由氧化銦的重量比是20wt%或更小的氧化銦鋅制成或者由不含氧化銦的透明金屬氧化物制成。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第二層由氧化銦鋅或氧化銦錫制成。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極還包括: 第二層，設(shè)置在所述第一層下方； 第一混合層，設(shè)置在所述第一層和所述第二層之間。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第一層由第一材料制成， 所述第二層由第二材料制成， 所述第一混合層由所述第一材料和所述第二材料的混合物制成。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在所述第一混合層中，所述第一材料的比率和所述第二材料的比率在厚度方向上變化。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于，越靠近所述第一層，所述第一混合層中的所述第一材料的比率越高，并且越靠近所述第二層，所述第一混合層中的所述第二材料的比率越高。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一材料是氧化鋁鋅或氧化鎵鋅。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第二材料是氧化銦鋅或氧化銦錫。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其特征在于，通過(guò)原子層沉積方法或等離子體增強(qiáng)原子層沉積方法形成所述第一電極。18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一電極還包括: 第三層，設(shè)置在所述第二層下方； 第二混合層，設(shè)置在所述第二層和所述第三層之間。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第一層和所述第三層由第一材料制成， 所述第二層由第二材料制成， 所述第一混合層和所述第二混合層由所述第一材料和所述第二材料的混合物制成。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在所述第一混合層和所述第二混合層中，所述第一材料的比率和所述第二材料的比率在厚度方向上變化。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的液晶顯示裝置，其特征在于，越靠近所述第一層，所述第一混合層中的所述第一材料的比率越高，并且越靠近所述第二層，所述第一混合層中的所述第二材料的比率越高， 越靠近所述第三層，所述第二混合層中的所述第一材料的比率越高，越靠近所述第二層，所述第二混合層中的所述第二材料的比率越高。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一材料是其中氧化銦的重量比是20wt %或更小的氧化銦鋅或者是不含氧化銦的透明金屬氧化物。23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第二材料是氧化銦鋅或氧化銦錫。24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其特征在于，通過(guò)原子層沉積方法或等離子體增強(qiáng)原子層沉積方法形成所述第一電極。25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，向所述第一電極施加預(yù)定電壓。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第二電極連接到所述薄膜晶體管。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK105842935SQ201511020918
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年12月30日
【發(fā)明人】全祐奭, 梁成勛, 金昌玉, 趙正然
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司