等離子體裝置和基板處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種等離子體生成裝置以及基板處理裝置。等離子體生成裝置包括：多個(gè)介電管，所述多個(gè)介電管分別安裝在形成于真空容器中的多個(gè)通孔中；天線，基于所述天線在所述真空容器中的布置對(duì)稱性，所述天線被劃分成第一天線組以及第二天線組，并分別安裝在所述介電管外部；第一RF功率源，所述第一RF功率源用于向所述第一天線組供應(yīng)功率；第二RF功率源，所述第二RF功率源用于向所述第二天線組供應(yīng)功率；以及第一功率分配單元，所述第一功率分配單元布置在所述第一天線組與所述第一RF功率源之間，以將來(lái)自所述第一RF功率源的功率分配到所述第一天線組。
【專利說(shuō)明】等離子體裝置和基板處理裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明大體上涉及等離子體生成裝置，且更具體地涉及感性耦合等離子體生成裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]大面積等離子體生成裝置包括感性稱合等離子體（inductively coupledplasma)生成裝置、容性稱合等離子體（capacitively coupled plasma)生成裝置或螺旋波等離子體（helicon plasma)生成裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的實(shí)施例提供了用于生成均勻螺旋波或感性耦合等離子體的等離子體生成裝置。
[0004]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體生成裝置可包括：多個(gè)介電管，所述多個(gè)介電管分別安裝在形成于真空容器中的多個(gè)通孔中；天線，基于所述天線在所述真空容器中的布置對(duì)稱性，所述天線被劃分成第一天線組以及第二天線組，并分別安裝在所述介電管外部；第
一RF功率源，所述第一 RF功率源用于向所述第一天線組供應(yīng)功率；第二 RF功率源，所述第
二RF功率源用于向所述第二天線組供應(yīng)功率；以及第一功率分配單元，所述第一功率分配單元布置在所述第一天線組與所述第一 RF功率源之間，以將來(lái)自所述第一 RF功率源的功率分配到所述第一天線組。
[0005]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一功率分配單元包括：第一功率分配線；以及第一導(dǎo)電外殼，所述第一導(dǎo)電外殼包封所述第一功率分配線并接地。所述第一功率分配單元的輸入端子與所述第一天線組的天線之間的距離是相同的
[0006]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，等離子體生成裝置還可包括：第二功率分配單元，所述第二功率分配單元布置在所述第二 RF功率源與所述第二天線組的天線之間。所述第二功率分配單元包括：第二功率分配線；以及第二導(dǎo)電外殼，所述第二導(dǎo)電外殼包封所述第二功率分配線并接地。所述第二功率分配單元的輸入端子與所述第二天線組的天線之間的距離是相同的。
[0007]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，等離子體生成裝置還可包括：以間隔開的方式布置在所述介電管的長(zhǎng)度方向上的圓環(huán)形永磁體。
[0008]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述等離子體生成裝置還可包括：移動(dòng)部件，所述移動(dòng)部件固定全部或部分的所述永磁體，并且移動(dòng)布置有所述永磁體的平面。
[0009]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，移動(dòng)部件可包括：至少一個(gè)支撐柱，所述至少一個(gè)支撐柱固定地連接到所述真空容器并垂直地延伸到布置有所述介電管的平面；以及永磁體固定板，所述永磁體固定板上安裝有所述永磁體，并且嵌入有所述支撐柱以能夠沿所述支撐柱移動(dòng)。
[0010]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一天線組的天線基于所述真空管容器的圓形頂板的中央對(duì)稱地布置在恒定半徑的圓周附近，并且所述第二天線組的天線布置在所述頂板的中央。
[0011]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，第一功率分配單元包括:具有同軸電纜形式的輸入分支，所述輸入分支從所述第一 RF功率源接收功率；具有同軸電纜形式的三向分支，所述三向分支連接到所述輸入分支，并分支成三路；以及具有同軸電纜形式的T形分支，所述T形分支連接到所述三向分支，并分支成兩路。
[0012]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述等離子體生成裝置還可包括:固定板，所述固定板用于固定所述天線并被固定到所述頂板；以及地線，所述地線連接到所述固定板以及所述T形分支的外導(dǎo)體。每個(gè)所述固定板的一端連接到所述T形分支的內(nèi)導(dǎo)體，并且每個(gè)所述固定板的另一端連接到所述地線的一端。針對(duì)所有所述天線，所述地線的長(zhǎng)度相同。
[0013]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述等離子體生成裝置還可包括:金屬蓋，每個(gè)所述金屬蓋安裝在每個(gè)所述介電管的一端。每個(gè)所述介電管的長(zhǎng)度α/2=π/ιο滿足如下方程式:
[0014]
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體生成裝置，其包括: 多個(gè)介電管，所述多個(gè)介電管分別安裝在形成于真空容器中的多個(gè)通孔中； 天線，基于所述天線在所述真空容器中的布置對(duì)稱性，所述天線被劃分成第一天線組以及第二天線組，并分別安裝在所述介電管外部； 第一即功率源，所述第一即功率源用于向所述第一天線組供應(yīng)功率； 第二即功率源，所述第二即功率源用于向所述第二天線組供應(yīng)功率；以及第一功率分配單元，所述第一功率分配單元布置在所述第一天線組與所述第一即功率源之間，以將來(lái)自所述第一即功率源的功率分配到所述第一天線組。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置， 其中，所述第一功率分配單元包括: 第一功率分配線；以及 第一導(dǎo)電外殼，所述第一導(dǎo)電外殼包封所述第一功率分配線并接地，并且 其中，所述第一功率分配 單元的輸入端子與所述第一天線組的天線之間的距離是相同的。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其還包括: 第二功率分配單元，所述第二功率分配單元布置在所述第二即功率源與所述第二天線組的天線之間， 其中，所述第二功率分配單元包括: 第二功率分配線；以及 第二導(dǎo)電外殼，所述第二導(dǎo)電外殼包封所述第二功率分配線并接地，并且 其中，所述第二功率分配單元的輸入端子與所述第二天線組的天線之間的距離是相同的。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其還包括: 以間隔開的方式布置在所述介電管的長(zhǎng)度方向上的圓環(huán)形永磁體。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子體生成裝置，其還包括: 移動(dòng)部件，所述移動(dòng)部件固定全部或部分的所述永磁體，并且移動(dòng)布置有所述永磁體的平面。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體生成裝置，其中，所述移動(dòng)部件包括: 至少一個(gè)支撐柱，所述至少一個(gè)支撐柱固定地連接到所述真空容器并垂直地延伸到布置有所述介電管的平面；以及 永磁體固定板，所述永磁體固定板上安裝有所述永磁體，并且嵌入有所述支撐柱以能夠沿所述支撐柱移動(dòng)。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置， 其中，所述第一天線組的天線基于所述真空管容器的圓形頂板的中央對(duì)稱地布置在恒定半徑的圓周附近，并且 其中，所述第二天線組的天線布置在所述頂板的中央。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體生成裝置，其中，所述第一功率分配單元包括: 具有同軸電纜形式的輸入分支，所述輸入分支從所述第一即功率源接收功率； 具有同軸電纜形式的三向分支，所述三向分支連接到所述輸入分支，并分支成三路；以及 具有同軸電纜形式的T形分支，所述T形分支連接到所述三向分支，并分支成兩路。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子體生成裝置，其還包括: 固定板，所述固定板用于固定所述天線并被固定到所述頂板；以及 地線，所述地線連接到所述固定板以及所述T形分支的外導(dǎo)體， 其中，每個(gè)所述固定板的一端連接到所述T形分支的內(nèi)導(dǎo)體，并且每個(gè)所述固定板的另一端連接到所述地線的一端，并且 其中，針對(duì)所有所述天線，所述地線的長(zhǎng)度相同。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其還包括: 金屬蓋，每個(gè)所述金屬蓋安裝在每個(gè)所述介電管的一端， 其中，每個(gè)所述介電管的長(zhǎng)度α/2=π/ιο滿足如下方程式:
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其中，所述第一RF功率源的驅(qū)動(dòng)頻率與所述第二 RF功率源的驅(qū)動(dòng)頻率不同。
12.如權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置， 其中，所述天線在所述真空容器的方形頂板上排列成矩陣， 其中，所述第一天線組的天線沿著外周布置，并且 其中，所述第二天線組的天線布置在由所述第一天線組的天線包圍的內(nèi)部。
13.如權(quán)利要求11所述的等離子體生成裝置，其還包括: 第二功率分配單元，所述第二功率分配單元布置在所述第二天線組的天線與所述第二RF功率源之間，以將來(lái)自所述第二 RF功率源的功率分配到所述第二天線組的天線。
14.一種基板處理裝置，其包括: 多個(gè)介電管，所述多個(gè)介電管分別安裝在形成于真空容器中的多個(gè)通孔中； 天線，基于所述天線在所述真空容器中的布置對(duì)稱性，所述天線被劃分成第一天線組和第二天線組，并且分別安裝在所述介電管外部； 第一 RF功率源，所述第一 RF功率源用于向所述第一天線組的天線供應(yīng)功率； 第二 RF功率源，所述第二 RF功率源用于向所述第二天線組的天線供應(yīng)功率；以及第一功率分配單元，所述第一功率分配單元布置在所述第一天線組的天線與所述第一RF功率源之間，以將來(lái)自所述第一 RF功率源的功率分配到所述第一天線組的天線。
15.如權(quán)利要求14所述的基板處理裝置，其還包括: 柵格，所述柵格分別布置在所述通孔的下部處。
【文檔編號(hào)】H05H1/36GK103843465SQ201280047361
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年10月2日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月13日
【發(fā)明者】張鴻永, 李鎮(zhèn)遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院, 威特爾有限公司