專(zhuān)利名稱(chēng)：一種屏蔽結(jié)構(gòu)件及移動(dòng)終端的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種屏蔽結(jié)構(gòu)件及應(yīng)用此屏蔽結(jié)構(gòu)件的移動(dòng)終端。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)很普及，但是電磁干擾是電子產(chǎn)品常見(jiàn)的問(wèn)題之一，通常電路在應(yīng)用中皆會(huì)產(chǎn)生電磁波，此電磁波會(huì)影響到電子產(chǎn)品中其他芯片的電性能，為降低此種干擾一般可在芯片周?chē)O(shè)置金屬屏蔽罩來(lái)屏蔽干擾信號(hào)，或者不對(duì)外產(chǎn)生干擾信號(hào)。但是芯片在運(yùn)行過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生熱量。若芯片的熱量不能很好的傳導(dǎo)會(huì)芯片溫 度上升，功耗變大、整機(jī)溫也隨之度升高、甚至對(duì)設(shè)備的安全使用都提出了挑戰(zhàn)。隨著用戶對(duì)終端設(shè)備，如手機(jī)、PDA等提出更高的要求，如要求CPU運(yùn)行速度更快來(lái)快速的處理個(gè)人移動(dòng)通信業(yè)務(wù)、顯示屏幕尺寸更大能更好的提高用戶的視覺(jué)效果、還要求整機(jī)的尺寸做的更薄來(lái)滿足終端用戶的審美追求，所以在進(jìn)行結(jié)構(gòu)時(shí)就必須將主板做的更小更薄，器件追求微型化、集成化，在主板設(shè)計(jì)器件布局時(shí)不得不將芯片與芯片距離放置的更近。這些因素對(duì)芯片的散熱提出難題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有的屏蔽罩結(jié)構(gòu)散熱性能不好的技術(shù)問(wèn)題，從而提供一種散熱性能更好的屏蔽結(jié)構(gòu)件。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的一種用于電路板的屏蔽結(jié)構(gòu)件，其設(shè)置在設(shè)置有芯片的主板上并覆蓋所述芯片，所述屏蔽結(jié)構(gòu)件包括屏蔽罩支架以及與所述屏蔽罩支架配合的蓋體，所述蓋體上與芯片對(duì)應(yīng)的部位設(shè)置有一凹槽，所述芯片與凹槽之間設(shè)置有第一導(dǎo)熱體，所述凹槽中設(shè)置有第二導(dǎo)熱體。進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)熱體為導(dǎo)熱硅片或?qū)崽计＿M(jìn)一步地，所述第二導(dǎo)熱體為導(dǎo)熱硅片或?qū)崽计?。進(jìn)一步地,所述第一導(dǎo)熱體的厚度為0. 1mm。進(jìn)一步地，所述第二導(dǎo)熱體的厚度為所述凹槽的深度。進(jìn)一步地，所述屏蔽罩支架的高度為1.7mm。進(jìn)一步地,所述蓋體的厚度為0. 1mm。進(jìn)一步地，所述屏蔽罩支架的側(cè)壁上設(shè)置有卡點(diǎn)，所述蓋體側(cè)壁上設(shè)置有可與所述卡點(diǎn)相配合的卡口。本實(shí)用新型還提供了一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)件的移動(dòng)終端，包括設(shè)置有芯片的主板以及上述屏蔽結(jié)構(gòu)件。由上述技術(shù)方案可見(jiàn)，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型采用的屏蔽結(jié)構(gòu)件通過(guò)在蓋體上與芯片對(duì)應(yīng)的部位設(shè)置一凹槽，在所述芯片與凹槽之間設(shè)置第一導(dǎo)熱體，在所述凹槽中設(shè)置第二導(dǎo)熱體來(lái)傳導(dǎo)熱量，從而提高芯片的散熱性能。

圖I是本實(shí)用新型實(shí)施例的屏蔽結(jié)構(gòu)件的剖面示意圖。圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的屏蔽結(jié)構(gòu)件的分解示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)用新型描述中的術(shù)語(yǔ)“第一、第二”等描述，僅僅是為了方便本實(shí)用新型的描述，而不能解釋為對(duì)本實(shí)用新型的限制。如圖I和圖2所示，為本實(shí)用新型的用于電路板的屏蔽結(jié)構(gòu)件結(jié)構(gòu)示意圖，一種用于電路板的屏蔽結(jié)構(gòu)件1，其設(shè)置在設(shè)置有芯片2的主板10上并覆蓋所述芯片2，所述屏蔽結(jié)構(gòu)件I包括屏蔽罩支架11以及與所述屏蔽罩支架11配合的蓋體12，所述蓋體12上與芯片2對(duì)應(yīng)的部位設(shè)置有一凹槽121，所述芯片2與凹槽121之間設(shè)置有第一導(dǎo)熱體13，所述凹槽121中設(shè)置有第二導(dǎo)熱體14。所述第一導(dǎo)熱體13為導(dǎo)熱硅片或?qū)崽计?。所述第二?dǎo)熱體14為導(dǎo)熱硅片或?qū)崽计?。?dǎo)熱硅片具有成本低、導(dǎo)熱效果良好的優(yōu)點(diǎn)，導(dǎo)熱碳片的導(dǎo)熱性能更優(yōu)越，但相應(yīng)的成本更高，在實(shí)際的應(yīng)用中，用戶可以根據(jù)實(shí)際情況選用不同的導(dǎo)熱材料。第一導(dǎo)熱體13設(shè)于芯片2與凹槽121之間，首先能避免蓋體12直接壓到芯片2上，避免芯片2壓壞，就算蓋體12受到外力的作用，第一導(dǎo)熱體13能起到緩沖作用，對(duì)芯片2進(jìn)行保護(hù)，另第一導(dǎo)熱體13將芯片2產(chǎn)生的熱量能直接導(dǎo)出到蓋體12上。優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)熱體13的厚度為0. Imm0其不但能較好地進(jìn)行導(dǎo)熱，也進(jìn)一步節(jié)省第一導(dǎo)熱體13的材料成本。所述第二導(dǎo)熱體14的厚度為所述凹槽121的深度。第二導(dǎo)熱體14進(jìn)一步將芯片2傳導(dǎo)的熱量，通過(guò)蓋體12和與蓋體12相配合的屏蔽罩支架11傳導(dǎo)出去。其與蓋體12持平可以方便與主板10上的其他結(jié)構(gòu)件如屏幕支架接觸良好，實(shí)現(xiàn)將熱量傳遞到屏幕支架上。屏幕支架上的熱量則可以通過(guò)屏幕和外殼進(jìn)行散熱。為了使屏蔽結(jié)構(gòu)件占用空間更少，所述屏蔽罩支架11的高度優(yōu)選為I. 7mm，所述蓋體12的厚度為0. 1mm。為了使屏蔽罩支架11和蓋體12拆裝方便，所述屏蔽罩支架11的側(cè)壁上設(shè)置有卡點(diǎn)111，所述蓋體12側(cè)壁上設(shè)置有可與所述卡點(diǎn)111相配合的卡口 121。所述卡點(diǎn)111在屏蔽罩支架11上的位置不是固定的，具體視使用情況或者加工要求而定，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，卡點(diǎn)111的位置是要保證在使用本屏蔽結(jié)構(gòu)件I時(shí)，屏蔽罩支架11上的卡點(diǎn)111可以與卡口 121相配合，從而使得蓋體12能良好地與屏蔽罩支架11配合。所述卡點(diǎn)111和卡口 121通過(guò)沖壓方式獲得。為了進(jìn)一步提高散熱性能，在保證屏蔽效果的情況下，蓋體12上可設(shè)有散熱孔，促進(jìn)空氣在屏蔽結(jié)構(gòu)件I中流動(dòng)，進(jìn)一步降低芯片2工作時(shí)產(chǎn)生的熱量。本實(shí)用新型實(shí)施例的蓋體12可以采用鈹銅經(jīng)加工形成。鈹銅是銅合金中性能較好的高級(jí)彈性材料，具有很高的強(qiáng)度、彈性、硬度、疲勞強(qiáng)度、彈性滯后小、耐蝕、耐磨、耐寒、高導(dǎo)電、無(wú)磁性、沖擊不產(chǎn)生火花等一系列優(yōu)良的物理、化學(xué)和力學(xué)性能，且散熱性能優(yōu)良。屏蔽罩支架11可采用銅或者不銹鋼加工而成。本實(shí)用新型還提供了一種包括上述屏蔽結(jié)構(gòu)件I的移動(dòng)終端，該移動(dòng)終端可以為手機(jī)、平板電腦、PDA等。所述移動(dòng)終端包括設(shè)置有芯片2的主板10以及上述屏蔽結(jié)構(gòu)件
I。所述屏蔽結(jié)構(gòu)件I包括屏蔽罩支架11以及與所述屏蔽罩支架11配合的蓋體12，所述蓋體12上與芯片2對(duì)應(yīng)的部位設(shè)置有一凹槽121，所述芯片2與凹槽121之間設(shè)置有第一導(dǎo)熱體13，所述凹槽121中設(shè)置有第二導(dǎo)熱體14。和現(xiàn)有的屏蔽結(jié)構(gòu)件相比，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型采用的屏蔽結(jié)構(gòu)件通過(guò)在蓋體上與芯片對(duì)應(yīng)的部位設(shè)置一凹槽，在所述芯片與凹槽之間設(shè)置有第一導(dǎo)熱體、在所述凹槽中設(shè)置有第二導(dǎo)熱體用來(lái)傳導(dǎo)芯片產(chǎn)生的熱量，進(jìn)而提高芯片的散熱性能。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換以及改進(jìn)等，均應(yīng)包含 在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種屏蔽結(jié)構(gòu)件，其設(shè)置在設(shè)置有芯片的主板上并覆蓋所述芯片，所述屏蔽結(jié)構(gòu)件包括屏蔽罩支架以及與所述屏蔽罩支架配合的蓋體，其特征在于，所述蓋體上與芯片對(duì)應(yīng)的部位設(shè)置有一凹槽，所述芯片與凹槽之間設(shè)置有第一導(dǎo)熱體，所述凹槽中設(shè)置有第二導(dǎo)熱體。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的屏蔽結(jié)構(gòu)件，其特征在于，所述第一導(dǎo)熱體為導(dǎo)熱硅片或?qū)崽计?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的屏蔽結(jié)構(gòu)件，其特征在于，所述第二導(dǎo)熱體為導(dǎo)熱硅片或?qū)崽计?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的屏蔽結(jié)構(gòu)件，其特征在于，所述第一導(dǎo)熱體的厚度為0.1mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的屏蔽結(jié)構(gòu)件，其特征在于，所述第二導(dǎo)熱體的厚度為所述凹槽的深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的屏蔽結(jié)構(gòu)件，其特征在于，所述屏蔽罩支架的高度為I.7mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的屏蔽結(jié)構(gòu)件，其特征在于，所述蓋體的厚度為0.1mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的屏蔽結(jié)構(gòu)件，其特征在于，所述屏蔽罩支架的側(cè)壁上設(shè)置有卡點(diǎn)，所述蓋體側(cè)壁上設(shè)置有可與所述卡點(diǎn)相配合的卡口。
9.一種具有屏蔽結(jié)構(gòu)件的移動(dòng)終端，其特征在于，包括設(shè)置有芯片的主板以及如權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的屏蔽結(jié)構(gòu)件。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供了一種屏蔽結(jié)構(gòu)件，其設(shè)置在設(shè)置有芯片的主板上并覆蓋所述芯片，所述屏蔽結(jié)構(gòu)件包括屏蔽罩支架以及與所述屏蔽罩支架配合的蓋體，所述蓋體上與芯片對(duì)應(yīng)的部位設(shè)置有一凹槽，所述芯片與凹槽之間設(shè)置有第一導(dǎo)熱體，所述凹槽中設(shè)置有第二導(dǎo)熱體。本實(shí)用新型提供的屏蔽結(jié)構(gòu)件可以提高芯片的散熱性能。本實(shí)用新型還提供了應(yīng)用了該屏蔽結(jié)構(gòu)件的移動(dòng)終端。
文檔編號(hào)H05K9/00GK202496170SQ20112047141
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月24日
發(fā)明者何錦榮 申請(qǐng)人:比亞迪股份有限公司