專利名稱：透明導(dǎo)電氧化物層作為陰極的有機(jī)發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的方案涉及有機(jī)發(fā)光裝置及其制造方法。更具體地說，本發(fā)明的 方案涉及包括透明導(dǎo)電氧化物層作為陰極的有機(jī)發(fā)光裝置以及制造所述有 機(jī)發(fā)光裝置的方法。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)發(fā)光裝置包括陽極、布置在所述陽極上的有機(jī)發(fā)光層和布 置在所述有機(jī)發(fā)光層上的陰極。當(dāng)在所述陽極和所述陰極之間施加電壓時， 來自所述陽極的空穴被注入所述有機(jī)發(fā)光層，來自所述陰極的電子也被注入 所述有機(jī)發(fā)光層。注入所述有機(jī)發(fā)光層的所述空穴和所述電子被重新組合以 生成激子，所述激子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時就會發(fā)光。有機(jī)發(fā)光裝置主要被分類為底部發(fā)射型和頂部發(fā)射型；在底部發(fā)射型有 機(jī)發(fā)光裝置中從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的光通過下基板被發(fā)送，在頂部發(fā)射型有機(jī) 發(fā)光裝置中從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的光通過上基板被發(fā)送。頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光 裝置的優(yōu)勢在于，它比底部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光裝置具有更高的孔徑比。在頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光裝置中，可透射光的陰極被形成為具有低功函數(shù) 的金屬層，例如MgAg層，以便提供電子注入特性。然而，金屬陰極針對可 見光波長區(qū)域的光呈現(xiàn)出大反射率。因此，包括金屬陰極的頂部發(fā)射型有機(jī) 發(fā)光裝置實(shí)質(zhì)上具有微腔結(jié)構(gòu)。這種微腔結(jié)構(gòu)導(dǎo)致作為觀看角度的函數(shù)的亮 度變化和色差。此外，由于微腔結(jié)構(gòu)，必需將包括機(jī)發(fā)光層的各種有機(jī)功能層的厚度嚴(yán)格控制在2%或小于2%的薄膜均勻性范圍之內(nèi)。這樣嚴(yán)重阻礙了 有機(jī)發(fā)光裝置的大批量生產(chǎn)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的幾個方案提供不具有微腔特性的頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光裝置。本發(fā)明的一方案提供一種有機(jī)發(fā)光裝置，其包括布置在基板上的陽極； 布置在所述陽極上且至少包括有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)功能層；以及作為布置在所 述有機(jī)功能層上的透明導(dǎo)電氧化物層的陰極。所述透明導(dǎo)電氧化物層可以利用等離子輔助熱蒸發(fā)來形成。所述透明導(dǎo) 電氧化層可以是銦氧化物層、銦錫氧化物層、錫氧化物層、銦鋅氧化物層、 鋁鋅氧化物層、鋁錫氧化物層或鋁銦氧化物層。電子注入增強(qiáng)層可以布置在所述有機(jī)功能層和所述陰極之間。所述電子 注入增強(qiáng)層可以是厚度小于穿透深度的金屬層。所述電子注入增強(qiáng)層可以是 包括Mg、 Ca或In的層。所述陽極可以包括金(Au)或柏(Pt)。所述陽極也可以是由摻雜以絕 緣氧化物材料的透明導(dǎo)電氧化物材料制成的層。所述透明導(dǎo)電氧化物材料可 以是銦氧化物、銦錫氧化物、錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧 化物或鋁銦氧化物，并且所述絕緣氧化物材料可以是鑭氧化物、釔氧化物、 鈹氧化物、鈦氧化物、硅氧化物、鎵氧化物、鈀氧化物或釤氧化物。本發(fā)明的另一方案提供一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法，該方法包括在 基板上形成陽極；在所述陽極上形成至少包括有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)功能層；以 及在所述有機(jī)功能層上形成作為透明導(dǎo)電氧化物層的陰極。本發(fā)明的其它方案和/或優(yōu)勢的 一部分將在隨后描述中闡述，并且將通 過說明書的描述顯而易見，或者可以通過實(shí)施本發(fā)明來獲悉。


本發(fā)明的這些和/或其它方案和優(yōu)勢將從以下結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述中變得清楚和更易于理解，在附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的截面圖；圖2A和2B是示出分別利用傳統(tǒng)賊射工藝形成的銦氧化物層和利用等 離子輔助熱蒸發(fā)工藝形成的銦氧化物層的掃描電子顯微(SEM)圖像；圖3是示出利用等離子體輔助熱蒸發(fā)工藝形成的銦氧化物層的透射率 針對波長的曲線圖；圖4是示出在制造例和比較例1中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的電流密度-電 壓特性曲線圖；以及圖5是示出在制造例和比較例2中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的電流密度-電 壓特性曲線圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參見附圖更充分地描述本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，在附圖中示出本發(fā) 明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以4艮多不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng) 當(dāng)被解釋為局限于此處所闡述的實(shí)施例。當(dāng)層稱為在另一層或基板"上"時， 它可以直接在另一層或基板上，或者也可以存在插入層。在整個描述中，相 同的附圖標(biāo)記和字母指的是相同的結(jié)構(gòu)元件。此外，應(yīng)當(dāng)理解，對于此處所 述的一層"形成在"或"布置在"第二層上，第一層可能直接形成或布置在 第二層上，或者第一層和第二層之間可能存在插入層。進(jìn)一步，如此處所使 用的那樣，所使用的術(shù)語"形成在"與"位于"或"布置在"具有相同的意 思，并且不意味著對任何特定制造工藝的限制。為了解釋本發(fā)明，以下將參 見附圖描述實(shí)施例。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的截面圖。如圖l所示， 陽極A布置在裝置基板10上。裝置基板10可以包括至少一個連接到陽極A 的薄膜晶體管(未示出)。陽極A的功函數(shù)可以在4.8-6.0eV的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，陽極A的功函數(shù) 在5.5-6.0eV的范圍內(nèi)。陽極A可以是可透射光電極或可反射光電極。當(dāng)陽極A是功函數(shù)為5.5-6.OeV的可反射光電極時，陽極A可以是金(Au )層或 鉑(Pt)層。當(dāng)陽極A是功函數(shù)為5.5-6.0eV的可透射光電極時，陽極A可以是摻雜 以絕緣氧化物的透明導(dǎo)電氧化物層。透明導(dǎo)電氧化物是功函數(shù)通常為 4.8-5.2eV的材料，并且可以是銦氧化物、銦錫氧化物、錫氧化物、銦鋅氧 化物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物或鋁銦氧化物。絕緣氧化物是功函數(shù)比透明 導(dǎo)電氧化物高的材料，并且可以是鑭氧化物、釔氧化物、鈹氧化物、鈦氧化 物、硅氧化物、鎵氧化物、鈀氧化物或釤氧化物。通過調(diào)整透明導(dǎo)電氧化物 與絕緣氧化物的比率，摻雜有絕緣氧化物的透明導(dǎo)電氧化物層可以具有適當(dāng) 的透光率和導(dǎo)電性。陽極A可以利用濺射、蒸發(fā)、離子束沉積、電子束沉 積或激光燒蝕來形成。至少包括有機(jī)發(fā)光層14的有機(jī)功能層F布置在陽極A上。有機(jī)功能層 F進(jìn)一步包括在有機(jī)發(fā)光層14和陽極A之間的空穴傳輸層13。當(dāng)陽極A的 功函數(shù)在5.5-6.0eV的范圍內(nèi)時，形成空穴傳輸層13的材料可以從多種材料 中選出。也就是說，空穴傳輸層13的價帶(HOMO)能級可以從5.1-6.5eV 的很寬范圍中選出。例如，空穴傳輸層13也可以利用形成有機(jī)發(fā)光層14的 主材料來形成。當(dāng)陽極A具有為5.0-6.0eV的很高功函數(shù)時，即使空穴注入 層不再進(jìn)一步插入陽極A和空穴傳輸層13之間，有機(jī)發(fā)光裝置也可以呈現(xiàn) 低驅(qū)動電壓特性和高發(fā)射效率特性。也就是說，陽極A和空穴傳輸層13可 以直接-波此接觸。空穴傳輸層13可以由低分子量材料制成，例如1,3,5-三咔唑基苯、4,4，-二呼唑基聯(lián)苯、聚(9-乙烯基啼唑)、m-二咔唑基苯基、4，4，-二咔唑基-2，2，-二甲基聯(lián)苯基、4，4，，4，，-三(N-呻唑基)三苯胺、1,3，5-三(2-咔唑基苯基) 苯、1,3,5-三(2-寸唑基-5-甲氧基苯基)苯、二 (4,卡唑基苯基)硅烷、N,N，-二 ( 3-甲基苯基)^^，-二苯基-[1，1-聯(lián)苯基]-4，4，-二胺(TPD ) 、 N，N，-二 (萘 -1 -基)—N,N，-二苯基聯(lián)苯胺(a-NPD )或N,N，-二苯基-N,N，-二( 1 -萘基)-(1, 1，-聯(lián)苯基)-4，4' ( 二胺)(NPB )或聚合物材料，例如，聚(9,9-二辛基藥-共-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚(9,9-二辛基芴-共-二-1^^，- (4-丁基 笨基)-二-N,N，-苯基-l，4-亞苯基二胺)(PFB )或聚(9,9-二辛基茍-共-二^，>^，-(4-丁基笨基)-二-N，N，-笨基聯(lián)笨胺)(BFE)。空穴傳輸層13可以利用 汽相淀積、旋轉(zhuǎn)涂覆、噴墨印刷或激光誘導(dǎo)熱成像來形成。有機(jī)發(fā)光層14可以是磷光性發(fā)光層或熒光性發(fā)光層。當(dāng)有機(jī)發(fā)光層14 是熒光性發(fā)光層時，有機(jī)發(fā)光層14所包括的材料可以從包括下列材料的組 中選出二苯乙烯基亞芳基(distyrylarylene ) ( DSA ) 、 DSA衍生物、二 苯乙烯基苯(distyrylbenzene ) ( DSB ) 、 DSB衍生物、DPVBi ( 4，4，-二 ( 2，2，國 二苯基乙烯基)-l，l，-聯(lián)苯基))、DPVBi衍生物、螺-DPVBi和螺-6P (螺-聯(lián)六苯)。此外，有機(jī)發(fā)光層14進(jìn)一步包括的摻雜材料可以從包括下列材 料的組中選擇苯乙烯基胺類、苯撐類和DSBP (二苯乙烯基二苯基)類材 料。另一方面，當(dāng)有機(jī)發(fā)光層14是磷光性發(fā)光層時，有機(jī)發(fā)光層14所包括 的主材料可以選自包括下列材料的組中丙烯胺類、呼唑類和螺環(huán)類材料。 優(yōu)選地，主材料是選自包括下列材料的組中的材料CBP(4，4，-N，N 二呼唑 -聯(lián)笨基)、CBP衍生物、mCP (N,N-二"卡唑基-3,5-苯)、mCP衍生物和螺 環(huán)類衍生物。此外，有機(jī)發(fā)光層14可以包括磷光性有機(jī)金屬配合物，該磷 光性有機(jī)金屬配合物具有選自包括Ir、 Pt、 Tb和Eu作為摻雜材料的組中的 主金屬。所述磷光性有機(jī)金屬配合物可以選自包括PQIr、 PQIr( acac ) 、 PQ2Ir(acac ) 、 PIQIr ( acac )和PtOEP的組中。對于全色有機(jī)發(fā)光裝置，有機(jī)發(fā)光層14可以由利用高分辨率掩膜的真 空鍍膜、噴墨印刷或激光誘導(dǎo)熱成像來形成。空穴阻擋層(未示出)可以布 置在有機(jī)發(fā)光層14上。空穴阻擋層用來阻止在操作有機(jī)發(fā)光裝置期間在有 機(jī)發(fā)光層1中生成的激子擴(kuò)散?？昭ㄗ钃鯇涌梢杂葿alq、 BCP、 CF-X、 TAZ 或螺旋-TAZ制成。有機(jī)功能層F可以進(jìn)一步包括布置在有機(jī)發(fā)光層14上的電子傳輸層 15。電子傳輸層15的導(dǎo)電帶(LUMO)能級可以在大約2.8-3.5eV的范圍內(nèi)。 電子傳輸層15促進(jìn)電子傳輸?shù)接袡C(jī)發(fā)光層4。例如，電子傳輸層15可以由聚合物材料制成，例如由PBD、 TAZ或螺旋-PBD制成，或者由低分子量 材料制成，例如由Alq3、 BAlq或SAIq制成。電子傳輸層15可以利用真空 鍍膜、旋轉(zhuǎn)涂覆、噴墨印刷或激光誘導(dǎo)熱成像來形成。陰極C布置在有機(jī)功能層F上。陰極C是透明導(dǎo)電氧化物層。因此， 從有機(jī)發(fā)光層14發(fā)出的大多數(shù)光都通過陰極C被傳送，從而消除微腔特性。 因此，可以防止作為觀看角度的函數(shù)的亮度變化和色差。陰極C可以是銦氧 化物層、銦錫氧化物層、錫氧化物層、銦鋅氧化物層、鋁鋅氧化物層、鋁錫 氧化物層或鋁銦氧化物層。陰極C可以具有為4.8-5.2eV的功函數(shù)。陰極C可以利用等離子體輔助熱蒸發(fā)來形成。根據(jù)傳統(tǒng)的熱蒸發(fā)工藝， 固體材料被置于坩堝中，并以高于該固體材料的熔點(diǎn)或升華點(diǎn)的溫度被加 熱，以便使該固體材料蒸發(fā)，并且已蒸發(fā)的材料沉積在基板上。當(dāng)利用傳統(tǒng) 的熱蒸發(fā)工藝形成作為透明導(dǎo)電層的陰極C時，基板10必須維持在 250-300°C的溫度，以便獲得適當(dāng)?shù)耐腹庑院蛯?dǎo)電性。然而，250-300。C的高 溫可能導(dǎo)致對有機(jī)功能層F的熱損害。另一方面，在等離子輔助的熱蒸發(fā)工藝中，強(qiáng)度差的等離子體被應(yīng)用于 已蒸發(fā)的材料，以便電離該材料，并且電離材料然后沉積在基板上。當(dāng)利用 等離子輔助熱蒸發(fā)工藝形成作為透明導(dǎo)電層的陰極C時，基板IO可以維持 在100。C的溫度，優(yōu)選80。C或更低的溫度。因此，可以防止對熱穩(wěn)定性低的 有機(jī)功能層F的熱損害。利用等離子輔助熱蒸發(fā)形成的陰極C在整個可見 光波長區(qū)域呈現(xiàn)85%以上的高透射率，并且呈現(xiàn)出20-70Q/口的低薄層電阻。 等離子體可以是氧等離子體或惰性氣體等離子體。惰性氣體可以是氬(Ar) 氣。當(dāng)固體材料是金屬時，等離子體必須包括氧?？梢栽?.1-0.5 mTorr的真 空水平下，以5-30sccm的惰性氣體流速和3-40sccm的氧氣流速進(jìn)行等離子 體輔助熱蒸發(fā)。同時，應(yīng)當(dāng)對照利用傳統(tǒng)濺射工藝的陰極C的形成。在濺射工藝中， 當(dāng)?shù)入x子體應(yīng)用于固體材料時，即沒有應(yīng)用于已蒸發(fā)的材料時，原子或分子 從固體材料的表層賊射出，并且然后沉積在有機(jī)功能層F上。然而，在傳統(tǒng)的濺射中，等離子體的強(qiáng)度過高，從而導(dǎo)致對有機(jī)功能層的物理損害。另一 方面，在等離子體輔助熱蒸發(fā)中，電離蒸汽是利用熱能和等離子體從固體材料中得到的，'這樣就可以應(yīng)用強(qiáng)度相對較低的等離子體。因此，當(dāng)利用等離 子體輔助熱蒸發(fā)形成作為透明導(dǎo)電氧化物層的陰極C時，有機(jī)功能層F不會被物理損害?？傊?，使用等離子體輔助熱蒸發(fā)將陰極C形成為具有良好透 光性和導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電氧化物層，而不會對有機(jī)功能層產(chǎn)生熱損害或物理 損害。電子注入增強(qiáng)層17可以進(jìn)一步布置在有機(jī)功能層F和陰極C之間。電 子注入增強(qiáng)層17是功函數(shù)低于陰極C的層，并且促進(jìn)電子注入有機(jī)功能層 F。具體地說，電子注入增強(qiáng)層17是功函數(shù)為3.6-3.7eV的金屬層，并且可 以具有小于穿透深度(skin depth)的厚度。如此處所使用的那樣，術(shù)語"小 于穿透深度的厚度"是指透光率接近100%的薄的厚度。也就是說，電子注 入增強(qiáng)層17可以增強(qiáng)電子到有機(jī)功能層F的注入，而不會降低透光率。因 此，即使當(dāng)電子傳輸層15和電子注入增強(qiáng)層17之間不再進(jìn)一步插入電子注 入層時，有機(jī)發(fā)光裝置也可以呈現(xiàn)低驅(qū)動電壓特性和高發(fā)射效率特性。也就 是說，電子注入增強(qiáng)層17可以形成為直接與電子傳輸層15接觸。電子注入 增強(qiáng)層17可以包括鎂(Mg)、鈣(Ca)或銦(In)，并且可以具有大約為 70A的厚度。優(yōu)選地，電子注入增強(qiáng)層17可以為鎂(Mg)層、鈣(Ca) 層或銦(In)層。圖2A和2B為示出分別利用傳統(tǒng)賊射工藝形成的銦氧化物層和利用等 離子體輔助熱蒸發(fā)工藝形成的銦氧化物層的電子顯微(SEM)圖像。僅供參 考，在賊射工藝中，基板維持在20(TC，而在等離子體輔助熱蒸發(fā)工藝中， 基板維持在80。C。形成的銦氧化物層厚度為IOOOA 。參見圖2A和2B,在利用濺射形成的銦氧化物層中，顆粒具有很大的粒 度和不均勻的粒子分布(見圖2A)，然而，在利用等離子體輔助熱蒸發(fā)形 成的銦氧化物中，顆粒具有很小的粒度和均勻的粒子分布(見圖2B)。另 外，利用濺射形成的銦氧化物層呈現(xiàn)400Q/口的薄層電阻，而利用等離子體輔助熱蒸發(fā)形成的銦氧化物層呈現(xiàn)3 1.7Q/口的薄層電阻。圖3是示出利用等離子體輔助熱蒸發(fā)工藝形成的銦氧化物層的透射率 針對波長的曲線圖。如圖3所示，利用等離子體輔助熱蒸發(fā)形成的銦氧化物 層在整個可見光波長區(qū)域呈現(xiàn)85%以上的透射率。在下文中，將參照下列試驗(yàn)示例更具體地描述本發(fā)明。下列試驗(yàn)示例僅 僅用于示例性目的，并不意圖限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。對透明導(dǎo)電氧化物層作為陰極的有機(jī)發(fā)光裝置的評估<制造例〉利用金在基板上形成陽極，并在陽極上沉積厚度為50nm的NPD(N,N，-二苯基-N,N，-二 ( l-萘基)-(l,l，-聯(lián)苯基)-4,4，-二胺)以形成空穴傳輸層。 在空穴傳輸層上共同沉積比重為100份的DSA (二苯乙烯基亞芳基)和比 重為3份的TBPe(四(t-丁基)二萘嵌苯)以形成厚度為30nm的發(fā)藍(lán)光層。 在發(fā)藍(lán)光層上沉積厚度為5nm的Balq ( 二 ( 2-曱基-8-羥基喹啉)-(對-苯基 酚基)-鋁)(bis ( 2-methyl-8-quinolato ) - ( p-phenylphenolato ) -aluminum ) 以形成空穴阻擋層。在空穴阻擋層上沉積厚度為20nm的Bebq2 (二 (苯并 會啉)鈹)以形成電子傳輸層，在電子傳輸層上沉積厚度為lnm的LiF以極。<》匕#交^列1>有機(jī)發(fā)光裝置以與制造例中相同的方式來制造，除了銦氧化物層是利用 賊射沉積在電子注入層以形成陰極的。 <比較例2>銦錫氧化物層沉積在基板上以形成陽極。在陽極上沉積厚度為60nm的 CuPc以形成空穴注入層，并且然后在空穴注入層上沉積厚度為30rnn的NPD 以形成空穴傳輸層。在空穴傳輸層上共同沉積比重為IOO份的DSA和比重 為3份的TBPe以形成厚度為25nm的發(fā)藍(lán)光層。在發(fā)藍(lán)光層上沉積厚度為 5nm的Balq以形成空穴阻擋層。在空穴阻擋層上沉積厚度為20nm的Alq3以形成電子傳輸層，在電子傳輸層上沉積厚度為lnm的LiF以形成電子注 入層，并且利用熱蒸發(fā)在電子注入層上沉積鋁以形成陰4 l。圖4是示出制造例和比較例1中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的電流密度-電壓 特性曲線圖。如圖4所見，比較例1中制造的有機(jī)發(fā)光裝置在反向偏置區(qū)域 呈現(xiàn)相對較大的漏電流。這個結(jié)果顯示出，利用賊射形成作為透明導(dǎo)電氧化 物層的陰極導(dǎo)致對有機(jī)層中的有機(jī)結(jié)合產(chǎn)生破壞或損害。另一方面，制造例 中制造的有機(jī)發(fā)光裝置在反向偏置區(qū)域呈現(xiàn)l(T5mA以下的低電流密度。圖5是示出制造例和比較例2中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的電流密度-電壓 特性曲線圖。比較例2中制造的有機(jī)發(fā)光裝置是可以商用的裝置，其中功函 數(shù)為4.8eV的銦錫氧化物層作為陽極以及功函數(shù)為4.3eV的鋁層作為陰極。 另一方面，在制造例中制造的有機(jī)發(fā)光裝置中，功函數(shù)為5.6eV的金層作為 陽極以及功函數(shù)為4.8eV的銦氧化物層作為陰極。也就是說，制造例中制造 的有機(jī)發(fā)光裝置的電極的功函數(shù)被變化到較之比較例2中制造的有機(jī)發(fā)光 裝置的電極的功函數(shù)更高的水平。然而，參加圖5,制造例和比較例2中制 造的有機(jī)發(fā)光裝置呈現(xiàn)幾乎相同的電流密度-電壓特性。這些結(jié)果顯示出， 如根據(jù)制造例制造的有機(jī)發(fā)光裝置那樣，包括具有更高功函數(shù)的電極的有機(jī) 發(fā)光裝置可以被穩(wěn)定地操作。如上所述，本發(fā)明的這些實(shí)施例提供下列優(yōu)勢。第一，布置在有機(jī)功能層上的陰極形成為透明導(dǎo)電氧化物層，這樣，有 機(jī)發(fā)光裝置的微腔特性消失。因此，可以防止作為觀看角度的函數(shù)的亮度變 化和色差。第二，布置在有機(jī)功能層上的陰極利用等離子體輔助熱蒸發(fā)形成為透明 導(dǎo)電氧化物層。因此，陰極可以形成為具有良好透光性和導(dǎo)電性而不會對有 機(jī)功能層產(chǎn)生熱損害或物理損害的透明導(dǎo)電氧化物層。第三，在有機(jī)功能層和用作陰極的透明導(dǎo)電氧化物層之間進(jìn)一步形成電 子注入增強(qiáng)層。因此，可以增強(qiáng)電子到有機(jī)功能層的注入，并且這樣，可以 不用形成電子注入層。1第四，功函數(shù)為4.8-5.2eV的透明導(dǎo)電氧化物層被用作陰極，這樣，陽 極的功函數(shù)可以變化到在5.5-6.0eV范圍內(nèi)更高水平。具有這種功函數(shù)的陽 極具有更好的空穴注入有機(jī)功能層的能力，并且因此，可以不用形成空穴注 入層。雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的幾個實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解的是，可以對這些實(shí)施例進(jìn)行變化，而不偏離本發(fā)明的原理和精神，其 中本發(fā)明的保護(hù)范圍由權(quán)利要求及其等價物限定。
權(quán)利要求
1. 一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括布置在基板上的陽極；布置在所述陽極上并與所述陽極連接的有機(jī)功能層，該有機(jī)功能層至少包括有機(jī)發(fā)光層；和陰極，該陰極為布置在所述有機(jī)功能層上并與所述有機(jī)功能層連接的透明導(dǎo)電氧化物層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述透明導(dǎo)電氧化物層是利 用等離子體輔助熱蒸發(fā)形成的。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述透明導(dǎo)電氧化物層是銦 氧化物層、銦錫氧化物層、錫氧化物層、銦鋅氧化物層、鋁鋅氧化物層、鋁錫 氧化物層或鋁銦氧化物層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括布置在所述有機(jī)功能 層和所述陰極之間并與所述有機(jī)功能層和所述陰極連接的電子注入增強(qiáng)層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述電子注入增強(qiáng)層是厚度小于穿透深度的金屬層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述電子注入增強(qiáng)層包括 Mg、 Ca或In。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述陽極包括Au或Pt。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述陽極是由摻雜以絕緣氧 化物材料的透明導(dǎo)電氧化物材料制成的層。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述透明導(dǎo)電氧化物材料是銦氧化物、銦錫氧化物、錫氧化物、銦鋅氧化 物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物或鋁銦氧化物，并且所述絕緣氧化物材料是鑭氧化物、釔氧化物、鈹氧化物、鈦氧化物、硅氧 化物、鎵氧化物、鈀氧化物或釤氧化物。
10、 一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法，該方法包括 在基板上形成陽極；在所述陽極上形成至少包括有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)功能層，并且將該有機(jī)功能 層與所述陽極連接；并且在所述有機(jī)功能層上形成作為透明導(dǎo)電氧化物層的陰極，并將所述陰極與 所述有機(jī)功能層連接。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述透明導(dǎo)電氧化物層是利用等離 子體輔助熱蒸發(fā)形成的。
12、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述透明導(dǎo)電氧化物層是銦氧化物 層、銦錫氧化物層、錫氧化物層、銦鋅氧化物層、鋁鋅氧化物層、鋁錫氧化物 層或鋁銦氧化物層。
13、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，進(jìn)一步包括在形成所述陰極之前，在所 述有機(jī)功能層上形成電子注入增強(qiáng)層，并將該電子注入增強(qiáng)層與所述有機(jī)功能 層連接。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述電子注入增強(qiáng)層是厚度小于穿 透深度的金屬層。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述電子注入增強(qiáng)層包括Mg、 Ca 或In。
16、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述陽極包括Au或Pt。
17、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述陽極由摻雜以絕緣氧化物材料的透明導(dǎo)電氧化物材料制成。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述透明導(dǎo)電氧化物材料是銦氧化物、銦錫氧化物、錫氧化物、銦鋅氧化 物、鋁鋅氧化物、鋁錫氧化物或鋁銦氧化物，并且所述絕緣氧化物材料是鑭氧化物、釔氧化物、鈹氧化物、鈦氧化物、硅氧 化物、4家氧化物、4巴氧化物或釤氧化物。
全文摘要
本發(fā)明公開一種透明導(dǎo)電氧化物層作為陰極的有機(jī)發(fā)光裝置以及制造該有機(jī)發(fā)光裝置的方法。所述有機(jī)發(fā)光裝置包括布置在基板上的陽極。至少包括有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)功能層布置在所述陽極上。用作所述陰極的所述透明導(dǎo)電氧化物層布置在所述有機(jī)功能層上。所述透明導(dǎo)電氧化物層陰極是通過等離子體輔助熱蒸發(fā)形成的。在所述有機(jī)發(fā)光裝置中沒有形成微腔特性，從而避免作為觀看角度的函數(shù)的亮度變化和色差。
文檔編號H05B33/10GK101281954SQ200810089859
公開日2008年10月8日 申請日期2008年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月5日
發(fā)明者吳敏鎬, 宋英宇, 崔鎮(zhèn)白, 李善英, 李昌浩, 李昭玲, 李炳德, 李鐘赫, 趙尹衡, 金元鐘, 金容鐸 申請人:三星Sdi株式會社