本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種透明導(dǎo)電薄膜的制備方法及透明導(dǎo)電薄膜。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有電子設(shè)備如手機(jī)、電腦、電子手表等智能顯示設(shè)備均具備觸控功能。觸控屏由透明導(dǎo)電薄膜在顯示設(shè)備上蝕刻成不同圖案組合成觸控單元并電連接觸控芯片實(shí)現(xiàn)觸控功能，其中，透明導(dǎo)電薄膜最常用的為氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電薄膜，ITO導(dǎo)電膜的制備工藝影響著ITO導(dǎo)電薄膜的阻抗值、透過率等屬性，從而影響著設(shè)備的觸控精度、反應(yīng)速度、顯示清晰度等特性，在顯示屏的制造過程中具有重要的地位。

現(xiàn)有技術(shù)中，ITO導(dǎo)電薄膜的制備方法是直接在基材表面鍍制ITO導(dǎo)電薄膜層，該方法制備的ITO導(dǎo)電薄膜阻抗較高，導(dǎo)電性較差，并且ITO導(dǎo)電薄膜層的結(jié)晶性不佳。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種透明導(dǎo)電薄膜的制備方法及透明導(dǎo)電薄膜，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中制備的ITO導(dǎo)電薄膜阻抗較高，導(dǎo)電性較差，并且ITO導(dǎo)電薄膜層的結(jié)晶性不佳的問題。

為解決上述技術(shù)問題，一方面，本發(fā)明提供一種透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括：

將基材裝載于卷繞鍍膜機(jī)中，并將所述卷繞鍍膜機(jī)內(nèi)部抽真空；

所述基材進(jìn)入前處理腔室，通過所述前處理腔室內(nèi)的前處理裝置使氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體，以去除所述基材表面的水汽；

在所述基材的表面依次鍍介質(zhì)層和導(dǎo)電層。

進(jìn)一步，所述“所述基材進(jìn)入前處理腔室，通過所述前處理腔室內(nèi)的前處理裝置使氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體，以去除所述基材表面的水汽”步驟包括：所述前處理裝置利用氧氣和氬氣輝光放電產(chǎn)生等離子體去除所述基材表面的水汽。

進(jìn)一步，其特征在于，所述前處理腔室的真空度為1×10^-4mbar～9×10^-3mbar。

進(jìn)一步，所述“將基材裝載于卷繞鍍膜機(jī)中，并將所述卷繞鍍膜機(jī)內(nèi)部抽真空”之前，所述方法還包括：在所述基材表面涂覆亞克力樹脂層。

進(jìn)一步，所述介質(zhì)層為二氧化硅材料。

進(jìn)一步，所述導(dǎo)電層使用In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材以磁控濺射的方式制成，并且SnO₂的質(zhì)量占In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材質(zhì)量的0.3％～20％。

進(jìn)一步，所述In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材中，SnO₂的質(zhì)量占In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材質(zhì)量的8％～10％。

進(jìn)一步，所述導(dǎo)電層使用In-Sn金屬靶材以磁控濺射的方式制成。

進(jìn)一步，所述“所述基材進(jìn)入前處理腔室，通過所述前處理腔室內(nèi)的前處理裝置使氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體，以去除所述基材表面的水汽”之前，所述方法還包括：?jiǎn)?dòng)所述卷繞鍍膜機(jī)的鍍膜鼓的紅外升溫裝置，加熱所述基材至20℃-250℃，以提高前處理、鍍制介質(zhì)層、鍍制導(dǎo)電層的效果。

進(jìn)一步，鍍制導(dǎo)電層時(shí)使用的濺射電壓為400V～500V。

進(jìn)一步，鍍制導(dǎo)電層時(shí)磁控濺射陰極采用磁力強(qiáng)度為200G～1000G。

另一方面，本發(fā)明還提供一種透明導(dǎo)電薄膜，所述透明導(dǎo)電薄膜包括依次層疊設(shè)置的基材、介質(zhì)層及導(dǎo)電層，所述基材為聚酯樹脂類的塑料材料，所述介質(zhì)層為無機(jī)物或折射率在1.3～1.65之間的有機(jī)物，用于阻止所述基材上的鈉離子向顯示設(shè)備的液晶盒內(nèi)擴(kuò)散，所述導(dǎo)電層為氧化銦錫。

進(jìn)一步，所述透明導(dǎo)電薄膜還包括亞克力樹脂層，所述亞克力樹脂層位于所述基材與所述介質(zhì)層之間，用于降低所述基材表面的粗糙度。

本發(fā)明的有益效果如下：前處理除去基材表面的水汽，有利于ITO結(jié)晶，提高了ITO導(dǎo)電薄膜層的結(jié)晶性；基材表面先鍍制介質(zhì)層再鍍制導(dǎo)電層，制備的ITO導(dǎo)電薄膜阻抗低，導(dǎo)電性能較佳。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的明顯變形方式。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法的流程圖。

圖2為卷繞鍍膜機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為透明導(dǎo)電薄膜的層疊結(jié)構(gòu)圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法的流程圖，如圖所示，該制備方法的步驟如下：

步驟1、將基材裝載于卷繞鍍膜機(jī)中，并將卷繞鍍膜機(jī)內(nèi)部抽真空。

請(qǐng)結(jié)合圖2，卷繞鍍膜機(jī)包括依次連通的放卷端10、處理部分20及收卷端30，放卷端10設(shè)有放卷棍軸102、收卷端30設(shè)有收卷棍軸302，處理部分20設(shè)有鍍膜鼓200，為加工的基材11環(huán)繞在放卷棍軸102上，從放卷棍軸102伸出的基材11從鍍膜鼓200的一端環(huán)繞在鍍膜鼓200表面上，基材11在鍍膜鼓200表面環(huán)繞一周后從鍍膜鼓200的另一端離開鍍膜鼓200，離開鍍膜鼓200的基材11環(huán)繞在收卷棍軸302上。當(dāng)收卷棍軸302沿一個(gè)方向轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，收卷棍軸302將基材11環(huán)繞在收卷棍軸302上，并帶動(dòng)放卷棍軸102轉(zhuǎn)動(dòng)，離開放卷棍軸102的基材11繞鍍膜鼓200環(huán)繞一周后收容于收卷棍軸302上。

本實(shí)施方式中，處理部分20包括至少兩個(gè)貼合棍軸22，貼合棍軸22位于基材11貼合鍍膜鼓200的位置和基材11離開鍍膜鼓200的位置，用于降低基材11的張力，并且使基材11更緊密的貼合在鍍膜鼓200的表面上。進(jìn)一步的，處理部分20還包括多個(gè)導(dǎo)向棍軸24，導(dǎo)向棍軸24位于放卷棍軸102與鍍膜鼓200之間、收卷棍軸302與鍍膜鼓200之間，用于拉伸基材11并引導(dǎo)基材11沿預(yù)設(shè)的方向從放卷端10進(jìn)入處理部分20及從處理部分20進(jìn)入收卷端30，導(dǎo)向棍軸24也可以降低基材11的張力。

處理部分20按照基材11進(jìn)入的次序包括前處理腔室202、介質(zhì)層鍍膜腔室204及導(dǎo)電層鍍膜腔室206，分別用于在基材11表面進(jìn)行前處理、鍍制介質(zhì)層及鍍制導(dǎo)電層。前處理腔室202、介質(zhì)層鍍膜腔室204及導(dǎo)電層鍍膜腔室206均為獨(dú)立工作的加工腔室，并且各腔室之間具有一定的隔離度以保證基材11在各腔室內(nèi)獨(dú)立的完成加工工序而不受其他工序的影響，本實(shí)施例中介質(zhì)層鍍膜腔室204與導(dǎo)電層鍍膜腔室206的隔離度大于200。進(jìn)一步的，本實(shí)施例中，為提高鍍膜效率，處理部分20依次包括4個(gè)介質(zhì)層鍍膜腔室204和2個(gè)導(dǎo)電層鍍膜腔室206。

本實(shí)施方式中，卷繞鍍膜機(jī)內(nèi)部抽真空至1×10^-6mbar以下，其中前處理腔室202抽真空至1×10^-4mbar～9×10^-3mbar，介質(zhì)層鍍膜腔室204和導(dǎo)電層鍍膜腔室206抽真空至9×10^-4mbar～9×10^-3mbar。

基材11裝載于卷繞鍍膜機(jī)中，使用放卷棍軸102向處理部分20輸出未加工的基材11，使用收卷棍軸302從處理部分20回收加工完畢的基材11，提高了鍍膜過程的工作效率；卷繞鍍膜機(jī)抽真空，為前處理及鍍膜過程提供必要的加工環(huán)境，為后續(xù)工作做準(zhǔn)備。

步驟2、基材11進(jìn)入前處理腔室202，通過前處理腔室202內(nèi)的前處理裝置使氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體，以去除基材11表面的水汽。

鍍制介質(zhì)層和導(dǎo)電層之前，基材11進(jìn)入前處理腔室202利用前處理裝置清潔基材11表面，為后續(xù)鍍制介質(zhì)層和導(dǎo)電層提供更易鍍制的清潔、干燥基材11。具體的，前處理腔室202填充前處理工作氣體，對(duì)前處理工作氣體施加電壓使其輝光放電產(chǎn)生等離子體，當(dāng)基材11經(jīng)過等離子體時(shí)，等離子體去除基材11表面的水汽，達(dá)到活化基材11表面、增加ITO導(dǎo)電膜在基材11表面附著力的目的，為后續(xù)鍍制介質(zhì)層和導(dǎo)電層提供易于ITO結(jié)晶的清潔表面。一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，前處理氣體使用氬氣和氧氣的混合氣體，前處理腔室202抽真空至1×10^-4mbar～9×10^-3mbar。

本實(shí)施例中，在進(jìn)行前處理之前，卷繞鍍膜機(jī)啟動(dòng)鍍膜鼓200的升溫裝置，加熱鍍膜鼓200的溫度，具體的，鍍膜鼓200的升溫裝置為紅外升溫裝置，并將基材11加熱至20℃～250℃，一種較佳的實(shí)施方式中，鍍膜鼓200將基材11加熱至80℃～150℃。加熱基材11，利于基材11進(jìn)行前處理、鍍制介質(zhì)層、鍍制導(dǎo)電層等工序，可以提高ITO導(dǎo)電膜鍍制效果。

步驟3、基材11進(jìn)入介質(zhì)層鍍膜腔室204，采用磁控濺射的方式在基材11上鍍制介質(zhì)層。

介質(zhì)層采用磁控濺射的方式鍍制在基材11上，介質(zhì)層的材料可以是無機(jī)物，例如MgF₂、CaF₂、SiO₂等，也可以是折射率在1.3～1.65之間的有機(jī)物，例如亞克力樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂等，亦或是上述有機(jī)物與所述無機(jī)物的混合物。

本實(shí)施例中，介質(zhì)層材料使用SiO₂，介質(zhì)層鍍膜腔室204與導(dǎo)電層鍍膜腔室206之間需保持較大隔離度，以保證介質(zhì)層鍍膜腔室204內(nèi)的氧氣不會(huì)影響ITO導(dǎo)電層的形成，具體的，介質(zhì)層鍍膜腔室204與導(dǎo)電層鍍膜腔室206的隔離度大于200。一種較佳實(shí)施例中，介質(zhì)層鍍膜腔室204抽真空至9×10^-4mbar～9×10^-3mbar，靶材表面到基材11表面的距離為30mm～50mm，工作氣體使用氬氣和氧氣的混合氣體，磁控濺射陰極的磁力強(qiáng)度為100G～1500G?；?1表面先鍍制介質(zhì)層再鍍制導(dǎo)電層，制備的ITO導(dǎo)電薄膜阻抗低，導(dǎo)電性能較佳。

步驟4、基材11進(jìn)入導(dǎo)電層鍍膜腔室206，采用磁控濺射的方式在介質(zhì)層上鍍制導(dǎo)電層。

導(dǎo)電層鍍膜腔室206中，采用磁控濺射的方式在以鍍有介質(zhì)層的基材11上鍍制ITO導(dǎo)電薄膜，鍍制ITO導(dǎo)電薄膜的使用的靶材為In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材或者In-Sn金屬靶材。本實(shí)施例中，鍍制ITO導(dǎo)電薄膜的使用In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材，其中SnO₂的質(zhì)量占In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材質(zhì)量的0.3％～20％，一種較佳的實(shí)施方式中，SnO₂的質(zhì)量占In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材質(zhì)量的8％～10％。本步驟中使用的工作氣體采用純度為5N的氬氣和氧氣的混合氣體，利于形成均勻的導(dǎo)電膜層。并且，磁控濺射采用的濺射電壓為400V～500V，導(dǎo)電膜鍍膜腔室真空度為9×10^-4mbar～9×10^-3mbar，基材11溫度為80℃-150℃。磁控濺射陰極采用磁力強(qiáng)度為200G～1000G，其中，500G～800G效果最佳。本方法與工藝鍍制的導(dǎo)電層的ITO導(dǎo)電薄膜結(jié)晶性能好，阻抗低，導(dǎo)電性能較佳。

前處理除去基材11表面的水汽，有利于ITO結(jié)晶，提高了ITO導(dǎo)電薄膜層的結(jié)晶性；基材11表面先鍍制介質(zhì)層再鍍制導(dǎo)電層，制備的ITO導(dǎo)電薄膜透過率高，并且阻抗低，導(dǎo)電性能較佳，ITO導(dǎo)電薄膜層的阻抗約為100Ω/□，比現(xiàn)有技術(shù)制備的ITO導(dǎo)電薄膜層的阻抗小約為50Ω/□。

圖3所示為本發(fā)明實(shí)施例一提供的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法制備的透明導(dǎo)電薄膜的層疊結(jié)構(gòu)示意圖。透明導(dǎo)電薄膜包括三層，依次為基材11、介質(zhì)層12及導(dǎo)電層13。本實(shí)施例中，基材11選用聚酯樹脂類的塑料材料，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，PET)塑料或環(huán)烯烴類共聚物(COC)塑料，聚酯樹脂類的塑料具有良好的透明性、耐熱性及機(jī)械特性。優(yōu)選的，基材11厚度選擇2mm～100mm。介質(zhì)層12為無機(jī)物或折射率在1.3～1.65之間的有機(jī)物，用于阻止基材11上的鈉離子向顯示設(shè)備的液晶盒內(nèi)擴(kuò)散，導(dǎo)電層13為氧化銦錫。

本實(shí)施例中，透明導(dǎo)電薄膜還包括亞克力樹脂層，亞克力樹脂層位于基材11與介質(zhì)層12之間，用于降低基材11表面的粗糙度。

前處理除去基材11表面的水汽，有利于ITO結(jié)晶，提高了ITO導(dǎo)電薄膜層的結(jié)晶性；基材11表面先鍍制介質(zhì)層再鍍制導(dǎo)電層，制備的ITO導(dǎo)電薄膜透過率高，并且阻抗低，導(dǎo)電性能較佳，ITO導(dǎo)電薄膜層的阻抗約為100Ω/□，比現(xiàn)有技術(shù)制備的ITO導(dǎo)電薄膜層的阻抗小約為50Ω/□。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的透明導(dǎo)電薄膜的制備方法的流程圖，如圖所示，該制備方法的步驟如下：

步驟1、提供基材，并在基材表面涂覆亞克力樹脂層。

基材表面涂覆亞克力樹脂層，亞克力樹脂層降低基材表面粗糙度，利于后續(xù)鍍制介質(zhì)層和導(dǎo)電層，同時(shí)可以匹配光學(xué)性能，降低透明導(dǎo)電薄膜反射率，提高透明導(dǎo)電薄膜的透過率。

步驟2、將基材裝載于卷繞鍍膜機(jī)中，并將卷繞鍍膜機(jī)內(nèi)部抽真空。

請(qǐng)參閱圖2，卷繞鍍膜機(jī)包括依次連通的放卷端10、處理部分20及收卷端30，放卷端10設(shè)有放卷棍軸102、收卷端30設(shè)有收卷棍軸302，處理部分20設(shè)有鍍膜鼓200，為加工的基材11環(huán)繞在放卷棍軸102上，從放卷棍軸102伸出的基材11從鍍膜鼓200的一端環(huán)繞在鍍膜鼓200表面上，基材11在鍍膜鼓200表面環(huán)繞一周后從鍍膜鼓200的另一端離開鍍膜鼓200，離開鍍膜鼓200的基材11環(huán)繞在收卷棍軸302上。當(dāng)收卷棍軸302沿一個(gè)方向轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，收卷棍軸302將基材11環(huán)繞在收卷棍軸302上，并帶動(dòng)放卷棍軸102轉(zhuǎn)動(dòng)，離開放卷棍軸102的基材11繞鍍膜鼓200環(huán)繞一周后收容于收卷棍軸302上。

本實(shí)施方式中，處理部分20包括至少兩個(gè)貼合棍軸22，貼合棍軸22位于基材11貼合鍍膜鼓200的位置和基材11離開鍍膜鼓200的位置，用于降低基材11的張力，并且使基材11更緊密的貼合在鍍膜鼓200的表面上。進(jìn)一步的，處理部分20還包括多個(gè)導(dǎo)向棍軸24，導(dǎo)向棍軸24位于放卷棍軸102與鍍膜鼓200之間、收卷棍軸302與鍍膜鼓200之間，用于拉伸基材11并引導(dǎo)基材11沿預(yù)設(shè)的方向從放卷端10進(jìn)入處理部分20及從處理部分20進(jìn)入收卷端30，導(dǎo)向棍軸24也可以降低基材11的張力。

處理部分20按照基材11進(jìn)入的次序包括前處理腔室202、介質(zhì)層鍍膜腔室204及導(dǎo)電層鍍膜腔室206，分別用于在基材11表面進(jìn)行前處理、鍍制介質(zhì)層及鍍制導(dǎo)電層。前處理腔室202、介質(zhì)層鍍膜腔室204及導(dǎo)電層鍍膜腔室206均為獨(dú)立工作的加工腔室，并且各腔室之間具有一定的隔離度以保證基材11在各腔室內(nèi)獨(dú)立的完成加工工序而不受其他工序的影響，本實(shí)施例中介質(zhì)層鍍膜腔室204與導(dǎo)電層鍍膜腔室206的隔離度大于200。進(jìn)一步的，本實(shí)施例中，為提高鍍膜效率，處理部分20依次包括4個(gè)介質(zhì)層鍍膜腔室204和2個(gè)導(dǎo)電層鍍膜腔室206。

本實(shí)施方式中，卷繞鍍膜機(jī)內(nèi)部抽真空至1×10^-6mbar以下，其中前處理腔室202抽真空至1×10^-4mbar～9×10^-3mbar，介質(zhì)層鍍膜腔室204和導(dǎo)電層鍍膜腔室206抽真空至9×10^-4mbar～9×10^-3mbar。

基材11裝載于卷繞鍍膜機(jī)中，使用放卷棍軸102向處理部分20輸出未加工的基材11，使用收卷棍軸302從處理部分20回收加工完畢的基材11，提高了鍍膜過程的工作效率；卷繞鍍膜機(jī)抽真空，為前處理及鍍膜過程提供必要的加工環(huán)境，為后續(xù)工作做準(zhǔn)備。

步驟3、基材11進(jìn)入前處理腔室202，通過前處理腔室202內(nèi)的前處理裝置使氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體，以去除亞克力樹脂層表面的水汽。

鍍制介質(zhì)層和導(dǎo)電層之前，基材11進(jìn)入前處理腔室202利用前處理裝置清潔亞克力樹脂層表面，為后續(xù)鍍制介質(zhì)層和導(dǎo)電層提供更易鍍制的清潔、干燥基材11。具體的，前處理腔室202填充前處理工作氣體，對(duì)前處理工作氣體施加電壓使其輝光放電產(chǎn)生等離子體，當(dāng)基材11經(jīng)過等離子體時(shí)，等離子體去除亞克力樹脂層表面的水汽，達(dá)到活化基材11表面、增加ITO導(dǎo)電膜在亞克力樹脂層表面附著力的目的，為后續(xù)鍍制介質(zhì)層和導(dǎo)電層提供易于ITO結(jié)晶的清潔表面。一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，前處理氣體使用氬氣和氧氣的混合氣體，前處理腔室202抽真空至1×10^-4mbar～9×10^-3mbar。

本實(shí)施例中，在進(jìn)行前處理之前，卷繞鍍膜機(jī)啟動(dòng)鍍膜鼓200的升溫裝置，加熱鍍膜鼓200的溫度，具體的，鍍膜鼓200的升溫裝置為紅外升溫裝置，并將基材11加熱至20℃～250℃，一種較佳的實(shí)施方式中，鍍膜鼓200將基材11加熱至80℃～150℃。加熱基材11，利于基材11進(jìn)行前處理、鍍制介質(zhì)層、鍍制導(dǎo)電層等工序，可以提高ITO導(dǎo)電膜鍍制效果。

步驟4、基材11進(jìn)入介質(zhì)層鍍膜腔室204，采用磁控濺射的方式在基材11的亞克力樹脂層上鍍制介質(zhì)層。

介質(zhì)層采用磁控濺射的方式鍍制在亞克力樹脂層上，介質(zhì)層的材料可以是無機(jī)物，例如MgF₂、CaF₂、SiO₂等，也可以是折射率在1.3～1.65之間的有機(jī)物，例如亞克力樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂等，亦或是上述有機(jī)物與所述無機(jī)物的混合物。

本實(shí)施例中，介質(zhì)層材料使用SiO₂，介質(zhì)層鍍膜腔室204與導(dǎo)電層鍍膜腔室206之間需保持較大隔離度，以保證介質(zhì)層鍍膜腔室204內(nèi)的氧氣不會(huì)影響ITO導(dǎo)電層的形成，具體的，介質(zhì)層鍍膜腔室204與導(dǎo)電層鍍膜腔室206的隔離度大于200。一種較佳實(shí)施例中，介質(zhì)層鍍膜腔室204抽真空至9×10^-4mbar～9×10^-3mbar，靶材表面到基材11表面的距離為30mm～50mm，工作氣體使用氬氣和氧氣的混合氣體，磁控濺射陰極的磁力強(qiáng)度為100G～1500G。亞克力樹脂層表面先鍍制介質(zhì)層再鍍制導(dǎo)電層，制備的ITO導(dǎo)電薄膜阻抗低，導(dǎo)電性能較佳。

步驟5、基材11進(jìn)入導(dǎo)電層鍍膜腔室206，采用磁控濺射的方式在介質(zhì)層上鍍制導(dǎo)電層。

導(dǎo)電層鍍膜腔室206中，采用磁控濺射的方式在以鍍有介質(zhì)層的基材11上鍍制ITO導(dǎo)電薄膜，鍍制ITO導(dǎo)電薄膜的使用的靶材為In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材或者In-Sn金屬靶材。本實(shí)施例中，鍍制ITO導(dǎo)電薄膜的使用In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材，其中SnO₂的質(zhì)量占In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材質(zhì)量的0.3％～20％，一種較佳的實(shí)施方式中，SnO₂的質(zhì)量占In₂O₃-SnO₂陶瓷靶材質(zhì)量的8％～10％。本步驟中使用的工作氣體采用純度為5N的氬氣和氧氣的混合氣體，利于形成均勻的導(dǎo)電膜層。并且，磁控濺射采用的濺射電壓為400V～500V，導(dǎo)電膜鍍膜腔室真空度為9×10^-4mbar～9×10^-3mbar，基材11溫度為80℃～150℃。磁控濺射陰極采用磁力強(qiáng)度為200G～1000G，其中，500G～800G效果最佳。本方法與工藝鍍制的導(dǎo)電層的ITO導(dǎo)電薄膜結(jié)晶性能好，阻抗低，導(dǎo)電性能較佳。

前處理除去基材11表面的水汽，有利于ITO結(jié)晶，提高了ITO導(dǎo)電薄膜層的結(jié)晶性；基材11表面先鍍制介質(zhì)層再鍍制導(dǎo)電層，制備的ITO導(dǎo)電薄膜透過率高，并且阻抗低，導(dǎo)電性能較佳，ITO導(dǎo)電薄膜層的阻抗約為100Ω/□，比現(xiàn)有技術(shù)制備的ITO導(dǎo)電薄膜層的阻抗小約為50Ω/□。

本實(shí)施例中，基材11選用聚酯樹脂類的塑料材料，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，PET)塑料或環(huán)烯烴類共聚物(COC)塑料，聚酯樹脂類的塑料具有良好的透明性、耐熱性及機(jī)械特性。優(yōu)選的，基材11厚度選擇2mm～100mm。

前處理除去亞克力樹脂層表面的水汽，有利于ITO結(jié)晶，提高了ITO導(dǎo)電薄膜層的結(jié)晶性；基材11上的亞克力樹脂層表面先鍍制介質(zhì)層再鍍制導(dǎo)電層，制備的ITO導(dǎo)電薄膜透過率高，并且阻抗低，導(dǎo)電性能較佳，ITO導(dǎo)電薄膜層的阻抗約為100Ω/□，比現(xiàn)有技術(shù)制備的ITO導(dǎo)電薄膜層的阻抗小約為50Ω/□。

以上所揭露的僅為本發(fā)明幾種較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。