專利名稱：包括嵌入式電容器的印刷電路板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及在其中嵌入電容器層合物或電容器的印刷電路板。更具體地，本發(fā)明涉及包括聚合物電容器層合物的PCB，其能夠顯示出比包括嵌入式電容器的傳統(tǒng)PCB更高的單位面積電容密度，以便將具有不同電容值的電容器，例如具有高電容量的多層陶瓷電容器(MLCCs)嵌入到PCB中，而不是被安裝在PCB上；以及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，電容器以電場形式儲存能量。當(dāng)對電容器加上DC電壓時(shí)，電容器被充電但電流流動停止。另一方面，如果將AC電壓連接到電容器上，則流過電容器的電流取決于電容器充電放電時(shí)所用AC信號的頻率和電容器的電容值。
因而，具有上述性質(zhì)的電容器作為用于多種目的必須的無源元件，例如，用于如數(shù)字電路、模擬電路和高頻電路的電路和電子電路中的耦合和退耦、濾波、阻抗匹配、電荷泵和解調(diào)。此外，以不同形式制造的電容器，如片式或圓片，已被用于在PCB上的安裝的情形中。
然而，電子設(shè)備的小型化和復(fù)雜化導(dǎo)致在PCB上用來安裝無源元件的面積減小。當(dāng)頻率隨高速電子設(shè)備而變得更高時(shí)，在無源元件和IC之間也會由導(dǎo)體和焊料等產(chǎn)生寄生阻抗，因而導(dǎo)致一些問題。為解決這些問題，已作出多種嘗試以將電容器嵌入到PCB中，這些嘗試主要由PCB、電和電子元件的制造商所引導(dǎo)。
雖然長期以來分立片式電阻或分立片式電容器被安裝在PCB上，但包括嵌入式的如電阻或電容器的無源元件的PCB僅僅最近才被開發(fā)。
在制造包括嵌入式無源元件的PCB的技術(shù)中，采用新材料和新工藝提供如電阻或電容器的無源元件來取代傳統(tǒng)片式電阻和片式電容器。即，包括嵌入式無源元件的PCB意味著無源元件，例如電容器被嵌入到PCB內(nèi)層中。無論P(yáng)CB自身尺寸如何，只要作為無源元件的電容器被引入到PCB中，就稱之為“嵌入式電容器”。該基板稱為嵌入式電容器PCB。嵌入式電容器PCB的主要特征在于電容器被裝入PCB內(nèi)部，而無需安裝在PCB上。
圖1a-1e示出制造包括嵌入式聚合物膜型電容器的PCB的傳統(tǒng)制造方法，其中聚合物電容器漿料被涂覆在基板上而后加熱干燥(或固化)，以實(shí)現(xiàn)包括嵌入式聚合物膜型電容器的PCB。
在第一步中，包含F(xiàn)R-4增強(qiáng)基片42的PCB內(nèi)層41的銅箔層被涂覆以干膜，接著被曝光和顯影。然后，蝕刻該銅箔層以形成陽極銅箔44a和44b，陰極銅箔43a和43b以及其間的空間(圖1a)。
在第二步中，將由含有高介電常數(shù)陶瓷粉末的聚合物組成的電容器糊45a和45b通過絲網(wǎng)印刷工藝涂覆于陰極銅箔43a和43b上，隨后干燥或固化(圖1b)。此處，絲網(wǎng)印刷是通過將如墨水的媒介涂到模版絲網(wǎng)上，采用擠壓方法進(jìn)行，從而將圖案轉(zhuǎn)移到基板上。
該步中，用電容器糊45a和45b填充陽極銅箔44a和44b與陰極銅箔43a和43b之間的空間。
在第三步中，使用絲網(wǎng)印刷工藝將包括銀和銅的導(dǎo)電糊形成到陽極46a和46b中，并干燥或固化(圖1c)。
在第四步中，將經(jīng)歷第一至第三步驟的PCB內(nèi)層41的電容器層插入到絕緣層47a和47b之間，隨后層合(圖1d)。
在第五步中，形成穿過層合物的貫通孔和激光盲通孔49a和49b，借此將存在于PCB內(nèi)層的電容器連接到安裝在PCB外側(cè)的IC芯片52a、52b的正極端51a、51b和負(fù)極端50a、50b，從而作為嵌入式電容器(圖1e)。
同樣，公開了通過以陶瓷填充的光敏樹脂涂覆PCB來制造嵌入式分立型電容器的方法，其已被美國摩托羅拉公司取得專利。上述方法包括將含有陶瓷粉末的光敏樹脂涂覆于基板上，在樹脂層上層合銅箔以形成上電極和下電極，形成電路圖案，然后蝕刻光敏樹脂，得到分立電容器。
此外，提出用PCB內(nèi)層中各自包括具有電容特性的電介質(zhì)層來制造嵌入式電容器的方法，以用來替代安裝在PCB上的去耦電容器，該方法已由Sanmina.Co Ltd.，USA.取得專利。在該方法中，包括電源電極和接地電極的電介質(zhì)層被引入到PCB的內(nèi)層中，以得到電源分布去耦電容器。
實(shí)施上述技術(shù)的多種工藝正在研究中，其中具體實(shí)施每項(xiàng)工藝的方法有改變。
在這方面，授予Howard等人的美國專利No.5,079,069公開了用于電容性印刷電路板的電容器層合物以及其制造方法，其中使用了“虛構(gòu)電容器”的概念，以制造包含作為由導(dǎo)電材料片形成的結(jié)構(gòu)剛性組件和電介質(zhì)材料中間片的層合電容器的PCB，其與大量器件工作連接。
授予Sisler等人的美國專利No.5,010,641也公開了一種制造多層印刷電路板的方法，通過提供一個或多個完全固化的電源-接地面夾心元件，其與所述板的其它部分固化元件層和電路圖案形成元件一起層合，以消除對旁路(by-pass)電容器的需要。
在根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的嵌入式電容器PCB中，片式電容器嵌入PCB部分中，或?qū)纹碗娊橘|(zhì)層插入到構(gòu)成PCB的層之間。
然而，由上述技術(shù)制造的嵌入式電容器PCB具有0.5-3nF每英寸的電容密度，其值不足以將電容器完全嵌入到PCB中。而且，在無源元件的安裝面積的減少方面存在局限性。
因此，需要嵌入高密度電容器的新技術(shù)，例如MLCCs，其目前安裝在PCB中而沒有嵌入PCB中，來實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)嵌入式電容器PCB更高的單位面積電容密度。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明牢記發(fā)生在相關(guān)領(lǐng)域的上述問題，并且本發(fā)明的一個目的在于提供包括在其中引入電介質(zhì)層合物的嵌入式電容器的PCB，以及其制造方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供表現(xiàn)出比傳統(tǒng)嵌入式電容器PCB更高電容密度的包括嵌入式電容器的PCB，以及其制造方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供在其中用于安裝無源元件的面積急劇減少的包括嵌入式電容器的PCB，以及其制造方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供包括嵌入式電容器的PCB，其中電容器可以被適當(dāng)設(shè)計(jì)從而可在有限厚度的PCB中實(shí)現(xiàn)多種電容值，以及其制造方法。
為了完成上述目標(biāo)，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了制造包括嵌入式電容器的PCB的方法，該方法包括形成包括多個聚合物電容器層的聚合物電容器層合物，其每一個都包括具有高介電常數(shù)的聚合物片和形成在聚合物片上的導(dǎo)電圖案；形成穿過雙面CCL用來層間連接的通孔和在雙面CCL上的電路圖案，以制備形成圖案的CCL；將形成圖案的CCL層疊到聚合物電容器層合物的任一面上；以及形成穿過聚合物電容器層合物的通孔和聚合物電容器層合物上的電路圖案。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供制造包括嵌入式電容器的PCB的方法，該方法包括形成包括多個聚合物電容器層的聚合物電容器層合物，其每一個都包括具有高介電常數(shù)的聚合物片和形成在聚合物片上的導(dǎo)電圖案；形成穿過聚合物電容器層合物的通孔；通過電鍍來填充通孔并形成電路圖案；形成穿過雙面CCL的通孔和雙面CCL上的電路圖案，以制備形成圖案的CCL；將絕緣層層疊到聚合物電容器層合物的一面或兩面；將形成圖案的CCL層疊在絕緣層上；形成穿過PCB用于層間電連接的通孔；和通過電鍍來填充通孔并在PCB上形成電路圖案。
此外，提供包括嵌入式電容器的PCB，包括具有多個聚合物電容器層的聚合物電容器層合物，其每一個都有聚合物片和形成在聚合物片上的導(dǎo)體圖案，以及穿過其中用來層間連接的通孔；和形成在聚合物層合物一面或兩面上的，并且具有電路圖案和穿過其中用來層間連接的通孔的電路圖案層。


由以下結(jié)合附圖的詳細(xì)說明，將能更好地理解本發(fā)明地上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。
圖1a-1e示出制造包括嵌入式聚合物膜型電容器的傳統(tǒng)方法；圖2、3a、3b、4和5a-5d示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方案制造包括嵌入式電容器的過程；圖6a-6g示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方案制造包括嵌入式電容器的過程；圖7a-7d示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方案制造包括嵌入式電容器的過程；圖8a-8b示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方案制造包括嵌入式電容器的過程。
具體實(shí)施例方式
下文中，將參照附圖給出本發(fā)明的詳細(xì)描述。
圖2、3a、3b、4和5a-5d示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方案制造包括嵌入式電容器的過程。
如圖2所示，在具有高介電常數(shù)的寬平聚合物片22上將導(dǎo)體23，如鋁或銅，形成為預(yù)定圖案，以形成聚合物電容器層21。
導(dǎo)體23形成圖案的方法包括，例如干法如濺射，和濕法如絲網(wǎng)印刷。
圖3a中，排列具有第一導(dǎo)體圖案23a的第一聚合物電容器層21a和具有第二導(dǎo)體圖案23b的第二聚合物電容器層21b，然后層合到一起。從圖3中明顯可見，第一和第二電容器層21a和21b的第一和第二導(dǎo)體圖案23a和23b的位置分別彼此相對變動，因而形成層合電容器形式。雖然圖3a所示的導(dǎo)體圖案23a和23b向左右移動，但是它們可以上下或沿預(yù)定方向移動。
作為可選擇的方案，可將第一導(dǎo)體圖案23a、第二聚合物片22b和第二導(dǎo)體圖案23b依序?qū)盈B在第一聚合物片22a上。
此外，雖然采用兩個聚合物電容器層21a和21b的層疊過程示于圖3a，但是層疊的聚合物電容器層的數(shù)量可依所需電容量而適當(dāng)控制。
更具體地，電容量隨電容器的面積和厚度而變，由以下方程1計(jì)算方程1C＝εrε0(A/D)其中，εr為電介質(zhì)材料的介電常數(shù)，ε0是值為8.855×10-8的常數(shù)，A為電介質(zhì)材料的表面積。即，要得到具有高電容量的電容器，則電介質(zhì)材料必須具有高介電常數(shù)。同樣，當(dāng)電介質(zhì)材料的厚度減少并且其表面積增加時(shí)，可得到具有更高電容量的電容器。如果層合的聚合物電容器層數(shù)量增加，則電介質(zhì)材料的表面積增加，因而電容量增加。同時(shí)，如果層合的聚合物電容器層數(shù)量減少，則得到具有低電容量的電容器。因而，在本發(fā)明中，調(diào)節(jié)聚合物電容器層數(shù)量來確定嵌入PCB的電容器的電容值。
圖3b示出具有多個平聚合物電容器層的聚合物電容器層合物31的截面圖。由多個聚合物電容器層層合得到的聚合物電容器層合物31具有插入在高介電常數(shù)的聚合物片32之間的具有預(yù)定圖案的導(dǎo)體33結(jié)構(gòu)。
圖4中，通過激光打孔法或機(jī)械打孔法，將通孔44形成在包括FR-4增強(qiáng)基片42和其兩個表面上的銅箔層的CCL基板的預(yù)定位置上，然后通過電鍍工藝填充通孔。然后，在CCL基板兩個表面上施加干膜，隨后曝光和顯影。結(jié)果，銅箔層被蝕刻形成電路圖案43，從而制備形成圖案的CCL 41。
可通過選自蝕刻法、電鍍法以及其組合中的任一方法來形成電路圖案43。此外，除了作為CCL基板的FR-4增強(qiáng)基片以外，可以使用任何CCL基板，只要其包括適合PCB最終用途的材料。
圖5a中，圖3b中的聚合物電容器層合物31被層疊在形成圖案的CCL 41上。
圖5b中，形成穿過聚合物電容器層合物31用來層間連接的通孔34，并且通過電鍍工藝或填料來填充。然后，在聚合物電容器層合物31上，通過電鍍工藝形成銅箔層，接著涂覆干膜，隨后曝光和顯影。結(jié)果，銅箔層被蝕刻形成電路圖案35?？赏ㄟ^選自蝕刻法、電鍍法以及其組合中的任一方法來形成電路圖案35。
圖5c中，在聚合物電容器層合物31上，層疊包括絕緣層52和銅箔層53的單面CCL基板51，例如RCC(銅涂覆樹脂)。
圖5d中，穿過CCL基板51形成通孔54，之后用干膜涂覆CCL基板51的銅箔層，接著曝光和顯影。然后，蝕刻銅箔層，形成所需電路圖案53。
如圖5d所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的包括嵌入式電容器的PCB中有包括具有高介電常數(shù)電介質(zhì)材料的聚合物電容器層合物31。
圖6a-6f示出根據(jù)本發(fā)明的第二方面制造包括嵌入式電容器的過程。
圖6a中，在由圖2、3a和3b所示過程得到的聚合物電容器層合物31上的預(yù)定位置打孔形成通孔34。同樣地，優(yōu)選執(zhí)行激光打孔法。
圖6b中，將光敏膜層合在聚合物電容器層合物31的兩個表面上，之后將具有預(yù)定圖案的掩模置于光敏膜上，隨后曝光，形成膜圖案。然后，該膜圖案經(jīng)過化學(xué)鍍和電鍍，形成電路圖案61。形成電路圖案61的同時(shí)，通過電鍍填充通孔34。
當(dāng)如以上所述來形成聚合物電容器層合物31時(shí)，如圖6c所示，分別制備具有電路圖案63a和63b的形成圖案的CCL 62a和62b。可通過形成用來在CCL的兩個表面上蝕刻的光刻膠圖案并隨后通過蝕刻，或者形成用來在其上電鍍的光刻膠圖案并隨后通過電鍍，來得到形成圖案的CCL 62a和62b，其中CCL包括分別形成在其兩側(cè)表面上的絕緣層64a和64b以及銅箔層。
圖6d中，用來層間絕緣的絕緣層，例如半固化片65a和65b，被置于具有如圖6b所示的通孔34的聚合物電容器層合物31兩個表面上，之后將形成圖案的CCL 62a和62b層疊在絕緣層65a和65b上，隨后壓合到一起。
圖6e中，形成貫通孔66a和66b以電連接形成圖案的CCL 62a和62b的電路圖案63a、63b和形成在聚合物電容器層合物31上的電路圖案61。然后，通過電鍍法用導(dǎo)電材料填充貫通孔66a和66b。
圖6f中，將另一電路圖案層、用來層間絕緣的絕緣層，例如半固化片65c、和形成圖案的CCL 62c依序疊合在圖6e所示的基板下表面上，隨后壓合。該形成圖案的CCL 62c包括形成在其兩個表面上的絕緣層64c和電路圖案63c。
圖6g中，激光打孔形成貫通孔66c來電連接在附加層CCL 62c上的電路圖案63c到其它層的電路圖案上。同樣，激光打孔形成完全貫穿基板的貫通孔67。通過電鍍法用導(dǎo)電材料填充貫通孔66c和67。
如圖6g所示，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案的包括嵌入式電容器的PCB有包括具有高介電常數(shù)電介質(zhì)材料的聚合物電容器層合物31。
雖然在聚合物電容器層合物31的兩個表面上形成電路圖案的方法示于圖6a-6g，但是可僅在聚合物電容器層合物31的一個表面上形成另外的電路圖案層，或可通過重復(fù)上述過程額外形成所需數(shù)量的多個半固化片和電路圖案層。
圖7a-7d示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方案制造包括嵌入式電容器的工藝。
圖7a中，如上述實(shí)施方案一樣，由鋁或銅制成的且具有預(yù)定圖案的導(dǎo)體圖案73a和73b分別形成在具有高介電常數(shù)的寬平聚合物片72a和72b上，以制備第一和第二聚合物電容器層71a和71b。
導(dǎo)體圖案可通過干法如濺射，或濕法如絲網(wǎng)印刷來形成。
分別排列具有第一和第二導(dǎo)體圖案73a和73b的第一和第二聚合物電容器層71a和71b，然后層疊到一起。作為可替換的方案，在第一導(dǎo)體圖案73a形成在第一聚合物片72a上之后，層疊第二聚合物片72b到第一導(dǎo)體圖案73a上，然后可將相對于第一聚合物電容器層71a的第一導(dǎo)體圖案73a移動的導(dǎo)體圖案形成在第二聚合物片72b上。這樣，就得到了所需聚合物電容器層合物。
由圖7a顯見，當(dāng)將第一聚合物電容器層71a與第二聚合物電容器層71b相比較時(shí)，可見在第二聚合物電容器層71b的第二導(dǎo)體圖案73b中省略了第一聚合物電容器層71a的第一導(dǎo)體圖案73a的預(yù)定部分。
示于圖7a中的第一和第二聚合物電容器層71a和71b彼此相對移動和多層疊合，從而得到具有圖7b所示截面的聚合物電容器層合物71。即，聚合物電容器層合物71的一部分75示出在聚合物電容器層合物71的厚度方向均勻分布的導(dǎo)體圖案，同時(shí)聚合物電容器層合物71的其它部分76示出在聚合物電容器層合物71的厚度方向局部分布的導(dǎo)體圖案。
結(jié)果，如圖7c所示打孔形成通孔74。圖7d中，通過電鍍法填充通孔74，同時(shí)形成電路圖案77。然后，將具有電路圖案和絕緣層的CCL順序?qū)盈B在如圖7d所示的聚合物電容器層合物71的兩側(cè)表面上，并且從而制造包括嵌入式電容器的PCB。
這樣，不同設(shè)計(jì)的電容器可在具有有限厚度的聚合物電容器層合物71中實(shí)現(xiàn)多種電容量。
具體地，根據(jù)方程1，電容器電容量的增加正比于電容器電極的面積。在根據(jù)本發(fā)明的聚合物電容器層合物中，以折疊形狀提供平面式電容器。因而，如果聚合物電容器層數(shù)量增加，則可顯示如平面式電容器電極面積擴(kuò)大的相同效果。從而增加電容值。
圖7b中，需要高電容量的部分75包括更大數(shù)量的具有導(dǎo)體圖案的聚合物電容器層，將電極與之相連接，以實(shí)現(xiàn)具有高電容量的電容器。另一方面，需要低電容量的另一部分76包括更少具有導(dǎo)體圖案的層，以得到具有低電容量的電容器。
通過調(diào)節(jié)聚合物電容器層合物導(dǎo)體圖案的面積，設(shè)計(jì)需要高電容量的電容器部分以增加導(dǎo)體圖案的面積，同時(shí)設(shè)計(jì)需要低電容量的導(dǎo)體部分以減少導(dǎo)體圖案的面積。從而，可在具有有限厚度的聚合物電容器層合物中設(shè)計(jì)不同的具有所需值的電容器。
圖8a和8b示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方案的聚合物電容器層合物的截面圖。
在如圖7a所形成的聚合物電容器層被多層疊合后，形成貫穿具有在基板厚度方向均勻分布導(dǎo)體圖案的部分的貫通孔84，并且形成穿過具有部分分布導(dǎo)體圖案的一部分的盲通孔85和85’，以實(shí)現(xiàn)具有低電容量的電容器，如圖8a所示。通過激光打孔工藝形成貫通孔84，同時(shí)通過根據(jù)所需深度適當(dāng)控制激光強(qiáng)度來形成盲通孔85和85’。
圖8b中，通過電鍍工藝填充孔84、85、85’，并且在聚合物電容器層合物81上形成電路圖案86。
然后，如上述實(shí)施方案一樣，具有電路圖案和絕緣層的CCL被順序?qū)盈B在圖8b所示的聚合物電容器層合物81上，從而得到包括嵌入式電容器的PCB。
如上所述，本發(fā)明提供包括嵌入式電容器的PCB及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的PCB及其制造方法，相比包括嵌入式電容器的傳統(tǒng)PCB，本發(fā)明的PCB具有更高的電容密度(100μF/mm2或更高)。因而，以前被安裝在電子電路板上的具有高電容量的電容器可在其中形成。
根據(jù)本發(fā)明的PCB及其制造方法，對比傳統(tǒng)方法，在PCB上無源元件的安裝面積可急劇減少，并且電容器的電容量也可由聚合物層的數(shù)量，以及聚合物層和電極層面積來控制。因而，可設(shè)計(jì)多種可靠的電容器。
根據(jù)本發(fā)明的PCB及其制造方法，可將具有不同電容量的電容器嵌入到具有有限厚度的PCB中。
根據(jù)本發(fā)明的PCB及其制造方法，可減少如在傳統(tǒng)嵌入式電容器PCB中產(chǎn)生的寄生電感，從而將高速IC中的信號錯誤和劣化減到最小。
雖然為了說明的目的公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到可以作出不同的修改、增加和替換，而不偏離所附權(quán)利要求所公開的本發(fā)明范圍和精神。
權(quán)利要求
1.一種制造包括嵌入式電容器的印刷電路板的方法，包括形成包括多個聚合物電容器層的聚合物電容器層合物，其每一個都包括具有高介電常數(shù)的聚合物片和形成在聚合物片上的導(dǎo)電圖案；形成穿過雙面覆銅層合物的通孔和在雙面覆銅層合物上的電路圖案，以制備形成圖案的覆銅層合物；將形成圖案的覆銅層合物層疊到聚合物電容器層合物的任一面上；和形成穿過聚合物電容器層合物的通孔和聚合物電容器層合物上的電路圖案。
2.權(quán)利要求1的方法，其中聚合物電容器層合物的形成包括在第一聚合物片上形成第一導(dǎo)體圖案；將第二聚合物片層疊在第一導(dǎo)體圖案上；和在第二聚合物片上形成第二導(dǎo)體圖案。
3.權(quán)利要求1的方法，其中聚合物電容器層合物的形成包括制備具有第一導(dǎo)體圖案的第一聚合物電容器層；制備具有第二導(dǎo)體圖案的第二聚合物電容器層；和將第二聚合物電容器層層疊在第一聚合物電容器層上。
4.權(quán)利要求1的方法，其中形成穿過聚合物電容器層合物的通孔和在聚合物電容器層合物上的電路圖案，包括在聚合物電容器層合物上的預(yù)定位置形成通孔；用導(dǎo)電材料填充聚合物電容器層合物的通孔；和在聚合物電容器層合物上形成電路圖案。
5.權(quán)利要求1的方法，還包括將預(yù)定數(shù)量的單面覆銅層合物層疊在印刷電路板的一面或兩面上；和形成穿過層狀覆銅層合物的通孔和在層狀覆銅層合物上的電路圖案。
6.一種制造包括嵌入式電容器的印刷電路板的方法，包括形成包括多個聚合物電容器層的聚合物電容器層合物，其每一個都包括具有高介電常數(shù)的聚合物片和形成在聚合物片上的導(dǎo)電圖案；形成穿過聚合物電容器層合物的通孔；通過電鍍填充通孔并形成電路圖案；形成穿過雙面覆銅層合物的通孔和雙面覆銅層合物上的電路圖案，以制備形成圖案的覆銅層合物；將絕緣層層疊到聚合物電容器層合物的一面或兩面上；將形成圖案的覆銅層合物層疊在絕緣層上；和通過電鍍來填充通孔并在印刷電路板上形成電路圖案。
7.權(quán)利要求6的方法，其中聚合物電容器層合物的形成包括在第一聚合物片上形成第一導(dǎo)體圖案；將第二聚合物片層疊在第一導(dǎo)體圖案上；和在第二聚合物片上形成第二導(dǎo)體圖案。
8.權(quán)利要求6的方法，其中聚合物電容器層合物的形成包括制備具有第一導(dǎo)體圖案的第一聚合物電容器層；制備具有第二導(dǎo)體圖案的第二聚合物電容器層；和將第二聚合物電容器層層疊在第一聚合物電容器層上。
9.權(quán)利要求6的方法，形成穿過雙面覆銅層合物的通孔和在雙面覆銅箔層合物上的電路圖案，包括在聚合物電容器層合物上的預(yù)定位置形成通孔；用導(dǎo)電材料填充聚合物電容器層合物的通孔；和在聚合物電容器層合物上形成電路圖案。
10.權(quán)利要求6的方法，還包括制備具有通孔和電路圖案的另一個形成圖案的覆銅層合物；將絕緣層層疊到印刷電路板的一面或兩面上；將形成圖案的覆銅層合物層疊到絕緣層上；形成穿過層狀覆銅層合物的用來層間連接的貫通孔；和用導(dǎo)電材料填充貫通孔。
11.一種包括嵌入式電容器的印刷電路板，包括包括多個聚合物電容器層的聚合物電容器層合物，其每一個都包括聚合物片和形成在聚合物片上的導(dǎo)體圖案，和穿過其中的用來層間連接的通孔；和形成在聚合物電容器層合物一面或兩面上，并且具有電路圖案的電路層和穿過其中的用來層間連接的通孔。
12.權(quán)利要求11的方法，其中聚合物電容器層合物還包括穿過其中用來連接到外部電源線或地線的通孔。
13.權(quán)利要求11的方法，其中多個聚合物電容器層的導(dǎo)體圖案彼此相對移動。
14.權(quán)利要求11的方法，其中多個聚合物電容器層的導(dǎo)體圖案是彼此不同的。
全文摘要
本文公開了一種包括嵌入式電容器的印刷電路板，包含具有多個聚合物電容器層的聚合物電容器層合物，其每一個都具有聚合物片和形成在聚合物片上的導(dǎo)體圖案，和穿過其中用來層間連接的通孔，和形成在聚合物電容器層合物一面或兩面，并且具有電路圖案的電路層和穿過其中的用來層間連接的通孔。本發(fā)明的印刷電路板比傳統(tǒng)嵌入式電容器印刷電路板具有更高的單位面積電容密度，借此可將具有不同電容值的電容器，如多層陶瓷電容器嵌入到印刷電路板中，而不是安裝在其上。還提供了制造包括嵌入式電容器的印刷電路板的方法。
文檔編號H05K3/46GK1738513SQ20051000206
公開日2006年2月22日 申請日期2005年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月16日
發(fā)明者金鎮(zhèn)哲, 金民秀, 吳浚祿, 金泰慶 申請人:三星電機(jī)株式會社