一種高頻板及其加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及電路板加工制造領(lǐng)域，具體涉及一種高頻板及其加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子、通信產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，電磁頻率較高的高頻印制電路板(HighFrequencyPCB，簡(jiǎn)稱:高頻板或HF PCB)得到了廣泛的應(yīng)用。
[0003]隨著高頻板電路設(shè)計(jì)的精細(xì)程度和復(fù)雜程度大幅提升，對(duì)印刷電路板制造工藝提出了更高的要求?，F(xiàn)有技術(shù)中，高頻板中承載電路的基材在空氣中暴露后，往往會(huì)因?yàn)榄h(huán)境因素而被空氣所氧化，因此，行業(yè)一般使用絕緣阻隔材料來(lái)保護(hù)線路銅面?，F(xiàn)有技術(shù)中，高頻板一般采用阻焊劑或PI(聚酰亞胺)膜保護(hù)線路和銅面，從而保證產(chǎn)品信號(hào)的電氣性能穩(wěn)定性。
[0004]常用的絕緣阻隔材料有阻焊劑、PI膜等。液態(tài)光致阻焊劑(俗稱綠油)作為阻焊劑中的一種，印刷前需要對(duì)涂覆基體表面進(jìn)行拋光和清潔，因高頻材料本身有一層表面活化層，經(jīng)過(guò)磨板和拋光處理后或損傷活化層，導(dǎo)致阻焊劑與線路銅面的結(jié)合力差。同時(shí)，常用阻焊劑耐腐蝕性、耐電性能差，密度小，不能滿足一些無(wú)線通訊高頻率的產(chǎn)品的應(yīng)用。PI膜材料是屬于介電常數(shù)低，介電損耗小的一種絕緣阻隔材料，能夠滿足高頻信號(hào)的傳輸需求，一般通過(guò)粘合劑粘附在高頻板的表面。然而，在實(shí)際生產(chǎn)中，由于PI膜、絕緣粘合層以及電路板性質(zhì)差異，極易導(dǎo)致界面介電常數(shù)不匹配，最終出現(xiàn)信號(hào)傳輸線終端開(kāi)斷、短連、阻抗不匹配，出現(xiàn)反射或者形成兩種波的頻率、傳輸速度完全相同等問(wèn)題，電壓駐波比(VSWR)高達(dá)1.5-2.5。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有高頻板中絕緣阻隔材料的設(shè)置影響電路板性能的問(wèn)題。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種高頻板，包括電路板、依次疊置在所述電路板的電路面上的粘合層和絕緣膜層;絕緣膜層的介電常數(shù)不大于5;所述絕緣膜層的厚度不大于15μηι，所述粘合層的厚度不大于13μηι。
[0007]所述絕緣膜層為聚四氟乙烯、聚丙烯、聚三氟乙烯、高密度聚乙烯膜、聚苯乙烯、聚苯醚、聚碳酸酯、聚砜、聚酰亞胺、聚甲醛、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一種形成的單層膜或者多層膜的層疊結(jié)構(gòu)。
[0008]所述粘合層的介電常數(shù)不大于5。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例提供一種高頻板的加工方法，包括以下步驟:
[0010]在絕緣膜層上形成粘合層；
[0011 ]將所述粘合層設(shè)置在電路板的線路面上，以形成待壓合件；
[0012]將所述待壓合件置于兩底板之間，沿垂直于所述底板所在平面方向?qū)λ龃龎汉霞M(jìn)行壓合；
[0013]其中，所述絕緣膜層的介電常數(shù)不大于5，所述絕緣膜層的厚度不大于15μπι，所述粘合層的厚度不大于13μηι。
[0014]優(yōu)選地，還包括在所述絕緣膜層與靠近其的所述底板之間設(shè)置用于緩沖所述壓合步驟中壓力的緩沖層的步驟。
[0015]更優(yōu)選地，所述緩沖層為硅膠層。
[0016]優(yōu)選地，還包括在所述緩沖層與靠近其的所述絕緣膜層之間設(shè)置離型膜的步驟。
[0017]優(yōu)選地，所述在絕緣膜層上形成粘合層步驟之前，還包括:對(duì)所述絕緣膜層進(jìn)行裁切和/或開(kāi)設(shè)開(kāi)口的步驟。
[0018]優(yōu)選地，所述將所述粘合層設(shè)置在電路板的線路面上步驟之前，還包括:對(duì)所述電路板進(jìn)行清潔的步驟。
[0019]優(yōu)選地，所述底板為鋼板。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0021]1、本發(fā)明實(shí)施例提供的一種高頻板，通過(guò)使疊置在電路板的電路面上的絕緣膜層的厚度不大于15μπι，粘合層的厚度不大于13μπι，由此通過(guò)適配的絕緣膜層和粘合層厚度的設(shè)置，降低由于材料性質(zhì)差異所造成的界面介電常數(shù)不匹配問(wèn)題；同時(shí)使絕緣膜層的介電常數(shù)不大于5，通過(guò)選用介電常數(shù)較低的絕緣膜層，實(shí)現(xiàn)高頻板電壓駐波比的有效降低。
[0022]2、本發(fā)明實(shí)施例所述的一種高頻板的加工方法，包括以下步驟:在絕緣膜層上形成粘合層;將所述粘合層設(shè)置在電路板的線路面上，制的待壓合件;將所述待壓合件置于兩底板之間，沿垂直于所述底板所在平面方向?qū)λ龃龎汉霞M(jìn)行壓合;絕緣膜層的介電常數(shù)不大于5，所述絕緣膜層的厚度不大于15μπι，所述粘合層的厚度不大于13μπι。不但工藝簡(jiǎn)單、易實(shí)施;而且，通過(guò)適配的絕緣膜層和粘合層厚度的設(shè)置，降低由于材料性質(zhì)差異所造成的界面介電常數(shù)不匹配問(wèn)題;選用介電常數(shù)較低的絕緣膜層，從而實(shí)現(xiàn)高頻板電壓駐波比的有效降低。
【附圖說(shuō)明】
[0023]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明，其中
[0024]圖1是本發(fā)明實(shí)施例所述尚頻板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0025]圖2是本發(fā)明實(shí)施例所述的高頻板的加工方法的流程圖；
[0026]圖3是本發(fā)明實(shí)施例所述待壓合件壓合前狀態(tài)示意圖；
[0027]圖中附圖標(biāo)記表示為:1_電路板、2-粘合層、3-絕緣膜層、4-待壓合件、5-離型膜、6-緩沖層、71-第一底板、72-第二底板。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0029]本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開(kāi)將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來(lái)限定。在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。
[0030]下面將結(jié)合附圖1-3對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0031 ] 實(shí)施例
[0032]本實(shí)施例提供一種尚頻板，如圖1所不，包括電路板1、依次置置在電路板I的電路面上的粘合層2和絕緣膜層4。
[0033]作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，絕緣膜層4的介電常數(shù)不大于5;絕緣膜層4的厚度不大于15μηι，粘合層2的厚度不大于13μηι。
[0034]圖1所示實(shí)施例中，電路板I為單面板，因此，僅在其電路面上設(shè)置粘合層2和絕緣膜層4。
[0035]作為一種可選實(shí)施方式，過(guò)電路板為雙面板，可以在其兩側(cè)的電路面上均分別設(shè)置粘合層和絕緣膜層。
[0036]絕緣膜層4為聚四氟乙烯、聚丙烯、聚三氟乙烯、高密度聚乙烯膜、聚苯乙烯、聚苯醚、聚碳酸酯、聚砜、聚酰亞胺、聚甲醛、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一種形成的單層膜或者多層膜的層疊結(jié)構(gòu)。
[0037]作為一種可選實(shí)施方式，絕緣膜層4為聚酰亞胺單膜層。
[0038]優(yōu)選地，粘合層的介電常數(shù)不大于5;作為一種可選實(shí)施方式，粘合層2為丙烯酸膠層。
[0039]通過(guò)適配的絕緣膜層4和粘合層2厚度的設(shè)置，降低由于材料性質(zhì)差異所造成的界面介電常數(shù)不匹配問(wèn)題；同時(shí)，選用介電常數(shù)較低的絕緣膜層4，從而實(shí)現(xiàn)高頻板電壓駐波比的有效降低。經(jīng)測(cè)試，本實(shí)施例提供的高頻板的電壓駐波比不大于1.35。
[0040]本實(shí)施例提供一種高頻板的加工方法，如圖2所示，包括以下步驟:
[0041]S1、在絕緣膜層3上形成粘合層2。作為一種可選實(shí)施方式，在電路板I的線路面上形成粘合層2步驟之前，還包括:對(duì)電路板I進(jìn)行清潔的步驟。
[0042]作為一種可選實(shí)施方式，在粘合層2上形成絕緣膜層3步驟之前，還包括:按照電路板I的形狀，對(duì)絕緣膜層3進(jìn)行裁切和/或開(kāi)設(shè)開(kāi)口的步驟。
[0043]S2、如圖3所示，將所述粘合層2設(shè)置在電路板I的線路面上，以形成待壓合件4。
[0044]作為一種可選實(shí)施方式，也可以先在電路板I的線路面上形成粘合層2，再在粘合層2上形成絕緣膜層。
[0045]S3、將待壓合件4置于第一底板71和第二底板72之間，沿垂直于底板71、72所在平面方向?qū)Υ龎汉霞?進(jìn)行壓合。
[0046]作為一種可選實(shí)施方式，在絕緣膜層3與靠近其的第一底板71之間設(shè)置用于緩沖壓合步驟中壓力的緩沖層5的步驟。作為一種可選實(shí)施方式，緩沖層5為硅膠層。
[0047]作為一種可選實(shí)施方式，第一底板71和第二底板72為鋼板。
[0048]本實(shí)施例提供的高頻板的加工方法工藝簡(jiǎn)單、易實(shí)施。
[0049]顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高頻板，包括電路板、依次疊置在所述電路板的電路面上的粘合層和絕緣膜層；其特征在于，所述絕緣膜層的介電常數(shù)不大于5;所述絕緣膜層的厚度不大于15μπι，所述粘合層的厚度不大于13μηι。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻板，其特征在于，所述絕緣膜層為聚四氟乙烯、聚丙烯、聚三氟乙烯、高密度聚乙烯膜、聚苯乙烯、聚苯醚、聚碳酸酯、聚砜、聚酰亞胺、聚甲醛、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一種形成的單層膜或者多層膜的層疊結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻板，其特征在于，所述粘合層的介電常數(shù)不大于5。4.一種高頻板的加工方法，其特征在于，包括以下步驟: 形成粘合層； 在電路板的線路面上形成依次疊置的所述粘合層和絕緣膜層，以形成待壓合件； 將所述待壓合件置于兩底板之間，沿垂直于所述底板所在平面方向?qū)λ龃龎汉霞M(jìn)行壓合； 其中，所述絕緣膜層的介電常數(shù)不大于5，所述絕緣膜層的厚度不大于15μπι，所述粘合層的厚度不大于13μηι。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高頻板的加工方法，其特征在于，還包括在所述絕緣膜層與靠近其的所述底板之間設(shè)置用于緩沖所述壓合步驟中壓力的緩沖層的步驟。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高頻板的加工方法，其特征在于，所述緩沖層為硅膠層。7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的高頻板的加工方法，其特征在于，還包括在所述緩沖層與靠近其的所述絕緣膜層之間設(shè)置離型膜的步驟。8.根據(jù)權(quán)利要求4-7中任一項(xiàng)所述的高頻板的加工方法，其特征在于，所述在絕緣膜層上形成粘合層步驟之前，還包括:對(duì)所述絕緣膜層進(jìn)行裁切和/或開(kāi)設(shè)開(kāi)口的步驟。9.根據(jù)權(quán)利要求4-8中任一項(xiàng)所述的高頻板的加工方法，其特征在于，所述將所述粘合層設(shè)置在電路板的線路面上步驟之前，還包括:對(duì)所述電路板進(jìn)行清潔的步驟。10.根據(jù)權(quán)利要求4-9中任一項(xiàng)所述的高頻板的加工方法，其特征在于，所述底板為鋼板。
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例所述的一種高頻板，包括電路板，直接疊置上所述電路板的電路面上的粘合層和絕緣膜層；絕緣膜層的介電常數(shù)不大于5；所述絕緣膜層的厚度不大于15μm，所述粘合層的厚度不大于13μm。通過(guò)適配的絕緣膜層和粘合層厚度的設(shè)置，降低由于材料性質(zhì)差異所造成的界面介電常數(shù)不匹配問(wèn)題；同時(shí)，選用介電常數(shù)較低的絕緣膜層，從而實(shí)現(xiàn)高頻板電壓駐波比的有效降低。本發(fā)明實(shí)施例所述的一種高頻板的加工方法，工藝簡(jiǎn)單、易實(shí)施。
【IPC分類】H05K3/00, H05K1/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105517320
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510849637
【發(fā)明人】黃云鐘, 馬世龍
【申請(qǐng)人】北大方正集團(tuán)有限公司, 重慶方正高密電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2015年11月27日