技術(shù)特征：

1.一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件，其特征在于，包括絕緣襯底(1)、兩個地極金屬層單元組以及兩個信號金屬層單元組；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件，其特征在于，兩個信號金屬層單元組和兩個地極金屬層單元組在絕緣襯底(1)上表面的高度相等，且兩個信號金屬層單元組和兩個地極金屬層單元組以及絕緣襯底(1)之間形成共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件，其特征在于，所述地極金屬層單元組包括第一黏附層(2)和地極金屬層(3)；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件，其特征在于，所述第一黏附層(2)的材料采用金屬鈦，厚度為10nm±0.01nm；

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件，其特征在于，所述信號金屬層單元組包括第二黏附層(4)和信號金屬層(5)；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件，其特征在于，所述第二黏附層(4)的材料采用金屬鈦，厚度為10nm±0.01nm；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件，其特征在于，所述絕緣襯底(1)的材料采用藍(lán)寶石，其中介電常數(shù)為9.4，厚度為0.5mm±0.01mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件，其特征在于，還包括壓塊(6)，兩個地極金屬層單元組上設(shè)有螺栓孔(8)；所述壓塊(6)壓設(shè)在兩個地極金屬層單元組上，且通過螺栓(7)連接至螺栓孔將兩個地極金屬層單元組固定在絕緣襯底(1)上。

9.一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件的制備方法，其特征在于，用于得到權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件，包括如下過程：

10.一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件的調(diào)控方法，其特征在于，基于權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件，包括如下過程：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及微等離子體超快開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種功函數(shù)調(diào)制超快等離子體組件、制備及調(diào)控方法，通過將兩個地極金屬層單元組分別設(shè)置在絕緣襯底上，且位于絕緣襯底上表面兩側(cè)；兩個信號金屬層單元組分別設(shè)置在絕緣襯底上，且在絕緣襯底上表面上位于兩個地極金屬層單元組之間；兩個信號金屬層單元組分別與兩個地極金屬層單元組之間存在間隙；兩個信號金屬層單元組之間存在間隙，形成微間隙開關(guān)，通過調(diào)控器件材料功函數(shù)解決技術(shù)問題，可在不損失蝕刻精度的前提下，通過調(diào)節(jié)信號層金屬功函數(shù)來調(diào)控工作電壓范圍區(qū)間，有效提高了器件工作壽命和器件性能。

技術(shù)研發(fā)人員：吳堅,徐煒強(qiáng),鄭中陽,王威,趙一鳴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安交通大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21