技術領域

以下描述涉及一種電路板。

背景技術：

電路板可被用于各種類型的電子組件封裝應用，諸如，封閉若干個芯片的系統(tǒng)級封裝(SiP)或模塊封裝。因為散熱性能極大地影響電子組件封裝的穩(wěn)定性操作和品質，所以用于電子組件封裝應用的電路板需要具有高散熱，以有效地釋放由電子組件產生的熱。

技術實現(xiàn)要素：

提供本發(fā)明內容以通過簡化形式介紹在下面的具體實施方式中進一步描述的發(fā)明構思的選擇。本發(fā)明內容并不意在確定所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不意在用作幫助確定所要求保護主題的范圍。

根據(jù)一個總的方面，一種電路板包括：芯層，包括第一表面和與所述第一表面背對的第二表面；第一積層和第二積層，分別形成在所述芯層的第一表面和第二表面上，并且包括導電圖案和導電過孔；外層，形成在所述第一積層和所述第二積層的每個表面上，其中，所述第一積層和所述第二積層中的至少一層積層包括：設置有空腔的感光絕緣層以及通過用導電材料填充所述空腔而形成的散熱單元。

根據(jù)另一總的方面，一種用于制造電路板的方法包括：制備芯層，所述芯層包括第一表面和與所述第一表面背對的第二表面；分別在所述芯層的所述第一表面和所述第二表面上形成至少一層第一積層和至少一層第二積層；在所述第一積層和第二積層的表面上形成外層，其中，所述形成至少一層第 一積層和至少一層第二積層的步驟包括：形成感光絕緣層；使用曝光和顯影工藝在所述感光絕緣層中形成孔和空腔；通過用導電材料填充所述孔和所述空腔，形成導電過孔和散熱單元；在所述感光絕緣層的表面上形成導電圖案。

在下面詳細描述了一種具有提高的散熱性能的電路板和一種制造所述電路板的方法。可通過設置使用感光絕緣材料的散熱單元來確保根據(jù)示例的電路板的優(yōu)異的散熱性能。

根據(jù)下面的具體實施方式、附圖和權利要求，其他特征和方面將變得清楚。

附圖說明

圖1是示出應用電路板的示例的電子裝置的立體圖；

圖2是示出應用電路板的示例的半導體封裝的剖視圖；

圖3是示出圖2中示出的散熱單元周圍的電路板的部分的放大視圖；

圖4A至圖4F是示出用于制造圖2中示出的電路板的方法的示例的每個步驟的剖視圖；

圖5A至圖5D是示出用于制造圖4D中示出的電路板的方法的示例的每個步驟的剖視圖；

圖6至圖8分別是各自示出電路板的示例的剖視圖；

圖9是示出無芯電路板的示例的剖視圖。

在整個附圖和具體實施方式中，相同的附圖標號指代相同的元件。附圖可不按比例繪制，并且為了清楚、說明、方便起見，可夸大附圖中的元件的相對大小、比例和描繪。

具體實施方式

提供下面的具體實施方式，以幫助讀者獲得關于這里所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的全面的理解。然而，這里所描述的方法、裝置和/或系統(tǒng)的各種改變、修改及等同物將對本領域的技術人員而言顯而易見。這里所描述的操作的順序僅僅是示例，并不限于這里所闡述的，而是除了必須按照特定順序發(fā)生的操作之外，可作出將對本領域技術人員而言顯而易見的改變。此外，為了增加清楚性和簡潔性，可省略對于本領域普通技術人員而言公知的功能和結構的描述。

這里所描述的特征可以以不同的形式實施，且不應被理解為限于這里所描述的示例。更確切地說，已經(jīng)提供了這里所描述的示例使得本公開將是徹底的和完整的，并將把本公開的全部范圍傳達給本領域的普通技術人員。

除非另外指出，否則第一層“在”第二層或基板“上”的表述將被理解為涵蓋第一層直接接觸第二層或基板的情況，以及一層或更多其它層設置在第一層與第二層或第一層與基板之間的情況。

可使用諸如“在…下面”、“在…下方”、“在…之下”、“下部”、“底部”、“在…之上”、“在…上方”、“上部”、“頂部”、“左”和“右”的描述相對空間關系的詞語，以方便地描述一個裝置或元件與其它裝置或元件的空間關系。這些詞語將被理解為包含裝置在如附圖中所示出的方位以及在使用或操作中的其它方位。例如，包括基于附圖中示出的裝置的方位而設置在第一層之上的第二層的裝置的示例也包括在使用或操作中裝置被向下翻轉時的裝置。

根據(jù)這里描述的一些示例的電路板可應用在各種電子裝置中，例如，移動電話，個人數(shù)字助理、數(shù)字視頻攝錄機、數(shù)字照相機、網(wǎng)絡系統(tǒng)、計算機、監(jiān)視器、電視、視頻游戲、智能手表以及本領域普通技術人員所公知的各種其它電子裝置。

參照圖1，根據(jù)示例的電路板用作在電子裝置1中用于安裝或嵌入各種電子組件20的主電路板10。電路板也可用作電子組件20(諸如，具有較小尺寸的半導體封裝)的基板(未示出)。此外，電路板可以以各種形式應用到除了移動裝置以外的其它電子裝置。

參照圖2，半導體封裝180包括電路板100和安裝在電路板100上的電子組件150。電子組件150可以是半導體芯片，例如，應用處理器芯片。電路板100包括板層壓件，所述板層壓件包括芯層110以及分別形成在芯層110的上表面和下表面的三層第一積層121a、122a、123a和三層第二積層121b、122b、123b。在本描述中，電路板100中的芯層110、第一積層121a、122a、123a和第二積層121b、122b、123b形成板層壓件。

芯層110包括內層電路，所述內層電路包括形成在芯層110的上表面和下表面上的導電圖案P0以及穿過所述上表面和所述下表面的導電過孔V0。芯層110可由具有高剛度的材料形成，以防止電路板100的翹曲。例如，芯層110可以是包含增強劑(諸如，半固化片、玻璃或金屬(例如，殷鋼))的絕緣樹脂。

第一積層121a、122a、123a和第二積層121b、122b、123b可分別按順序形成在芯層110的上表面和下表面上。

第一積層121a、122a、123a的外層電路包括形成在每一級(level)上的導電圖案P1a、P2a、P3a和導電過孔V1a、V2a、V3a。第二積層121b、122b、123b的外層電路可包括導電圖案P1b、P2b、P3b和導電過孔V1b、V2b、V3b。

第一積層121a、122a、123a和第二積層121b、122b、123b可由感光絕緣材料形成。導電過孔V1a、V2a、V3a、V1b、V2b、V3b通過以下步驟來形成：通過用感光絕緣材料進行涂覆以及選擇性曝光和顯影工藝來形成孔，并且用導電材料來填充(例如，鍍覆)所述孔。

與芯層110相接觸的第一積層121a包括空腔C。由導電材料形成的散熱單元130設置在空腔C中。散熱單元130可通過用導電材料填充空腔C的內部空間來形成。

散熱單元130靠近產生熱的電子組件150而設置。如圖2所示，散熱單元130設置在與熱點區(qū)域HS對應的區(qū)域，在所述熱點區(qū)域HS的電子組件150產生過量的熱。

電路板110包括散熱過孔Vh，散熱過孔Vh形成在芯層110和其它的積層122a、123a、121b、122b、123b中的每個中。散熱過孔Vh可與散熱單元130直接或間接連接，以進一步與電路板100的上表面和下表面連接。因此，散熱單元130設置有沿著電路板100的豎直方向的通過散熱過孔Vh的散熱路徑。這里，散熱過孔Vh和散熱單元130之間的間接連接可意味著它是通過其它散熱過孔Vh而連接的。

在該示例中，散熱單元130僅安裝在積層121a中。然而，散熱單元130可沒有任何限制地安裝在其它積層中(見圖6至圖8)。

空腔C可通過類似于形成孔的工藝的曝光和顯影工藝來形成。散熱單元130可使用導電材料通過填充工藝來形成。用于形成空腔C和散熱單元130的工藝通過與其它工藝進行結合來容易地執(zhí)行。用于形成空腔C的工藝可與用于形成第一積層121a的導電過孔V1a的工藝一起執(zhí)行。用于形成散熱單元130的工藝可與用于通過填充導電材料來形成第一積層121a的導電過孔V1a的工藝一起執(zhí)行(見圖5A至圖5D)。

散熱單元130是具有優(yōu)異熱導率的導電材料(諸如，Cu)。散熱單元130的導電材料是與導電過孔V1a的導電材料相同的導電材料。例如，導電過孔 V1a可以是Cu、Al、Ag、Au、Ni、Pd或它們的組合。其它積層的導電過孔V2a、V3a、V1b、V2b、V3b也可用相同或相似的導電材料形成。導電圖案P1a、P2a、P3a、P1b、P2b、P3b可與通過填充導電材料來形成導電過孔V1a、V2a、V3a、V1b、V2b、V3b的工藝一起形成。然而，導電圖案P1a、P2a、P3a、P1b、P2b、P3b也可通過將金屬箔(諸如，銅箔)涂敷在第一積層的表面上并且隨后執(zhí)行圖案化工藝來形成。

適合于積層的感光絕緣材料包括感光組合物和絕緣樹脂。例如，所述感光組合物可包括感光單體和光引發(fā)劑。所述感光組合物是對UV光作出響應的組合物。

例如，絕緣樹脂可以是熱固樹脂(諸如，環(huán)氧樹脂)或熱塑性樹脂(諸如，聚酰亞胺)。

在該示例中，所有的第一積層121a、122a、123a和第二積層121b、122b、123b由感光絕緣材料形成。然而，形成在空腔上的積層121a或積層的一部分可由感光絕緣材料形成，而剩余部分可由不包含感光組合物的絕緣樹脂形成。

電路板100包括外層140。外層140形成在板層壓件的表面上。具體地，外層140形成在位于板層壓件的外表面的第一積層123a和第二積層123b的表面上。外層140也可以是阻焊層。外層140包括用于暴露導電圖案P3a、P3b的多個開放部，所述開放部分別形成在第一積層123a和第二積層123b上并且將電子組件150電連接至電路板100。

電子組件150通過用于信號傳輸?shù)暮盖騜1與電路板100的電路進行電連接。散熱焊球b2將電子組件150連接至散熱過孔Vh和散熱單元130，使得電子組件150產生的熱被有效地釋放。在該示例中，根據(jù)內部電路結構，散熱焊球b2也可起到用于信號傳輸?shù)耐蛊鸬淖饔谩?/p>

圖3是示出圖2中示出的電路板的一部分(散熱單元周圍的部分)的放大視圖。

用于填充散熱單元130和過孔V1a的工藝可以是諸如電鍍的鍍覆工藝。

參照圖3，散熱單元130包括在內表面上的金屬種子層sd，金屬種子層sd形成空腔C的地或底部、表面以及側壁。金屬種子層sd被用作形成用于散熱單元130的鍍覆材料的種子。散熱單元130利用金屬種子層sd而形成有鍍覆材料。例如，金屬種子層sd可包括Cu、Au、Ni、Pd、In、Ti、Sn或它們的組合。

金屬種子層sd還形成在處于同一級的積層121a的孔H1的內表面上。類似地，金屬種子層sd還形成在處于不同級的將要形成導電過孔V0、積層122a的導電過孔V2a的內表面上。

圖4A至圖4F是示出用于制造圖2中示出的電路板的方法的示例的每個步驟的剖視圖。

如圖4A所示，制備包括第一表面110A和第二表面110B的芯層110。芯層110可以是銅箔112設置在第一表面110A和第二表面110B上的覆銅箔層壓件(CCL)。

芯層110是包含增強劑(諸如，半固化片)的絕緣樹脂。增強劑可以是玻璃纖維或金屬材料，并且絕緣樹脂可以是雙馬來酰亞胺三嗪樹脂或環(huán)氧樹脂。芯層110可以是玻璃或金屬(例如，殷鋼)。然而，芯層110不限于此。當芯層110是諸如金屬的導電材料時，將形成電路的表面用絕緣材料來涂覆。

如圖4B所示，形成包括芯層110上的導電過孔V0和導電圖案P0的內層電路。在這一工藝中，形成穿過第一表面110A和第二表面110B的導電過孔V0。具體地，導電過孔V0可通過以下步驟來形成：形成通過芯層110的孔，并且隨后對所述孔的內部執(zhí)行鍍覆工藝。通孔可使用機械鉆機和/或激光鉆機來形成。這里，激光鉆機可以是CO₂激光器或釔鋁石榴石(YAG)激光器。然而，激光鉆機可不限于此。

導電圖案P0形成在第一表面110A和第二表面110B上。導電圖案P0通過使用抗蝕圖案來選擇性地除去銅箔112來形成。形成在表面110A、110B上的導電圖案P0電連接至導電過孔V0。在下面的工藝中，所述導電過孔的一部分與散熱單元相連接，以用作散熱過孔。

如圖4C所示，感光絕緣層121a’、121b’設置在芯層110的第一表面110A和第二表面110B上，以用作第一積層和第二積層。

感光絕緣層121a’、121b’由包括感光組合物和絕緣樹脂的感光絕緣樹脂形成。例如，感光組合物可包括感光單體和光引發(fā)劑。感光組合物是對UV光作出響應的材料。絕緣樹脂可以是熱固樹脂，諸如，環(huán)氧樹脂或熱塑性樹脂(諸如，聚酰亞胺)。在一示例中，感光單體可以是丙烯酸酯樹脂，并且絕緣樹脂可以是包括萘型環(huán)氧樹脂和橡膠改性環(huán)氧樹脂的復合環(huán)氧樹脂。

感光絕緣樹脂還包括硬化劑和硬化加速劑。例如，硬化劑可以是酚醛清漆(phenol novolac)、雙酚酚醛清漆(bisphenol novolac)或它們的混合物。 硬化加速劑可以是咪唑系化合物，例如，2-甲基咪唑、1-(2-氰乙基)-2-甲基咪唑或它們的混合物。如果需要的話，感光絕緣材料還可包括無機填充料。例如，無機填充料可以是石墨、碳黑、硅石、粘土或它們的組合。

感光絕緣層121a’、121b’可通過各種工藝來形成。例如，在形成由感光絕緣樹脂形成的未硬化的(或半硬化的)膜之后，感光絕緣層121a’、121b’可通過在芯層110的兩個表面上使用層壓機對膜進行壓制來形成。

空腔和孔可利用掩膜通過應用曝光和顯影工藝或光刻工藝而形成在感光絕緣層121a’、121b’上。用于空腔和過孔的孔可通過使用感光絕緣樹脂來容易地形成，而不是使用沖壓和刮片的傳統(tǒng)機械工藝來形成。

如圖4D所示，散熱單元130和導電過孔V1a、V1b通過用導電材料填充空腔和孔來形成。導電圖案P1a、P1b設置在第一積層121a和第二積層121b的表面上。在該工藝中，在用于形成空腔和孔的曝光和顯影工藝之后，第一積層121a和第二積層121b通過對感光絕緣層121a’、121b’進行硬化來形成。因此，用于散熱單元130的空腔和用于導電過孔V1a的孔可同時形成。散熱單元130的填充工藝可與導電過孔V1a、V1b的填充工藝一起執(zhí)行。因此，散熱單元130的導電材料可與導電過孔V1a的導電材料相同。填充工藝可使用電鍍、化學鍍、絲網(wǎng)印刷、濺射、蒸發(fā)、噴墨或分配工藝來執(zhí)行。相應地，散熱單元130的形成工藝與處于同一級的積層121a的導電過孔V1a的形成工藝一起容易地執(zhí)行。

導電圖案P1a、P1b可通過各種工藝來形成。導電圖案P1a、P1b可使用干膜圖案通過沉積工藝來形成。沉積工藝的示例包括化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)(諸如，濺射、減成工藝、使用銅化學鍍或銅電鍍的加成工藝)、半加成工藝(SAP)和改進的半加成工藝(MSAP)。然而，沉積工藝不限于此。導電圖案P1a、P1b也可通過以下步驟來形成：在第一積層121a和第二積層121b的表面上沉積銅箔，并且隨后使用抗蝕圖案來選擇性地移除所述銅箔。

如圖4E所示，還可形成分別包括導電過孔Va2、Vb2和導電圖案Pa2、Pb2的第一積層122a和第二積層122b。第一積層122a和第二積層122b也可由感光絕緣樹脂形成。然而，沒有形成散熱單元130的積層可由典型的絕緣樹脂來形成。例如，絕緣材料可以是熱固樹脂，諸如，環(huán)氧樹脂或熱塑性樹脂(諸如，聚酰亞胺)。導電過孔Va2、Vb2和導電圖案Pa2、Pb2可通過用 于形成其它級中積層的過孔和圖案的類似的處理來形成。導電過孔Vh形成在與散熱單元130重疊的區(qū)域中以用于散熱。散熱過孔Vh與散熱單元130直接或間接連接，以產生散熱路徑，所述散熱路徑從電路板100連接至外表面。

如圖4F所示，包括多個開放部的外層140形成在第一積層122a和第二積層122b的表面上。外層的開放部設置焊接區(qū)域，所述焊接區(qū)域通過暴露導電圖案的一部分來連接至外電路(例如，電子組件)。外層140可由阻焊材料形成。例如，外層140可通過以下步驟來形成：在第一積層122a和第二積層122b的表面上壓制用于阻焊的未硬化的(例如，液態(tài)的)膜，并且隨后硬化壓制所得到的膜。開放部o可使用抗蝕圖案來形成。在一示例中，開放部o通過使用感光絕緣樹脂作為用于阻焊的絕緣樹脂并且隨后執(zhí)行曝光和顯影工藝來形成。

通過上述工藝，可形成包括散熱單元130的電路板100，并且具體地，散熱單元130在堆積工藝期間通過使用感光絕緣樹脂的填充工藝來容易地形成。用圖4D進行描述的導電材料的填充工藝可使用鍍覆工藝來執(zhí)行。鍍覆工藝的示例在圖5A至圖5D中被示出。圖5A至圖5D是形成散熱單元130的第一積層121a的放大視圖。

參照圖5A至圖5D，空腔C和孔H1可利用掩膜(見圖4)通過應用曝光和顯影工藝而形成在感光絕緣層121a’中。如圖5A所示，包括空腔C和孔H1的第一積層121a可通過硬化感光絕緣層121a’來形成。如果需要的話，可執(zhí)行去污處理或等離子處理，以修整空腔C和孔H1的內表面。

如圖5B所示，金屬種子層sd可形成在空腔C和孔H1的內表面上。金屬種子層可包括Cu、Au、Ni、Pd、In、Ti、Sn或它們的任何組合。

如圖5C所示，鍍層130’、V1’在金屬種子層sd上形成。鍍層130’、V1’可通過使用電鍍工藝對空腔C和孔H1進行填充來形成。鍍層130’、V1’可包括Cu、Au、Ag、Ni、Sn或它們的任何組合。由于空腔C的體積大于孔H1的體積，所以當相同的電鍍工藝被用于填充空腔C和孔H1時，為了填充空腔C，可能會導致孔H1上的過度鍍覆。

如圖5D所示，鍍層130’、V1’的過度鍍覆部分被移除，并且鍍層130’、V1’的表面可被平坦化或平滑化。從而，散熱單元130和導電過孔V1a被形成為與第一積層121a的表面具有共同的表面。平坦化工藝可使用蝕刻劑通過 下蝕刻工藝(etch-down process)來執(zhí)行。

期望的電路板100通過設置其它的積層(見圖4E)并形成外層(見圖4F)來形成。

可形成電路板的各種布置。例如，可以以各種形狀形成和布置數(shù)個散熱單元。

參照圖6，電路板100’與圖2中示出的電路板100類似。電路板100’包括芯層110以及分別形成在芯層110的上表面和下表面的三層第一積層121a、122a、123a和三層第二積層121b、122b、123b。然而，與先前的示例不同，電路板100’包括位于芯層和與芯層鄰近的第一積層121a以及第二積層121b之間的重疊區(qū)域的第一散熱單元130a和第二散熱單元130b。第一散熱單元130a和第二散熱單元130b以芯層110為基準對稱地布置。第一散熱單元130a和第二散熱單元130b可以以相同的數(shù)量和尺寸形成在所述重疊區(qū)域處。

第一積層121a和第二積層121b可通過以下步驟由感光絕緣樹脂來形成：使用曝光和顯影工藝形成空腔和孔，并且隨后利用鍍覆工藝來填充所述空腔和所述孔。由于第一散熱單元130a和第二散熱單元130b在層壓方向上連續(xù)地布置，所以，相比于圖2中示出的電路板，第一散熱單元130a和第二散熱單元130b具有更好的散熱性能。

參照圖7，根據(jù)示例的電路板100”包括在重疊區(qū)域處的4個散熱單元131a、132a、131b、132b。散熱單元131a、132a、131b、132b分別形成在第一積層121a、122a和第二積層121b、122b上。在該示例中，積層123a和123b不具有散熱單元。在堆積工藝期間，散熱單元131a、132a、131b、132b連同具有相同級的導電過孔一起由感光絕緣樹脂形成。

圖8中示出的電路板100”’包括兩個散熱單元131、132。與圖6和圖7中示出的電路板100’、100”不同，散熱單元131、132被非對稱地布置。散熱單元131、132僅在第一積層121a、122a上形成。

散熱單元131、132的這種非對稱的布置減輕板的翹曲。諸如導電過孔和具有不同的熱膨脹系數(shù)的導電圖案的元素基于電路板的總面積不均勻地分布，并且這樣的分布導致嚴重的翹曲問題。例如，當導電圖案和導電過孔以芯層為基準相對地布置在一側時，電路板可能由于具有高熱膨脹系數(shù)的導電材料而彎曲。因此，為了通過將散熱單元分布在具有高熱膨脹系數(shù)的導電材料(例如，Cu)分布較少的區(qū)域內而減輕翹曲問題，電路板可以被設計為具 有非對稱結構。

例如，當除了散熱單元以外的導電圖案和導電過孔所占有的體積與第一積層和第二積層的總體積的比被定義為導體體積分數(shù)時，第一積層和第二積層中的每個的導體體積分數(shù)彼此不同。在這種情況下，包括在第一積層和第二積層中的散熱單元被非對稱地布置，以減小導體體積分數(shù)的差。例如，散熱單元僅布置在具有較低導體體積分數(shù)的一層積層(例如，第一積層或第二積層)中，或者可布置更多數(shù)量的散熱單元和/或更大的散熱單元。即使布置相同數(shù)量和相同尺寸的散熱單元，當基于芯層布置在不同級中時，也可以減輕翹曲問題。

圖9是示出電路板(無芯板)的示例的剖視圖。

參照圖9，根據(jù)示例的電路板300包括按順序層壓的第一積層321和第二積層322。在該示例中，沒有芯層的積層的層壓件被稱為“堆積層壓件”。

第一積層321包括形成在其上表面和下表面上的導電圖案P0、P1和穿過其上表面和下表面的導電過孔V1。第二積層322形成在第一積層321上，并且包括導電圖案P2和導電過孔V2。

第一積層321和第二積層322可由感光絕緣材料形成。導電過孔V1、V2可通過以下步驟來制備：用感光絕緣材料進行涂覆，使用選擇性曝光和顯影工藝形成孔，并且隨后用導電材料(例如，通過鍍覆)對所述孔進行填充。第二積層322包括空腔和由設置在空腔中的導電材料形成的散熱單元330。散熱單元330通過用導電材料對空腔C的內部空間進行填充而形成。填充工藝可通過鍍覆工藝來執(zhí)行。

散熱單元330布置在產生熱的電子組件(未示出)被安裝的區(qū)域。外層340暴露散熱單元330的上表面的主要區(qū)域E，以有效地釋放熱。第一積層321包括連接至散熱單元330的散熱過孔Vh。散熱過孔Vh連接至散熱單元330，以提供延伸至電路板330的下表面的散熱路徑。

在該示例中，散熱單元330僅形成在一層積層322中。然而，其可形成在不同的積層中。另外，板300可具有三層或更多層積層。

雖然本公開包括特定示例，但是將對本領域普通技術人員清楚的是：在不脫離權利要求及其等同物的精神和范圍的情況下，可對這些示例做出形式和細節(jié)上的各種改變。在此描述的示例將被理解為僅是描述性的，而非出于限制的目的。在每個示例中的特征和方面的描述將被理解為可適用于其它示 例中的相似的特征或方面。如果按照不同順序執(zhí)行描述的技術，和/或如果按照不同方式組合在描述的系統(tǒng)、架構、裝置或電路中的組件和/或由其它組件或其等同物來替代或補充在描述的系統(tǒng)、架構、裝置或電路中的組件，則可實現(xiàn)適當?shù)慕Y果。因此，不是由具體實施方式來限定本公開的范圍，而是由權利要求及其等同物來限定本公開的范圍，并且在權利要求及其等同物的范圍內的全部變化將被理解為被包括在本公開中。