有機(jī)發(fā)光二極管和顯示基板及其制作方法、顯示器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管和顯示基板及其制作方法、顯示器件。所述有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置在表面具有不平整區(qū)域的基底上，能夠提高有機(jī)發(fā)光二極管光線的輸出效率。
【專利說明】
有機(jī)發(fā)光二極管和顯示基板及其制作方法、顯示器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管和顯示基板及其制作方法、顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Device)顯示器件具備主動發(fā)光、溫度特性好、功耗小、響應(yīng)快、可彎曲、超輕薄和成本低等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于顯示設(shè)備中。
[0003]OLED顯示器件按照出光方向可以分為三種:底發(fā)射0LED、頂發(fā)射OLED與雙面發(fā)射0LED。在底發(fā)射OLED中光從背板方向射出，在頂發(fā)射OLED中光從器件頂部方向射出，在雙面發(fā)射OLED中光同時從基板和器件頂部射出。其中，頂發(fā)射OLED不受基板是否透光的影響，可有效提高顯示面板的開口率，有利于與晶體管背板集成，并能夠窄化光譜和提高色純度，因此，頂發(fā)射OLED被廣泛應(yīng)用于平板顯示器件中。
[0004]研究表明，頂發(fā)射0LED(Top Emitting 0LED，簡稱“TEOLED”)的光線輸出效率低，通常最高僅為20%，其余光線被基底俘獲，或以表面等離子體激元和波導(dǎo)等形式被俘獲在器件內(nèi)部。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管和顯示基板及其制作方法、顯示器件，用以解決有機(jī)發(fā)光二極管的光線輸出效率低的問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括基底，以及設(shè)置在基底上的陰極、陽極和設(shè)置在所述陽極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，所述基底的表面具有不平整區(qū)域，所述有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置在所述基底的不平整區(qū)域上。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種顯示基板，包括多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域包括如上所述的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種顯示器件，包括如上所述的顯示基板。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法，所述制作方法包括:
[0010]提供一基底，在所述基底上形成陰極、陽極和在所述陽極和陰極之間形成有機(jī)發(fā)光層，所述提供一基底的步驟包括:
[0011]在所述基底的表面形成不平整區(qū)域；
[0012]在所述基底的不平整區(qū)域上形成所述有機(jī)發(fā)光二極管。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種顯示基板的制作方法，采用上述的有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法形成有機(jī)發(fā)光二極管。
[0014]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0015]上述技術(shù)方案中，0LED設(shè)置在表面具有不平整區(qū)域的基底上，能夠提高OLED光線的輸出效率。
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1表示本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2表不本發(fā)明實(shí)施例中有機(jī)發(fā)光一■極管的基底的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0019]圖3表示本發(fā)明實(shí)施例中基底表面的不平整區(qū)域的原子力顯微鏡圖像；
[0020]圖4a_圖4d表示本發(fā)明實(shí)施例中基底表面的不平整區(qū)域的不同形狀的原子力顯微鏡圖像；
[0021]圖5a_圖5b表示本發(fā)明實(shí)施例中基底表面的不平整區(qū)域的不同形狀的原子力顯微鏡圖像；
[0022]圖6表示本發(fā)明實(shí)施例中顯示器件和現(xiàn)有技術(shù)中顯示器件的光線輸出效率的對比圖；
[0023]圖7-圖9表示本發(fā)明實(shí)施例基底的制作過程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0025]實(shí)施例一
[0026]結(jié)合圖1和圖2所示，本實(shí)施例中提供一種有機(jī)發(fā)光二極管(簡稱OLEDH，包括基底100，以及設(shè)置在基底100上的陽極10、陰極11和有機(jī)發(fā)光層12。有機(jī)發(fā)光層12位于陽極10和陰極11之間，形成三明治結(jié)構(gòu)?；譏的表面具有不平整區(qū)域20，0LED I設(shè)置在基底100的不平整區(qū)域20上。
[0027]本發(fā)明的技術(shù)方案中，不平整區(qū)域20的設(shè)置能夠提高OLEDI光線的輸出效率，增加OLED I的外量子效率，減少OLED I的等離子體激元損耗。
[0028]可選的，不平整區(qū)域20的面積小于OLED I在基底100上的投影面積，S卩，基底100的局部具有不平整區(qū)域20，0LED I的一部分設(shè)置在不平整區(qū)域20上。則，當(dāng)OLED I應(yīng)用到顯示器件上時，能夠防止顯示器件的像素模糊效應(yīng)，具體原理將在以下內(nèi)容中介紹。
[0029]為了提高OLEDI的性能，還可以在陽極10和有機(jī)發(fā)光層12之間設(shè)置空穴傳輸層13，在陰極11和有機(jī)發(fā)光層12之間設(shè)置電子傳輸層14。對于頂發(fā)射OLED I，陽極10由反射金屬材料制得，如:銀，陰極11由透明導(dǎo)電材料制得，如:ZnO、IGO、IZO、ITO、IGZO，光線從器件的頂部射出。對于底發(fā)射OLED I，陽極10由透明導(dǎo)電材料制得，如:ZnO、IGO、IZO、ITO、IGZO，陰極11由反射金屬材料制得，如:銀，基底100為透明基底，光線從基底100的射出。對于雙面發(fā)射0LED，陽極10和陰極11的一部分由透明導(dǎo)電材料制得，另一部分由反射金屬材料制得，基底100可以為透明基底。為了防止環(huán)境中的水氧影響OLED I的性能，還需在OLED I上形成封裝層103，封裝層103包括阻隔水氧的無機(jī)絕緣層，如:氮化硅層、氧化硅層或兩者的復(fù)合層。
[0030]本實(shí)施例中，OLED I的一部分設(shè)置在不平整區(qū)域20上。具體的，可以設(shè)置不平整區(qū)域20的面積為OLED I在基底100上的投影面積的60%-90%。
[0031]如圖3所示，不平整區(qū)域20包括多個凸起以及位于相鄰兩個凸起之間的凹陷?？蛇x的，相鄰兩個凸起的最高點(diǎn)的間距為100-1000nm。對于相鄰的凸起和凹陷，最高點(diǎn)和最低點(diǎn)的高度差為40-120nmo
[0032]進(jìn)一步地，設(shè)置不平整區(qū)域20的相鄰兩個凸起的最高點(diǎn)的間距有大有小，不完全相同，且對于相鄰的凸起和凹陷，最高點(diǎn)和最低點(diǎn)的高度差也有大有小，不完全相同。即，不平整區(qū)域20為準(zhǔn)周期圖案，能夠適用于發(fā)出不同光線的OLED I，通用性高，效果好。而且還能夠降低頂發(fā)射OLED因微腔效應(yīng)引起的觀測角度依賴性。其中，不平整區(qū)域20的相鄰兩個凸起的最高點(diǎn)的間距越大，適用于的光線波長越長，例如:紅光OLED I。
[0033]為了降低生產(chǎn)成本，本實(shí)施例中通過梯度交聯(lián)材料的交聯(lián)產(chǎn)生自翹曲來形成不平整區(qū)域20。其中，梯度交聯(lián)材料交聯(lián)產(chǎn)生自翹曲的原理為:通過刮涂工藝形成由梯度交聯(lián)材料制得的第一膜層，在一定波長光線(如:紫外光)的照射下，所述第一膜層的梯度交聯(lián)材料發(fā)生交聯(lián)，但是，所述第一膜層的表面和內(nèi)部的交聯(lián)程度不同，因而產(chǎn)生壓應(yīng)力。相對于第一膜層的內(nèi)部，第一膜層的表面呈現(xiàn)出〃膨脹〃的趨勢。在施放壓應(yīng)力的時候，這部分膨脹的表面便會縮緊產(chǎn)生起伏形貌，形成不平整區(qū)域20。而且，梯度交聯(lián)的區(qū)域即為被光線照射的區(qū)域，形成所需的不平整區(qū)域20，因此，很容易控制梯度交聯(lián)的區(qū)域，有利于在基底100的局部形成不平整區(qū)域20。
[0034]基于上述原理，本實(shí)施例中的基底100包括襯底基板101和設(shè)置在襯底基板101上的過渡層102，過渡層102由包括梯度交聯(lián)材料的第一材料制得，且過渡層102遠(yuǎn)離襯底基板101的表面具有不平整區(qū)域200ALED I具體設(shè)置在過渡層102上。所述梯度交聯(lián)材料可以為聚合物或單體，所述聚合物可以為共聚物或嵌段共聚物。當(dāng)基底100為透明基底時，襯底基板1I可以為玻璃基板、石英基板或有機(jī)樹脂基板等。
[0035]在一個具體的實(shí)施方式中，所述梯度交聯(lián)材料包括疏水性交聯(lián)材料和親水性交聯(lián)材料，疏水性交聯(lián)材料位于過渡層102遠(yuǎn)離襯底基板101的表面。疏水性交聯(lián)材料和親水性交聯(lián)材料在光線的照射下產(chǎn)生不同程度的交聯(lián)，因而產(chǎn)生壓應(yīng)力。相對于內(nèi)部的親水性交聯(lián)材料，表面的疏水性交聯(lián)材料呈現(xiàn)出〃膨脹〃的趨勢。在施放壓應(yīng)力的時候，這部分膨脹的表面便會縮緊產(chǎn)生起伏形貌，形成不平整區(qū)域20。所述疏水性交聯(lián)材料可以為三甲基丙烷三丙烯酸酯，所述親水性交聯(lián)材料可以為氟聚合物。
[0036]受到應(yīng)力的不確定因素影響，通過梯度交聯(lián)形成的不平整區(qū)域20的相鄰兩個凸起的最高點(diǎn)的間距有大有小，不全相同，且對于相鄰的凸起和凹陷，最高點(diǎn)和最低點(diǎn)的高度差也有大有小，不全相同。即，通過梯度交聯(lián)形成的不平整區(qū)域20為準(zhǔn)周期圖案，能夠適用于發(fā)出不同光線的0LED，通用性高，效果好。而且還能夠減少頂發(fā)射OLED因微腔效應(yīng)引起的觀測角度依賴性?？蛇x的，不平整區(qū)域20的相鄰兩個凸起的最高點(diǎn)的間距為100-1000nm。而相鄰的凸起和凹陷，最高點(diǎn)和最低點(diǎn)的高度差為40-120nm。
[0037]本實(shí)施例中的基底100利用光線照射包括梯度交聯(lián)材料的第一膜層，使其發(fā)生梯度交聯(lián)，產(chǎn)生自翹曲，形成表面具有不平整區(qū)域20的過渡層102。光線照射的區(qū)域可以通過掩膜板來控制，進(jìn)而控制梯度交聯(lián)的區(qū)域，使基底100的局部形成不平整區(qū)域20。具體的，可以設(shè)置不平整區(qū)域20的面積為0LED1在基底100上的投影面積的60 % -90 %。
[0038]實(shí)施例二
[0039]本實(shí)施例中提供一種顯示基板，具體為OLED顯示基板。所述顯示基板包括設(shè)置在一基底上的像素界定層，用于在所述基底上限定多個像素區(qū)域。每個像素區(qū)域包括0LED，OLED設(shè)置在所述基底上。每個像素區(qū)域中，所述基底的表面具有不平整區(qū)域，OLED設(shè)置在不平整區(qū)域上。
[0040]上述技術(shù)方案中，每個像素區(qū)域中，不平整區(qū)域的設(shè)置能夠增加OLED光線的輸出效率。
[0041]可選的，所述不平整區(qū)域的面積小于所述像素區(qū)域的面積(與OLED在所述基底上的投影面積大致相同)，由于僅在每一像素區(qū)域的局部形成不平整區(qū)域，OLED的一部分設(shè)置在不平整區(qū)域上，光線在不平整區(qū)域的邊緣不會被散射，相對于整個OLED均設(shè)置在不平整區(qū)域上，能夠防止OLED顯示器件的像素模糊效應(yīng)。當(dāng)所述顯示基板為頂發(fā)射OLED顯示基板時，還能夠降低頂發(fā)射OLED因微腔效應(yīng)引起的觀測角度依賴性。具體的，每個像素區(qū)域，設(shè)置不平整區(qū)域的面積為像素區(qū)域的面積的60%-90%，以更好得兼顧光線輸出效率和防止像素模糊效應(yīng)。
[0042]本實(shí)施例中，所述基底包括襯底基板和設(shè)置在所述襯底基板上的過渡層。每個像素區(qū)域，所述過渡層的表面具有不平整區(qū)域，OLED設(shè)置在所述過渡層上。所述過渡層由包括梯度交聯(lián)材料的第一材料制得，利用光線照射所述梯度交聯(lián)材料時發(fā)生的梯度交聯(lián)來形成所述不平整區(qū)域。
[0043]至于，不平整區(qū)域20的具體形貌以及梯度交聯(lián)材料的組分已在實(shí)施例一中介紹，在此不再詳述。
[0044]本實(shí)施例中還提供一種顯示器件，包括上述的顯示基板，用以增加顯示亮度，降低功耗。同時，還能夠防止像素模糊效應(yīng)。當(dāng)所述顯示器件為頂發(fā)射OLED顯示器件時，還能夠降低頂發(fā)射OLED因微腔效應(yīng)引起的觀測角度依賴性。
[0045]圖6中示意了現(xiàn)有技術(shù)中顯示器件的有效亮度曲線(曲線2)和本實(shí)施例中顯示器件的有效亮度曲線(曲線I)，明顯本實(shí)施例中顯示器件的光線輸出效率提高了，降低了功耗。
[0046]實(shí)施例三
[0047]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本實(shí)施例中提供一種實(shí)施例一中的有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法，所述制作方法包括:
[0048]提供一基底；
[0049]在所述基底上形成陽極、陰極和在陽極和陰極之間形成有機(jī)發(fā)光層，所述提供一基底的步驟包括:
[0050]在所述基底的表面形成不平整區(qū)域；
[0051]在所述基底的不平整區(qū)域上形成所述有機(jī)發(fā)光二極管。
[0052]通過上述步驟形成的有機(jī)發(fā)光二極管，能夠提高OLED光線的輸出效率。
[0053]可選的，所述不平整區(qū)域的面積小于有機(jī)發(fā)光二極管在所述基底上的投影面積。則，當(dāng)OLED應(yīng)用到顯示器件上時，能夠防止顯示器件的像素模糊效應(yīng)。
[0054]本實(shí)施例中，所述提供一基底的步驟具體包括:
[0055]在一襯底基板上形成第一膜層，所述第一膜層由包括梯度交聯(lián)材料的第一材料制得；
[0056]—定波長的光線通過一掩膜板照射所述第一膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面，使所述第一膜層的梯度交聯(lián)材料發(fā)生梯度交聯(lián)，形成表面具有不平整區(qū)域的過渡層，所述掩膜板包括透光區(qū)域，所述透光區(qū)域與所述不平整區(qū)域的位置對應(yīng)。
[0057]上述步驟通過光線照射梯度交聯(lián)材料，使其發(fā)生梯度交聯(lián)來形成不平整區(qū)域。僅需要一個普通的掩膜板就可以在基底的局部形成所述不平整區(qū)域，適用于有機(jī)發(fā)光二極管，而且生產(chǎn)成本較低。
[0058]所述梯度交聯(lián)材料可以為交聯(lián)聚合物或交聯(lián)單體，所述交聯(lián)聚合物可以為共聚物或嵌段共聚物。
[0059]其中，所述第一材料通過將梯度交聯(lián)材料與引發(fā)劑溶解在溶劑中制得。通過改變所述第一材料中各組分的質(zhì)量百分比可以改變所述不平整區(qū)域的形貌。通過在所述溶劑中添加添加劑也可以改變所述不平整區(qū)域的形貌。
[0060]當(dāng)然，通過改變所述第一膜層的厚度、光線照射所述第一膜層的時間或環(huán)境來改變所述不平整區(qū)域的形貌。本實(shí)施例中，所述第一膜層的厚度為100-500um。光線照射所述第一膜層的時間為10-40min。所述環(huán)境具體為惰性氣體環(huán)境。
[0061]其中，所述不平整區(qū)域的形貌包括相鄰兩個凸起的最高點(diǎn)的間距，以及相鄰的凸起和凹陷中最高點(diǎn)和最低點(diǎn)的高度差。
[0062]本實(shí)施例中，所述梯度交聯(lián)材料包括親水性梯度交聯(lián)材料和疏水性梯度交聯(lián)材料，因?yàn)槭杷越宦?lián)材料和親水性交聯(lián)材料在光線的照射下會產(chǎn)生不同程度的交聯(lián)，形成梯度交聯(lián)，從而能夠形成不平整區(qū)域。進(jìn)一步地，可以將親水性梯度交聯(lián)材料和疏水性梯度交聯(lián)材料溶解在二氯甲烷溶劑中來制得所述第一材料，還可以在二氯甲烷溶劑中添加甲醇來改變所述不平整區(qū)域的形貌。在實(shí)際應(yīng)用過程中，可以設(shè)置所述第一材料中所述親水性梯度交聯(lián)材料的質(zhì)量百分比為12 % -15 %，通過改變所述親水性梯度交聯(lián)材料的質(zhì)量百分比來改變所述不平整區(qū)域的形貌。
[0063]結(jié)合圖7-圖9所示所示，以下通過兩個具體的實(shí)施方式來介紹本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管的具體制作過程:
[0064]在一個具體的實(shí)施方式中，首先，將氟聚合物、三甲基丙烷三丙烯酸酯和引發(fā)劑溶解在二氯甲烷溶劑中制得第一材料。其中，氟聚合物為親水性交聯(lián)材料，三甲基丙烷三丙烯酸酯為疏水性交聯(lián)材料，氟聚合物、三甲基丙烷三丙烯酸酯和引發(fā)劑的質(zhì)量比為12:87.5:
0.5，所述引發(fā)劑為2-甲基-4’(甲硫基)-2-嗎啉代苯丙酮?？梢詫?g氟聚合物、三甲基丙烷三丙烯酸酯和引發(fā)劑的混合物溶解在20ml 二氯甲烷溶劑中。
[0065]之后，通過刮涂工藝將所述第一材料涂覆在襯底基板101上，形成第一膜層104，如圖7所示，第一膜層104的厚度可以為100-500um;
[0066]之后，將形成由第一膜層104的襯底基板101在60C的溫度條件下加熱lOmin，以蒸發(fā)第一膜層104中的溶劑；
[0067]之后，在惰性氣體環(huán)境中，365nm波長的紫外線通過掩膜板200照射第一膜層30min，使氟聚合物和三甲基丙烷三丙烯酸酯形成梯度交聯(lián)，從而形成表面具有不平整區(qū)域200的過渡層102，并對過渡層102進(jìn)行熱固化。其中，掩膜板200的透光區(qū)域?qū)?yīng)不平整區(qū)域
20。當(dāng)在同一襯底基板101上制作多個OLED時，可以在過渡層102的表面形成多個不平整區(qū)域20，OLED——對應(yīng)設(shè)置在不平整區(qū)域20上，如圖8所示；
[0068]最后，可以通過濕法刻蝕去除未交聯(lián)的第一膜層，如圖9所示。
[0069]圖4a_圖4d中示意出第一材料中氟聚合物的質(zhì)量百分比不同時，以及第一膜層104的厚度不同時，所述不平整區(qū)域形貌的原子力顯微鏡圖像。其中，圖4a中第一材料中氟聚合物的質(zhì)量百分比為12%，第一膜層的厚度為320um;圖4b中第一材料中氟聚合物的質(zhì)量百分比為12%，第一膜層的厚度為490um;圖4c中第一材料中氟聚合物的質(zhì)量百分比為15%，第一膜層的厚度為320um;圖4d中第一材料中氟聚合物的質(zhì)量百分比為15%，第一膜層的厚度為490um。
[0070]在另一個具體的實(shí)施方式中，首先，將氟聚合物、三甲基丙烷三丙烯酸酯和引發(fā)劑溶解在添加有甲醇的二氯甲烷溶劑中制得第一材料。其中，氟聚合物為親水性交聯(lián)材料，三甲基丙烷三丙烯酸酯為疏水性交聯(lián)材料，氟聚合物、三甲基丙烷三丙烯酸酯和引發(fā)劑的質(zhì)量比為12:87.5:0.5，所述引發(fā)劑為2-甲基-4’(甲硫基)-2-嗎啉代苯丙酮，甲醇和二氯甲烷的體積比為1:9?？梢詫?g氟聚合物、三甲基丙烷三丙烯酸酯和引發(fā)劑的混合物溶解在20ml添加有甲醇的二氯甲烷溶劑中。
[0071 ]之后，通過刮涂工藝將所述第一材料涂覆在襯底基板101上，形成第一膜層104，如圖7所示，第一膜層的厚度可以為100-500um;
[0072]之后，將形成由第一膜層104的襯底基板101在60C的溫度條件下加熱lOmin，以蒸發(fā)第一膜層104中的溶劑；
[0073]之后，在惰性氣體環(huán)境中，365nm波長的紫外線通過掩膜板200照射第一膜層30min，使氟聚合物和三甲基丙烷三丙烯酸酯形成梯度交聯(lián)，從而形成表面具有不平整區(qū)域的過渡層102，并對過渡層102進(jìn)行熱固化。其中，掩膜板200的透光區(qū)域?qū)?yīng)不平整區(qū)域20。當(dāng)在同一襯底基板101上制作多個OLED時，可以在過渡層102的表面形成多個不平整區(qū)域20，OLED——對應(yīng)設(shè)置在不平整區(qū)域20上，如圖8所示；
[0074]最后，可以通過濕法刻蝕去除未交聯(lián)的第一膜層，如圖9所示。
[0075]圖5a_圖5b中示意出第一材料中氟聚合物的質(zhì)量百分比不同時，以及第一膜層104的厚度不同時，所述不平整區(qū)域形貌的原子力顯微鏡圖像。其中，圖5a中第一材料中氟聚合物的質(zhì)量百分比為15%，第一膜層的厚度為320um;圖5b中第一材料中氟聚合物的質(zhì)量百分比為15%，第一膜層的厚度為490umo
[0076]上述兩個【具體實(shí)施方式】中，第一膜層104的厚度可以通過透明膠帶30來控制，具體為，將透明膠帶30粘接在襯底基板101的四周，如圖7所示。
[0077]本實(shí)施例中還提供一種顯示基板的制作方法，采用上述的有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法形成有機(jī)發(fā)光二極管，能夠提高光線輸出效率，并防止像素模糊效應(yīng)。
[0078]所述顯示基板具體為有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，每一像素區(qū)域包括0LED。所有像素區(qū)域的OLED制作在同一基底上，所述基底的每一像素區(qū)域均具有不平整區(qū)域，OLED—一對應(yīng)設(shè)置在不平整區(qū)域上。
[0079]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括基底，以及設(shè)置在基底上的陽極、陰極和設(shè)置在所述陽極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，其特征在于，所述基底的表面具有不平整區(qū)域，所述有機(jī)發(fā)光二極管設(shè)置在所述基底的不平整區(qū)域上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述不平整區(qū)域的面積小于有機(jī)發(fā)光二極管在所述基底上的投影面積。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述基底包括: 襯底基板； 設(shè)置在襯底基板上的過渡層，所述過渡層由包括梯度交聯(lián)材料的第一材料制得，所述過渡層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面具有所述不平整區(qū)域。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述梯度交聯(lián)材料包括親水性交聯(lián)材料和疏水性交聯(lián)材料，所述疏水性交聯(lián)材料位于所述過渡層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述不平整區(qū)域的面積為有機(jī)發(fā)光二極管在所述基底上的投影面積的60%-90%。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述不平整區(qū)域包括多個凸起以及位于相鄰兩個凸起之間的凹陷，相鄰兩個凸起的最高點(diǎn)的間距為10-1OOOnm;對于相鄰的凸起和凹陷，最高點(diǎn)和最低點(diǎn)的高度差為40-120nm。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于，所述不平整區(qū)域的相鄰兩個凸起的最高點(diǎn)的間距不完全相同，且對于相鄰的凸起和凹陷，最高點(diǎn)和最低點(diǎn)的高度差也不完全相同。8.—種顯示基板，包括多個像素區(qū)域，其特征在于，每個像素區(qū)域包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管。9.一種顯示器件，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的顯示基板。10.一種有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法，所述制作方法包括: 提供一基底，在所述基底上形成陽極、陰極和在所述陽極和陰極之間形成有機(jī)發(fā)光層，其特征在于，所述提供一基底的步驟包括: 在所述基底的表面形成不平整區(qū)域； 在所述基底的不平整區(qū)域上形成所述有機(jī)發(fā)光二極管。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述不平整區(qū)域的面積小于有機(jī)發(fā)光二極管在所述基底上的投影面積。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述提供一基底的步驟具體包括: 在一襯底基板上形成第一膜層，所述第一膜層由包括梯度交聯(lián)材料的第一材料制得； 一定波長的光線通過一掩膜板照射所述第一膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面，使所述第一膜層的梯度交聯(lián)材料發(fā)生梯度交聯(lián)，形成表面具有不平整區(qū)域的過渡層，所述掩膜板包括透光區(qū)域，所述透光區(qū)域與所述不平整區(qū)域的位置對應(yīng)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述第一材料通過將梯度交聯(lián)材料與引發(fā)劑溶解在溶劑中制得。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述溶劑中添加有添加劑，所述添加劑能夠改變所述不平整區(qū)域的形貌。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述梯度交聯(lián)材料包括親水性交聯(lián)材料和疏水性交聯(lián)材料，所述疏水性交聯(lián)材料位于所述第一膜層遠(yuǎn)離基底的表面。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述第一材料中所述親水性交聯(lián)材料的質(zhì)量百分比為12 % -15 %，通過改變所述親水性交聯(lián)材料的質(zhì)量百分比能夠改變所述不平整區(qū)域的形貌。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述第一膜層的厚度為100-500um，通過改變所述第一膜層的厚度能夠改變所述不平整區(qū)域的形貌。18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，一定波長的光線通過一掩膜板照射所述第一膜層10_40min，通過改變光線照射所述第一膜層的時間能夠改變所述不平整區(qū)域的形貌。19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述第一材料通過將氟聚合物、三甲基丙烷三丙烯酸酯和引發(fā)劑溶解在溶劑中制得，其中，氟聚合物、三甲基丙烷三丙烯酸酯和引發(fā)劑的質(zhì)量比為12:87.5:0.5，所述引發(fā)劑為2-甲基-4’(甲硫基)-2-嗎啉代苯丙酮，所述溶劑為二氯甲烷。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制作方法，其特征在于，所述溶劑中添加有甲醇。21.—種顯示基板的制作方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求10-20任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管的制作方法形成有機(jī)發(fā)光二極管。
【文檔編號】H01L51/52GK106058068SQ201610111585
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年2月29日 公開號201610111585.3, CN 106058068 A, CN 106058068A, CN 201610111585, CN-A-106058068, CN106058068 A, CN106058068A, CN201610111585, CN201610111585.3
【發(fā)明人】阿查雅·拉簡卓, 付相宇, 彭騁, 陳穎, 劉書毅, 蘇發(fā)其, 尚茲·柯克, 何思恒
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