用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電容器技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的金屬化材料作P2等級電容器，由于方阻較低，金屬鍍層厚度較厚，這種低方阻金屬膜制成的薄膜電容(如圖3所示)對于承受大電流沖擊能力也具有明顯優(yōu)勢，但是自愈所需要的能量也相對較大，自愈時(shí)獲取的電能會轉(zhuǎn)化為自愈熱能。在高溫高壓的環(huán)境下發(fā)生自愈，自愈熱能會導(dǎo)致產(chǎn)品急劇升溫，隨之電參數(shù)開始瞬間劣變，由于電參數(shù)劣變，又促使進(jìn)一步自愈，然后又產(chǎn)生自愈能量，一直循環(huán)到熱量以自燃形式釋放，電容器失效。
近年P(guān)2等級的傳統(tǒng)電容器，市場上使用金屬化安全膜制成的薄膜電容器(如圖4所示)具有高頻損耗小，耐電流能力強(qiáng)、容量高、精度高、體積小、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。由于在鍍層直接有保險(xiǎn)絲，自愈時(shí)燒斷保險(xiǎn)絲就隔離開電極，自愈需要的能量降低。電容器失效也是開路以自燃形式釋放，減小以自燃形式釋放的可能。
但是任何工藝的選擇都是雙向的。網(wǎng)格狀安全膜在低熱自愈同時(shí)，在生產(chǎn)過程中也會碰到一些問題，例如卷繞外封金屬鍍層清除問題，由于薄膜鍍層是不均勻分布，方阻不一致，在外封清除時(shí)電流不一致，有的地方清除不干凈，兩極間的漏電流加大，損耗值變大；賦能電壓選擇問題，電壓高鍍層間的保險(xiǎn)絲燒斷，電壓低附能不到位，損耗值不穩(wěn)定；由于安全膜留有間隔，有效面積降低，尺寸偏大問題或成本增加。都是我們需要注意控制和綜合考慮的效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為了解決上述問題，設(shè)計(jì)了一種用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器。
[0004]實(shí)現(xiàn)上述目的本發(fā)明的技術(shù)方案為，一種用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器，包括中空的盒式封裝本體，所述盒式封裝本體內(nèi)固定安裝電容芯子6，所述電容芯子6上焊接有兩條引線1，所述兩條引線I都從盒式封裝本體的上表面伸出，所述電容芯子6是分別在兩個(gè)平行的介質(zhì)2的上表面上蒸鍍金屬鍍層3形成的結(jié)構(gòu)。
[0005]所述介質(zhì)2為聚丙烯薄膜。
[0006]所述金屬鍍層3是由方阻較大的金屬鍍層制作而成的，所以金屬化薄膜本身的方阻也比較大，一般可采用鋅和鋁的金屬鍍層來制作金屬化薄膜。
[0007]所述金屬鍍層3呈斜坡狀蒸鍍在介質(zhì)2的上表面上。
[0008]所述兩個(gè)平行的介質(zhì)2相互錯(cuò)開，兩個(gè)平行的介質(zhì)錯(cuò)開的距離0.7-0.8mm。
[0009]所述金屬鍍層3的一邊與介質(zhì)2上表面對應(yīng)的邊緣重合，另一邊與介質(zhì)2上表面對應(yīng)的邊緣相距2mm。
[0010]采用兩個(gè)平行的介質(zhì)相互錯(cuò)開且金屬鍍層邊緣與介質(zhì)邊緣存在距離的結(jié)構(gòu)可以有效的防止電極間放電。
[0011]所述兩個(gè)引線I分別與兩個(gè)金屬鍍層3焊接在一起。
[0012]所述盒式封裝本體是由雙層外殼4和填充在雙層外殼縫隙間的灌封料5兩部分構(gòu)成的。
[0013]利用本發(fā)明的技術(shù)方案制作的用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜電容器，具有安全性高，高頻損耗小，安全環(huán)保、容量高、精度高、體積小、抗機(jī)械強(qiáng)度高、性價(jià)比高，能夠在高壓、高頻率的場合下應(yīng)用。
【附圖說明】
[0014]圖1是本發(fā)明所述電容芯子的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2是本發(fā)明所述用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3是傳統(tǒng)低方阻金屬膜制成的薄膜電容器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖4是傳統(tǒng)金屬化安全膜制成的薄膜電容器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中，1、引線；2、介質(zhì)；3、金屬鍍層；4、雙層外殼；5、灌封料；6、電容芯子。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行具體描述，如圖1-2所示，一種用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器，包括中空的盒式封裝本體，所述盒式封裝本體內(nèi)固定安裝電容芯子6，所述電容芯子6上焊接有兩條引線1，所述兩條引線I都從盒式封裝本體的上表面伸出，所述電容芯子6是分別在兩個(gè)平行的介質(zhì)2的上表面上蒸鍍金屬鍍層3形成的結(jié)構(gòu)。其中，所述介質(zhì)2為聚丙烯薄膜；所述金屬鍍層3是由方阻較大的金屬鍍層制作而成的；所述金屬鍍層3呈斜坡狀蒸鍍在介質(zhì)2的上表面上；所述兩個(gè)平行的介質(zhì)2相互錯(cuò)開，兩個(gè)平行的介質(zhì)錯(cuò)開的距離0.7-0.8mm ;所述金屬鍍層3的一邊與介質(zhì)2上表面對應(yīng)的邊緣重合，另一邊與介質(zhì)2上表面對應(yīng)的邊緣相距2mm ;所述兩個(gè)引線I分別與兩個(gè)金屬鍍層3焊接在一起；所述盒式封裝本體是由雙層外殼4和填充在雙層外殼縫隙間的灌封料5兩部分構(gòu)成的。
[0019]本發(fā)明的技術(shù)要點(diǎn)是用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜，將金屬鍍層通過蒸鍍的方式設(shè)置在兩個(gè)相互平行的介質(zhì)上。金屬鍍層作為電極，金屬鍍層和介質(zhì)共同構(gòu)成了電容芯子，電容芯子放入盒式封裝本體內(nèi)構(gòu)成電容器，金屬鍍層上焊接引線，引線向上伸出盒式封裝本體。
[0020]在本技術(shù)方案中，金屬化薄膜采用方阻比較大的金屬膜制成，由于金屬鍍層很薄，那么在自愈過程中要使之氣化恢復(fù)絕緣，相比于普通方阻材料，只需要更短暫的電極短路時(shí)間和更少的自愈能量。因此自愈恢復(fù)所需的能量降低，可以大幅度降低由于自愈過度引發(fā)的自燃和爆炸。達(dá)到防爆效果。
[0021 ] 在本技術(shù)方案中，金屬鍍層采用蒸鍍方式設(shè)置在介質(zhì)上表面上作為電極，且介質(zhì)表面上的金屬鍍層成斜坡狀。金屬化薄膜電容的最大優(yōu)點(diǎn)是“自愈”特性。所謂自愈特性就是假如薄膜介質(zhì)由于在某點(diǎn)存在缺陷以及在過電壓作用下出現(xiàn)擊穿短路，而擊穿點(diǎn)的金屬鍍層可在電弧作用下瞬間熔化蒸發(fā)而形成一個(gè)很小的無金屬區(qū)，使電容的兩個(gè)極片重新相互絕緣而仍能繼續(xù)工作，因此極大提高了電容器工作的可靠性。本發(fā)明選用方阻比較大的金屬膜，其鍍層很薄，那么在自愈過程中要使之氣化恢復(fù)絕緣，相比于低方阻材料，只需要更短暫的電極短路時(shí)間和更少的自愈能量，減少了因自愈熱能引起的電容器失效問題。然而，如果鍍層全部都是高方阻，金屬膜電容器的明顯弱點(diǎn)是大電流承載能力差，等效串聯(lián)電阻就會有一個(gè)很大的提升，可能會造成電容器內(nèi)部過熱的結(jié)果。使其更適合于耐電流要求較低、安全要求較高的場合。為了解決這一個(gè)問題，我們采用了把金屬鍍層設(shè)計(jì)成斜坡狀。電容器在高頻電路中載電密度的分布是按坡度逐漸變化，因此，使用坡度式的高方阻金屬鍍層既增加電容器的過電流能力，又可降低產(chǎn)品的自愈能量。
[0022]上述技術(shù)方案僅體現(xiàn)了本發(fā)明技術(shù)方案的優(yōu)選技術(shù)方案，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員對其中某些部分所可能做出的一些變動均體現(xiàn)了本發(fā)明的原理，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器，包括中空的盒式封裝本體，其特征在于，所述盒式封裝本體內(nèi)固定安裝電容芯子(6)，所述電容芯子(6)上焊接有兩條引線(I )，所述兩條引線(I)都從盒式封裝本體的上表面伸出，所述電容芯子(6)是分別在兩個(gè)平行的介質(zhì)(2)的上表面上蒸鍍金屬鍍層(3)形成的結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器，其特征在于，所述介質(zhì)(2)為聚丙烯薄膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器，其特征在于，所述金屬鍍層(3)是由方阻較大的金屬鍍層制作而成的。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器，其特征在于，所述金屬鍍層(3)呈斜坡狀蒸鍍在介質(zhì)(2)的上表面上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器，其特征在于，所述兩個(gè)平行的介質(zhì)(2)相互錯(cuò)開，兩個(gè)平行的介質(zhì)錯(cuò)開的距離0.7-0.8mm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器，其特征在于，所述金屬鍍層(3)的一邊與介質(zhì)(2)上表面對應(yīng)的邊緣重合，另一邊與介質(zhì)(2)上表面對應(yīng)的邊緣相距2mm。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器，其特征在于，所述兩個(gè)引線(I)分別與兩個(gè)金屬鍍層(3)焊接在一起。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器，其特征在于，所述盒式封裝本體是由雙層外殼(4)和填充在雙層外殼縫隙間的灌封料(5)兩部分構(gòu)成的。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用高方阻金屬膜制作金屬化薄膜式電容器，包括中空的盒式封裝本體，所述盒式封裝本體內(nèi)固定安裝電容芯子6，所述電容芯子6上焊接有兩條引線1，所述兩條引線1都從盒式封裝本體的上表面伸出，所述電容芯子6是分別在兩個(gè)平行的介質(zhì)2的上表面上蒸鍍金屬鍍層3形成的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的有益效果是，高壓、高頻率的場合下應(yīng)用。
【IPC分類】H01G4/008, H01G4/14, H01G4/33, H01G4/005, H01G4/015
【公開號】CN105632761
【申請?zhí)枴緾N201410616264
【發(fā)明人】謝志懋, 王占東
【申請人】佛山市南海區(qū)欣源電子有限公司, 廣東欣源智能電子有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2014年11月6日