0041]
[0042] 式中，k是MEMS橋的彈性剛度，Ah是MEMS橋向上的高度誤差，ε〇是空氣的相對(duì)介電 常數(shù)，Wc是中屯、導(dǎo)體寬度，Wb是橋?qū)挾龋?br>[0043] (7c)根據(jù)步驟(6b)中MEMS橋向上的高度誤差值，因 MEMS橋"down"工作狀態(tài)下理想 的工作電壓為V/，所W第i個(gè)MEMS橋"down"工作狀態(tài)下工作電壓的調(diào)整量如下：
[0044]
[0045] 式中，k是MEMS橋的彈性剛度，h是MEMS橋的理想高度，Δ h是MEMS橋向上的高度誤 差，ε〇是空氣的相對(duì)介電常數(shù)，wc是中屯、導(dǎo)體寬度，Wb是橋?qū)挾取?br>[0046] 所述步驟(8)當(dāng)相移量測(cè)量值Δ φ?小于或等于標(biāo)準(zhǔn)值Δ φο時(shí)，計(jì)算第i個(gè)MEMS橋 的等效電路參數(shù)：
[0047] (8a)將步驟(3)中的相移量測(cè)量值與步驟（2)的標(biāo)準(zhǔn)值比較，當(dāng)相移量測(cè)量值Δ Φ?小于標(biāo)準(zhǔn)值A(chǔ) Φο時(shí)，可得MEMS橋有向下的高度誤差，當(dāng)相移量測(cè)量值Δ Φ?等于標(biāo)準(zhǔn)值 Δ Φο時(shí)，MEMS橋沒(méi)有誤差，工作電壓不需要調(diào)整；
[0048] (8b)計(jì)算第i個(gè)MEMS橋的等效電路參數(shù)，MEMS橋未加載時(shí)，傳輸線上單位長(zhǎng)度的等 效電容值Ct公式為：
[0049]
[0050] 式中，Er是介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)，C是光速，Zo是傳輸線的特征阻抗；
[0051 ] MEMS橋未加載時(shí)，傳輸線上單位長(zhǎng)度的等效電感值k公式為：
[0化2]
[0053] 式中，Ct是傳輸線上單位長(zhǎng)度的等效電容值，Zo是傳輸線的特征阻抗。
[0054] 所述步驟(9)利用單個(gè)MEMS橋的機(jī)電禪合模型，反推計(jì)算第i個(gè)MEMS橋向下的高度 誤差值：
[0055] (9a)利用單個(gè)MEMS橋的機(jī)電禪合模型，W及步驟(3)第i個(gè)MEMS橋相移量的測(cè)量值 可反推計(jì)算出"up"工作狀態(tài)下可變電容值Cui( Δ h)，該禪合模型如下：
[0化6]
[0057]式中，S是相鄰MEMS橋間距值，ω是工作頻率，Ct是傳輸線上單位長(zhǎng)度的等效電容 值，U是傳輸線上單位長(zhǎng)度的等效電感值，Cd是"down"工作狀態(tài)下可變電容值，Cui( Ah)是 "up"工作狀態(tài)下可變電容值"；Δ φι是第i個(gè)MEMS橋相移量的測(cè)量值；
[0化引（9b)根據(jù)步驟(9a)計(jì)算的"啡"工作狀態(tài)下可變電容值Cui( Ah),利用"啡"工作狀 態(tài)下可變電容值與MEMS橋高度誤差的關(guān)系式，可W反推得到第i個(gè)MEMS橋向下的高度誤差 Ah,該關(guān)系式如下：
[0化9]
[0060]式中，Wc是中屯、導(dǎo)體寬度，wb是橋?qū)挾龋琱是MEMS橋距介質(zhì)層的理想高度，td是介質(zhì) 層厚度，ε〇是空氣的相對(duì)介電常數(shù)，Er是介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)，L是MEMS橋長(zhǎng)，A h是MEMS橋 向下的高度誤差。
[0061 ]所述步驟(10)利用工作電壓對(duì)MEMS橋高度的控制關(guān)系式，根據(jù)MEMS橋向下的高度 誤差值，計(jì)算第i個(gè)MEMS橋"叫"工作狀態(tài)下工作電壓的調(diào)整量根據(jù)步驟(7a)中工作電壓對(duì) MEMS橋高度的控制關(guān)系式，利用步驟(9b )MEMS橋向下的高度誤差值，因 MEMS橋"啡"工作狀 態(tài)下的理想工作電壓為零，故計(jì)算第i個(gè)MEMS橋"up"工作狀態(tài)下工作電壓的調(diào)整量如下：
[0062]
[0063] 式中，k是MEMS橋的彈性剛度，Ah是MEMS橋向下的高度誤差，ε〇是空氣的相對(duì)介電 常數(shù)，Wc是中屯、導(dǎo)體寬度，Wb是橋?qū)挾取?br>[0064] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有W下特點(diǎn)：
[0065] 1.本發(fā)明利用分布式MEMS移相器中關(guān)鍵結(jié)構(gòu)參數(shù)MEMS橋高度和電參數(shù)相移量之 間禪合關(guān)系的禪合模型，可直接分析在工作過(guò)程中分布式MEMS移相器受內(nèi)部載荷環(huán)境和外 界載荷環(huán)境的影響，導(dǎo)致MEMS橋高度偏移對(duì)相移量的影響，解決了目前不能直接得到結(jié)構(gòu) 參數(shù)和電參數(shù)的問(wèn)題。
[0066] 2.利用分布式MEMS移相器機(jī)電禪合模型，當(dāng)測(cè)量出分布式MEMS移相器相移量時(shí)， 可定量得到MEMS橋高度的誤差，利用工作電壓對(duì)MEMS橋高度的控制關(guān)系式，可快速給出合 理的工作電壓調(diào)整量，有效降低了分布式MEMS移相器在實(shí)際工況下環(huán)境載荷對(duì)其電性能的 影響。
【附圖說(shuō)明】
[0067] 圖1是本發(fā)明一種基于相移量機(jī)電禪合的分布式MEMS移相器工作電壓的調(diào)整方法 的流程圖；
[0068] 圖2是分布式MEMS移相器"up"工作狀態(tài)下部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0069] 圖3是分布式MEMS移相器"down"工作狀態(tài)下部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0070] 圖4是分布式MEMS移相器剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0071 ]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0072] 參照?qǐng)D1，本發(fā)明為一種基于相移量機(jī)電禪合的分布式MEMS移相器工作電壓的調(diào) 整方法，具體步驟如下：
[0073] 步驟1，確定分布式MEMS移相器的結(jié)構(gòu)參數(shù)和電磁工作參數(shù)。
[0074] 分布式MEMS移相器結(jié)構(gòu)參數(shù)如圖2所示，包括共面波導(dǎo)傳輸線、MEMS橋和介質(zhì)層的 長(zhǎng)度、寬度和厚度，相鄰兩個(gè)橋的間距，MEMS橋距介質(zhì)層的高度。分布式MEMS移相器的材料 屬性，包括介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)。分布式MEMS移相器的電磁工作參數(shù)，包括分布式MEMS移 相器的電磁工作頻率ω。
[0075] 步驟2,確定分布式MEMS移相器的工作電壓標(biāo)準(zhǔn)值Vo和相移量標(biāo)準(zhǔn)值Δ φο。
[0076] 步驟3,測(cè)量分布式MEMS移相器第i個(gè)(1 ^ i ^M)MEMS橋產(chǎn)生的相移量Δ φι。
[0077] 對(duì)分布式MEMS移相器施加 2Vo的工作電壓，測(cè)量分布式MEMS移相器此工作狀態(tài)下， Μ個(gè)MEMS橋中第i個(gè)(1 y <M)MEMS橋產(chǎn)生的相移量Δ φ?。
[007引步驟4，比較相移量測(cè)量值Δ Φ i與標(biāo)準(zhǔn)值Δ Φ 0。
[0079] 如果測(cè)量值大于標(biāo)準(zhǔn)值，則繼續(xù)步驟5,否則轉(zhuǎn)至步驟8。
[0080] 步驟5,當(dāng)相移量測(cè)量值Δ φ?大于標(biāo)準(zhǔn)值Δ φο時(shí)，計(jì)算第i個(gè)MEMS橋的等效電路參 數(shù)。
[0081] (5a)將步驟3中的相移量測(cè)量值與步驟2的標(biāo)準(zhǔn)值比較，當(dāng)相移量測(cè)量值Δ Φ i大 于標(biāo)準(zhǔn)值Δ Φ 0時(shí)，可得MEMS橋有向上的高度誤差；
[0082] 巧b)計(jì)算第i個(gè)MEMS橋的等效電路參數(shù)，MEMS橋未加載時(shí)，傳輸線上單位長(zhǎng)度的等 效電容值Ct公式為：
[0083]
[0084] 式中，Er是介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)，C是光速，Zo是傳輸線的特征阻抗；
[0085] MEMS橋未加載時(shí)，傳輸線上單位長(zhǎng)度的等效電感值k公式為：
[0086]
[0087] 式中，Ct是傳輸線上單位長(zhǎng)度的等效電容值，Zo是傳輸線的特征阻抗。
[0088] 步驟6,利用單個(gè)MEMS橋的機(jī)電禪合模型，反推計(jì)算第i個(gè)MEMS橋向上的高度誤差 值。
[0089] (6a)利用單個(gè)MEMS橋的機(jī)電禪合模型，W及步驟3第i個(gè)MEMS橋相移量的測(cè)量值可 反推計(jì)算出"up"工作狀態(tài)下可變電容值Cui( Δ h)，該禪合模型如下：
[0090]
[0091] 式中，S是相鄰MEMS橋間距值，ω是工作頻率，Ct是傳輸線上單位長(zhǎng)度的等效電容 值，Lt是傳輸線上單位長(zhǎng)度的等效電感值，Cd是"down"工作狀態(tài)下可變電容值，Cui( Ah)是 "up"工作狀態(tài)下可變電容值；Δ φι是第i個(gè)MEMS橋相移量的測(cè)量值；
[0092] (6b)根據(jù)步驟(6a)計(jì)算的"up"工作狀態(tài)下可變電容值Cui( Ah),利用"up"工作狀 態(tài)下可變電容值與MEMS橋高度誤差的關(guān)系式，可W反推得到第i個(gè)MEMS橋向上的高度誤差 Ah,該關(guān)系式如下：
[0093]
[0094] 式中，wc是中屯、導(dǎo)體寬度，wb是橋?qū)挾?，h是MEMS橋距介質(zhì)層的理想高度，td是介質(zhì) 層厚度，ε〇是空氣的相對(duì)介電常數(shù)，Er是介質(zhì)層的相對(duì)介電常數(shù)，L是MEMS橋長(zhǎng)，A h是MEMS橋 向上的局度誤差。
[0095] 步驟7，根據(jù)MEMS橋向上的高度誤差值，分別計(jì)算第i個(gè)1615橋"啡"和"down"兩個(gè) 工作狀態(tài)下工作電壓的調(diào)整量。
[0096] (7a)工作電壓對(duì)MEMS橋高度的控制關(guān)系式如下所示：
[0097]
[009引式中，k是MEMS橋的彈性剛度，h是MEMS橋的理想高度，ε0是空氣的相對(duì)介電常數(shù)，W。 是中屯、導(dǎo)體寬度，Wb是橋?qū)挾龋?br>[0099] (7b)根據(jù)步驟(6b)中MEMS橋向上的高度誤差值，因 MEMS橋"啡"工作狀態(tài)下的理想 工作電壓為零，故計(jì)算第i個(gè)MEMS橋"up"工