在led 芯片上形成熒光層的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光元件，特別涉及一種在LED芯片上形成熒光層的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，采用靜電電泳涂裝法在LED芯片上形成熒光層。該方法主要依靠電場(chǎng)所產(chǎn)生的物理化學(xué)作用將熒光粉沉積在LED芯片的表面上，存在容易產(chǎn)生電壓過(guò)高而擊穿LED芯片的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要研發(fā)一種安全、可靠的用于在LED芯片上形成熒光層的方法。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種在LED芯片上形成熒光層的方法，其包括:對(duì)至少兩個(gè)LED芯片的至少出光面施加包括熒光粉和熱塑性材料的混合物，其中，所述至少兩個(gè)LED芯片承載在具有粘性的塑膠膜上；將施加有所述混合物的所述LED芯片加熱到120°C?350°C，以使所述熱塑性材料熔解并在所述LED芯片的出光面及其四周形成熒光層。
[0005]通過(guò)直接對(duì)附著在塑膠膜上的LED芯片的至少出光面施加熒光粉和熱塑性材料的混合物，并將施加有所述混合物的LED芯片加熱至所述熱塑性材料的熔解溫度，從而在LED芯片的出光面及其四周形成熒光層，根據(jù)本發(fā)明的在LED芯片上形成熒光層的方法可有效提聞LED芯片的良品率。
【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的在LED芯片上形成熒光層的方法的流程圖；
[0007]圖2a?2d示出實(shí)施圖1所示方法的過(guò)程中的LED芯片的示意圖；
[0008]圖3為實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的在LED芯片上形成熒光層的方法的LED芯片的示意圖；
[0009]圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的在LED芯片上形成熒光層的方法的流程圖；
[0010]圖5為根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的在LED芯片上形成熒光層的方法的流程圖；
[0011]圖6為根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的在LED芯片上形成熒光層的方法的流程圖；
[0012]圖7為根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的在LED芯片上形成熒光層的方法的流程圖；
[0013]圖8示出實(shí)施圖7所示方法的過(guò)程中的LED芯片的示意圖；
[0014]圖9為生產(chǎn)用于圖7所示方法的熒光膜的一流程圖；
[0015]圖10為生產(chǎn)用于圖7所示方法的熒光膜的另一流程圖；
[0016]圖11為生產(chǎn)用于圖7所示方法的熒光膜的又一流程圖；
[0017]圖12為生產(chǎn)用于圖7所示方法的熒光膜的再一流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]如【背景技術(shù)】部分所述，采用靜電電泳涂裝法在LED芯片上形成熒光層，存在容易因電壓過(guò)高而擊穿LED芯片的問(wèn)題。為了提高熒光層涂布工藝中LED芯片的良品率，本發(fā)明人通過(guò)對(duì)至少包括熒光粉和熱塑性材料的靜電電泳涂裝用粉末進(jìn)行反復(fù)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，所述粉末在被加熱到50°C?180°C但未完全熔解時(shí)具有粘性，從而使得所述粉末相互粘結(jié)并在冷卻后變硬成膜，該膜可反復(fù)加熱到50°C?180°C并仍具有粘性，并且在將該膜進(jìn)一步加熱至熱塑性材料的熔解溫度、例如120°C?350°C時(shí)，該膜將呈可流動(dòng)的熱熔狀態(tài)。
[0019]基于以上發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明人獨(dú)創(chuàng)性地提出，通過(guò)一段式加溫或者兩段式加溫來(lái)在LED芯片上形成熒光層。其中，所謂一段式加溫是指，對(duì)至少出光面施加有包括熒光粉和熱塑性材料的混合粉末或混合液的LED芯片進(jìn)行例如120°C?350°C的高溫加熱，以使熱塑性材料熱熔從而在LED芯片的出光面及其四周形成熒光層。所謂兩段式加溫是指，首先，對(duì)至少包括熒光粉和熱塑性材料的混合粉末或混合液進(jìn)行例如50°C?180°C的低溫加熱，以使所述熒光粉和熱塑性材料粘結(jié)成熒光膜；之后，在將所述熒光膜覆蓋在LED芯片的出光面上的狀態(tài)下，對(duì)LED芯片進(jìn)行例如120°C?350°C的高溫加熱，以使熒光膜熱熔并且四周呈垂流狀態(tài)，從而可均勻覆蓋LED芯片的出光面及其四周，也即均勻地在LED芯片的出光面及其四周形成熒光層。
[0020]圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的在LED芯片上形成熒光層的方法的流程圖，并且圖2a?2d示出實(shí)施圖1所示方法的過(guò)程中的LED芯片的示意圖。將參照?qǐng)D1和圖2a?2d詳細(xì)介紹根據(jù)本實(shí)施例的在LED芯片上形成熒光層的方法的實(shí)施例如下。
[0021]如圖1所示，該在LED芯片上形成熒光層的方法主要包括:
[0022]步驟S110、對(duì)于如圖2a所示承載于塑膠膜220上的至少兩個(gè)LED芯片210，其中LED芯片210的出光面211位于塑膠膜220的上方并且不直接接觸塑膠膜220，可將至少包括熒光粉和熱塑性材料的混合粉末231噴涂在LED芯片220的至少出光面211上，以使混合粉末231如圖2b所示覆蓋LED芯片220的出光面211及其四周；以及
[0023]步驟S120、將施加有混合粉末231的LED芯片210加熱到120°C?350°C，以使所述熱塑性材料熔解，從而如圖2c所示在LED芯片210的出光面211及其四周形成熒光層232。
[0024]其中，塑膠膜220優(yōu)選為L(zhǎng)ED芯片生產(chǎn)中常用的具有粘性的藍(lán)膜，例如PE膜或PVC膜。在這種情況下，執(zhí)行步驟S120時(shí)，塑膠膜220將因加熱而收縮。因此，在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，如圖1所示，該在LED芯片上形成熒光層的方法還可包括步驟S130，即將因加熱而收縮了的塑膠膜220移除，并將所述至少兩個(gè)LED芯片承載于新的塑膠膜220上，以使所述新的塑膠膜貼合各所述LED芯片的不具有所述熒光層的表面。
[0025]在一種可能的具體實(shí)現(xiàn)方式中，如圖1所示，該在LED芯片上形成熒光層的方法還可包括步驟S140，即利用激光和/或鉆石刀沿相鄰的兩個(gè)LED芯片210之間的分界線進(jìn)行切割，以使至少兩個(gè)LED芯片210的熒光層232如圖2d所示相互分離，并且還可將不需要的熒光層232移除，由此完成各LED芯片210的熒光層涂布。
[0026]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述熒光粉包括釔鋁石榴石、氮化物、氮氧化物、硅酸鹽、和硫化物中的任意一種或多種。以及，所述熱塑性材料包括氟樹脂、甲基丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、有機(jī)硅樹脂、聚氨酯樹脂、醇酸樹脂、和不飽和樹脂中的任意一種或多種。這樣，在將噴涂有所述熒光粉和所述熱塑性材料的均勻混合粉末的LED芯片加熱至所述熱塑性材料的熔解溫度、例如120°C?350°C時(shí)，所述均勻混合粉末將因所述熱塑性材料的熔解而相互粘結(jié)，并在冷卻后硬化成熒光層。
[0027]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述熒光粉的顆粒的粒徑可為6 μ m。并且，在一種可能的具體實(shí)現(xiàn)方式中，所述熒光粉與所述熱塑性材料的質(zhì)量比可為0.1?10。例如，在所述熒光粉的質(zhì)量為I克的情況下，所述熱塑性材料的質(zhì)量可為0.1克?10克。
[0028]通過(guò)上述介紹可知，由于通過(guò)直接對(duì)附著在塑膠膜上的LED芯片的至少出光面施加熒光粉和熱塑性材料的混合粉末，并將施加有所述混合粉末的LED芯片加熱至所述熱塑性材料的熔解溫度，從而在LED芯片的出光面及其四周形成熒光層，根據(jù)本發(fā)明的在LED芯片上形成突光層的方法可有效提聞LED芯片的良品率。
[0029]此外，在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，LED芯片210可為覆晶LED芯片。并且，在一種可能的具體實(shí)現(xiàn)方式中，LED芯片210的與出光面211相反的表面具有如圖3所示的結(jié)構(gòu)。如圖3所示，LED芯片210可包括沿水平方向依次排列的正電極212、負(fù)電極213以及隔離區(qū)214。其中，所述水平方向?yàn)榕c塑膠膜220平行的方向，圖示為AA。隔離區(qū)214在塑膠膜220上的垂直投影位于正電極212和負(fù)電極213在塑膠膜220上的垂直投影之間，并且隔離區(qū)214在所述水平方向的中心線與LED芯片210在所述水平方向的中軸線重疊，均為圖3所示線條B。優(yōu)選地，隔離區(qū)214在所述水平方向的寬度L2不超過(guò)LED芯片210在所述水平方向的寬度LI的三分之一。
[0030]圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的在LED芯片上形成熒光層的方法的流程圖。如圖4所示，根據(jù)本實(shí)施例的在LED芯片上形成熒光層的方法主要包括:
[0031]步驟S4