本實用新型涉及ESD保護元件、以及在層疊體上一體地構成了ESD保護元件和共模扼流圈的帶ESD保護元件的共模扼流圈。

背景技術：

ESD(Electro-Static Discharge；靜電放電)是帶電的導電性的物質(人體、連接器等)與其他的導電性的物質(電子設備等)接觸或者充分接近時產生放電的現(xiàn)象。ESD保護元件是用于將ESD放到地面等的元件，例如配置于電路的信號線路與地面(接地)之間。

以往，為了防止ESD所帶來的電子設備的損傷、誤動作等，作為ESD對策，設計了各種ESD保護元件。例如，專利文獻1中記載有如下構成的ESD保護元件(電火花放電間隙方式)，即：在形成于層疊體的內部的空洞部具備對置配置的放電電極以及接地電極、和與對置配置的放電電極以及接地電極鄰接配置的輔助電極。

另一方面，為了抑制在差動傳送線路中傳播的共模噪聲，以往使用共模扼流圈作為共模濾波器，作為ESD對策，也設計了各種具備上述電火花放電間隙方式的ESD保護元件的共模扼流圈。例如，在專利文獻2以及專利文獻3中記載有在從層疊方向觀察時在左右排列2個空洞部且在每個空洞部分別獨立地形成ESD保護元件的構造的陣列型的層疊型共模扼流圈。

專利文獻1：國際公開第2008/146514號

專利文獻2：國際公開第2013/136936號

專利文獻3：國際公開第2013/99540號

若使在每個空洞部獨立地形成ESD保護元件的構造的層疊體小型化，則產生多個空洞部被接近配置，空洞部彼此相連等問題。因此，在 按每個ESD保護元件設置空洞部的構造中，需要一定程度的占有空間，小型化困難。因此，在想要使在層疊體的內部具備多個ESD保護元件的電子部件小型化的情況下，不得不采用在一個空洞部內配置接地電極和多個放電電極的構造。

但是，若采用這種構造，則在共享的空洞部內多個放電電極彼此鄰接，所以在靜電進入至傳送線路的情況下，不只是放電電極與接地電極之間，在多個放電電極彼此之間也容易產生異常的放電。若產生這樣的放電電極彼此的放電(以下稱為“異常放電”)，則存在進入至一方的傳送線路的靜電遷移到另一方的傳送線路，破壞連接于共模扼流圈的后段的IC等電子電路的擔憂。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種在電火花放電間隙方式的ESD保護元件中，即使在共享的空洞部內設置多個ESD保護元件，也在多個放電電極彼此之間抑制放電的小型的ESD保護元件。另外，提供一種具備上述的ESD保護元件的帶ESD保護元件的共模扼流圈。

(1)本實用新型的ESD保護元件的特征在于，具備：

層疊體，通過層疊多個基材層而成；

空洞部，形成在上述層疊體的內部；

接地電極，在上述空洞部內露出至少一部分；

第一放電電極以及第二放電電極，在共享的上述空洞部內露出至少一部分，并且與共同的上述接地電極對置；以及

放電輔助電極，通過在上述基材層分散導電性粒子而形成，在上述空洞部內露出至少一部分，并沿著上述空洞部的內表面形成，

在從上述基材層的層疊方向觀察時，上述第一放電電極和上述第二放電電極在上述空洞部內相互鄰接配置，

在從上述基材層的層疊方向觀察時，上述放電輔助電極至少形成于上述第一放電電極與上述接地電極的對置區(qū)域以及上述第二放電電極 與上述接地電極的對置區(qū)域，并且具有在上述空洞部內不形成上述放電輔助電極的非形成部，

上述非形成部至少將上述第一放電電極與上述第二放電電極的鄰接區(qū)域的上述放電輔助電極分隔成上述第一放電電極側和上述第二放電電極側。

通過該構成，在形成于層疊體的內部的共享的空洞部內形成有多個ESD保護元件，所以與在每個空洞部分別獨立地形成ESD保護元件的以往的構造相比，能夠小型化。另外，通過該構成，進入至傳送線路的靜電容易在第一放電電極與接地電極之間以及第二放電電極與接地電極之間放電。并且，至少第一放電電極與第二放電電極的鄰接區(qū)域的放電輔助電極被非形成部分隔成第一放電電極側和第二放電電極側，所以抑制了在空洞部內相互鄰接配置的多個放電電極彼此之間的放電。因此，能夠防止進入至一方的傳送線路的靜電遷移到另一方的傳送線路。

(2)優(yōu)選上述第一放電電極與上述接地電極的對置區(qū)域的分離距離以及第二放電電極與上述接地電極的對置區(qū)域的分離距離比上述第一放電電極與上述第二放電電極的鄰接區(qū)域的距離短。通過該構成，進入至傳送線路的靜電容易在第一放電電極與接地電極之間以及第二放電電極與接地電極之間放電，所以抑制了在空洞部內相互鄰接配置的多個放電電極彼此之間的放電。

(3)優(yōu)選上述非形成部將上述放電輔助電極分隔成上述第一放電電極側和上述第二放電電極側。在該構成中，放電輔助電極被非形成部分隔成上述第一放電電極側和上述第二放電電極側，所以抑制了在空洞部內相互鄰接配置的多個放電電極彼此之間的放電。

(4)優(yōu)選在從上述基材層的層疊方向觀察時，上述放電輔助電極至少比在上述空洞部內露出的上述第一放電電極以及上述第二放電電極的外緣形成得寬。通過該構成，放電輔助電極比在空洞部內露出的第一放電電極以及第二放電電極的外緣形成得寬，所以即使在制造時產生堆疊偏差，也能夠抑制ESD保護特性的差別。因此，能夠提高受堆疊偏差影響的產品的合格率。另外，在第一放電電極與接地電極的對置區(qū)域以及第二放電電極與接地電極的對置區(qū)域以外也形成有放電輔助電 極，所以放電輔助電極的面積變大。因此，通過該構成，較多地形成靜電的放電路徑，即使反復產生靜電的放電，也難以產生絕緣電阻劣化，能夠提高靜電的放電的反復特性。

(5)本實用新型的帶ESD保護元件的共模扼流圈的特征在于，在上述層疊體的表面或者內層具備：相互耦合的第一線圈及第二線圈、以及與上述第一線圈及上述第二線圈連接的(1)～(5)中的任意一項所述的ESD保護元件。

(6)在本實用新型的帶ESD保護元件的共模扼流圈中，優(yōu)選在從上述第一線圈以及上述第二線圈的卷繞軸向的俯視圖中，上述ESD保護元件形成于上述第一線圈以及上述第二線圈的線圈開口部的內側。在該構成中，在線圈開口部的內側形成有接地電極、放電電極、放電輔助電極，所以與在線圈開口部的內側沒有任何電極圖案的情況相比，能夠防止燒制層疊體時產生的環(huán)狀的第一線圈以及第二線圈的內側的區(qū)域的凹陷的產生。由此，能夠實現(xiàn)頂面以及底面的平坦度較高的層疊型的帶ESD保護元件的共模扼流圈。另外，在線圈開口部的內側形成有接地電極、放電電極、放電輔助電極，所以能夠抑制在與第一線圈的第一環(huán)狀導體以及第二線圈的第二環(huán)狀導體之間產生不必要的電容。另外，ESD保護元件的放電間隙與構成各線圈的環(huán)狀導體的距離較大，所以環(huán)狀導體難以受到ESD所帶來的電磁感應、發(fā)熱等影響。

(7)在本實用新型的帶ESD保護元件的共模扼流圈中，優(yōu)選在從基材層的層疊方向觀察時，上述接地電極與上述第一線圈以及上述第二線圈重疊的部分的線寬度比在上述空洞部內露出的部分的線寬度細。通過該構成，能夠減小形成第一線圈以及第二線圈的導體與接地電極的對置面積。因此，能夠減少在形成第一線圈以及第二線圈的導體與接地電極之間產生的雜散電容。

根據(jù)本實用新型，能夠實現(xiàn)在電火花放電間隙方式的ESD保護元件中，即使在共享的空洞部內設置多個ESD保護元件，也抑制多個放電電極彼此之間的異常放電的小型的ESD保護元件，并且能夠實現(xiàn)帶ESD保護元件的共模扼流圈。

附圖說明

圖1是第一實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈101的外觀立體圖。

圖2是表示第一實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈101的各基材層的電極圖案等的分解俯視圖。

圖3是圖1中的A－A’剖視圖。

圖4是第一實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈101的電路圖。

圖5是將ESD保護元件放大表示的俯視透視圖。

圖6是帶ESD保護元件的共模扼流圈101的俯視透視圖。

圖7是表示第二實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈102的各基材層的電極圖案等的分解俯視圖。

圖8是第二實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈102的剖視圖。

圖9是第二實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈102的電路圖。

圖10是第三實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈103的外觀立體圖。

圖11是表示第三實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈103的各基材層的電極圖案等的分解俯視圖。

圖12是第三實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈103的電路圖。

圖13是表示第四實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈104的各基材層的電極圖案等的分解俯視圖。

圖14是第四實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈104 的電路圖。

圖15是表示第五實施方式所涉及的ESD保護元件的俯視透視圖。

圖16是表示第六實施方式所涉及的ESD保護元件的俯視透視圖。

圖17是表示第七實施方式所涉及的ESD保護元件的俯視透視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖舉出幾個具體的例子，示出用于實施本實用新型的多個方式。在各圖中對相同位置標注相同的附圖標記。各實施方式是例示，能夠進行不同的實施方式所示的構成的部分置換或者組合。

《第一實施方式》

參照各圖對第一實施方式所涉及的帶ESD(Electro-Static Discharge)保護元件的共模扼流圈進行說明。圖1是第一實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈101的外觀立體圖。圖2是表示第一實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈101的各基材層的電極圖案等的分解俯視圖。圖3是圖1中的A－A’剖視圖。在圖3中，為了容易明白附圖以及原理，而簡化圖示了帶ESD保護元件的共模扼流圈101的構造。此外，在圖3中，夸張地圖示出各部的厚度。以后的各實施方式中的側視圖也相同。

帶ESD保護元件的共模扼流圈101具備：層疊體80、形成于層疊體80的內部且相互耦合的第一線圈L1以及第二線圈L2、以及ESD保護元件。ESD保護元件如以后詳述的那樣在形成于層疊體80內部的空洞部21內形成。層疊體80是長方體狀，通過層疊圖2中的(1)～(12)所示的多個基材層10a～10j而構成。

在圖2中，(1)是最上層，(12)是最下層。如圖2所示，在基材層10a、基材層10j形成有輸入輸出端子P1、輸入輸出端子P2、輸入輸出端子P3、輸入輸出端子P4。

在基材層10b形成有均以基材層的中心為軸且逆時針雙線卷繞而成的第一環(huán)狀導體L1a、第二環(huán)狀導體L2a。此外，第一環(huán)狀導體L1a被 形成為在第二環(huán)狀導體L2a的外側卷繞，第二環(huán)狀導體L2a被形成為在第一環(huán)狀導體L1a的內側卷繞。第一環(huán)狀導體L1a的一端與輸入輸出端子P3連接，第一環(huán)狀導體L1a的另一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1b的一端連接。第二環(huán)狀導體L2a的一端與輸入輸出端子P4連接，第二環(huán)狀導體L2a的另一端通過通路電極(或者層間連接導體等。以下相同。)與第二環(huán)狀導體L2b的一端連接。

在基材層10c形成有均以基材層的中心為軸且逆時針雙線卷繞而成的第一環(huán)狀導體L1b、第二環(huán)狀導體L2b。逆時針卷繞而成的第一環(huán)狀導體L1b、第二環(huán)狀導體L2b大致平行地形成。此外，第一環(huán)狀導體L1b被形成為在第二環(huán)狀導體L2b的內側卷繞，第二環(huán)狀導體L2b被形成為在第一環(huán)狀導體L1b的外側卷繞。第一環(huán)狀導體L1b的一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1a的另一端連接，第一環(huán)狀導體L1b的另一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1c的一端連接。第二環(huán)狀導體L2b的一端通過通路電極與第二環(huán)狀導體L2a的另一端連接，第二環(huán)狀導體L2b的另一端通過通路電極與第二環(huán)狀導體L2c的一端連接。

在基材層10d形成有均以基材層的中心為軸且逆時針雙線卷繞而成的第一環(huán)狀導體L1c、第二環(huán)狀導體L2c。此外，第一環(huán)狀導體L1c被形成為在第二環(huán)狀導體L2c的外側卷繞，第二環(huán)狀導體L2c被形成為在第一環(huán)狀導體L1c的內側卷繞。第一環(huán)狀導體L1c的一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1b的另一端連接，第一環(huán)狀導體L1c的另一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1d的一端連接。第二環(huán)狀導體L2c的一端通過通路電極與第二環(huán)狀導體L2b的另一端連接，第二環(huán)狀導體L2c的另一端通過通路電極與第二環(huán)狀導體L2d的一端連接。

在基材層10e形成有均以基材層的中心為軸且逆時針雙線卷繞而成的第一環(huán)狀導體L1d、第二環(huán)狀導體L2d。此外，第一環(huán)狀導體L1d被形成為在第二環(huán)狀導體L2d的內側卷繞，第二環(huán)狀導體L2d被形成為在第一環(huán)狀導體L1d的外側卷繞。第一環(huán)狀導體L1d的一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1c的另一端連接，第一環(huán)狀導體L1d的另一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1e的一端連接。第二環(huán)狀導體L2d的一端通過通路電極與第二環(huán)狀導體L2c的另一端連接，第二環(huán)狀導體L2d的另一端通過通路電極與第二環(huán)狀導體L2e的一端連接。

在基材層10f形成有均以基材層的中心為軸且逆時針雙線卷繞而成的第一環(huán)狀導體L1e、第二環(huán)狀導體L2e。此外，第一環(huán)狀導體L1e被形成為在第二環(huán)狀導體L2e的外側卷繞，第二環(huán)狀導體L2e被形成為在第一環(huán)狀導體L1e的內側卷繞。第一環(huán)狀導體L1e的一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1d的另一端連接，第一環(huán)狀導體L1e的另一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1f的一端連接。第二環(huán)狀導體L2e的一端通過通路電極與第二環(huán)狀導體L2d的另一端連接，第二環(huán)狀導體L2e的另一端通過通路電極與第二環(huán)狀導體L2f的一端連接。

在基材層10g形成有均以基材層的中心為軸且逆時針雙線卷繞而成的第一環(huán)狀導體L1f、第二環(huán)狀導體L2f。此外，第一環(huán)狀導體L1f被形成為在第二環(huán)狀導體L2f的內側卷繞，第二環(huán)狀導體L2f被形成為在第一環(huán)狀導體L1f的外側卷繞。第一環(huán)狀導體L1f的一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1e的另一端連接，第一環(huán)狀導體L1f的另一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1g的一端連接。第二環(huán)狀導體L2f的一端通過通路電極與第二環(huán)狀導體L2e的另一端連接，第二環(huán)狀導體L2f的另一端通過通路電極與第二環(huán)狀導體L2g的一端連接。

在基材層10h形成有均以基材層的中心為軸且逆時針雙線卷繞而成的第一環(huán)狀導體L1g、第二環(huán)狀導體L2g。此外，第一環(huán)狀導體L1g被形成為在第二環(huán)狀導體L2g的外側卷繞，第二環(huán)狀導體L2g被形成為在第一環(huán)狀導體L1g的內側卷繞。第一環(huán)狀導體L1g的一端通過通路電極與第一環(huán)狀導體L1f的另一端連接，第一環(huán)狀導體L1g的另一端與輸入輸出端子P1連接。第二環(huán)狀導體L2g的一端通過通路電極與第二環(huán)狀導體L2f的另一端連接，第二環(huán)狀導體L2g的另一端與輸入輸出端子P2連接。

在圖2中，(9)～(11)示出基材層10i的構成。在基材層10i，在基材層的中心附近形成有放電輔助電極51。放電輔助電極51包括分散于層疊體的基材中的粒子狀的導電性材料，在空洞部21內露出至少一部分，并沿著空洞部21的內表面形成。如圖2所示，本實施方式的放電輔助電極51形成為コ字(c字)狀。

并且，在基材層10i形成有接地電極31以及第一放電電極41、第二放電電極42。接地電極31從基材層的一個短邊朝向另一個短邊形成 為直線狀，且與形成于層疊體80的兩個短邊的接地端子GND連接。接地電極31具有在空洞部21內露出的部分。第一放電電極41從基材層的一個長邊(圖2中的下側的長邊)朝向基材層的中央附近形成。第一放電電極41的一端與輸入輸出端子P1連接，第一放電電極41的另一端在空洞部21內露出，并且具有在基材層的中心附近與接地電極31接近并對置的部分。第二放電電極42從基材層的一個長邊(圖2中的下側長邊)朝向基材層的中央附近形成。第二放電電極42的一端與輸入輸出端子P2連接，第二放電電極42的另一端在空洞部21內露出，并且具有在基材層的中心附近與接地電極31接近并對置的部分。在本實施方式中，第一放電電極41和第二放電電極42在基材層的長邊方向上左右對稱地形成。

并且，在基材層10i，在基材層的中心附近形成有矩形的空洞部21。

如圖1所示，層疊體80在外表面具備輸入輸出端子P1、輸入輸出端子P2、輸入輸出端子P3、輸入輸出端子P4以及接地端子GND。

作為基材層的材料，在形成HF帶用的共模扼流圈的情況下渦流損耗相對較小，所以在磁能的封閉性的點上優(yōu)選使用磁性體材料(磁導率較高的電介質材料)。作為該磁性體材料，也可以使用六方晶鐵素體等高頻對應的鐵素體磁性體。另一方面，例如在形成UHF帶用的共模扼流圈的情況下，為了抑制高頻區(qū)域中的渦流損耗，而優(yōu)選使用電絕緣電阻較高的電介質材料。鐵素體所代表的磁性體對磁導率具有頻率依賴性，所以隨著利用頻帶變高，損失變大，但電介質的頻率依賴性比較小，所以能夠實現(xiàn)在較寬的頻帶中損失較小的層疊型共模扼流圈。即，作為包括寬頻帶、特別是高頻帶域的高速接口所使用的共模扼流圈，優(yōu)選使用非磁性體層的電介質層作為基材層。

基材層既可以是低溫燒制陶瓷(LTCC[Low Temperature Co-fired Ceramics]這樣的電介質陶瓷層，也可以是由熱塑性樹脂、熱固化性樹脂構成的樹脂層。即，層疊體既可以是陶瓷層疊體，也可以是樹脂層疊體。另外，構成各線圈的環(huán)狀導體、層間連接電極、設置于層疊體的表面的表面電極等優(yōu)選使用以銅、銀等電阻率較小的金屬為主要成分的金屬材料。

由第一環(huán)狀導體L1a、第一環(huán)狀導體L1b、第一環(huán)狀導體L1c、第一環(huán)狀導體L1d、第一環(huán)狀導體L1e、第一環(huán)狀導體L1f、第一環(huán)狀導體L1g和連接它們的通路電極形成了第一線圈L1。由第二環(huán)狀導體L2a、第二環(huán)狀導體L2b、第二環(huán)狀導體L2c、第二環(huán)狀導體L2d、第二環(huán)狀導體L2e、第二環(huán)狀導體L2f、第二環(huán)狀導體L2g和連接它們的通路電極形成了第二線圈L2。第一線圈L1以及第二線圈L2在阻止共模電流的方向上耦合而作為共模扼流圈發(fā)揮作用。

在本實施方式中，為在通過通路電極將各基材層中的雙線卷繞而成的第一環(huán)狀導體和第二環(huán)狀導體進行層間連接時，更換第一環(huán)狀導體和第二環(huán)狀導體的內外配置的構成。因此，第一線圈L1和第二線圈L2的電極的長度被大致相同地形成。因此，確保了第一線圈L1和第二線圈L2的對稱性，能夠提高共模扼流圈的耦合度。此外，共模扼流圈并不局限于本實施方式的構成，第一線圈L1以及第二線圈L2的卷繞方向、匝數(shù)、構成等能夠適當?shù)刈兏?/p>

圖4是第一實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈101的電路圖。

如圖4所示，第一線圈L1形成于輸入輸出端子P1與輸入輸出端子P3之間，第二線圈L2形成于輸入輸出端子P2與輸入輸出端子P4之間。另外，ESD保護元件Dg1在輸入輸出端子P1與輸入輸出端子P3之間形成于第一線圈L1的前段，ESD保護元件Dg2在輸入輸出端子P2與輸入輸出端子P4之間形成于第二線圈L2的前段。

在帶ESD保護元件的共模扼流圈101中，如圖3所示，在層疊體80的上部側形成有第一線圈L1以及第二線圈L2，在層疊體80的下部側形成有ESD保護元件Dg1、ESD保護元件Dg2。通過成為這樣的構成，能夠縮短安裝層疊體80的安裝基板到接地電極的距離。另外，第一環(huán)狀導體以及第二環(huán)狀導體和安裝基板等到接地電極的距離變長，所以能夠減少其間產生的雜散電容。但是，ESD保護元件Dg1、ESD保護元件Dg2并不局限于形成于層疊體80的下部側，也可以是形成于層疊體80的上部側的構成。

圖5是將ESD保護元件放大表示的俯視透視圖。由空洞部21、在 空洞部21內露出的第一放電電極41、在空洞部21內露出的接地電極31、以及放電輔助電極51構成ESD保護元件Dg1。由空洞部21、在空洞部21內露出的第二放電電極42、在空洞部21內露出的接地電極31、以及放電輔助電極51構成ESD保護元件Dg2。ESD保護元件Dg1以及ESD保護元件Dg2形成在共享的空洞部21內，使用共同的接地電極31而形成。

通過該構成，在形成于層疊體80的內部的一個空洞部21內形成有多個ESD保護元件，所以與在每個空洞部分別獨立地形成ESD保護元件的以往的構造相比，能夠小型化。

在本實施方式中，形成于基材層10i的第一放電電極41以及第二放電電極42在空洞部21內相互鄰接配置，接地電極31與コ字(c字)狀的放電輔助電極51重疊。因此，如圖5所示，在從基材層的層疊方向觀察時，在第一放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg1(相當于本實用新型的“第一放電電極與接地電極的對置區(qū)域”。)和第二放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg2(相當于本實用新型的“第二放電電極與接地電極的對置區(qū)域”。)形成有放電輔助電極51。

通過該構成，在本實施方式中，在從基材層的層疊方向觀察時，至少在第一放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg1以及第二放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg2形成有放電輔助電極51。因此，進入至傳送線路的靜電容易在第一放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg1以及第二放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg2放電。

并且，形成于基材層10i的第一放電電極41、第二放電電極42以及接地電極31在空洞部21內與コ字(c字)狀的放電輔助電極51重疊。因此，如圖5所示，在從基材層的層疊方向觀察時，帶ESD保護元件的共模扼流圈101的放電輔助電極51具備在空洞部21內不形成放電輔助電極51的非形成部500。放電輔助電極51被該非形成部500分隔成第一放電電極41側和第二放電電極42側。通過非形成部500，在第一放電電極41與第二放電電極42之間不存在放電輔助電極51，所以抑制了在空洞部21內相互鄰接配置的多個放電電極彼此之間的放電。因此，能夠防止進入至一方的傳送線路的靜電遷移到另一方的傳送線路，能夠防止電子設備的損傷、誤動作等。

另外，如圖5所示，在本實施方式的ESD保護元件中，在從基材層的層疊方向觀察時，第一放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg1以及第二放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg2的距離x(相當于本實用新型的“第一放電電極與接地電極的對置區(qū)域的分離距離以及第二放電電極與接地電極的對置區(qū)域的分離距離”。)比第一放電電極－第二放電電極間鄰接區(qū)域Dee的距離y(相當于本實用新型的“第一放電電極與第二放電電極的鄰接區(qū)域的距離”。)短。

通過該構成，進入至傳送線路的靜電容易在第一放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg1以及第二放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg2放電。因此，能夠抑制在空洞部21內相互鄰接配置的多個放電電極彼此之間的放電。

如圖3所示，放電輔助電極51通過在層疊體80的基材層分散導電性粒子300而形成，在空洞部21內露出，并沿著空洞部21的內表面形成。導電性粒子300例如是Cu的金屬粒子。如圖5所示，本實施方式的放電輔助電極51與接地電極31、第一放電電極41以及第二放電電極42接觸，形成于第一放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg1以及第二放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg2。因此，ESD保護元件Dg1、ESD保護元件Dg2能夠得到放電開始電壓的降低和針對ESD的響應特性的提高。

此外，第一放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg1以及第二放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg2中的放電包括：(1)沿著放電輔助電極51的沿面放電；(2)第一放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg1以及第二放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg2的氣體放電；(3)將分散于放電輔助電極51內的導電性粒子300如跳石一樣傳播的放電。靜電通過這些放電而被放出。

ESD保護元件通過如以下所描述的材料以及工序制造。

用于形成第一放電電極41、第二放電電極42的電極糊劑通過對由Cu粉和乙基纖維素等構成的粘合劑樹脂添加溶劑并攪拌、混合而得到。

成為形成空洞部21的起點的樹脂糊劑也通過相同的方法制成。該 樹脂糊劑僅由樹脂和溶劑構成。樹脂材料使用在燒制時分解、消失的樹脂。例如聚乙烯對苯二甲酸酯、聚丙烯、丙烯酸樹脂等。

用于形成放電輔助電極51的混合糊劑通過以規(guī)定的比例調和作為導電性材料的Cu粉和作為陶瓷材料的BAS粉，且添加粘合劑樹脂和溶劑并攪拌、混合而得到。

基材層的層疊與通常的陶瓷多層基板相同地通過層疊陶瓷生片并壓焊而構成。

被接合壓焊而成的層疊體與LC濾波器這樣的芯片型的電子部件相同地利用微型刀具切割，分離成各元件體。之后，在各元件體的端面涂覆在燒制后成為各種外部端子的電極糊劑。

接下來，與通常的陶瓷多層基板相同地，在N₂環(huán)境氣體中燒制。另外，在為了降低針對ESD的響應電壓而對空洞部導入Ar、Ne等惰性氣體的情況下，在Ar、Ne等惰性氣體環(huán)境下在進行陶瓷材料的收縮、燒結的溫度區(qū)域進行燒制即可。在第一放電電極41、第二放電電極42以及外部電極(輸入輸出端子、接地電極等)是不氧化的電極材料的情況下，也可以在大氣環(huán)境中燒制。

之后，與LC濾波器這樣的芯片型的電子部件相同地，在外部電極的表面通過電解Ni-Sn電鍍形成Ni-Sn電鍍膜。

另外，一般來說，在使鐵素體中的Fe為氧化狀態(tài)且不使電極材料的Cu氧化的狀態(tài)下進行燒制極困難，所以在層疊體使用鐵素體的情況下，需要對電極材料使用Ag。但是，若用Ag形成第一放電電極41、第二放電電極42，則存在出現(xiàn)遷移而放電電壓隨時間變化的情況。與此相對，在層疊體不使用鐵素體的情況下，若用Cu形成第一放電電極41、第二放電電極42，則通過放電時的能量形成電極表面Cu的氧化膜，但該膜不作為放電電極材料發(fā)揮作用，所以即使反復放電，放電電壓也實質上保持恒定。

在本實施方式中，在放電輔助電極51中分散地形成Cu的金屬粒子作為導電性粒子300，但并不局限于該構成。導電性粒子300除了Cu的金屬粒子以外，例如優(yōu)選為從Ni、Co、Ag、Pd、Rh、Ru、Au、Pt、 Ir等過渡金屬群選出的至少1種金屬(導電材料)粒子。另外，也可以以單體形式使用這些金屬，但也能夠作為合金使用。并且，也可以使用這些金屬的氧化物(電阻材料)。或者，也可以使用SiC這樣的半導體材料作為構成放電輔助電極的導電性粒子。也可以是金屬粒子與半導體粒子的混合物。

另外，通過在這些放電輔助電極51的表面覆蓋Al₂O₃、ZrO₂、SiO₂等無機材料、BAS這樣的混合煅燒材料、高熔點的玻璃等絕緣材料，來形成輔助電極粒。覆蓋放電輔助電極51的表面的絕緣材料阻礙放電輔助電極51的燒結，如果是具有絕緣性的絕緣材料，則也可以是例示材料以外的材料。

圖6是帶ESD保護元件的共模扼流圈101的俯視透視圖。圖6中的環(huán)狀導體形成部200表示從基材層的層疊方向觀察帶ESD保護元件的共模扼流圈101時，圖2所示的形成于基材層10b～10h的第一環(huán)狀導體L1a～L1g以及第二環(huán)狀導體L2a～L2g的形成區(qū)域。線圈開口內側部Cid(相當于本實用新型的“線圈開口部的內側”。)是從基材層的層疊方向觀察時，形成為環(huán)面狀的環(huán)狀導體形成部200內側的未形成有環(huán)狀導體的區(qū)域。

如上所述，通過第一環(huán)狀導體L1a～L1g和連接它們的通路導體形成了第一線圈L1，通過第二環(huán)狀導體L2a～L2g和連接它們的通路導體形成了第二線圈L2。因此，線圈開口內側部Cid是第一線圈L1以及第二線圈L2的開口部。另外，在帶ESD保護元件的共模扼流圈101中，第一線圈L1以及第二線圈L2的卷繞軸與基材層的層疊方向一致。

如圖6所示，空洞部21形成于線圈開口內側部Cid。ESD保護元件形成于空洞部21內，所以換言之，可以說ESD保護元件形成于線圈開口內側部Cid。這樣，帶ESD保護元件的共模扼流圈101是在從第一線圈L1以及第二線圈L2的卷繞軸向的俯視圖中，在第一線圈L1以及第二線圈L2的線圈開口內側部Cid形成有ESD保護元件的構成。

通過該構成，與在線圈開口內側部Cid沒有任何電極圖案的情況相比，能夠防止燒制層疊體時產生的環(huán)狀的第一線圈L1以及第二線圈L2的內側的區(qū)域的凹陷的產生。由此，能夠實現(xiàn)頂面以及底面的平坦度較 高的層疊型的帶ESD保護元件的共模扼流圈。另外，在線圈開口內側部Cid形成有接地電極31、第一放電電極41、第二放電電極42、放電輔助電極51，所以能夠抑制在第一線圈L1的第一環(huán)狀導體L1a～L1g以及第二線圈L2的第二環(huán)狀導體L2a～L2g之間產生不必要的電容。另外，ESD保護元件的放電間隙與構成各線圈的環(huán)狀導體的距離較大，所以環(huán)狀導體難以受到ESD所帶來的電磁感應、發(fā)熱等影響。

《第二實施方式》

參照各圖對第二實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈進行說明。圖7是表示第二實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈102的各基材層的電極圖案的分解俯視圖。圖8是第二實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈102的剖視圖。圖9是第二實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈102的電路圖。

如圖9所示，第二實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈102相對于第一實施方式所示的帶ESD保護元件的共模扼流圈101，不同點在于：在第一線圈L1的后段形成有ESD保護元件Dg3，在第二線圈L2的后段形成有ESD保護元件Dg4。其他的構成與帶ESD保護元件的共模扼流圈101相同。

以下，僅對與第一實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈101不同的部分進行說明。

在圖7中，(9)～(11)示出基材層10i的構成。在基材層10i，在基材層的中心附近形成有放電輔助電極51以及放電輔助電極52。放電輔助電極52形成為コ字(c字)狀。

并且，在基材層10i，除了接地電極31以及第一放電電極41、第二放電電極42以外，還形成有第三放電電極43、第四放電電極44。接地電極31是與帶ESD保護元件的共模扼流圈101相同的構成。接地電極31具有在空洞部21內露出的部分以及在空洞部22內露出的部分。

此外，如圖7中的(10)所示，在層疊了基材層10a～10j的狀態(tài)下，本實施方式的接地電極31與第一環(huán)狀導體L1a～L1g以及第二環(huán)狀導體L2a～L2g重疊的部分的線寬度比在空洞部21、22內露出的部分(圖7 中的(10)中的接地電極31的中央部)的線寬度細。換言之，在從基材層的層疊方向觀察時，接地電極31與第一線圈L1以及第二線圈L2重疊的部分的線寬度比在空洞部21、22內露出的部分的線寬度細。另一方面，在從基材層的層疊方向觀察時，與第一放電電極41、第二放電電極42、第三放電電極43以及第四放電電極44在空洞部21、22內對置的接地電極31的中央部同與第一線圈L1以及第二線圈L2重疊的部分相比，線寬度粗。

第一放電電極41以及第二放電電極42是與帶ESD保護元件的共模扼流圈101相同的構成。第三放電電極43從基材層的一個長邊(圖7中的上側的長邊)朝向基材層的中央附近形成。第三放電電極43的一端與輸入輸出端子P3連接，第三放電電極43的另一端在空洞部22內露出，具有在基材層的中心附近與接地電極31接近并對置的部分。第四放電電極44從基材層的一個長邊(圖7中的上側的長邊)朝向基材層的中央附近形成。第四放電電極44的一端與輸入輸出端子P4連接，第四放電電極44的另一端在空洞部22內露出，具有在基材層的中心附近與接地電極31接近并對置的部分。

并且，在基材層10i，在基材層的中心附近形成有矩形的空洞部21以及矩形的空洞部22。

由空洞部22、在空洞部22內露出的第三放電電極43、在空洞部22內露出的接地電極31、以及放電輔助電極52構成ESD保護元件Dg3。由空洞部22、在空洞部22內露出的第四放電電極44、在空洞部22內露出的接地電極31、以及放電輔助電極52構成ESD保護元件Dg4。ESD保護元件Dg3以及ESD保護元件Dg4形成于共享的空洞部22內，使用共同的接地電極31來形成。

在本實施方式中，第三放電電極43以及第四放電電極44在基材層的短邊方向上與第一放電電極以及第二放電電極上下對稱地形成。帶ESD保護元件的共模扼流圈102是ESD保護元件Dg1以及ESD保護元件Dg2與ESD保護元件Dg3以及ESD保護元件Dg4在基材層的短邊方向上上下對稱地形成的構成。

通過這樣的構成，能夠構成具備ESD保護元件Dg1、ESD保護元 件Dg3、ESD保護元件Dg2、ESD保護元件Dg4的帶ESD保護元件的共模扼流圈102。

此外，按照上述，在從基材層的層疊方向觀察時，本實施方式的接地電極31與第一線圈L1以及第二線圈L2重疊的部分的線寬度比在空洞部21、22內露出的部分(圖7中的(10)中的接地電極31的中央部)的線寬度細。通過該構成，能夠縮小形成第一線圈L1以及第二線圈L2的導體(第一環(huán)狀導體L1a～L1g以及第二環(huán)狀導體L2a～L2g)與接地電極31的對置面積。因此，能夠減少在形成第一線圈L1以及第二線圈L2的導體與接地電極31之間產生的雜散電容。

另外，按照上述，在從基材層的層疊方向觀察時，與第一放電電極41、第二放電電極42、第三放電電極43以及第四放電電極44在空洞部21、22內對置的接地電極31的中央部同與第一線圈L1以及第二線圈L2重疊的部分相比，線寬度粗。通過該構成，能夠使放電電極(第一放電電極41、第二放電電極42、第三放電電極以及第四放電電極44)與接地電極31的對置區(qū)域的分離距離(參照圖5中的x)比在空洞部內相互鄰接配置的放電電極間的距離(參照圖5中的y)短(x＜y)。因此，進入至傳送線路的靜電容易在放電電極與接地電極之間放電，抑制了在空洞部內相互鄰接配置的多個放電電極彼此之間的放電。

《第三實施方式》

參照各圖對第三實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈進行說明。圖10是第三實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈103的外觀立體圖。圖11是表示第三實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈103的各基材層的電極圖案等的分解俯視圖。圖12是第三實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈103的電路圖。

第三實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈103相對于第一實施方式所示的帶ESD保護元件的共模扼流圈101，不同點在于還具備輸入輸出端子P5、輸入輸出端子P6、輸入輸出端子P7、輸入輸出端子P8。換句話說，帶ESD保護元件的共模扼流圈103是在共同的層疊體80內在基材層的長邊方向上具備了左右對稱的兩個第一實施方式所示的帶ESD保護元件的共模扼流圈的電路的構成。其他的構成與帶ESD 保護元件的共模扼流圈101相同。

如圖10所示，本實施方式的層疊體80在外表面具備輸入輸出端子P1、輸入輸出端子P2、輸入輸出端子P3、輸入輸出端子P4、輸入輸出端子P5、輸入輸出端子P6、輸入輸出端子P7、輸入輸出端子P8以及接地端子GND。

如上述那樣，帶ESD保護元件的共模扼流圈103是在共同的層疊體80內在基材層的長邊方向上具備了左右對稱的兩個第一實施方式所示的帶ESD保護元件的共模扼流圈的電路的構成。因此，如圖12所示，第一線圈L1形成于輸入輸出端子P1與輸入輸出端子P3之間，第二線圈L2形成于輸入輸出端子P2與輸入輸出端子P4之間。另外，ESD保護元件Dg1在輸入輸出端子P1與輸入輸出端子P3之間形成于第一線圈L1的前段，ESD保護元件Dg2在輸入輸出端子P2與輸入輸出端子P4之間形成于第二線圈L2的前段。第三線圈L3形成于輸入輸出端子P5與輸入輸出端子P7之間，第四線圈L4形成于輸入輸出端子P6與輸入輸出端子P8之間。另外，ESD保護元件Dg5在輸入輸出端子P5與輸入輸出端子P7之間形成于第三線圈L3的前段，ESD保護元件Dg6在輸入輸出端子P6與輸入輸出端子P8之間形成于第四線圈L4的前段。

第三線圈L3以及第四線圈L4在阻止共模電流的方向上耦合而作為共模扼流圈發(fā)揮作用。

通過這樣的構成，能夠構成在層疊體80內具備了相互耦合的第一線圈L1以及第二線圈L2、相互耦合的第三線圈L3以及第四線圈L4、以及ESD保護元件的帶ESD保護元件的共模扼流圈103。

《第四實施方式》

參照各圖對第四實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈進行說明。圖13是表示第四實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈104的各基材層的電極圖案等的分解俯視圖。圖14是第四實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈104的電路圖。

第四實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈104相對于第三實施方式所示的帶ESD保護元件的共模扼流圈103，不同點在于：在 第一線圈L1的后段形成有ESD保護元件Dg3，在第二線圈L2的后段形成有ESD保護元件Dg4，在第三線圈L3的后段形成有ESD保護元件Dg7，在第四線圈L4的后段形成有ESD保護元件Dg8。其他的構成與帶ESD保護元件的共模扼流圈103相同。換言之，可以說是在共同的層疊體80內在基材層的長邊方向上具備左右對稱的兩個第二實施方式所示的帶ESD保護元件的共模扼流圈的電路的構成。

以下，僅對與第三實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈103不同的部分進行說明。

在圖13中，(9)～(11)示出基材層10i的構成。在基材層10i，在基材層的長邊方向上左右對稱地形成有放電輔助電極51、放電輔助電極52以及放電輔助電極53、放電輔助電極54。放電輔助電極51以及放電輔助電極53是與第三實施方式所涉及的帶ESD保護元件的共模扼流圈103相同的構成。放電輔助電極52被形成為コ字(c字)狀，放電輔助電極54被形成為コ字(c字)狀。

并且，在基材層10i形成有接地電極31以及第一放電電極41、第二放電電極42、第三放電電極43、第四放電電極44、第五放電電極45、第六放電電極46、第七放電電極47、第八放電電極48。接地電極31是與帶ESD保護元件的共模扼流圈103相同的構成。接地電極31具有在空洞部21內露出的部分、在空洞部22內露出的部分、在空洞部23內露出的部分、以及在空洞部24內露出的部分。

此外，本實施方式的接地電極31與第二實施方式相同地，在層疊了基材層10a～10j的狀態(tài)下，與環(huán)狀導體重疊的部分的線寬度比在空洞部21～24內露出的部分(圖13中的(10)中的接地電極31的左右的中央部)的線寬度細。換言之，在從基材層的層疊方向觀察時，接地電極31與第一線圈L1、第二線圈L2、第三線圈L3以及第四線圈L4重疊的部分的線寬度比在空洞部21～24內露出的部分的線寬度細。另一方面，在從基材層的層疊方向觀察時，與第一放電電極41、第二放電電極42、第三放電電極43、第四放電電極44、第五放電電極45、第六放電電極46、第七放電電極47以及第八放電電極48在空洞部21～24內對置的部分的接地電極31同與第一線圈L1、第二線圈L2、第三線圈L3以及第四線圈L4重疊的部分相比，線寬度粗。

第一放電電極41、第二放電電極42、第五放電電極45、第六放電電極46是與帶ESD保護元件的共模扼流圈103相同的構成。第三放電電極43從基材層的一個長邊(圖13中的上側的長邊)朝向基材層的中央附近形成。第三放電電極43的一端與輸入輸出端子P3連接，第三放電電極43的另一端在空洞部22內露出，具有在基材層的中心附近與接地電極31接近并對置的部分。第四放電電極44從基材層的一個長邊(圖13中的上側的長邊)朝向基材層的中央附近形成。第四放電電極44的一端與輸入輸出端子P4連接，第四放電電極44的另一端在空洞部22內露出，具有在基材層的中心附近與接地電極31接近并對置的部分。第七放電電極47從基材層的一個長邊(圖13中的上側的長邊)朝向基材層的中央附近形成。第七放電電極47的一端與輸入輸出端子P7連接，第七放電電極47的另一端在空洞部24內露出，具有在基材層的中心附近與接地電極31接近并對置的部分。第八放電電極48從基材層的一個長邊(圖13中的上側的長邊)朝向基材層的中央附近形成。第八放電電極48的一端與輸入輸出端子P8連接，第八放電電極48的另一端在空洞部24內露出，具有在基材層的中心附近與接地電極31接近并對置的部分。

并且，在基材層10i形成有矩形的空洞部21、矩形的空洞部22、矩形狀的空洞部23、以及矩形狀的空洞部24。

由空洞部22、在空洞部22內露出的第三放電電極43、在空洞部22內露出的接地電極31、以及放電輔助電極52構成ESD保護元件Dg3。由空洞部22、在空洞部22內露出的第四放電電極44、在空洞部22內露出的接地電極31、以及放電輔助電極52構成ESD保護元件Dg4。ESD保護元件Dg3以及ESD保護元件Dg4形成于共享的空洞部22內，使用共同的接地電極31來形成。

由空洞部24、在空洞部24內露出的第七放電電極47、在空洞部24內露出的接地電極31、以及放電輔助電極54構成ESD保護元件Dg7。由空洞部24、在空洞部24內露出的第八放電電極48、在空洞部24內露出的接地電極31、以及放電輔助電極54構成ESD保護元件Dg8。ESD保護元件Dg7以及ESD保護元件Dg8形成于共享的空洞部24內，使用共同的接地電極31來形成。

在本實施方式中，第三放電電極43以及第四放電電極44在基材層的短邊方向上與第一放電電極41以及第二放電電極42上下對稱地形成。第七放電電極47和第八放電電極48在基材層的短邊方向上與第五放電電極45以及第六放電電極46上下對稱地形成。帶ESD保護元件的共模扼流圈104是ESD保護元件Dg1、ESD保護元件Dg2、ESD保護元件Dg5以及ESD保護元件Dg6同ESD保護元件Dg3、ESD保護元件Dg4、ESD保護元件Dg7以及ESD保護元件Dg8在基材層的短邊方向上上下對稱地形成的構成。

通過這樣的構成，能夠構成具備ESD保護元件Dg1、ESD保護元件Dg2、ESD保護元件Dg3、ESD保護元件Dg4、ESD保護元件Dg5、ESD保護元件Dg6、ESD保護元件Dg7、以及ESD保護元件Dg8的帶ESD保護元件的共模扼流圈104。

《第五實施方式》

參照各圖對第五實施方式所涉及的ESD保護元件進行說明。圖15是表示第五實施方式所涉及的ESD保護元件的俯視透視圖。

第五實施方式所涉及的ESD保護元件相對于圖5所示的第一實施方式所示的ESD保護元件，不同點在于：在空洞部21內，在第一放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg1以及第二放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg2以外也形成有放電輔助電極51。其他的構成與第一實施方式所示的ESD保護元件相同。

此外，如圖15所示，本實施方式中的放電輔助電極51不是至此為止所示的實施方式中的放電輔助電極那樣的コ字(c字)狀，而分成二個形成于基材層。即使是這樣的構成，也如圖15所示，第五實施方式所涉及的ESD保護元件在從基材層的層疊方向觀察時，具備在空洞部21內不形成放電輔助電極51的非形成部500。放電輔助電極51被該非形成部500分隔成第一放電電極41側和第二放電電極42側。另外，放電輔助電極51與接地電極31、第一放電電極41、以及第二放電電極42接觸，且形成于第一放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg1以及第二放電電極－接地電極間對置區(qū)域Deg2。像這樣，放電輔助電極51的形狀、配置、數(shù)量等能夠在滿足上述構成的范圍內適當?shù)刈兏?/p>

在該構成中，在接地電極－第一放電電極間對置區(qū)域Deg1以及接地電極－第二放電電極間對置區(qū)域Deg2以外也形成有放電輔助電極51，所以與第一實施方式所涉及的ESD保護元件相比，與接地電極31以及第一放電電極41接觸的放電輔助電極51的面積較大。

在ESD保護元件內，若一旦沿面放電沿著放電輔助電極產生，則其放電路徑的絕緣電阻變高。因此，若與接地電極以及放電電極接觸的放電輔助電極的面積較小，則ESD保護元件內的靜電的放電路徑變少，所以若反復進行靜電的放電，則容易產生絕緣電阻劣化。與此相對，與第一實施方式所涉及的ESD保護元件相比，本實施方式中的放電輔助電極51的面積較大，所以較多地形成有靜電的放電路徑(參照圖15的箭頭)。因此，通過該構成，即使靜電的放電反復產生，也難以產生絕緣電阻劣化，與第一實施方式所涉及的ESD保護元件相比，能夠提高靜電的放電的反復特性。

《第六實施方式》

參照各圖對第六實施方式所涉及的ESD保護元件進行說明。圖16是表示第六實施方式所涉及的ESD保護元件的俯視透視圖。

第六實施方式所涉及的ESD保護元件相對于第一實施方式所示的ESD保護元件，不同點在于：僅在第一放電電極－第二放電電極間鄰接區(qū)域Dee具備放電輔助電極51的非形成部500。其他的構成與第一實施方式所涉及的ESD保護元件相同。

如圖16所示，本實施方式的ESD保護元件在第一放電電極－第二放電電極間鄰接區(qū)域Dee具備不形成放電輔助電極51的非形成部500。而且，是非形成部500將第一放電電極－第二放電電極間鄰接區(qū)域Dee的放電輔助電極51分隔成第一放電電極41側和第二放電電極42側的構成。

在該構成中，與第一實施方式所涉及的ESD保護元件不同，為放電輔助電極51與接地電極31、第一放電電極41以及第二放電電極42的任意一個均接觸的構成。但是，第一放電電極－第二放電電極間鄰接區(qū)域Dee的放電輔助電極51被非形成部500分隔成第一放電電極側和 第二放電電極側。因此，第一放電電極41與第二放電電極42之間的沿面距離(參照圖16中的空心箭頭)比第一放電電極41與接地電極31之間或者第二放電電極42與接地電極31之間的沿面距離(參照圖16中的箭頭)長。因此，與第一放電電極41與接地電極31之間或者第二放電電極42與接地電極31之間的沿面放電相比，抑制了第一放電電極41與第二放電電極42之間的沿面放電的產生。

因此，即使是這樣的構成，也抑制了在空洞部內相互鄰接配置的多個放電電極彼此之間的放電。即，能夠防止進入至一方的傳送線路的靜電遷移到另一方的傳送線路。

《第七實施方式》

參照各圖對第七實施方式所涉及的ESD保護元件進行說明。圖17是表示第七實施方式所涉及的ESD保護元件的俯視透視圖。

第七實施方式所涉及的ESD保護元件相對于第六實施方式所示的ESD保護元件，不同點在于：放電輔助電極51至少比第一放電電極41以及第二放電電極42的在空洞部21內露出的部分的外緣形成得寬。其他的構成與第六實施方式所涉及的ESD保護元件相同。

按照上述，第七實施方式中的放電輔助電極51在從基材層的層疊方向觀察時，至少比第一放電電極41以及第二放電電極42的在空洞部21內露出的部分的外緣形成得寬。

這樣，若在從基材層的層疊方向觀察時，放電輔助電極51比在空洞部21內露出的第一放電電極41以及第二放電電極42的外緣形成得寬，則即使在制造時產生堆疊偏差，也能夠抑制ESD保護特性的差別。因此，能夠提高受堆疊偏差影響的產品的合格率。

另外，本實施方式中的放電輔助電極51的面積與第六實施方式所涉及的ESD保護元件相同地與第一實施方式所涉及的ESD保護元件相比大，較多地形成有靜電的放電路徑(參照圖17的箭頭)。因此，通過該構成，即使靜電的放電反復產生，也難以產生絕緣電阻劣化，與第一實施方式所涉及的ESD保護元件相比，能夠提高靜電的放電的反復特性。

此外，如圖17所示，本實施方式所涉及的ESD保護元件與第六實施方式所涉及的ESD保護元件不同，不是在整個第一放電電極－第二放電電極間鄰接區(qū)域Dee具備非形成部500的構成。

這樣，本實施方式所涉及的ESD保護元件在從基材層的層疊方向觀察時，在第一放電電極－第二放電電極間鄰接區(qū)域Dee的至少一部分具備非形成部500。而且，是非形成部500至少將第一放電電極－第二放電電極間鄰接區(qū)域Dee的放電輔助電極51分隔成第一放電電極41側和第二放電電極42側的構成。

在這樣的構成中，也與第六實施方式所涉及的ESD保護元件相同地，抑制了在空洞部內相互鄰接配置的多個放電電極彼此之間的放電。因此，能夠防止進入至一方的傳送線路的靜電遷移到另一方的傳送線路。

《其他的實施方式》

在上述的實施方式中，在放電輔助電極上分散地形成了Cu的金屬粒子作為導電性粒子，但并不局限于該構成。放電輔助電極也可以由具有由以第一金屬為主要成分的核心部和以包括第二金屬的金屬氧化物為主要成分的外殼部構成的核心－外殼構造的多個金屬粒子的集合體構成。

核心－外殼構造通過對第一金屬和第二金屬的合金進行加熱，使第二金屬成分向合金粒子表面移動，來形成外殼部。構成合金的第一金屬例如是Cu，第二金屬例如是Al。在構成合金粉末的各合金粒子中，使第二金屬朝向該合金粒子的表面移動而形成以第一金屬為主要成分的核心部，在第二金屬達到表面的時刻使第二金屬氧化來形成以包括第二金屬的金屬氧化物為主要成分的外殼部。也可以通過這樣的方法來形成由具有核心－外殼構造的多個金屬粒子的集合體構成的放電輔助電極。

在上述的實施方式中，示出了帶ESD保護元件的共模扼流圈的例子，但并不局限于共模扼流圈，也能夠在層疊體80的內部形成其他的電子部件而形成與ESD保護元件一體的構造。

附圖標記說明：P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8…輸入輸出端子；GND…接地端子；Cid…線圈開口內側部；Dee…第一放電電極－第二放電電極間鄰接區(qū)域；Deg1…第一放電電極－接地電極間對置區(qū)域；Deg2…第二放電電極－接地電極間對置區(qū)域；Dg1、Dg2、Dg3、Dg4、Dg5、Dg6、Dg7、Dg8…ESD保護元件；L1…第一線圈；L2…第二線圈；L3…第三線圈；L4…第四線圈；L1a、L1b、L1c、L1d、L1e、L1f、L1g…第一環(huán)狀導體；L2a、L2b、L2c、L2d、L2e、L2f、L2g…第二環(huán)狀導體；10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h、10i、10j…基材層；21、22、23、24…空洞部；31…接地電極；41…第一放電電極；42…第二放電電極；43…第三放電電極；44…第四放電電極；45…第五放電電極；46…第六放電電極；47…第七放電電極；48…第八放電電極；51、52、53、54…放電輔助電極；80…層疊體；101、102、103、104…帶ESD保護元件的共模扼流圈；200…環(huán)狀導體形成部；300…導電性粒子；500…非形成部。