制作用于薄膜光伏電池的織構(gòu)化反射體的方法及織構(gòu)化反射體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于薄膜光伏電池的織構(gòu)化反射體，其通過(guò)將金屬膜(1)通過(guò)掩模(3)的開口沉積在基板(2)上來(lái)制作。掩模(3)由薄膜構(gòu)成，該薄膜由共面的，優(yōu)選為相接合的球(4)構(gòu)成，球(4)之間的間隙(5)形成掩模(3)的開口。另外，該薄膜有利地由二氧化硅或者聚合物材料形成的球(4)形成。
【專利說(shuō)明】制作用于薄膜光伏電池的織構(gòu)化反射體的方法及織構(gòu)化反 射體

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種制作用于薄膜光伏電池的織構(gòu)化反射體的方法以及通過(guò)此方法 得到的織構(gòu)化反射體。

【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜太陽(yáng)能電池或者薄膜光伏電池通常包括至少一個(gè)基板（或支撐體），在該基 板上沉積有至少一層光伏材料的薄膜，該光伏材料的薄膜也叫做活性層或者吸收層。薄膜 太陽(yáng)能電池或者薄膜光伏電池通常也包括電極和電接觸。
[0003] 不同類型的薄膜光伏電池取決于使用的光伏材料的種類而存在。后者例如可以是 非晶硅（a-Si)，或者由氫化非晶硅（a-Si:H)/單晶硅yc-Si:H雙層形成。
[0004] 現(xiàn)階段薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的一個(gè)重要問(wèn)題是通過(guò)在基板和活化層之間布置織 構(gòu)化反射體，增加入射在太陽(yáng)能電池中電磁輻射的光學(xué)捕獲效率，從而增加光伏轉(zhuǎn)化效率。
[0005] 例如，美國(guó)專利申請(qǐng)2011/0005575描述了太陽(yáng)能電池中具有波形式織構(gòu)的反射 體，尤其提高了光的光學(xué)捕獲、反射率和轉(zhuǎn)化效率。沉積在反射體上的薄膜也被織構(gòu)化。
[0006] 反射體織構(gòu)的形狀和幅度尤其決定了使光學(xué)捕獲有效的波長(zhǎng)范圍。因此，反射體 織構(gòu)的特性使太陽(yáng)能電池的光反應(yīng)能實(shí)質(zhì)上得到修改。因此為得到具有最佳光學(xué)性能的織 構(gòu)化反射體，有必要詳細(xì)闡述可靠的、有形成褶皺的、可重復(fù)的且容易實(shí)施的方法。
[0007] Zhu等人的文章 "Nanodome Solar Cells with Efficient Light Management and Self_Cleaning"(Nanoletters 2010, 10, 1974-1984)提出了將玻璃或者石英的基板織構(gòu)化 以形成表現(xiàn)出納米圓頂（nanodome solar cells)的織構(gòu)的太陽(yáng)能電池。為了獲得該織構(gòu)， 第一步將二氧化硅球沉積在基板上。然后通過(guò)球床在〇2/CHF 3的混合物的反應(yīng)離子蝕刻下， 蝕刻該基板。最后將多層結(jié)構(gòu)沉積在織構(gòu)化后的基板上。
[0008] 然而該技術(shù)表現(xiàn)出幾個(gè)缺點(diǎn)：等離子體的種類會(huì)產(chǎn)生污染，蝕刻速率相對(duì)較低， 考慮到時(shí)間和成本該制作方法相當(dāng)繁重，而且最重要的是上述方法只能用于容易蝕刻的基 板，例如由玻璃和石英制成的基板。
[0009] Hitoshi Sai 的文章 （Journal of Applied Physics 2009, 105, 094511)描述了實(shí) 現(xiàn)織構(gòu)化表面的其他制作方法。特別地，在高電壓下進(jìn)行了鋁基板的陽(yáng)極氧化。應(yīng)用的電 壓引起在基板的表面形成多孔的Al 2O3氧化層。同時(shí)修飾了鋁基板的表面，形成了波形式的 織構(gòu)。陽(yáng)極氧化之后，移除氧化層并得到了織構(gòu)化后的鋁基板。
[0010] 然而這種技術(shù)需要高的陽(yáng)極氧化電壓并且難以控制得到的織構(gòu)和圖案的周期性。 此外特別地降低了基板的可選擇性。
[0011] 發(fā)明目的
[0012] 本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，特別地提出了制作用于薄膜太陽(yáng)能電池的 織構(gòu)化反射體的方法。此方法簡(jiǎn)單，易于實(shí)施，不受外界干擾（堅(jiān)固性），可重復(fù)并且便宜。
[0013] 此目的通過(guò)所附權(quán)利要求實(shí)現(xiàn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014] 其它的優(yōu)點(diǎn)和特征通過(guò)下面對(duì)本發(fā)明特定實(shí)施例的描述將更加清楚易懂，本發(fā)明 的實(shí)施例僅用于非限定示例的目的，且表示在所附的附圖中，其中：
[0015] 圖1至圖4用橫截面的示意方式示出了制作用于薄膜太陽(yáng)能電池的織構(gòu)化反射體 的不同步驟；
[0016] 圖5用橫截面的示意方式示出了包括圖4的織構(gòu)化反射體的薄膜太陽(yáng)能電池； [0017] 圖6示出了本發(fā)明在制作織構(gòu)化反射體方法的一個(gè)步驟中從掃描電子顯微鏡得 到的照片；
[0018] 圖7示出了本發(fā)明太陽(yáng)能電池的從掃描電子顯微鏡得到的照片；
[0019] 圖8示出了小帶隙太陽(yáng)能電池（aSiGe)中吸收功率對(duì)形成掩模的球的直徑的關(guān)系 的模擬，該掩模分別用于本發(fā)明的包括織構(gòu)化反射體的太陽(yáng)能電池和包括非織構(gòu)化反射體 的太陽(yáng)能電池；
[0020] 圖9示出了霾因子的變化對(duì)本發(fā)明的包括織構(gòu)化反射體的太陽(yáng)能電池和包括非 織構(gòu)化反射體的太陽(yáng)能電池的波長(zhǎng)的關(guān)系，
[0021] 圖10示出了電池的I(V)曲線：示出了短路電流密度對(duì)本發(fā)明的包括織構(gòu)化反射 體的太陽(yáng)能電池和包括非織構(gòu)化反射體的太陽(yáng)能電池的電壓的關(guān)系。

【具體實(shí)施方式】
[0022] 如圖1至圖4所示，制作用于太陽(yáng)能電池，特別是薄膜太陽(yáng)能電池的織構(gòu)化反射體 的方法包括至少將金屬膜1通過(guò)掩模3的開口沉積在支撐體2上，該支撐體2優(yōu)選為平坦 的或者非織構(gòu)的。該支撐體2優(yōu)選由金屬制成。
[0023] 用于沉積金屬膜1的掩模3實(shí)際上由也叫薄膜的第一層形成，該薄膜由共面的球 4形成。
[0024] 有利地，薄膜的意思是厚度為300nm到1500nm的膜層。該厚度比球體的半徑小。
[0025] 有利地，掩模3由所述薄膜形成。優(yōu)選地，球4形成一單層薄膜。這些球按形成球 床的方式排列在支撐體上，每個(gè)球4與支撐體2直接接觸。在此情況下，這些球不相互堆疊。
[0026] 進(jìn)一步，形成薄層的球4優(yōu)選為接合的。以此方式形成的薄膜均勻且規(guī)則，其中在 球4之間具有用以形成掩模3開口的間隙5,通過(guò)間隙5沉積用以形成金屬膜1的金屬。
[0027] 球4優(yōu)選為球形的，則球之間的間隙5彼此相同。
[0028] 球4有利地由二氧化硅、金屬、陶瓷或者聚合物制成，這樣可特別使掩模以低成本 制作。例如，球4可以由聚苯乙烯制成或者由鋁、鈦、鉻或者金制成。
[0029] 球4的平均直徑優(yōu)選為IOOnm到5000nm，有利地為500nm到2500nm。
[0030] 形成薄層的球4更有利地為單分散（mono-dispersed)，即形貌相同的球，其中具 有非常窄的尺寸分布，以一個(gè)特定的平均直徑為中心，其標(biāo)準(zhǔn)偏差大約為10%。
[0031] 這樣，對(duì)于給定的掩模3,有利地是所有球4具有相同的平均直徑。
[0032] 最后，形成掩模3的薄層有利地具有從80%到94%范圍內(nèi)的密實(shí)度。密實(shí)度也叫 做填充因子，是構(gòu)成薄層的球4的總體積占包含球4的薄層的總體積的比率。以上密實(shí)度 的取值范圍表現(xiàn)了相對(duì)于用于沉積金屬膜的間隙的尺寸的良好折中。
[0033] 如圖1所示，例如通過(guò)旋涂法或者Langmuir-Blodgett法將掩模3制作在支撐體 上。
[0034] 這些沉積球的技術(shù)在成本上非常有競(jìng)爭(zhēng)力并且適用于大表面。它們能進(jìn)一步實(shí) 現(xiàn)與選擇范圍較大的支撐體之間的兼容性，例如由金屬、硅、玻璃或者聚合物質(zhì)制成的支撐 體。
[0035] 根據(jù)一個(gè)特定的實(shí)施例，掩模3的形成可以包括對(duì)之前支撐體2上形成的球4的 蝕刻步驟以減小球4的初始平均尺寸。該蝕刻步驟能使球4的初始尺寸減小，從而增加間 隙5的體積。
[0036] 可以通過(guò)化學(xué)蝕刻或者干蝕刻（反應(yīng)離子蝕刻）執(zhí)行蝕刻步驟。
[0037] 通過(guò)掩模3的開口，即如圖2所示的在球4的間隙，沉積金屬膜。在圖2中用位于 掩模3上方的箭頭F表示此沉積步驟。此方式沉積的金屬膜1由多個(gè)點(diǎn)6組成，每個(gè)點(diǎn)占 據(jù)了相接合的球之間的間隙或者自由空間，并且有利的是占據(jù)三個(gè)接合球之間的間隙或者 自由空間，從而能得到金屬膜1的織構(gòu)。例如對(duì)于包括平均直徑為300nm到1500nm的球4 的掩模3,所得到的點(diǎn)6的高度為150nm到750nm。
[0038] 點(diǎn)可以彼此分離，如圖3所示。取決于球的排列，點(diǎn)可以包括至少三個(gè)或者四個(gè) 面。每個(gè)面代表了球的互補(bǔ)形狀，即圓弧的形狀。點(diǎn)也可以在支撐體處彼此相連，從而形成 蜂巢結(jié)構(gòu)。
[0039] 有利地，通過(guò)磁控陰極濺射或者真空蒸發(fā)進(jìn)行金屬膜1的沉積。這些技術(shù)不會(huì)損 傷金屬球4,并且通過(guò)掩模3在球4之間的間隙5處沉積均勻的層。
[0040] 進(jìn)一步地，良好控制掩模3的形成可以以精確并且可重復(fù)地方式準(zhǔn)確控制金屬點(diǎn) 6的間隔和周期。進(jìn)一步地，改變球4的尺寸和掩模3的密實(shí)度，可以容易地修改金屬膜1 的特性。
[0041] 當(dāng)球4為單分散時(shí)，點(diǎn)6之間的間距是固定不變的。在此情況下，分開點(diǎn)6的最大 距離相當(dāng)于球4的平均直徑，即對(duì)于平均直徑為300nm到1500nm的球而言，該最大距離為 300nm到1500nm，該范圍與光伏場(chǎng)中目標(biāo)波長(zhǎng)的范圍一致。因此可以控制金屬膜1的織構(gòu) 和點(diǎn)6間隔的周期性，從而提高入射電磁輻射的光學(xué)捕獲效率。
[0042] 優(yōu)選地，通過(guò)掩模3沉積的金屬膜1由選自鋁、鉻、銀和銅的金屬形成，其也可以由 上述提及的金屬的合金中的一種或者更多種形成。
[0043] 金屬膜1的最大厚度7有利地為150nm到750nm，與形成在球4之間的間隙5中的 點(diǎn)6的最大高度一致。這樣，通過(guò)在形成金屬膜1時(shí)沉積的金屬的數(shù)量和球4的尺寸控制 點(diǎn)6的高度。因此，大約可以得到較顯著的點(diǎn)的形狀因子（form factor)，該形狀因子對(duì)應(yīng) 于點(diǎn)底部尺寸之上的點(diǎn)的高度。
[0044] 因此，也可以通過(guò)在沉積金屬膜1之前蝕刻球4來(lái)修改點(diǎn)6的形狀因子。
[0045] 這樣容易控制織構(gòu)的幾何形貌。
[0046] 如圖3所示，在金屬膜1沉積到支撐體2上的步驟之后，移除掩模3。用于移除掩 模3的技術(shù)之一為在超聲乙醇浴中浸漬5分鐘。
[0047] 進(jìn)一步地，為了在移除掩模3時(shí)不損傷點(diǎn)6,形成金屬膜1的點(diǎn)6優(yōu)選具有小于球 4半徑的最大高度。
[0048] 在一些情況下，以此方式織構(gòu)的金屬膜1形成了反射體。特別地，該織構(gòu)化的反射 體由金屬點(diǎn)6形成。后者有利地由銀基材形成以獲得具有良好光學(xué)和電學(xué)性能的反射體。 [0049] 在其他情況下，如圖4所示，金屬膜1可以結(jié)合至少一種其他的金屬膜。
[0050] 因此，在移除掩模3之后，可以在金屬膜1上進(jìn)行附加金屬膜8的均勻沉積?？梢?通過(guò)例如物理氣相沉積或者化學(xué)氣相沉積沉積附加膜8。這些技術(shù)可以沉積均勻的膜。
[0051] 均勻沉積是指沉積的附加膜8的厚度在表面的任意點(diǎn)處都是基本相同的。這樣 隨著在織構(gòu)化金屬膜1上沉積，附加膜8也表現(xiàn)出織構(gòu)化表面。附加膜8的厚度優(yōu)選地為 50nm 到 1500nm，更優(yōu)選為 IOOnm 到 500nm。
[0052] 附加膜8由選自銀、鋁、銅、鉻和鈦中的金屬或者由它們的合金形成，即由上述金 屬的合金的一種或者更多種形成。更特別地，選擇銀是因?yàn)殂y具有良好光學(xué)性質(zhì)，可作為優(yōu) 秀的反射體，還因?yàn)槠潆妼W(xué)性質(zhì)，特別是導(dǎo)電性。良好的導(dǎo)電性例如可以使由太陽(yáng)能電池產(chǎn) 生的電荷遷移。
[0053] 附加膜8有益地由不同于金屬膜1材料的金屬材料形成。
[0054] 上述任何其他金屬也可以用于形成金屬膜1。該金屬可以是便宜的并且表現(xiàn)出較 低的光學(xué)性質(zhì)。由于附加膜8覆蓋了點(diǎn)6,實(shí)際上只有附加膜8可以為目標(biāo)應(yīng)用表現(xiàn)出良好 的光學(xué)性質(zhì)。金屬膜1和8的組合可以特別降低制作成本。
[0055] 根據(jù)一優(yōu)選的實(shí)施例，金屬膜1由鋁制成，附加膜8由銀制成。這兩層重疊的膜形 成了適用于制作薄膜太陽(yáng)能電池的織構(gòu)化反射體。
[0056] 有利地，在支撐體2和織構(gòu)化反射體之間插入一層或者更多層，例如可改善支撐 體2的平坦度。
[0057] 根據(jù)在前描述的實(shí)施例，可以通過(guò)其他操作制作完成這種織構(gòu)化反射體以形成薄 膜太陽(yáng)能電池。一旦制作了織構(gòu)化反射體之后，可以沉積最后的組件以形成太陽(yáng)能電池。太 陽(yáng)能電池的一個(gè)示例如圖5所示。該電池包括：
[0058] 支撐體2，例如由金屬、硅、玻璃或者聚合物制成，
[0059] 如圖4所示的織構(gòu)化反射體，
[0060] 第一層9,由透明導(dǎo)電氧化物（TCO)制成，
[0061] 吸收層10，
[0062] 第二透明導(dǎo)電氧化物層11，
[0063] 以及電接觸。
[0064] 透明導(dǎo)電氧化物例如選自11'0、51102:卩、2110^1、2110:8、2110:63、120和10!1。
[0065] 為確定用于制作特別織構(gòu)化反射體的掩模3的球4的最優(yōu)直徑，進(jìn)行了對(duì)照測(cè)試。 在此示例中，目的是獲得薄膜太陽(yáng)能電池的最大吸收，其中薄膜太陽(yáng)能電池中吸收層的帶 隙約為I. 4eV。用于制作太陽(yáng)能電池的吸收層10由aSi:Ge制成，透明導(dǎo)電氧化物層9和 11 由 AZO (ZnO: Al)制成。
[0066] 支撐體2由玻璃制成，形成掩模的球4由二氧化硅制成。用平均直徑分別是500nm、 lOOOnm、1500nm和2000nm的二氧化娃球4制作了四種掩模3。
[0067] 然后，用蒸發(fā)法通過(guò)每個(gè)掩模的開口沉積了厚度為500nm的鋁膜1。在用超聲移除 每個(gè)掩模3之后，得到了輪廓分明和間隔規(guī)則的點(diǎn)6。例如，圖6示出了用由直徑為IOOOnm 的球4組成的掩模3得到的膜1。然后，在之前通過(guò)磁控陰極濺射制作的每個(gè)金屬膜上沉積 了厚度為200nm的附加膜8。為得到圖7示意的織構(gòu)化反射體，圖7表示用由直徑為IOOOnm 的球4組成的掩模3得到的織構(gòu)化反射體。
[0068] 最后，太陽(yáng)能電池的其他組件覆蓋了每個(gè)織構(gòu)化反射體。
[0069] 接著對(duì)每個(gè)光伏電池所吸收的波長(zhǎng)范圍為600nm到IlOOnm的吸收功率進(jìn)行了計(jì) 算。然后，將通過(guò)不同平均直徑的球4得到的織構(gòu)化反射體的光伏電池的功率與相同的但 具有非織構(gòu)化反射體的太陽(yáng)能電池進(jìn)行比較。非織構(gòu)化反射體是平坦的銀層，該銀層通過(guò) 磁控陰極濺射沉積，厚度為300nm。
[0070] 可以看出，光模擬計(jì)算得到的吸收功率的增加取決于球的直徑。圖8表示取決于 掩模3的球4的直徑的這些不同功率?？梢钥闯觯鄬?duì)于非織構(gòu)化反射體，織構(gòu)化反射體的 功率的增加在由平均直徑為1 μ m的球4形成的織構(gòu)時(shí)最大：得到的增益為43. 6%。
[0071] 還測(cè)量了織構(gòu)化反射體的霾因子（haze factor)。霾因子代表漫反射系數(shù)相對(duì)于 全反射系數(shù)的比率。漫反射特別歸因于反射體的織構(gòu)。因此，在圖9中，表示出織構(gòu)化反射 體和非織構(gòu)化反射體的霾因子的變化對(duì)入射電磁輻射的波長(zhǎng)?？棙?gòu)化反射體表現(xiàn)出改善的 光學(xué)性質(zhì)。對(duì)于所有波長(zhǎng)，霾因子實(shí)際上都顯著增加，更特別地，霾因子在300nm到SOOnm 的波長(zhǎng)上增加了超過(guò)80%。
[0072] 因此，織構(gòu)化反射體的存在形成了光學(xué)捕獲，而光學(xué)捕獲增加了沉積在這種反射 體上的薄膜太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率。因此，提高了太陽(yáng)能電池中表示電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生 率的光譜響應(yīng)。
[0073] 外量子效率的增加轉(zhuǎn)化為短路電流密度（Jsc)的增加。將具有織構(gòu)化反射體的太 陽(yáng)能電池的短路電流（圖10中的曲線A)與不具有織構(gòu)化反射體的太陽(yáng)能電池的短路電流 (圖10中的曲線B)進(jìn)行比較，其中所述織構(gòu)化反射體由具有1 μ m球的掩模得到。表示了 短路電流密度（Jsc)對(duì)開路電壓（V)的情況。具有織構(gòu)化反射體的太陽(yáng)能電池得到了 10% 的增益，對(duì)應(yīng)于其效率增加了 15%。
[0074] 進(jìn)一步地，在標(biāo)準(zhǔn)照明AML 5下，即對(duì)應(yīng)太陽(yáng)在頂點(diǎn)時(shí)太陽(yáng)光線穿過(guò)大氣質(zhì)量的 1.5倍，對(duì)32個(gè)具有平坦反射體的參照太陽(yáng)能電池和32個(gè)具有同樣反射體但是織構(gòu)化的太 陽(yáng)能電池的表征量Jsc、Voc、FF和EQE執(zhí)行了測(cè)定。所有的電池是aSiGe:H太陽(yáng)能電池。 結(jié)果如下表所示。參照太陽(yáng)能電池稱為"非織構(gòu)化電池"，具有織構(gòu)化反射體的電池稱為"織 構(gòu)化電池"。Jsc對(duì)應(yīng)于短路電流，Voc對(duì)應(yīng)于開路電壓，F(xiàn)F對(duì)應(yīng)于太陽(yáng)能電池的形狀因子， EQE表示外量子效率。EQE對(duì)應(yīng)于收集的電子電荷數(shù)相對(duì)于入射光子數(shù)的比率。得到的結(jié) 果表示在下表中。
[0075]

【權(quán)利要求】
1. 一種制作用于薄膜太陽(yáng)能電池的織構(gòu)化反射體的方法，該方法將金屬膜（1)通過(guò)掩 模（3)的開口沉積在支撐體（2)上，所述掩模（3)由共面的球（4)形成的薄膜形成，所述球 (4)之間的間隙（5)形成所述掩模（3)的所述開口， 其特征在于，在所述金屬膜（1)沉積在所述支撐體（2)上之后移除所述掩模（3)，并且 該方法包括在移除所述掩模（3)之后將附加金屬膜（8)均勻沉積在所述金屬膜（1)上。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于形成所述薄膜的球（4)為接合的。
3. 如權(quán)利要求1-2中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于所述球（4)由二氧化硅或 者聚合物材料制成。
4. 如權(quán)利要求1-3中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于由所述球（4)形成的薄膜 的密實(shí)度為80 %到94%。
5. 如權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于形成所述薄膜的球（4)為 單分散并且所述球（4)的平均直徑為100nm到5000nm，優(yōu)選為500nm到2500nm。
6. 如權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于通過(guò)磁控陰極濺射或者真 空蒸發(fā)執(zhí)行所述金屬膜（1)的沉積。
7. 如權(quán)利要求1-6中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于所述金屬膜（1)的厚度 (7)為 150nm 到 750nm。
8. 如權(quán)利要求1-7中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于所述金屬膜（1)由選自由 鋁、鉻、銀和銅構(gòu)成的組中的金屬或者其合金形成。
9. 如權(quán)利要求1-8中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法或者 Langmuir-Blodgett法使所述掩模（3)形成在所述支撐體上。
10. 如權(quán)利要求1-9中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于所述掩模（3)的形成包括 對(duì)之前形成在所述支撐體（2)上的球（4)的蝕刻步驟以減小所述球（4)的平均直徑。
11. 如權(quán)利要求1-10中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于通過(guò)物理氣相沉積或者 化學(xué)氣相沉積沉積所述附加膜（8)。
12. 如權(quán)利要求1-11中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于所述附加膜（8)的厚度 為 50nm 到 1500nm，優(yōu)選為 100nm 到 500nm。
13. 如權(quán)利要求1-12中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于所述附加膜（8)由選自 由銀、鋁、銅、鉻和鈦構(gòu)成的組中的金屬或者其合金形成。
14. 如權(quán)利要求1-13中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于所述金屬膜（1)和所述 附加膜（8)分別由鋁和銀制成。
15. 如權(quán)利要求1-14中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于所述支撐體（2)由金屬 制成。
16. -種通過(guò)權(quán)利要求1-15中任一權(quán)利要求所述的制作方法獲得的用于薄膜太陽(yáng)能 電池的織構(gòu)化反射體。
【文檔編號(hào)】H01L31/056GK104350605SQ201380027209
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年4月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月27日
【發(fā)明者】C.杜克羅斯, H.斯扎姆伯利克斯 申請(qǐng)人:原子能和代替能源委員會(huì)