一種led芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法，首先在將COW成品用丙酮，異丙醇超聲清洗干凈，同時(shí)用清水將去除剩余的化學(xué)雜質(zhì)，然后將COW進(jìn)行高溫烘烤，隨后在COW表面沉積高致密性SiO2，接著根據(jù)COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射進(jìn)行正面切割，同時(shí)將濃硫酸和濃磷酸以1：4比例進(jìn)行混合，并加熱至245℃～255℃后，將正劃后的COW放置于混酸中進(jìn)行腐蝕10min后取出，最后用BOE將高溫酸腐蝕后的COW表面的SiO2濕法刻蝕干凈后，進(jìn)行劈裂，并按正常LED芯片流程進(jìn)行作業(yè)；本工藝具有操作簡單可行，既符合LED芯片的正常工藝流程，又能去除鐳射正劃COW后產(chǎn)生的吸光產(chǎn)物，從而使COW的芯粒亮度不受到損失。
【專利說明】一種LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光電【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是一種LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著GaN基寬禁帶半導(dǎo)體磊晶技術(shù)的重大突破，藍(lán)光和綠光的LED作為節(jié)能，環(huán)保，高壽命新型節(jié)能材料引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。目前傳統(tǒng)大功率LED芯片切割時(shí)，需用鐳射在其表面進(jìn)行高能量，高深度的燒灼；其切割過程中對芯粒表面的損傷以及燒灼產(chǎn)物，在LED芯片發(fā)光時(shí)，吸收散射至側(cè)壁的光能；在現(xiàn)有LED芯片制作工藝流程中未能有一種妥善的解決上述切割和吸光的弊端。
[0003]因此，需要一種新的技術(shù)方案以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]發(fā)明目的:為了解決現(xiàn)有技術(shù)所產(chǎn)生的問題，本發(fā)明提供了一種簡單易行，可有效去除鐳射正劃COW后產(chǎn)生吸光產(chǎn)物的LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法。
[0005]技術(shù)方案:為達(dá)到上述目的，本發(fā)明可采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法，包括以下步驟:
[0007](I)將COW用丙酮，異丙醇超聲清洗lOmin，清水沖洗5min后，旋干，并在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0008](2 )在COW表面沉積I μ m的高致密SiO2做為掩膜；
[0009](3)根據(jù)COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射在其表面進(jìn)行切割，激光光斑的寬度為8 μ m?10 μ m,戈丨」深為35 μ m?40 μ m ;
[0010](4)將濃硫酸和濃磷酸混合均勻后，將混酸加熱至特定溫度；
[0011](5)將鐳射切割后的COW用耐酸性陶瓷提籃放置于混酸中，放置IOmin取出；
[0012](6)用BOE將高溫酸腐蝕后的產(chǎn)品表面的SiO2濕法腐蝕干凈；
[0013](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈后便可以按照正常LED芯片流程作業(yè)，直至方片入庫。
[0014]更進(jìn)一步的，所述步驟(4)中濃硫酸和濃磷酸按1:5?1:8的體積比例進(jìn)行配制。
[0015]更進(jìn)一步的，所述步驟(4)中加熱溫度為245°C?255°C。
[0016]有益效果:本發(fā)明公開了一種LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法，首先在將COW成品用丙酮，異丙醇超聲清洗干凈，同時(shí)用清水將去除剩余的化學(xué)雜質(zhì)，然后將COW進(jìn)行高溫烘烤，隨后在COW表面沉積高致密性SiO2,接著根據(jù)COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射進(jìn)行正面切割，同時(shí)將濃硫酸和濃磷酸以1:4比例進(jìn)行混合，并加熱至245°C?255°C后，將正劃后的COW放置于混酸中進(jìn)行腐蝕IOmin后取出，最后用BOE將高溫酸腐蝕后的COW表面的SiO2濕法刻蝕干凈后，進(jìn)行劈裂，并按正常LED芯片流程進(jìn)行作業(yè)；本工藝具有操作簡單可行，既符合LED芯片的正常工藝流程，又能去除鐳射正劃COW后產(chǎn)生的吸光產(chǎn)物，從而使COW的芯粒亮度不受到損失?！揪唧w實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解下述【具體實(shí)施方式】僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0018]實(shí)施例1:
[0019]一種LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法，包括以下步驟:
[0020](I)將COW用丙酮，異丙醇超聲清洗lOmin，清水沖洗5min后，旋干，并在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0021 ] (2 )在COW表面沉積I μ m的高致密SiO2做為掩膜；
[0022](3)根據(jù)COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射在其表面進(jìn)行切割，激光光斑的寬度為8 μ m,劃深為35 μ m ；
[0023](4)將濃硫酸和濃磷酸按1:5的體積比例進(jìn)行配制，混合均勻后，將混酸加熱至245 0C ；
[0024](5)將鐳射切割后的COW用耐酸性陶瓷提籃放置于混酸中，放置IOmin取出；
[0025](6)用BOE將高溫酸腐蝕后的產(chǎn)品表面的SiO2濕法腐蝕干凈；
[0026](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈后便可以按照正常LED芯片流程作業(yè)，直至方片入庫。
[0027]實(shí)施例2:
[0028]一種LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法，包括以下步驟:
[0029](I)將COW用丙酮，異丙醇超聲清洗lOmin，清水沖洗5min后，旋干，并在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0030](2 )在COW表面沉積I μ m的高致密SiO2做為掩膜；
[0031](3)根據(jù)COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射在其表面進(jìn)行切割，激光光斑的寬度SlOym,劃深為 40 μ m ;
[0032](4)將濃硫酸和濃磷酸按1:8的體積比例進(jìn)行配制，混合均勻后，將混酸加熱至255 0C ；
[0033](5)將鐳射切割后的COW用耐酸性陶瓷提籃放置于混酸中，放置IOmin取出；
[0034](6)用BOE將高溫酸腐蝕后的產(chǎn)品表面的SiO2濕法腐蝕干凈；
[0035](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈后便可以按照正常LED芯片流程作業(yè)，直至方片入庫。
[0036]實(shí)施例3:
[0037]一種LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法，包括以下步驟:
[0038](I)將COW用丙酮，異丙醇超聲清洗lOmin，清水沖洗5min后，旋干，并在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0039](2 )在COW表面沉積I μ m的高致密SiO2做為掩膜；
[0040](3)根據(jù)COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射在其表面進(jìn)行切割，激光光斑的寬度為8 μ m,劃深為38 μ m ；
[0041](4)將濃硫酸和濃磷酸按1:6的體積比例進(jìn)行配制，混合均勻后，將混酸加熱至250 °C ；
[0042](5)將鐳射切割后的COW用耐酸性陶瓷提籃放置于混酸中，放置IOmin取出；
[0043](6)用BOE將高溫酸腐蝕后的產(chǎn)品表面的SiO2濕法腐蝕干凈；
[0044](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈后便可以按照正常LED芯片流程作業(yè)，直至方片入庫。
【權(quán)利要求】
1.一種LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法，其特征在于包括以下步驟: (1)將COW用丙酮，異丙醇超聲清洗lOmin，清水沖洗5min后，旋干，并在烤箱中120°C烘烤IOmin ； (2)在COW表面沉積Iμ m的高致密SiO2做為掩膜； (3)根據(jù)COW表面芯粒之間的切割道，用鐳射在其表面進(jìn)行切割，激光光斑的寬度為8 μ m?IOym,戈丨」深為35 μ m?40 μ m ; (4)將濃硫酸和濃磷酸混合均勻后，將混酸加熱至特定溫度； (5)將鐳射切割后的COW用耐酸性陶瓷提籃放置于混酸中，放置IOmin取出； (6)用BOE將高溫酸腐蝕后的產(chǎn)品表面的SiO2濕法腐蝕干凈；(7)上述成品研磨至100μ m,背劈后便可以按照正常LED芯片流程作業(yè)，直至方片入庫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法，其特征在于:所述步驟(4)中濃硫酸和濃磷酸按1:5?1:8的體積比例進(jìn)行配制。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片高溫混酸腐蝕切割道的方法，其特征在于:所述步驟(4)中加熱溫度為245°C?255°C。
【文檔編號】H01L33/00GK103474341SQ201310414145
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月12日
【發(fā)明者】郁彬 申請人:昆山奧德魯自動(dòng)化技術(shù)有限公司