專利名稱：去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的 方法。
背景技術(shù)：
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體的制造工藝得到了飛速的發(fā)展，半導(dǎo)體的制造 工藝涉及一種大馬士革結(jié)構(gòu)的形成方法。圖1-圖7為大馬士革結(jié)構(gòu)形成方法的工藝結(jié)構(gòu) 剖面示意圖，大馬士革結(jié)構(gòu)形成方法包括如下步驟步驟101，參見(jiàn)圖1，采用物理氣相沉積工藝(PVD)在晶圓的金屬層101上沉積第 一阻擋層102，第一阻擋層102 —般為氮化硅(SiN)。步驟102，參見(jiàn)圖2，采用PVD在第一阻擋層102上沉積第一介質(zhì)層103。步驟103，參見(jiàn)圖3，采用PVD在第一介質(zhì)層103上沉積第二阻擋層104，第二阻擋 層104 —般也為SiN。步驟104，參見(jiàn)圖4，采用PVD在第二阻擋層104上沉積第二介質(zhì)層105。步驟105，參見(jiàn)圖5，采用PVD在第二介質(zhì)層105上沉積第三阻擋層106，第三阻擋 層為氮氧化硅(SiON)。步驟106，參見(jiàn)圖6，采用蝕刻工藝在第二介質(zhì)層105和第三阻擋層106上形成第 一通孔107。步驟107，參見(jiàn)圖7，采用蝕刻工藝在第一介質(zhì)層103和第二阻擋層104上形成第 二通孔108。上述步驟中的PVD均發(fā)生在PVD反應(yīng)腔中，從理論上來(lái)講，PVD反應(yīng)腔應(yīng)為密閉的 容器，然而，在實(shí)際應(yīng)用中，如果PVD反應(yīng)腔使用時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，PVD反應(yīng)腔的密閉性就會(huì)下降， 或者由于操作失誤，也有可能導(dǎo)致PVD的密閉性下降，基于這些原因，空氣中的污染物顆粒 有可能進(jìn)入PVD反應(yīng)腔，并隨著阻擋層或介質(zhì)層的沉積而摻雜在阻擋層或介質(zhì)層中，從而 對(duì)阻擋層或介質(zhì)層造成污染，最終影響半導(dǎo)體器件的性能。如果阻擋層或介質(zhì)層中摻雜有污染物顆粒，則最終形成的半導(dǎo)體器件被視為不合 格產(chǎn)品，因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)形成大馬士革結(jié)構(gòu)后，采用明場(chǎng)掃描方法(BFI)對(duì)阻擋層 和介質(zhì)層進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)檢測(cè)到晶圓的阻擋層或介質(zhì)層中摻雜有污染物顆粒后，則將該晶圓 報(bào)廢，可見(jiàn)，一旦晶圓的阻擋層或介質(zhì)層摻雜有污染物顆粒，則只能將晶圓報(bào)廢，從而增加 了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方 法，能夠降低半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法，采用明場(chǎng)掃描方法BFI檢測(cè)出第一阻擋層、第一介質(zhì)層、第二阻擋層、第二介質(zhì)層或第三阻擋層中摻雜有污染物顆粒的晶圓 后，該方法包括采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝CMP依次去除第三阻擋層、第二介質(zhì)層、第二阻擋層、第一 介質(zhì)層和第一阻擋層。當(dāng)采用CMP去除第一介質(zhì)層和第一阻擋層時(shí)，先去除第一介質(zhì)層厚度的0%至 65%，然后去除剩余的第一介質(zhì)層，其次去除400A至550A的第一阻擋層，最后去除剩余的 第一阻擋層。當(dāng)采用CMP去除第三阻擋層時(shí)，采用型號(hào)為1501的研磨漿對(duì)第三阻擋層進(jìn)行研 磨，研磨盤與研磨頭的相對(duì)角速度小于93/87，研磨頭底面的第二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ?施加的壓力之比大于1. 42，且研磨頭底面的第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫?. 2帕斯卡至 2.6帕斯卡。當(dāng)采用CMP去除第二介質(zhì)層時(shí)，采用型號(hào)為CES333的研磨漿對(duì)第二介質(zhì)層進(jìn)行研 磨，研磨盤的角速度小于73轉(zhuǎn)/分鐘，研磨頭的角速度小于67轉(zhuǎn)/分鐘，研磨頭底面的第 二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ葹?. 8至1. 2，且研磨頭底面的第三區(qū)域?qū)ρ?磨面施加的壓力為2. 5帕斯卡至3. 4帕斯卡。當(dāng)采用CMP去除第一介質(zhì)層厚度的0%至65%和第二阻擋層時(shí)，采用型號(hào)為1501 的研磨漿進(jìn)行研磨，且研磨盤與研磨頭的相對(duì)角速度小于93/87，研磨頭底面的第二區(qū)域與 第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ却笥?. 42，且研磨頭底面的第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲?力為2. 2帕斯卡至2. 6帕斯卡。當(dāng)采用CMP去除剩余的第一介質(zhì)層和400A至550A的第一阻擋層時(shí)，采用型號(hào)為 1501的研磨漿進(jìn)行研磨，且研磨盤的角速度小于73轉(zhuǎn)/分鐘，研磨頭的角速度小于67轉(zhuǎn)/ 分鐘，研磨頭底面的第二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ却笥?.42，且研磨頭底 面的第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫?. 5帕斯卡至0. 82帕斯卡。當(dāng)采用CMP去除剩余的第一阻擋層時(shí)，采用型號(hào)為T805的研磨漿進(jìn)行研磨，且研 磨盤的角速度小于73轉(zhuǎn)/分鐘，研磨頭的角速度小于67轉(zhuǎn)/分鐘，研磨頭底面的第一區(qū)域 與第二區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ葹?. 8至2. 2，研磨頭底面的第二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)?研磨面施加的壓力之比為0. 8至1. 2，且研磨頭底面的第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫?. 1 帕斯卡至2帕斯卡?？梢?jiàn)，在本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法中，首先 采用明場(chǎng)掃描方法(BFI)檢測(cè)出第一阻擋層、第一介質(zhì)層、第二阻擋層、第二介質(zhì)層或第三 阻擋層中摻雜有污染物顆粒的晶圓，然后采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝(CMP)依次去除第三阻擋 層、第二介質(zhì)層、第二阻擋層、第一介質(zhì)層和第一阻擋層，這樣，在不報(bào)廢晶圓的前提下去除 了阻擋層和介質(zhì)層中的污染物顆粒，降低了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本。


圖1-圖7為大馬士革結(jié)構(gòu)形成方法的過(guò)程剖面結(jié)構(gòu)圖。圖8為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和金屬層中污染物顆粒的方法的實(shí)施例 的流程圖。圖9為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法中步驟201的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖10為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法中步驟 202的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖IOA為研磨頭的底面分區(qū)示意圖。圖11為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法中步驟 203的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖12為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法中步驟 204的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖13為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法中步驟 205的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖14為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法中步驟 206的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。圖15為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法中步驟 207的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例，對(duì) 本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。圖8為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和金屬層中污染物顆粒的方法的實(shí)施例 的流程圖，如圖8所示，該方法包括以下步驟步驟201，圖9為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法 中步驟201的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖，如圖9所示，采用BFI檢測(cè)出第一阻擋層102、第一介質(zhì) 層103、第二阻擋層104、第二介質(zhì)層105或第三阻擋層106中摻雜有污染物顆粒的晶圓。BFI為現(xiàn)有檢測(cè)技術(shù)，圖9、10、11、12、13、14、15中的標(biāo)示如圖1至圖7的說(shuō)明，在 此不予贅述。步驟202，圖10為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法 中步驟202的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖，如圖10所示，采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝(CMP)去除第三 阻擋層106。在本步驟中，采用型號(hào)為1501的研磨漿對(duì)第三阻擋層106進(jìn)行研磨，型號(hào)為1501 的研磨漿為美國(guó)羅門哈斯生產(chǎn)的一種研磨漿，這種研磨漿的PH值為11至12. 5，主要用于研 磨 SiN 和 SiON。當(dāng)進(jìn)行CMP時(shí)，為了避免研磨速率過(guò)大而導(dǎo)致的過(guò)度研磨，提供一組CMP的較佳工 藝參數(shù)研磨盤與研磨頭的相對(duì)角速度小于93/87，即研磨盤的角速度/研磨頭的角速度小 于93/87。在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)對(duì)晶圓進(jìn)行研磨時(shí)，首先將晶圓置于研磨墊和研磨頭之間，且 研磨墊位于研磨盤的上方并與研磨盤接觸，然后使研磨盤和研磨頭按照相反的方向發(fā)生旋 轉(zhuǎn)，研磨盤會(huì)帶動(dòng)研磨墊發(fā)生旋轉(zhuǎn)，且研磨頭也會(huì)帶動(dòng)晶圓發(fā)生旋轉(zhuǎn)，因此，可通過(guò)對(duì)研磨 盤與研磨頭的相對(duì)角速度的控制來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)研磨速率的控制。另外，為了提高經(jīng)研磨的研磨面的平坦度，針對(duì)研磨頭底面的各個(gè)研磨區(qū)對(duì)研磨 面施加的壓力進(jìn)行了限定。圖IOA為研磨頭的底面分區(qū)示意圖，如圖IOA所示，研磨頭的底面被分為三個(gè)區(qū)域第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)進(jìn)行CMP時(shí)，可分別 針對(duì)三個(gè)區(qū)域?qū)ρ心ッ嫠┘拥膲毫M(jìn)行控制，以提高研磨面的平坦度。在本步驟中，第二 區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ却笥?. 42，第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫?. 2 帕斯卡至2. 6帕斯卡，另外，第一區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫](méi)有確定的數(shù)值范圍，在實(shí)際應(yīng) 用中，當(dāng)?shù)诙^(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫Υ_定后，根據(jù)研磨頭區(qū)域設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)算 法來(lái)設(shè)定第一區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫Φ纳舷拗担心ヮ^區(qū)域設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)算法為現(xiàn)有技術(shù) 的內(nèi)容，在此不詳述。步驟203，圖11為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法 中步驟203的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖，如圖11所示，采用CMP去除第二介質(zhì)層105。在本步驟中，采用型號(hào)為CES333的研磨漿對(duì)第二介質(zhì)層105進(jìn)行研磨，型號(hào)為 CES333的研磨漿為日本的Assahi公司生產(chǎn)的一種研磨漿，這種研磨漿的PH為4. 5-45. 5， 有較高的SiN和氧化物的選擇比，而氧化物是介質(zhì)層的主要成分，也就是說(shuō)，采用型號(hào)為 CES333的研磨漿較易將第二介質(zhì)層105去除，而不易將第二阻擋層104去除。在本步驟中，研磨盤的角速度一般小于73轉(zhuǎn)/分鐘，而研磨頭的角速度一般比研 磨盤的角速度小6轉(zhuǎn)/分鐘，也就是說(shuō)，研磨頭的角速度一般小于67轉(zhuǎn)/分鐘。第二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ葹?. 8至1. 2，且第三區(qū)域?qū)ρ心?面施加的壓力為2. 5帕斯卡至3. 4帕斯卡。步驟204，圖12為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法 中步驟204的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖，如圖12所示，采用CMP去除第二阻擋層104和第一介 質(zhì)層103厚度的0%至65%。在本步驟中，采用型號(hào)為1501的研磨漿對(duì)第二阻擋層104進(jìn)行研磨，去除第二阻 擋層，然后采用型號(hào)為1501的研磨漿對(duì)第一介質(zhì)層103進(jìn)行研磨，且去除第一介質(zhì)層103 厚度的0%至65%。研磨盤與研磨頭的相對(duì)角速度小于93/87。第二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ却笥?. 42，第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘?的壓力為2. 2帕斯卡至2. 6帕斯卡。步驟205，圖13為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法 中步驟205的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖，如圖13所示，采用CMP去除剩余的第一介質(zhì)層103和 400A至550A的第一阻擋層102。在本步驟中，采用型號(hào)為1501的研磨漿對(duì)剩余的第一介質(zhì)層103進(jìn)行研磨，并 去除第一介質(zhì)層103，然后采用型號(hào)為1501的研磨漿對(duì)第一阻擋層102進(jìn)行研磨，且去除 400A至550A的第一阻擋層102。研磨盤的角速度一般小于73轉(zhuǎn)/分鐘，而研磨頭的角速度一般比研磨盤的角速度 小6轉(zhuǎn)/分鐘，也就是說(shuō)，研磨頭的角速度一般小于67轉(zhuǎn)/分鐘。第二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ却笥?. 42，第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘?的壓力為0. 5帕斯卡至0. 82帕斯卡，另外，第一區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫](méi)有確定的數(shù)值 范圍，在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)?shù)诙^(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫Υ_定后，根據(jù)研磨頭區(qū)域 設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)算法來(lái)設(shè)定第一區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫Φ纳舷拗?。步驟206，圖14為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法中步驟206的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖，如圖14所示，采用CMP去除剩余的第一阻擋層102。在本步驟中，采用型號(hào)為T805的研磨漿對(duì)剩余的第一阻擋層102進(jìn)行研磨，去除 第一阻擋層102，型號(hào)為T805的研磨漿具有較高的SiN和金屬選擇比，較易去除由SiN構(gòu)成 的第一阻擋層102，不易去除金屬層101。研磨盤的角速度一般小于73轉(zhuǎn)/分鐘，而研磨頭的角速度一般比研磨盤的角速度 小6轉(zhuǎn)/分鐘，也就是說(shuō)，研磨頭的角速度一般小于67轉(zhuǎn)/分鐘。第一區(qū)域與第二區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ葹?. 8至2. 2，第二區(qū)域與第三區(qū) 域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ葹?. 8至1. 2，且第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫?. 1帕斯卡至 2帕斯卡。在實(shí)際應(yīng)用中，為了提高CMP的效率，在上述步驟202至204中，均采用較大的研 磨強(qiáng)度，例如，研磨頭底面的第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫Χ急容^ 大，然而在上述步驟205和206中，均采用了相對(duì)較小的研磨強(qiáng)度，例如，研磨頭底面的第 一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫Χ急容^小，這樣可避免最終暴露出的金 屬層表面出現(xiàn)劃痕，特別需要說(shuō)明的是，在步驟204中，采用較大的研磨強(qiáng)度去除第二阻擋 層和第一介質(zhì)層厚度的0%至65%，由于剩余的第一介質(zhì)層的上表面與金屬層的距離比較 近，為了避免在金屬層表面造成劃痕，在步驟205中開(kāi)始采用較小的研磨強(qiáng)度進(jìn)行CMP。至此，采用上述步驟將阻擋層和介質(zhì)層完全去除，下面就可以在金屬層101上重 新形成大馬氏革結(jié)構(gòu)，但是形成的大馬士革結(jié)構(gòu)并不僅限于本說(shuō)明書(shū)的圖7中所示的大馬 士革結(jié)構(gòu)，也可根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品的要求來(lái)形成新的大馬士革結(jié)構(gòu)，下面以形成圖7所示的大 馬士革結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明。步驟207，圖15為本發(fā)明所提供的一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法 中步驟207的工藝結(jié)構(gòu)剖面示意圖，如圖15所示，采用PVD在金屬層101上依次沉積第一 阻擋層102、第一介質(zhì)層103、第二阻擋層104、第二介質(zhì)層105和第三阻擋層106，并采用蝕 刻工藝在第二介質(zhì)層105和第三阻擋層106上形成第一通孔107，采用蝕刻工藝在第一介質(zhì) 層103和第二阻擋層104上形成第二通孔108。當(dāng)步驟206結(jié)束后，原先所沉積的阻擋層和介質(zhì)層中的污染物顆粒已被徹底地去 除，因此，在本步驟中，采用PVD重新在金屬層上沉積新的阻擋層和介質(zhì)層，采用蝕刻工藝 再次形成第一通孔和第二通孔，具體的實(shí)現(xiàn)方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不予贅述。至此，本流程結(jié)束，可進(jìn)入后續(xù)的工藝流程。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在 本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換以及改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保 護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法，采用明場(chǎng)掃描方法BFI檢測(cè)出第一阻擋層、第一介質(zhì)層、第二阻擋層、第二介質(zhì)層或第三阻擋層中摻雜有污染物顆粒的晶圓后，其特征在于，該方法包括采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝CMP依次去除第三阻擋層、第二介質(zhì)層、第二阻擋層、第一介質(zhì)層和第一阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)采用CMP去除第一介質(zhì)層和第一阻擋 層時(shí)，先去除第一介質(zhì)層厚度的0%至65%，然后去除剩余的第一介質(zhì)層，其次去除400A至 550A的第一阻擋層，最后去除剩余的第一阻擋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當(dāng)采用CMP去除第三阻擋層時(shí)，采用型號(hào) 為1501的研磨漿對(duì)第三阻擋層進(jìn)行研磨，研磨盤與研磨頭的相對(duì)角速度小于93/87，研磨 頭底面的第二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ却笥?. 42，且研磨頭底面的第三區(qū) 域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫?. 2帕斯卡至2. 6帕斯卡。
4.根據(jù)要求2所述的方法，其特征在于，當(dāng)采用CMP去除第二介質(zhì)層時(shí)，采用型號(hào)為 CES333的研磨漿對(duì)第二介質(zhì)層進(jìn)行研磨，研磨盤的角速度小于73轉(zhuǎn)/分鐘，研磨頭的角速 度小于67轉(zhuǎn)/分鐘，研磨頭底面的第二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ葹?. 8至 1. 2，且研磨頭底面的第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫?. 5帕斯卡至3. 4帕斯卡。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當(dāng)采用CMP去除第一介質(zhì)層厚度的0%至 65%和第二阻擋層時(shí)，采用型號(hào)為1501的研磨漿進(jìn)行研磨，且研磨盤與研磨頭的相對(duì)角速 度小于93/87，研磨頭底面的第二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ却笥?.42，且 研磨頭底面的第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫?. 2帕斯卡至2. 6帕斯卡。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當(dāng)采用CMP去除剩余的第一介質(zhì)層和 400A至550A的第一阻擋層時(shí)，采用型號(hào)為1501的研磨漿進(jìn)行研磨，且研磨盤的角速度小于 73轉(zhuǎn)/分鐘，研磨頭的角速度小于67轉(zhuǎn)/分鐘，研磨頭底面的第二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心?面施加的壓力之比大于1. 42，且研磨頭底面的第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫?. 5帕斯卡 至0. 82帕斯卡。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當(dāng)采用CMP去除剩余的第一阻擋層時(shí)，采 用型號(hào)為T805的研磨漿進(jìn)行研磨，且研磨盤的角速度小于73轉(zhuǎn)/分鐘，研磨頭的角速度小 于67轉(zhuǎn)/分鐘，研磨頭底面的第一區(qū)域與第二區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ葹?. 8至2. 2， 研磨頭底面的第二區(qū)域與第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫χ葹?. 8至1. 2，且研磨頭底面 的第三區(qū)域?qū)ρ心ッ媸┘拥膲毫?. 1帕斯卡至2帕斯卡。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種去除阻擋層和介質(zhì)層中污染物顆粒的方法，采用明場(chǎng)掃描方法BFI檢測(cè)出第一阻擋層、第一介質(zhì)層、第二阻擋層、第二介質(zhì)層或第三阻擋層中摻雜有污染物顆粒的晶圓后，該方法包括采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝CMP依次去除第三阻擋層、第二介質(zhì)層、第二阻擋層、第一介質(zhì)層和第一阻擋層。采用該方法能夠降低半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H01L21/768GK101996879SQ20091005666
公開(kāi)日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2009年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月19日
發(fā)明者彭澎, 潘繼崗 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司