專利名稱：：Ir的苯基-吡唑配合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光器件(OLED),和更具體地涉及在這種器件中使用的磷光有機(jī)材料.更具體地說，本發(fā)明涉及當(dāng)摻入到OLED內(nèi)時(shí)具有改進(jìn)的電致發(fā)光效率的磷光材料。
背景技術(shù)：
：由于許多原因，利用有機(jī)材料的光電器件變得愈加有利.制造這種器件所使用的許多材料相對(duì)便宜，因此有機(jī)光電器件比無機(jī)器件具有成本優(yōu)勢的可能性.例外，有機(jī)材料的固有性能，如其撓性，可使得它們非常適合于特定的應(yīng)用，如在撓性基底上制造.有機(jī)光電器件的實(shí)例包括有機(jī)發(fā)光器件(OLED)、有機(jī)光敏晶體管、有機(jī)光電池和有機(jī)光檢測器。對(duì)于OLED來說，有機(jī)材料可具有比常規(guī)材料有利的性能。例如，可通常容易地用合適的摻雜劑調(diào)節(jié)有機(jī)發(fā)射層發(fā)光時(shí)的波長。此處所使用的術(shù)語"有機(jī)"包括制造有機(jī)光電器件可使用的聚合物材料以及小分子有機(jī)材料。"小分子"是指不是聚合物的任何有機(jī)材料，并且"小分子"實(shí)際上可以相當(dāng)大。在一些情況下，小分子可包括重復(fù)單元.例如，使用長鏈烷基作為取代基并沒有將該分子從"小分子"組中除去.也可將小分子例如作為聚合物主鏈上的側(cè)桂基團(tuán)或者作為主鏈的一部分摻入到聚合物內(nèi)。小分子也可起到枝狀體(dendrimer)核心部分的作用，所述枝狀體由在核心部分上形成的一系列化學(xué)殼組成。枝狀體的化學(xué)部分可以是熒光或磷光小分子發(fā)射體。枝狀體可以是"小分子"，并且認(rèn)為目前在OLED領(lǐng)域中使用的所有枝狀體是小分子。0LED利用當(dāng)施加電壓到器件上時(shí)發(fā)射光的薄的有機(jī)膜。OLED正變?yōu)樵谥T如平板顯示器、照明和背面照明之類應(yīng)用中使用的曰益令人感興趣的技術(shù)。在美國專利No.5844363、No.6303238和No.5707745中公開了數(shù)種0LED材料和結(jié)構(gòu)，在此通過參考將其全部內(nèi)容引入。0LED器件通常(但不總是)通過電極中的至少一個(gè)發(fā)射光，并且一個(gè)或多個(gè)透明電極可用于有機(jī)光電器件中。例如，透明電極材料，如氧化錫錮(IT0)可用作底部電極。也可使用透明的頂部電極，如在美國專利No.5703436和No.5707745(在此通過參考將其全部內(nèi)容引入)中公開的透明的頂部電極。對(duì)于僅僅通過底部電極發(fā)射光的器件來說，頂部電極不需要透明，并且可以由具有高導(dǎo)電率的厚且反射金屬層組成。類似地，對(duì)于僅僅通過頂部電極發(fā)射光的器件來說，底部電極可以不透明和/或具有反射性。在電極不需要透明的情況下，使用較厚的層可提供更好的導(dǎo)電率，并且使用反射電極可通過將光反射回透明電極，從而增加通過其它電極發(fā)射的光量。在兩個(gè)電極透明的情況下，也可制造完全透明的電極。也可制造側(cè)面發(fā)射OLED,并且在這種器件中，一個(gè)或兩個(gè)電極可以不透明或者具有反射性。此處所使用的"頂部"指離基底最遠(yuǎn)，而"底部"指離基底最近.例如，對(duì)于具有兩個(gè)電極的器件來說，底部電極是最接近基底的電極，并且通常是制造的笫一電極.底部電極具有兩個(gè)表面，即最接近基底的底部表面和遠(yuǎn)離基底的頂部表面。在笫一層描述為布置在第二層上的情況下，第一層遠(yuǎn)離基底布置.可在笫一與笫二層之間存在其它層，除非另外說明第一層與笫二層"物理接觸"。例如，陰極可描述為布置在陽極上，盡管可在其間存在各種有機(jī)層。此處所使用的"可處理的溶液"是指能溶解、分散或輸送和/或從液體介質(zhì)中沉積的溶液或者懸浮液形式。磷光發(fā)射分子的一種應(yīng)用是全色顯示器，這種顯示器的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求適合于發(fā)射特定顏色(稱為"飽和"色)的像素。特別地，這些標(biāo)準(zhǔn)要求飽和的紅色、綠色和藍(lán)色像素?？墒褂帽绢I(lǐng)域公知的CIE坐標(biāo)測定顏色。工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求這種全色顯示器至少約5000小時(shí)的壽命。另外，高的穩(wěn)定性和效率是高質(zhì)量顯示器的重要特征，這些要求輔助產(chǎn)生對(duì)磷光發(fā)射材料的需要，與現(xiàn)有技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的那些相比，所述磷光發(fā)射材料顯示出在紅色、綠色和藍(lán)色波長范圍內(nèi)較長的壽命、較高的穩(wěn)定性和較高的效率。綠色發(fā)射分子的一個(gè)實(shí)例是具有下述結(jié)構(gòu)的三(2-苯基吡淀)銥(表示為Ir(ppy)0:在該結(jié)構(gòu)式和本文隨后的結(jié)構(gòu)式中，我們用直線描述從氮到金屬(此處為Ir)的配價(jià)鍵。Ir(ppy)3在CIB0.30，0.63處發(fā)射光譜，并且在500cd/W的起始亮度下，半衰期為約10000小時(shí)，而量子效率為約6%。參見Kwong等，Appl.Phys.Lett.，81，162(2002).發(fā)明概述提供一種有機(jī)發(fā)光器件。該器件具有陽極、陰極和置于陽極和陰極之間且電連接至陽極和陰極的發(fā)射層。發(fā)射層可進(jìn)一步包括具有下迷結(jié)構(gòu)的化合物其中M是原子量大于40的金屬；(C-N)是取代或未取代的環(huán)狀金屬化(cyc1ometa11ated)配體，和(C-N)不同于連接到該金屬上的至少一種其它配體；每一R獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(O)R、NR2、N02、0R、卣素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基；另外或或者，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和其中4-到7-元環(huán)狀基團(tuán)可任選地被取代基R取代；m可以具有至少1的數(shù)值；n具有至少l的數(shù)值；和在n為3的情況下，R不是氰基；m+n是可連接到金屬上的配體的最大數(shù)量。發(fā)射層可進(jìn)一步包括含鍵合到至少第一配體和第二配體上的金屬的化合物，其中第一配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)的波長比其它配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)的波長大至少80nm,該化合物可以僅僅具有一個(gè)鍵合到金屬上的第一配體。每一配體可以是有機(jī)金屬配體。當(dāng)摻入到發(fā)光器件內(nèi)時(shí)，該發(fā)射材料可具有提高的電致發(fā)光效率和改進(jìn)的壽命。附圖簡述圖1示出了具有獨(dú)立的電子遷移、空穴遷移和發(fā)射層以及其它層的有機(jī)發(fā)光器件。圖2示出了不具有獨(dú)立的電子遷移層的反轉(zhuǎn)(inverted)有機(jī)發(fā)光器件。圖3示出了在77K下，fac-Ir(3bppz)3、fac-Ir(4bppz)3、fac-Ir(14dppz)3、fac-Ir(4bpppz)3、fac-Ir(2dmflpz)3的發(fā)射光i普。圖5示出了在室溫下fac-Ir(14dppz)3、fac-Ir(4bpppz)3、fac-Ir(2dmf1pz)3在聚苯乙烯內(nèi)的發(fā)射光語。詳細(xì)說明—般來說，OLED包括置于陽極和陰極之間且電連接至陽極和陰極的至少一層有機(jī)層。此處所使用的術(shù)語"置于......之間且電連接至"不是指所指的層必須相鄰且直接接觸。相反，它允許在所指層之間布置額外的層。當(dāng)施加電流時(shí)，陽極注入空穴和陰極注入電子到有機(jī)層內(nèi)。注入的空穴和電子各自朝荷相反電荷的電極移動(dòng)。當(dāng)電子和空穴集中在同一分子內(nèi)時(shí)，形成"激子"，所述激子是具有激發(fā)能態(tài)的局部成對(duì)電子空穴對(duì).當(dāng)激子通過光發(fā)射機(jī)理馳豫時(shí)，發(fā)出光。在一些情況下，激子可集中在激發(fā)物或者激基復(fù)合物上。也可發(fā)生非輻射機(jī)理，如熱馳豫，但通常認(rèn)為是非所需的。起始OLED使用例如在美國專利No.4769292(在此通過參考將其全文引入)中公開的從其單重態(tài)中發(fā)出光("熒光")的發(fā)射分子。通常在小于IO納秒的時(shí)間框架內(nèi)發(fā)生熒光發(fā)射，最近，公開了從三重態(tài)中發(fā)出光("磷光")的具有發(fā)射材料的OLED。Baldo等,"HighlyEfficientPhosphorescentEmissionfromOrganicElectroluminescentDevices"，Nature,vol.395，151-154，1998;("Baldo-1")和Baldo等，"Veryhigh-efficiencygreenorganic1ight-emittingdevicesbasedonelectrophosphorescence，，，Appl.Phys.Lett.，vol.75，No.3，4一6(1999)("Baldo-II")(在此通過參考將其全文引入)。磷光可稱為"禁阻"躍遷，這是因?yàn)樵撥S遷要求自旋狀態(tài)的改變，并且量子力學(xué)表明這種躍遷是不利的。結(jié)果，磷光通常在超過至少IO納秒的時(shí)間框架內(nèi)發(fā)生，并且典型地大于IOO納秒。若磷光的自然輻射壽命太長，則三重態(tài)可通過非輻射機(jī)理衰減，結(jié)果不發(fā)光。也常常在非常低的溫度下，在具有未成對(duì)電子的含有雜原子的分子內(nèi)觀察到有機(jī)磷光。2，2'-聯(lián)吡啶是這樣的分子。非輻射衰減機(jī)理典型地為溫度依賴型，這樣在液氮溫度下顯示出磷光的材料在室溫下不顯示磷光。但，正如Baldo所證明的，可通過選擇在室溫下發(fā)出磷光的磷光化合物來解決這一問題。代表性發(fā)射層包括摻雜或未摻雜的磷光有機(jī)金屬材料，如在美國專利No.6303238和No.6310360;美國專利申請(qǐng)公開No.2002-0034656;No.2002-0182441;和No.2003-0072964;以及WO02/074015中'>開的。—般來說，認(rèn)為在OLED內(nèi)的激子以約3:1的比例生成，即約75%的三重態(tài)和25%的單重態(tài).參見，Adachi等，"Nearly100%InternalPhosphorescentEfficiencyInAnOrganicLightEmittingDevice"，J.Appl.Phys.，90，5048(2001)(在此通過參考將其全文引入)。在許多情況下，單重態(tài)激子可藉助"系間竄越(intersysteracrossing)",容易地將其能量轉(zhuǎn)移到三重態(tài)激發(fā)態(tài)上。結(jié)果，采用磷光OLED,100%的內(nèi)量子效率在理論上是可能的。在熒光器件中，三重態(tài)激子的能量通常因加熱器件的無輻射衰減工藝而損失，從而導(dǎo)致低得多的內(nèi)量子效率。在例如美國專利No.6303238(在此通過參考將其全文引入)中公開了使用從三重激發(fā)態(tài)中發(fā)光的磷光材料的OLED。磷光可在從三重激發(fā)態(tài)到中間非三重態(tài)的躍遷之前，其中從所述中間非三重態(tài)出現(xiàn)發(fā)射衰減，例如，與鑭系元素配位的有機(jī)分子常常從定位于鑭系金屬上的激發(fā)態(tài)處發(fā)射磷光。然而，這種材料不直接從三重激發(fā)態(tài)中發(fā)射磷光，而是從以鑭系金屬離子為中心的原子激發(fā)態(tài)中發(fā)射磷光。二酮酸銪配合物示出了這類物質(zhì)中的一組?？蓛?yōu)選通過鍵合，限制緊密靠近高原子序數(shù)原子的有機(jī)分子，來提高來自三重態(tài)的磷光。通過稱為自旋軌道偶合的機(jī)理產(chǎn)生這一現(xiàn)象(稱為重原子效應(yīng))。可從有機(jī)金屬分子如三(2-苯基吡啶)銥(III)的激發(fā)金屬到配體的電荷傳遞(MLCT)狀態(tài)中觀察到這一磷光躍遷。此處所使用的術(shù)語"三重態(tài)能量"是指對(duì)應(yīng)于在給定材料的磷光光譜內(nèi)可辨別的最高能量特征的能量。最高能量特征不一定是在磷光光譜內(nèi)具有最大強(qiáng)度的峰值，和例如可以是在這一峰值的高能量一側(cè)的局部最大的清晰肩峰。圖1示出了有機(jī)發(fā)光器件100,該圖不一定按比例畫出。器件IOO可包括基底ll(K陽極115、空穴注入層120、空穴遷移層125、電子阻擋層130、發(fā)射層135、空穴阻擋層140、電子遷移層145、電子注入層150、保護(hù)層155和陰極160。陰極160是具有第一導(dǎo)電層162和第二導(dǎo)電層164的化合物陰極?？赏ㄟ^按序沉積所述的層制造器件100?；譏IO可以是提供所需結(jié)構(gòu)性能的任何合適的基底。基底IIO可以是撓性或剛性基底?；譏IO可以透明、半透明或不透明，塑料和玻璃是優(yōu)選的剛性基底材料的實(shí)例。塑料和金屬箔是優(yōu)選的撓性基底材料的實(shí)例。為了有助于電路的制造，基底110可以是半導(dǎo)體材料。例如，基底IIO可以是在其上制造電路、能控制隨后在基底上沉積OLED的硅片.也可使用其它基底。選擇基底11Q的材料和厚度，獲得所需的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能。陽極115可以是導(dǎo)電性足以將空穴遷移到有機(jī)層的任何合適的陽極。陽極115的材料優(yōu)選具有大于約4eV的功函("高功函材料")。優(yōu)選的陽極材料包括導(dǎo)電金屬氧化物，如氧化錫銦(ITO)和氧化鋅銦(IZO)、氧化鋅鋁(AlZnO)和金屬。陽極115(和基底110)可以足夠透光以生成底部發(fā)射的器件。優(yōu)選的透明基底和陽極的結(jié)合是可商購的沉積在玻璃或塑料(基底)上的ITO(陽極)。在美國專利No.5844363(在此通過參考將其全文引入)中公開了撓性和透明基底-陽極的結(jié)合。陽極115可以不透明和/或具有反射性。對(duì)于一些頂部發(fā)射器件來說，反射陽極115可以是優(yōu)選的，以增加從器件頂部發(fā)出的光量。可選擇陽極115的材料與厚度，獲得所需的導(dǎo)電和光學(xué)性能。在陽極115透明的情況下，對(duì)于特定的材料來說，厚度范圍可以是足夠厚到提供所需導(dǎo)電率，但足夠薄到提供所需透明度的厚度?？墒褂闷渌枠O材料和結(jié)構(gòu)?？昭ㄟw移層125可包括能遷移空穴的材料。空穴遷移層130可以是純粹(未摻雜)或摻雜的?？衫脫诫s來提高導(dǎo)電率。a-NPD和TPD是純粹的空穴遷移層的實(shí)例。p-摻雜的空穴遷移層的實(shí)例是摩爾比為50:1的用F廣TCNQ摻雜的m-MTDATA，正如Forrest等的美國專利申請(qǐng)No.10/173682(在此通過參考將其全文引入)中所公開的.可使用其它空穴遷移層。發(fā)射層135可包括當(dāng)在陽極115和陰極160之間通以電流時(shí)，能發(fā)光的有機(jī)材料。優(yōu)選地，發(fā)射層135含有磷光發(fā)射材料，但也可使用熒光發(fā)射材料。優(yōu)選磷光材料，這是因?yàn)榕c這一材料相關(guān)的較高發(fā)光效率所致。發(fā)射層135也可包括用可捕獲電子、空穴和/或激子的發(fā)射材料摻雜的、能遷移電子和/或空穴的主體(host)材料，以便激子通過光發(fā)射機(jī)理從發(fā)射材料中馳豫。發(fā)射層135可包括結(jié)合遷移和發(fā)射性能的單一材料。不管發(fā)射材料是摻雜劑還是主要成分，發(fā)射層135可包括其它材料，如調(diào)節(jié)發(fā)射材料發(fā)射的摻雜劑。發(fā)射層135可包括能結(jié)合發(fā)射所需光的光譜的多種發(fā)射材料。磷光發(fā)射材料的實(shí)例包括Ir(ppyh。熒光發(fā)射材料的實(shí)例包括DCM和DMQA。主體材料的實(shí)例包括Alq3、CBP和mCP。在Thompson等的美國專利No.6303238(在此通過參考將其全文引入)中公開了發(fā)射和主體材料的實(shí)例，發(fā)射材料可以以許多方式包括在發(fā)射層135內(nèi)。例如，可將發(fā)射小分子摻入到聚合物內(nèi)?？墒褂闷渌l(fā)射層材料和結(jié)構(gòu)。電子遷移層140可包括能遷移電子的材料。電子遷移層140可以是純粹(未摻雜)或摻雜的.可利用摻雜提高導(dǎo)電率。Alq3是純粹的電子遷移層的實(shí)例.n-摻雜的電子遷移層的實(shí)例是摩爾比為1:1的用Li摻雜的Bphen，正如在Forrest等的美國專利申請(qǐng)No.10/173682(在此通過參考將其全文引入)中所述。可使用其它電子遷移層?？蛇x擇電子遷移層的電荷攜帶組分，以便電子可有效地從陰極注入到電子遷移層的LUMO(最低未占據(jù)分子軌道)能級(jí)內(nèi)。"電荷攜帶組分"是實(shí)際上遷移電子的決定LUMO的材料。該組分可以是基礎(chǔ)材料，或者它可以是摻雜劑。有機(jī)材料的LUMO能級(jí)的特征通常在于該材料的電子親和力，和陰極的相對(duì)電子注入效率的特征通常在于陰極材料的功函，這意味著可由ETL的電荷攜帶組分電子的親和力和陰極材料的功函規(guī)定電子遷移層和相鄰陰極的優(yōu)選性能。特別地，為了實(shí)現(xiàn)高的電子注入效率，陰極材料的功函優(yōu)選比電子遷移層中電荷攜帶組分的電子親和力大不超過約0.75eV，更優(yōu)選大不超過約0.5eV,類似的考慮可用到在其內(nèi)注入電子的任何層內(nèi)?？墒褂米钃鯇咏档碗姾奢d流子(電子和/或空穴)和/或離開發(fā)射層的激子的數(shù)量。電子阻擋層130可以布置在發(fā)射層135和空穴遷移層125之間，以阻止電子在空穴遷移層125的方向上離開發(fā)射層135。類似地，空穴阻擋層140可以布置在發(fā)射層135和電子遷移層145之間，阻止空穴在電子遷移層140的方向上離開發(fā)射層135。也可使用阻擋層阻止激子擴(kuò)散到發(fā)射層外。在Forrest等的美國專利No.6097147和美國專利申請(qǐng)No.10/173682中^〉開了阻擋層的理論和用途(在此通過參考將其全文引入)。此處所使用的術(shù)語"阻擋層"是指該層提供顯著抑制電荷載流子和/或激子遷移經(jīng)過該器件的阻擋作用，且沒有暗示該層一定完全阻止電荷載流子和/或激子。與沒有阻擋層的類似器件相比，在器件內(nèi)這種阻擋層的存在可導(dǎo)致顯著較高的效率。同樣，阻擋層可用于將發(fā)射局限在0LED的所需區(qū)域內(nèi)。—般來說，注入層由可改進(jìn)電荷載流子從一層，如電極或有機(jī)層注入到相鄰有機(jī)層內(nèi)的材料組成。注入層也可具有電荷遷移功能。在器件100中，空穴注入層120可以是改進(jìn)空穴從陽極115注入到空穴遷移層125的任何層。CuPc是可用作來自ITO陽極115和其它陽極的空穴注入層的材料的實(shí)例。在器件100中，電子注入層150可以是改進(jìn)電子注入到電子遷移層145內(nèi)的任何層。LiF/Al是可用作電子注入層的材料的實(shí)例，它將相鄰層的電子注入到電子遷移層內(nèi)，其它材料或材料的結(jié)合可用于注入層。取決于特定器件的結(jié)構(gòu)，注入層可布置在不同于器件100中所示的那些位置，在Lu等的美國專利申請(qǐng)序列號(hào)No.09/931948(在此通過參考將其全文引入)中提供了注入層的更多實(shí)例，空穴注入層可包括溶液沉積的材料，如旋涂的聚合物，例如PEDOT:PSS，或者它可以是氣相沉積的小分子材料，例如CuPc或MTDATA?？昭ㄗ⑷雽?HIL)可極化或潤濕陽極表面，以便提供從陽極注入到空穴注入材料內(nèi)的有效空穴注入?？昭ㄗ⑷雽右部删哂须姾蓴y帶組分，所述電荷攜帶組分具有與在HIL—側(cè)上的相鄰陽極層和在HIL的相對(duì)側(cè)上的空穴遷移層有利地相匹配的HOMO(最高占據(jù)分子軌道)能級(jí)，這通過此處所述的相對(duì)電離電勢(IP)能來定義。"電荷攜帶組分"是指實(shí)際上遷移空穴的決定HOMO的材料。該組分可以是HIL的基礎(chǔ)材料，或者它可以是摻雜劑。使用摻雜的HIL允許因其電性能而選擇摻雜劑，和因其形態(tài)性能如潤濕、撓性、韌度等選擇主體材料。HIL材料的優(yōu)選性能使得空穴可有效地從陽極注入到HIL材料內(nèi)。特別地，HIL的電荷攜帶組分的IP優(yōu)選比陽極材料的IP大不超過約0.7eV。更優(yōu)選地，電荷攜帶組分的IP優(yōu)選比陽極材料大不超過約0.5eV。類似的考慮可用到在其內(nèi)注入空穴的任何層內(nèi)。HIL材料進(jìn)一步區(qū)別于典型地在OLED的空穴遷移層中使用的常規(guī)空穴遷移材料在于，這種HIL材料的空穴傳導(dǎo)率可顯著小于常規(guī)空穴遷移材料的空穴傳導(dǎo)率。本發(fā)明的HIL的厚度可以足夠厚到輔助極化或潤濕陽極層的表面。例如，小至10nm的HIL厚度對(duì)于非常光滑的陽極表面來說是可接受的。然而，由于陽極表面傾向于非常粗糙，因此最多50nm的HIL厚度在一些情況下是所需的。圖2示出了反轉(zhuǎn)的0LED200。該器件包括基底210、陰極215、發(fā)射層220、空穴遷移層225和陽極230?？赏ㄟ^按序沉積所述的層制造器件200.由于最常見的OLED結(jié)構(gòu)具有布置在陽極上的陰極，和器件200具有布置在陽極230下方的陰極215，器件200可稱為"反轉(zhuǎn)"的0LED?？稍谄骷?00的相應(yīng)層內(nèi)使用類似于器件100所述的那些材料。圖2提供如何從器件100的結(jié)構(gòu)中省去一些層的一個(gè)實(shí)例。通過非限制性實(shí)施例提供圖1和2所示的簡單層狀結(jié)構(gòu)，和要理解可結(jié)合寬范圍的各種結(jié)構(gòu)使用本發(fā)明的實(shí)施方案。所述的具體材料和結(jié)構(gòu)本質(zhì)上是例舉，和可使用其它材料與結(jié)構(gòu)?？赏ㄟ^結(jié)合以不同方式描述的各層來實(shí)現(xiàn)功能OLED，或者可基于設(shè)計(jì)、性能和成本因素，完全省去一些層。也可包括沒有具體地描述的其它層?？墒褂镁唧w地描述的那些以外的材料。盡管此處提供的許多實(shí)施例描述了含單一材料的各層，但要理解，可使用材料的結(jié)合，如主體材料和摻雜劑的混合物，或者更一般的混合物。同樣，各層可具有各種亞層。此處對(duì)各層給出的名稱不打算為嚴(yán)格限制。例如，在器件200中，空穴遷移層225遷移空穴并將空穴注入到發(fā)射層220內(nèi)，和可描述為空穴遷移層或空穴注入層。在一個(gè)實(shí)施方案中，OLED可描述為具有布置在陽極和陰極之間的"有機(jī)層"。這一有機(jī)層可包括單層，或者可進(jìn)一步包括相對(duì)于圖1和2描述的不同陰極材料的多層。也可使用沒有具體地描述的結(jié)構(gòu)和材料，如由聚合物材料(PLED)組成的OLED，如在Friend等的美國專利No.5247190(在此通過參考將其全文引入)中所公開的。作為進(jìn)一步的實(shí)例，可使用具有單一有機(jī)層的OLED。OLED可例如如Forrest等的美國專利No.5707745中所述地層疊(在此通過參考將其全文引入)。OLED結(jié)構(gòu)可衍生于圖1和2所示的單層結(jié)構(gòu)，例如，基底可包括傾斜的反射表面，以改進(jìn)外部偶合，如在Forrest等的美國專利No.6091195中所述的臺(tái)面型結(jié)構(gòu)，和/或在Bulovic等的美國專利No.5834893中公開的地坑型結(jié)構(gòu)(在此通過參考將其全文引入)。除非另有說明，可通過任何^^適的方法沉積各種實(shí)施方案的任何層.對(duì)于有機(jī)層來說，優(yōu)選的方法包括如在美國專利No.6013982和No.6087196(在此通過參考將其全文引入)中所述的熱蒸發(fā)、噴墨，如在Forrest等的美國專利No.6337102(在此通過參考將其全文引入)中所述的有機(jī)氣相沉積(0VPD)，和如在美國專利申請(qǐng)No.射印刷(OVJP)進(jìn)行的沉積。其它合適的沉積方法包括旋涂和其它溶液基方法。優(yōu)選在氮?dú)饣蚨栊苑諊羞M(jìn)行溶液基方法。對(duì)于其它層來說，優(yōu)選的方法包括熱蒸發(fā)。優(yōu)選的構(gòu)圖方法包括例如在美國專利No.6294398和No.6468819(在此通過參考將其全文引入)中所述的通過掩膜沉積、冷焊，和與一些沉積方法有關(guān)的構(gòu)圖，如噴墨和0VJD。也可使用其它方法?？筛男源练e的材料，使之與特定的沉積方法相容。例如，可在小分子中使用例如諸如支化或未支化的烷基和芳基之類的取代基，和優(yōu)選含有至少3個(gè)碳的取代基，以提高其進(jìn)行溶液處理的能力.可使用具有20或更多碳的取代基，和3-20個(gè)碳是優(yōu)選的范圍。具有不對(duì)稱結(jié)構(gòu)的材料比具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的那些可具有更好的溶液處理性，這是因?yàn)閷?duì)稱材料可具有較低重結(jié)晶的傾向?？墒褂弥钊〈蕴岣咝》肿舆M(jìn)行溶液處理的能力。可將根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案制造的器件摻入到寬范圍的各種消費(fèi)產(chǎn)品內(nèi)，其中包括平板顯示器、計(jì)算機(jī)監(jiān)控器、電視、廣告牌、內(nèi)部和/或外部照明用燈和/或信號(hào)設(shè)備，仰視顯示器、完全透明的顯示器、撓性顯示器、激光打印機(jī)、電話、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字輔助器(PDA)、便攜式計(jì)算機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、便攜式攝像機(jī)、尋像器、微型顯示器、機(jī)動(dòng)車、大面積墻、劇院或體育場屏幕或標(biāo)牌?？墒褂酶鞣N控制設(shè)備控制根據(jù)本發(fā)明制造的器件，其中包括無源矩陣和有源矩陣。許多器件擬用于對(duì)人類來說舒適的溫度范圍內(nèi)，如18X:-30X:，和更優(yōu)選在室溫下(20-25lC).此處所述的材料和結(jié)構(gòu)可具有在除了OLED以外的器件中應(yīng)用。例如，其它光電器件如有機(jī)太陽能電池和有機(jī)光檢測器可使用該材料和結(jié)構(gòu)。更一般地，有機(jī)器件，例如有機(jī)晶體管，可使用該材料和結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，提供當(dāng)摻入到OLED內(nèi)時(shí)具有改進(jìn)的效率的磷光化合物。該發(fā)射化合物具有下述結(jié)構(gòu)(式I):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>其中M是原子量大于40的金屬；(C-N)是取代或未取代的環(huán)狀金屬化配體，和(C-N)不同于連接到該金屬上的至少一種其它配體；每一R獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(0)R、NR2、N02、0R、卣素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基；另外或或者，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和其中4-到7-元環(huán)狀基團(tuán)可任選地被取代基R取代；m具有至少1的數(shù)值；n具有至少1的數(shù)值；和m+n是可連接到金屬上的配體的最大數(shù)量。M可以是原子量大于40的任何金屬。優(yōu)選的金屬包括Ir、Pt、Pd、Rh、Re、0s、Tl、Pb、Bi、In、Sn、Sb、Te、Au和Ag。更優(yōu)選地，金屬是Ir或Pt。最優(yōu)選地，金屬是Ir。此處所使用的術(shù)語"鹵素"包括氟、氯、溴和碘。此處所使用的術(shù)語"烷基"是指直鏈和支鏈烷基。優(yōu)選的烷基是含有1-15個(gè)碳原子的那些，包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基等。另外，烷基可任選地被一個(gè)或多個(gè)選自鹵素、CN、C02R、C(0)R、NR2、環(huán)氨基、N02和OR中的取代基取代。此處所使用的術(shù)語"環(huán)烷基"是指環(huán)狀烷基。優(yōu)選的環(huán)烷基是含有3-7個(gè)碳原子的那些，包括環(huán)丙基、環(huán)戊基和環(huán)己基等。另外，環(huán)烷基可任選地被一個(gè)或多個(gè)選自卣素、CN、C02R、C(O)R、NR2、環(huán)氨基、N02和OR中的取代基取代。此處所使用的術(shù)語"烯基"是指直鏈和支鏈的烯基。優(yōu)選的烯基是含有2-15個(gè)碳原子的那些。另外，烯基可任選地被一個(gè)或多個(gè)選自卣素、CN、C02R、C(O)R、NR2、環(huán)氨基、N02和0R中的取代基取代。此處所使用的術(shù)語"炔基"是指直鏈和支鏈的炔基.優(yōu)選的烷基包括含有2-15個(gè)碳原子的那些，另外，炔基可任選地被一個(gè)或多個(gè)選自卣素、CN、C02R、C(O)R、NR:、環(huán)氨基、冊(cè)2和0R中的取代基取代。此處所使用的術(shù)語"烷芳基"是指具有芳基作為取代基的烷基。另外烷芳基可在芳基上任選地被一個(gè)或多個(gè)選自卣素、CN、C02R、C(O)R、NR2、環(huán)氨基、卯2和OR中的取代基取代。此處所^使用的術(shù)語"雜環(huán)基"是指非芳族環(huán)狀基團(tuán)。優(yōu)選的雜環(huán)基是含有3或7個(gè)環(huán)原子的那些，其中所述環(huán)原子包括至少一個(gè)雜原子，和包括環(huán)胺如嗎啉基、哌啶基、吡咯烷基等，和環(huán)醚如四氫呋喃、四氫吡喃等。此處所使用的術(shù)語"芳基"或"芳香基"是指單環(huán)基團(tuán)和多環(huán)體系。多環(huán)體系可具有其中兩個(gè)碳被兩個(gè)相鄰的環(huán)共有的兩個(gè)或多個(gè)環(huán)(環(huán)是"稠合"的)，其中至少一個(gè)環(huán)是芳環(huán)，例如另一環(huán)可以是環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基、雜環(huán)和/或雜芳基。此處所使用的術(shù)語"雜芳基"是指可含1-3個(gè)雜原子的單環(huán)雜芳基，例如吡咯、呋喃、噻吩、咪唑、噁唑、噻唑、三唑、吡唑、吡咬、吡溱和嗜啶等。術(shù)語雜芳基還包括其中兩個(gè)原子被兩個(gè)相鄰的環(huán)共有的具有兩個(gè)或多個(gè)環(huán)的多環(huán)雜芳族體系(環(huán)是"稠合"的)，其中至少一個(gè)環(huán)是雜芳基，例如另一環(huán)可以是環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基、雜環(huán)和/或雜芳基。所有數(shù)值范圍，例如n和m所給出的那些，是包括端值的全部范圍。因此，例如介于0-4的范圍將包括數(shù)值0、1、2、3和4。(C-N)表示光活性配體，和該配體被稱為"光活性"是因?yàn)檎J(rèn)為它直接對(duì)發(fā)射材料的光活性性能作出貢獻(xiàn)。配體是否是光活性取決于配體在其內(nèi)存在的的特定化合物。例如，Ir(ppy)3的每一ppy配體認(rèn)為是光活性的。然而，在兩個(gè)ppy配體配位到Ir上以及X配體配位到Ir上的化合物(ppy)JrX中，ppy配體可以不是光活性的，尤其若X配體比ppy配體具有較低的三重態(tài)能量時(shí)。優(yōu)選的(C-N)配體包括tpy、ppy、4，6_F2ppy、4-MeO-4，6-F2ppy、4,-DMA-4，6-F2ppy、2-ppy和2-thpy。在Brown等的美國專利申請(qǐng)No.10/289915(在此通過參考將其全文引入)中公開了光活性配體的其它實(shí)例。n表示在室溫下發(fā)射的特定類型配體的數(shù)量。n的數(shù)值為至少l。m表示特定類型的光活性配體的數(shù)量，和數(shù)值為至少1?？蛇B接到金屬上的配體的最大數(shù)量為m+n。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，n為2。更優(yōu)選每一配體是有機(jī)金屬配體.本發(fā)明實(shí)施方案的化合物包括式I的至少一個(gè)光活性的配體和重金屬離子，以便所得材料具有(i)碳-金屬鍵和(ii)氮-金屬鍵。因此，本發(fā)明實(shí)施方案的化合物包括部分結(jié)構(gòu)其中金屬M(fèi)和每一取代基R根據(jù)式I的定義來限定。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)射化合物包括具有下述結(jié)構(gòu)的配體其中每一取代基R根據(jù)式I的定義來限定。本發(fā)明的實(shí)施方案包括具有下述結(jié)構(gòu)的化合物:其中金屬M(fèi)、每一取代基R、m、n和(C-N)根據(jù)式I的定義來限定。優(yōu)選地，M是銥，在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，R8、R,。和R，2-R"是氬。在最優(yōu)選的實(shí)施方案中，n為2和m為1。本發(fā)明的實(shí)施方案包括具有下述結(jié)構(gòu)的配體<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>在另一實(shí)施方案中是可連接到金屬M(fèi)上的配體的:式I的化合物包括下述結(jié)構(gòu)，使得n.大數(shù)量，和m為0。在該實(shí)施方案中，M和每一取代基R根據(jù)式I的定義來限定，其中值得注意的例外是，R不是氰基。本發(fā)明實(shí)施方案包括具有下述結(jié)構(gòu)的化合物其中X獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(O)R、NR2、冊(cè)2、0R、卣素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基。優(yōu)選地，M是銥和每一R是氫。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案包括具有下述結(jié)構(gòu)的配體優(yōu)選地，每一R是氫。已發(fā)現(xiàn)，使用苯基吡唑衍生物作為配體，如以上的實(shí)施方案的均一配體(homoleptic)(連接到金屬中心上的所有配體具有相同結(jié)構(gòu))銥配合物顯示出差的電致發(fā)光質(zhì)量。觀察到這種配合物或者在流體溶液或者在固態(tài)中在室溫下不發(fā)出光。但以前報(bào)道過氰基取代的銥苯基吡唑配合物在室溫下在約450nm的峰值波長處發(fā)出光。Kwon等，"BluePhosphorescentCyclometalatedIridiumComplexthroughphenylpyrazolederivatives:Synthesis,CharacterizationandB3LYPDensityfunctionalTheory(DFT)Calculations"，分子材料的電致發(fā)光和相關(guān)現(xiàn)象的第4次國際會(huì)議，2004年8月27-30日，韓國的Jeju島。觀察到均一配體銥配合物在約400nm的峰值波長處在77K下在UV區(qū)內(nèi)發(fā)光.認(rèn)為在苯基吡唑配體上使用一些取代基顯著改進(jìn)發(fā)光效率.具體地說，認(rèn)為在苯基吡唑配體上苯基、萘基或吡啶基的取代改進(jìn)器件壽命和提高電致發(fā)光效率。另外，認(rèn)為稠合苯基吡唑配體上的相鄰取代基也改進(jìn)器件的壽命與效率。這些取代基作為非限制性實(shí)例提供，和可使用顯示出改進(jìn)的壽命和提高的照度的其它取代的苯基吡唑。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，如式I中定義的一個(gè)或多個(gè)取代基R,是苯基、萘基或吡啶基，其可被取代或者未被取代。優(yōu)選地，至少一個(gè)取代基R是苯基。優(yōu)選的實(shí)施方案包括具有下述結(jié)構(gòu)的化合物其中金屬M(fèi)、每一取代基R、m、n和(C-N)根據(jù)式I的定義來限定。X獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(0)R、NR2、N02、0R、卣素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基。另外或或者，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，所述環(huán)狀基團(tuán)可以是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可進(jìn)一步被取代基X取代。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案包括具有下述結(jié)構(gòu)的配體其中每一取代基R根據(jù)式I的定義來限定。X獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(0)R、NR2、N02、0R、由素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基。另外或或者，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，所述環(huán)狀基團(tuán)可以是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可進(jìn)一步被取代基X取代。在另一個(gè)實(shí)施方案中，如式I中定義的至少兩個(gè)取代基R稠合形成4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其可被取代或者未被取代。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，取代基形成5-或6-元環(huán)狀基團(tuán)。優(yōu)選的實(shí)施方案包括具有下述結(jié)構(gòu)的化合物其中金屬M(fèi)、每一取代基R、m、n和(C-N)根據(jù)式I的定義來限定,X獨(dú)立地選自氬、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(0)R、NR2、N02、0R、囟素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基。另外或或者，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，所述環(huán)狀基團(tuán)可以是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基,和該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可進(jìn)一步被取代基X取代。Z選自-CH2、-CRR、-NH、-NR、-0、-S、-SiR。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案包括具有下述結(jié)構(gòu)的配體其中每一取代基R根據(jù)式I的定義來限定。X獨(dú)立地選自氫、烷基、蟑基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(0)R、NR2、N02、0R、卣素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基。另外或或者，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，所述環(huán)狀基團(tuán)可以是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可進(jìn)一步被取代基X取代。Z選自-CH2、-CRR、-NH、-NR、-0、-S、-SiR。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案中，取代的苯基吡唑金屬配合物是雜配體(heteroleptic)。在雜配體金屬配合物中，連接到金屬中心上的配體具有與至少一種其它配體不同的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，至少一種配體在室溫下是磷光發(fā)射配體和至少一種配體在室溫下不是磷光發(fā)射配體。更優(yōu)選，僅僅一種配體在室溫下是磚光發(fā)射體。本發(fā)明實(shí)施方案的雜配體配合物與均一配體金屬配合物相比，具有數(shù)個(gè)優(yōu)點(diǎn)。認(rèn)為與均一配體配合物相比，本發(fā)明實(shí)施方案的雜配體配合物的分子間猝滅的可能性較低，這是因?yàn)榕c雜配體配合物有關(guān)的有利能量轉(zhuǎn)移位置的較低密度所致。例如，雙-(1-(4，6-二氟苯基)吡唑基，N，C2')銥(苯基吡啶基，N，C2)(它是本發(fā)明的特定實(shí)施方案，其中具有連接到金屬中心上的僅僅一個(gè)發(fā)射配體，三重態(tài)位于發(fā)射配體(即苯基吡啶基)上)。分子間猝滅的有利下降導(dǎo)致增加的器件效率。此外，認(rèn)為取代本發(fā)明實(shí)施方案中配體內(nèi)的氟通常增加取代配體的三重態(tài)能量。因此，設(shè)計(jì)具有充分高三重態(tài)能量的配體以便配體不發(fā)射的一種方法是用氟取代本發(fā)明實(shí)施方案中苯基吡唑配體中的氫。在其中環(huán)狀金屬化配合物是雜配體的優(yōu)選實(shí)施方案中，與發(fā)射配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)的波長比與非發(fā)射配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)的波長大至少90nm。發(fā)射配體的三重態(tài)能量可對(duì)應(yīng)于500-520nm的波長。在另一實(shí)施方案中，發(fā)射配體的三重態(tài)能量可對(duì)應(yīng)于大于590nm的波長。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，發(fā)射配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)于小于480nm的波長。在一個(gè)實(shí)施方案中，在室溫下存在僅僅一個(gè)發(fā)射配體。在一些化合物內(nèi)發(fā)射的配體可能在其它化合物內(nèi)是不發(fā)射的，這是因?yàn)榇嬖阪I合到相同金屬上的較低三重態(tài)能量的其它配體之故。在此情況下，能量從具有較高三重態(tài)能量的配體轉(zhuǎn)移到具有較低三重態(tài)能量的配體上，因此最初具有較高三重態(tài)能量的配體對(duì)發(fā)射沒有貢獻(xiàn)。在另一實(shí)施方案中，在室溫下存在僅僅一個(gè)發(fā)射配體和這一配體是有機(jī)金屬。在另一實(shí)施方案中，配位到金屬上的每一配體與金屬形成有機(jī)金屬鍵。認(rèn)為有機(jī)金屬配體當(dāng)配位到第三排(row)過渡金屬，如Ir和Pt上時(shí)，在理論上比非有機(jī)金屬配體更穩(wěn)定。在其中環(huán)狀金屬化配合物是雜配體的優(yōu)選實(shí)施方案中，兩個(gè)非發(fā)射的配體配位到銥上。在此情況下，觀察到相對(duì)于本發(fā)明實(shí)施方案的均一配體有機(jī)金屬環(huán)狀金屬化配合物的光鐠，發(fā)光光譜藍(lán)移。認(rèn)為光鐠藍(lán)移來自于在有機(jī)金屬配合物中碳和金屬原子之間的強(qiáng)場相互作用。對(duì)于本發(fā)明所合成的配合物來說，觀察到經(jīng)式(meridional)和面式(facial)異構(gòu)體的行為類似。因此，認(rèn)為位置異構(gòu)體的選擇沒有顯著影響器件的性能?？蓛?yōu)選經(jīng)式異構(gòu)體，因?yàn)榘l(fā)現(xiàn)它們更容易合成。例如，面式異構(gòu)體通常通過使經(jīng)式異構(gòu)體轉(zhuǎn)化而合成。可優(yōu)選面式異構(gòu)體，因?yàn)樗鼈兪悄壳坝袡C(jī)金屬化合物中最常見的異構(gòu)體，要理解，此處所述的各種實(shí)施方案僅僅是例舉，和不打算限制本發(fā)明的范圍。例如，可在沒有脫離本發(fā)明精神的情況下，用其它材料和結(jié)構(gòu)替代此處所述的許多材料和結(jié)構(gòu)。要理解，關(guān)于本發(fā)明為何會(huì)起作用的各種理論不打算作為限制。例如，涉及電荷轉(zhuǎn)移的理論不打算作為限制。物質(zhì)定義取代苯基吡唑的通用合成方案:表I概述了通過上述合成路線合成的配體。<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table>聯(lián)苯基吡唑的通用合成方案:<table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>1.IH5I06,80。/含水乙酸80。C，在N2下-4小時(shí)N——N2.CH山BzEt3NCl，50《含水NaOH室溫，在DMSO中，在M,下-18小時(shí)3.吡唑，CuI,K;C03十二烷，1，2-反式-CDAUO。C,在二氧雜環(huán)己烷中，在N2下-24小時(shí)實(shí)施例43dmflpz配體的合成9P(OH)21.Pd(PPh,K2MK!C03甲苯，IOOT,在N,下過夜2.MeMgBr,室溫，在曱苯中在&下-1小時(shí)3.BF廣EUO，室溫，在DCM中在N2下-1小時(shí)實(shí)施例5:(46df卯z)2lr(ppy)、(46dfppz)2Ir(tpy)、(46dfppz)2Ir(4'，6'—F2ppy)、(46dfppz)2Ir(4-MeO-4'，6'-F2ppy)、和(46dfppz)2Ir(4'-DMA-4'，6'-F2ppy)的經(jīng)式異構(gòu)體的合成在惰性氛圍中，在甘油內(nèi)經(jīng)20-24小時(shí)加熱[(46dfppz)2lrCl]2配合物、1-1.05當(dāng)量的合適配體、5-10當(dāng)量的K2C03到140-1451C。在冷卻混合物到室溫下之后，添加蒸餾水，并過濾掉所得沉淀，數(shù)次用部分蒸餾水洗滌，并空氣干燥。然后使用二氯曱烷，使粗產(chǎn)物在硅膠柱上進(jìn)行快速色譜分離，提供60-80%的純經(jīng)式雜配體銥三環(huán)金屬化配合物。實(shí)施例6:(46dfppz)2Ir(ppy)、(46dfppz)2Ir(tpy)、(46dfppz)2Ir(4'，-F2ppy)、(46dfppz)2Ir(4-MeO-4'，6'-F2ppy)、和(46dfppz)2Ir(4-DMA-4'，6'-F2ppy)的面式異構(gòu)體的合成用紫外光(254nm或360nra)輻照在乙腈內(nèi)的該經(jīng)式配合物的氬氣脫氣的溶液24-48小時(shí)，之后真空除去溶劑。然后使用二氯甲烷，使粗產(chǎn)物在硅膠柱上色鐠分離，提供>90%的純面式雜配體銥三環(huán)金屬化配合物。實(shí)施例7:fac-Ir(3b卯z)3、fac-Ir(4bppz)3、fac-Ir(14dppz)3、fac-Ir(4bpppz)3、fac-Ir(2dmflpz)3和Ir(ppz)3的合成在惰性氣體氛圍中，在甘油內(nèi)，回流[((TN)2lr((T0)]配合物、1-1.1當(dāng)量的合適環(huán)狀金屬化配體20-24小時(shí)《在混合物冷卻到室溫之后，添加蒸餾水，并過濾掉所得沉淀，數(shù)次用部分蒸餾水洗滌，并空氣干燥。然后使用二氯甲烷，使粗產(chǎn)物在硅膠柱上進(jìn)行快速色譜分離，提供60-80%的純面式雜配體銥三環(huán)金屬化配合物。表III概述了實(shí)施例5和6中化合物的光物理性能。<table>tableseeoriginaldocumentpage54</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage55</column></row><table>表IV概述了fac-Ir(C-N)3配合物的電化學(xué)和光物理性能。使用二茂鐵作為參考，在無水DMF中測量氧化和還原電勢。所有還原電勢是不可逆的。使用用氮?dú)夤呐菝摎獾?-MeTHF溶液，獲得光鐠和壽命數(shù)據(jù)。表IV<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>[0080〗圖3示出了在77K下fac-Ir(3bppz)3、fac-Ir(4bppz)3、fac-Ir(14dppz)3、fac-Ir(4bpppz)3、fac-Ir(2dmflpz)3的發(fā)射光i普。圖4示出了在室溫下fac-Ir(3bppz)3、fac-Ir(4bppz)3、fac-Ir(14dppz)3、fac-Ir(4bpppz)3、fac-Ir(2dmflpz)3的發(fā)射光譜。圖5示出了在室溫下fac-Ir(14dppz)3、fac-Ir(4bpppz)3、fac-Ir(2dmflpz)3在聚苯乙烯內(nèi)的發(fā)射光謙。盡管相對(duì)于特定實(shí)施例和優(yōu)選實(shí)施方案描述了本發(fā)明，但要理解，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例和實(shí)施方案。因此所要求保護(hù)的本發(fā)明包括由此處所述的特定實(shí)施例和優(yōu)選實(shí)施方案得到的改變，這對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。權(quán)利要求1.一種化合物，其具有下述結(jié)構(gòu)其中M是原子量大于40的金屬；(C-N)是取代或未取代的環(huán)狀金屬化配體，和(C-N)不同于連接到該金屬上的至少一種其它配體；每一R8-R14獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、NO2、鹵素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基，其中R8-R14中至少一個(gè)為苯基或取代苯基，和/或R8-R14中至少相鄰的兩個(gè)為芴基的一部分；n具有至少1的數(shù)值，其中當(dāng)n為3時(shí)，R8-R14都不是氰基；m+n是可連接到金屬上的配體的最大數(shù)量；并且，任選地，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和其中該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可任選地被取代基R取代。2.權(quán)利要求1的化合物，其中n為2。3.權(quán)利要求l的化合物，其中化合物選自fac-三(1-(3-聯(lián)苯基)吡唑基-N，C2)銥(III);fac-三(1-(4-聯(lián)苯基)吡唑基-N，C2)銥(III);fac-三(1,4-二苯基吡唑基-N，C")銥(III);fac-三(1-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基吡唑基-N，C2)銥(I11);和fac-三(1-(2-(9,9-二甲基)芴基)吡唑基-N，C2)銥(III)。4.權(quán)利要求l的化合物，其具有下述結(jié)構(gòu)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>5.權(quán)利要求4的化合物，其中M選自Ir、Pt、Pd、Rh、Re、Ru、0s、Tl、Pb、Bi、In、Sn、Sb、Te、Au和Ag。6.權(quán)利要求5的化合物，其中M是Ir。7.權(quán)利要求6的化合物，其中n為2和m為l。8.權(quán)利要求1的化合物，其中取代基獨(dú)立地選自取代或未取代的苯基、萘基或吡咬基。9.權(quán)利要求8的化合物，其中至少一個(gè)取代基是苯基。10.權(quán)利要求9的化合物，其中該化合物具有選自下述的結(jié)構(gòu)其中X獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(0)R、NR2、N02、0R、面素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基；另外或或者，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，其中該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可進(jìn)一步被取代基X取代。11.權(quán)利要求l的化合物，其中該化合物具有選自下述的結(jié)構(gòu):其中X獨(dú)立地選自氬、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(0)R、NR2、N02、0R、g素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基；Z選自-CH2、-CRR、-NH、-NR、-0、-S和-SiR;并且，任選地，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，其中該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可進(jìn)一步被取代基X取代。12.權(quán)利要求ll的化合物，其中該化合物具有選自下述的結(jié)構(gòu)13.權(quán)利要求l的化合物，其中該化合物是磷光發(fā)射材料。14.權(quán)利要求l的化合物，其中至少一個(gè)配體在室溫下是磷光發(fā)射配體，和至少一個(gè)配體在室溫下不是磷光發(fā)射配體。15.—種化合物，其具有下述結(jié)構(gòu)其中M是原子量大于40的金屬；(C-N)是取代或未取代的環(huán)狀金屬化配體；每一Rs和Rn-R"獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CF3、N02、卣素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基；Z選自-CH2、-CRR、-NH、-NR、-0、-S和-SiR;任選地，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和其中該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可任選地被取代基R或CN取代；X獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(O)R、NR2、N02、0R、面素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基；n具有至少1的數(shù)值；和m+n是可連接到金屬上的配體的最大數(shù)量。16.權(quán)利要求15的化合物，其中n為3和m為0，17.權(quán)利要求16的化合物，其中M選自Ir、Pt、Pd、Rh、Re、Ru、0s、Tl、Pb、Bi、In、Sn、Sb、Te、Au和Ag。18.權(quán)利要求17的化合物，其中M是Ir。19.權(quán)利要求18的化合物，其中Rs和Rh-Rh是H。20.權(quán)利要求15的化合物，其中室溫下化合物中發(fā)射性配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)的波長比室溫下化合物中非發(fā)射性配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)的波長大至少80nm。21.權(quán)利要求20的化合物，其中發(fā)射性配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)于500-520nm的波長。22.權(quán)利要求20的化合物，其中發(fā)射性配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)于大于590nm的波長。23，一種有機(jī)發(fā)光器件，其包括陽極；陰極；和置于陽極和陰極之間且電連接至陽極和陰極的發(fā)射層，該發(fā)射層進(jìn)一步包括具有下述結(jié)構(gòu)的化合物其中M是原子量大于40的金屬；(C-N)是取代或未取代的環(huán)狀金屬化配體，和(C-N)不同于連接到該金屬上的至少一種其它配體；每一Rs-R"獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、N02、卣素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基，其中R廣R"中至少一個(gè)為苯基或取代苯基，和/或R廣R"中至少相鄰的兩個(gè)為芴基的一部分；n具有至少l的數(shù)值，其中當(dāng)n為3時(shí)，R廣R"都不是氛基；m+n是可連接到金屬上的配體的最大數(shù)量；并且，任選地，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和其中該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可任選地被取代基R取代，24.權(quán)利要求23的器件，其中n為2。25.權(quán)利要求23的器件，其中化合物選自fac-三(1-(3-聯(lián)苯基)吡唑基-N，C2')銥(III);fac-三(1-(4-聯(lián)苯基)吡唑基-N，C2)銥(III);fac-三(1，4-二苯基吡唑基-N,C2')銥(ni);fac-三(l-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基吡唑基-N，C2')銥(ni);和fac-三(1-(2-(9，9-二甲基)貧基)吡唑基-N，0銥(111)。26.權(quán)利要求23的器件，其中化合物具有下述結(jié)構(gòu):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>27.權(quán)利要求26的器件，其中M選自Ir、Pt、Pd、Rh、Re、Ru、0s、Tl、Pb、Bi、In、Sn、Sb、Te、Au和Ag。28.權(quán)利要求27的器件，其中M是Ir,29.權(quán)利要求28的器件，其中n為2和m為l。30.權(quán)利要求23的器件，其中取代基獨(dú)立地選自取代或未取代的苯基、萘基或吡咬基。31.權(quán)利要求30的器件，其中至少一個(gè)取代基是苯基，32.權(quán)利要求31的器件，其中化合物具有選自下述的結(jié)構(gòu)其中X獨(dú)立地選自氬、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(O)R、NR2、N02、0R、卣素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基；并且，任選地，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和其中該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可進(jìn)一步被取代基X取代。33.權(quán)利要求23的器件，其中化合物具有選自下述的結(jié)構(gòu)其中X獨(dú)立地選自氬、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(0)R、NR2、N02、0R、面素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基；Z選自-CH2、-CRR、-NH、-NR、-0、-S和-SiR;并且任選地，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和其中該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可進(jìn)一步被取代基X取代。34.權(quán)利要求33的器件，其中該化合物具有選自下述的結(jié)構(gòu):35.權(quán)利要求23的器件，其中該化合物是磷光發(fā)射材料。36.權(quán)利要求23的器件，其中至少一個(gè)配體在室溫下是磷光發(fā)射配體，和至少一個(gè)配體在室溫下不是磷光發(fā)射配體。37.—種有機(jī)發(fā)光器件，其包括陽極；陰極；和置于陽極和陰極之間且電連接至陽極和陰極的發(fā)射層，該發(fā)射層進(jìn)一步包括具有下述結(jié)構(gòu)的化合物其中M是原子量大于40的金屬；每一R「R"獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CF3、N02、鹵素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基，其中Rs-R"中至少一個(gè)為苯基或取代苯基，和/或R廣R"中至少相鄰的兩個(gè)為芴基的一部分；并且，任選地，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和其中該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可任選地被取代基R和CN取代。38.權(quán)利要求37的器件，其中化合物具有下述結(jié)構(gòu)X獨(dú)立地選自氬、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(0)R、NR2、N02、0R、由素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基；和Z選自-CH2、-CRR、-NH、-NR、-0、-S和-SiR.39.權(quán)利要求38的器件，其中M選自Ir、Pt、Pd、Rh、Re、Ru、0s、Tl、Pb、Bi、In、Sn、Sb、Te、Au和Ag。40.權(quán)利要求39的器件，其中M是Ir。41.權(quán)利要求40的器件，其中R,和Ru-R"是H,42.權(quán)利要求36的器件，其中室溫下化合物中發(fā)射性配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)的波長比室溫下化合物中非發(fā)射性配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)的波長大至少80nm。43.權(quán)利要求42的器件，其中第一配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)于500-520nm的波長。44.權(quán)利要求42的化合物，其中笫一配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)于大于590nm的波長。45.—種有機(jī)發(fā)光器件，其包括陽極；陰極；和置于陽極和陰極之間且電連接至陽極和陰極的發(fā)射層，該發(fā)射層進(jìn)一步包括具有下述結(jié)構(gòu)的配體的化合物每一R獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、N02、鹵素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基，其中R「R"中至少一個(gè)為苯基或取代苯基，和/或Rs-R"中至少相鄰的兩個(gè)為芴基的一部分；并且，任選地，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和其中該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可任選地被取代基R取代，46.權(quán)利要求45的器件，其中該配體具有下述結(jié)構(gòu)47.權(quán)利要求45的器件，其中取代基獨(dú)立地選自取代或未取代的苯基、萘基或吡啶基。48.權(quán)利要求47的器件，其中至少一個(gè)取代基是苯基。49.權(quán)利要求48的器件，其中該配體具有選自下述的結(jié)構(gòu)其中X獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(0)R、NR2、N02、0R、卣素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基；并且，任選地，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所述環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜烷基、芳基或雜芳基，和其中該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可進(jìn)一步被取代基X取代。50.權(quán)利要求45的器件，其中該化合物具有選自下述的結(jié)構(gòu)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>其中X獨(dú)立地選自氫、烷基、烯基、炔基、烷芳基、CN、CF3、C02R、C(0)R、NR2、N02、0R、面素、芳基、雜芳基、取代芳基、取代雜芳基或雜環(huán)基；并且，任選地，任何兩個(gè)相鄰的取代位置一起獨(dú)立地形成稠合的4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)，其中所迷環(huán)狀基團(tuán)是環(huán)烷基、環(huán)雜坑基、芳基或雜芳基，和其中該4-至7-元環(huán)狀基團(tuán)可進(jìn)一步被取代基X取代；Z選自-CH2、-CRR、-NH、-NR、-0、-S和-SiR。51.權(quán)利要求50的器件，其中該配體具有選自下述的結(jié)構(gòu):52.權(quán)利要求45的器件，其中該配體是磷光發(fā)射配體。53.權(quán)利要求45的器件，其中笫一配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)于500-520nm的波長.54.權(quán)利要求45的器件，其中第一配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)于大于590nm的波長。55.權(quán)利要求45的器件，其中將該器件摻入到消費(fèi)產(chǎn)品內(nèi)。全文摘要本發(fā)明涉及Ir的苯基-吡唑配合物。本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光器件。該器件具有陽極、陰極和置于陽極和陰極之間且電連接至陽極和陰極的發(fā)射層。該發(fā)射層進(jìn)一步包括具有如右結(jié)構(gòu)的化合物，其中M、(C-N)、每一R、m和n如在說明書中所定義。該發(fā)射層可進(jìn)一步包括鍵合到至少第一配體和第二配體上的金屬，其中第一配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)的波長比其它配體的三重態(tài)能量對(duì)應(yīng)的波長大至少80nm。該化合物可具有僅僅一個(gè)鍵合到金屬上的第一配體。每一配體可以是有機(jī)金屬配體。發(fā)射材料當(dāng)摻入到發(fā)光器件內(nèi)時(shí)，可具有提高的電致發(fā)光效率和改進(jìn)的壽命。文檔編號(hào)H01L51/00GK101429219SQ20081009198公開日2009年5月13日申請(qǐng)日期2004年3月24日優(yōu)先權(quán)日2003年3月24日發(fā)明者A·塔瑪尤,M·E·湯普森,P·德約羅維奇申請(qǐng)人:南加利福尼亞大學(xué)