專(zhuān)利名稱(chēng)：芯片加載用接合帶及薄片、載體及包裝體、制造、裝載及包裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及把半導(dǎo)體芯片裝載在引線框上時(shí)、或者在此之前保管、輸送半導(dǎo)體芯片或自動(dòng)取出等情況時(shí)使用的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶和薄片、半導(dǎo)體芯片載體及半導(dǎo)體芯片包裝體，以及半導(dǎo)體芯片載體的制造方法、半導(dǎo)體芯片裝載方法以及半導(dǎo)體芯片的包裝方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的把半導(dǎo)體芯片裝載在引線框上的技術(shù)是按照以下工序來(lái)進(jìn)行的。
1.研磨半導(dǎo)體晶片的背面，把半導(dǎo)體晶片制成所希望的厚度。
2.把接合薄片貼附在半導(dǎo)體晶片上。
3.根據(jù)需要貼附晶片切割用粘合薄片，把半導(dǎo)體晶片固定于引線框上。
4.用切割機(jī)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的切割。
5.根據(jù)需要展開(kāi)晶片切割用粘合薄片，分離切割得到的半導(dǎo)體芯片。
6.提起帶接合劑的半導(dǎo)體芯片。
7.把帶接合劑的半導(dǎo)體芯片裝載到引線框上，通過(guò)接合劑把半導(dǎo)體芯片粘接在引線框上。
但是，根據(jù)上述工序的半導(dǎo)體芯片的裝載方法中，對(duì)于在切割時(shí)產(chǎn)生切口或裂縫等的次品半導(dǎo)體芯片也貼附在接合薄片上，所以造成成品率低，接合薄片使用浪費(fèi)。尤其是接合薄片的接合劑為導(dǎo)電性制品，例如在接合劑中含有大量Ag粉末等貴金屬時(shí)，造成很大的成本浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題的存在，本發(fā)明的目的在于提供能夠提高帶接合劑半導(dǎo)體芯片的成品率，防止接合劑使用浪費(fèi)的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶和薄片。本發(fā)明的目的還在于提供使用該半導(dǎo)體芯片加載用接合帶或薄片的半導(dǎo)體芯片載體及其制造方法、半導(dǎo)體芯片裝載方法、半導(dǎo)體芯片包裝體，以及半導(dǎo)體芯片的包裝方法。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶，在帶狀基材上，粘接半導(dǎo)體芯片的接合劑部分以與需要粘接的半導(dǎo)體芯片相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片大的形狀在所述基材的長(zhǎng)度方向上斷續(xù)性地形成有多個(gè)，構(gòu)成所述接合劑部分的接合劑顯示階段性的粘接性，其特征在于在所述帶狀基材的兩端部位上，粘接覆蓋材料的第二接合劑部分以不接觸粘接所述半導(dǎo)體芯片的接合劑部分的方式形成。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片載體，其特征在于在權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的接合劑部分上貼附半導(dǎo)體芯片來(lái)構(gòu)成。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片載體的制造方法，其特征在于使權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶在長(zhǎng)度方向上移動(dòng)，同時(shí)依次連續(xù)貼附所述半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的接合劑部分和以規(guī)定間隔排列的半導(dǎo)體芯片。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片裝載方法，其特征在于把半導(dǎo)體芯片與接合劑部分一起從權(quán)利要求2記載的半導(dǎo)體芯片載體的基材上提起，通過(guò)所述接合劑部分把所述半導(dǎo)體芯片粘接在引線框上。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片包裝體，其特征在于使權(quán)利要求2記載的半導(dǎo)體芯片載體和在長(zhǎng)度方向上斷續(xù)性地形成有多個(gè)芯片容納部的長(zhǎng)形的覆蓋材料粘接，以使所述半導(dǎo)體芯片載體上的半導(dǎo)體芯片被容納在所述覆蓋材料的芯片容納部?jī)?nèi)。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的包裝方法，其特征在于使權(quán)利要求2記載的半導(dǎo)體芯片載體和在長(zhǎng)度方向上斷續(xù)性地形成多個(gè)芯片容納部的帶狀的覆蓋材料一面粘接一面卷繞，以使所述半導(dǎo)體芯片載體上的半導(dǎo)體芯片被容納在所述覆蓋材料的芯片容納部?jī)?nèi)。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的導(dǎo)體芯片包裝體，其特征在于使半導(dǎo)體芯片載體和形成有多個(gè)芯片容納部的托盤(pán)狀的覆蓋材料粘接，以使所述半導(dǎo)體芯片載體上的半導(dǎo)體芯片被容納在所述覆蓋材料的芯片容納部?jī)?nèi)；所述半導(dǎo)體芯片載體的構(gòu)成為在薄片狀基材上，粘接半導(dǎo)體芯片的接合劑部分以與需要粘接的半導(dǎo)體芯片相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片大的形狀形成有多個(gè)，構(gòu)成所述接合劑部分的接合劑把半導(dǎo)體芯片貼附在顯示階段性的粘接性的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的所述接合劑部分上。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶，其特征在于在帶狀基材上，粘接半導(dǎo)體芯片的接合劑部分以與需要粘接的半導(dǎo)體芯片相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片大的形狀在所述基材的長(zhǎng)度方向上斷續(xù)性地形成有多個(gè)，構(gòu)成所述接合劑部分的接合劑是粘接合劑。
更好是，所述粘接合劑是包含熱固性樹(shù)脂和粘合成分的組合物。
更好是，所述粘接合劑是包含有重均分子量在30000以上的丙烯酸酯共聚物、重均分子量為100～10000的環(huán)氧樹(shù)脂、光聚合性低分子化合物以及熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑的組合物。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片，其特征在于在薄片狀基材上，粘接半導(dǎo)體芯片的接合劑部分以與需要粘接的半導(dǎo)體芯片相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片大的形狀形成有多個(gè)，構(gòu)成所述接合劑部分的接合劑是粘接合劑。
更好是，所述粘接合劑是包含熱固性樹(shù)脂和粘合成分的組合物。
更好是，所述粘接合劑是包含有重均分子量在30000以上的丙烯酸酯共聚物、重均分子量為100～10000的環(huán)氧樹(shù)脂、光聚合性低分子化合物以及熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑的組合物。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片載體，其特征在于在權(quán)利要求8記載的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的接合劑部分貼附半導(dǎo)體芯片來(lái)構(gòu)成。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片載體，其特征在于在權(quán)利要求11記載的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的接合劑部分貼附半導(dǎo)體芯片來(lái)構(gòu)成。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片載體的制造方法，其特征在于使權(quán)利要求8記載的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶在長(zhǎng)度方向上移動(dòng)，同時(shí)依次連續(xù)貼附所述半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的接合劑部分和以規(guī)定間隔排列的半導(dǎo)體芯片。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片裝載方法，其特征在于使半導(dǎo)體芯片與接合劑部分一起從權(quán)利要求14記載的半導(dǎo)體芯片載體的基材上提起，通過(guò)所述接合劑部分把所述半導(dǎo)體芯片粘接在引線框上。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片裝載方法，其特征在于使半導(dǎo)體芯片與接合劑部分一起從權(quán)利要求15記載的半導(dǎo)體芯片載體的基材上提起，通過(guò)所述接合劑部分把所述半導(dǎo)體芯片粘接在引線框上。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的特征在于在帶狀基材上，粘接半導(dǎo)體芯片的接合劑部分以需要粘接的半導(dǎo)體芯片相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片大的形狀，在所述基材的長(zhǎng)度方向上斷續(xù)性地形成多個(gè)，構(gòu)成所述接合劑部分的接合劑顯示階段的粘接性(方案1)。
該半導(dǎo)體芯片加載用接合帶可以是卷繞的卷收體，此時(shí)半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的表面上可以貼附剝離薄膜。
表示階段性粘接性的接合劑可以是具備有顯示粘合性(可剝離的粘接性)的階段和顯示粘接性的階段的接合劑(所謂粘接合劑)，也可以是即使在常態(tài)不顯示粘合性和粘接性，但可以通過(guò)例如熱、壓力等誘發(fā)來(lái)階段性地顯示粘合性和粘接性的接合劑。隨著接合劑層的接合劑顯示階段性粘接性，可以有效率地進(jìn)行向半導(dǎo)體芯片的貼附，及向引線框的假粘接和正式粘接。
在上述發(fā)明(方案1)中，所述的帶狀基材的兩端部位上可以有粘接(這里的“粘接”包含粘合和貼附的概念)覆蓋材料的第二接合劑部分以不接觸于粘接所述的半導(dǎo)體芯片的接合劑部分的狀態(tài)形成(方案2)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的特征在于在薄片狀基材上，粘接半導(dǎo)體芯片的接合劑部分以與需要粘接的半導(dǎo)體芯片相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片大的形狀形成多個(gè)，構(gòu)成所述接合劑部分的接合劑顯示階段性粘接性(方案3)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片載體是在上述發(fā)明(方案1、2)的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的接合劑部分、或上述發(fā)明(方案3)的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的接合劑部分貼附半導(dǎo)體芯片(方案4、5)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片載體的制造方法的特征在于把上述發(fā)明(方案1、2)的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶在在長(zhǎng)度方向上移動(dòng)，同時(shí)順次連續(xù)貼附所述的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的接合劑部分和以規(guī)定間隔排列的半導(dǎo)體芯片(方案6)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片裝載方法的特征在于把半導(dǎo)體芯片與接合劑部分一起從上述發(fā)明(方案4、5)的半導(dǎo)體芯片載體的基材上提起，通過(guò)所述的接合劑部分，把所述的半導(dǎo)體芯片粘接在引線框上(方案7)。
本發(fā)明的第一個(gè)半導(dǎo)體芯片包裝體是，把上述發(fā)明(方案4)的半導(dǎo)體芯片載體和在縱向(長(zhǎng)度方向)斷續(xù)地形成多個(gè)芯片容納部的長(zhǎng)形狀覆蓋材料粘接成，所述的半導(dǎo)體芯片載體上的半導(dǎo)體芯片被容納在所述的覆蓋材料的芯片容納部?jī)?nèi)(方案8)，本發(fā)明的第二個(gè)半導(dǎo)體芯片包裝體是，把上述發(fā)明(方案5)的半導(dǎo)體芯片載體和形成多個(gè)芯片容納部的托盤(pán)狀覆蓋材料粘接成，所述半導(dǎo)體芯片載體上的半導(dǎo)體芯片被容納在所述的覆蓋材料的芯片容納部(方案9)。這里，所說(shuō)的“粘接”含有粘合、貼附以及融著的概念。
本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的包裝方法的特征在于把上述發(fā)明(方案4)的半導(dǎo)體芯片載體和在縱向(長(zhǎng)度方向)斷續(xù)性形成多個(gè)芯片容納部的帶狀覆蓋材料一面粘接一面卷繞成，所述半導(dǎo)體芯片載體上的半導(dǎo)體芯片被容納在所述的覆蓋材料的芯片容納部?jī)?nèi)(方案10)。
使用本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶或半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片時(shí)，由于在該半導(dǎo)體芯片加載用接合帶或半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片上的半導(dǎo)體芯片粘接用的接合劑部分上，能夠只貼附正品半導(dǎo)體芯片，所以可以提高引線框裝載所需的帶接合劑半導(dǎo)體芯片的成品率，防止接合劑使用浪費(fèi)。尤其是接合劑部分含有Ag粉末等貴金屬導(dǎo)電性物質(zhì)時(shí)，與把接合劑部分貼附在半導(dǎo)體晶片整面的情況相比，可以相當(dāng)程度降低接合劑所需的成本。
還有，對(duì)于本發(fā)明，形成于基材上的接合劑部分因?yàn)槭桥c需要粘接的半導(dǎo)體芯片相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片大的形狀，所以有不必進(jìn)行接合劑部分的切割的好處。


圖1為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的斜視圖。
圖2為同實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的全體斜視圖。
圖3為同實(shí)施形態(tài)的表示貼附半導(dǎo)體芯片加載用接合帶和半導(dǎo)體芯片情形的側(cè)面示意圖。
圖4為同實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體芯片載體的斜視圖。
圖5為同實(shí)施形態(tài)的覆蓋材料的斜視圖。
圖6為同實(shí)施形態(tài)的表示貼附半導(dǎo)體芯片載體和覆蓋材料情形的側(cè)面示意圖。
圖7為同實(shí)施形態(tài)的表示貼附半導(dǎo)體芯片載體和覆蓋材料狀態(tài)的斷面示意圖。
圖8為本發(fā)明其他實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的斜視圖。
圖9為同實(shí)施形態(tài)的覆蓋材料的斜視圖。
圖10為同實(shí)施形態(tài)的表示貼附半導(dǎo)體芯片載體和覆蓋材料情形的斜視示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的斜視圖，圖2是同實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的整體斜視圖，圖3是同實(shí)施形態(tài)的表示貼附半導(dǎo)體芯片加載用接合帶和半導(dǎo)體芯片情形的側(cè)面示意圖，圖4是同實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體芯片載體的斜視圖，圖5是同實(shí)施形態(tài)的覆蓋材料的斜視圖，圖6是同實(shí)施形態(tài)的表示粘接半導(dǎo)體芯片載體和覆蓋材料情形的側(cè)面示意圖，圖7是同實(shí)施形態(tài)的表示粘接半導(dǎo)體芯片載體和覆蓋材料狀態(tài)的斷面示意圖。
半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1如圖1所示，本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1是由基材11和，在基材11的長(zhǎng)度方向上斷續(xù)性地形成多個(gè)的半導(dǎo)體芯片粘接用的接合劑部分12和，形成于基材11的兩端部位的覆蓋材料粘接用的接合劑部分13構(gòu)成。
接合劑部分12接合劑部分12制成與需要粘接的半導(dǎo)體芯片相同的形狀或比需要粘接的半導(dǎo)體芯片大的形狀，優(yōu)選與半導(dǎo)體芯片相同的形狀。如果接合劑部分12比需要粘接的半導(dǎo)體芯片小，密封時(shí)半導(dǎo)體裝置內(nèi)形成空隙，得到的半導(dǎo)體裝置的可靠性下降。另一方面，接合劑部分12如果太大，則無(wú)法實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的小型化。
接合劑部分12的厚度通常為3～200μm，優(yōu)選5～100μm。
接合劑部分12是由顯示階段性粘接性的接合劑構(gòu)成。該顯示階段性粘接性的接合劑不僅包括具備有顯示粘合性(可剝離的粘接性)的階段和顯示粘接性的階段的接合劑(所謂粘接合劑)，還含有雖然在常態(tài)下不顯示粘合性和粘接性，但可以通過(guò)如熱、壓力等誘發(fā)來(lái)階段性地顯示粘合性和粘接性的接合劑。
前者類(lèi)型的接合劑(粘接合劑)舉例有，例如含有熱固性樹(shù)脂和粘合成分的組合物(a)等，后者類(lèi)型的接合劑舉例有，例如聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂(b)、環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂(c)等。這些樹(shù)脂或樹(shù)脂組合物可以單獨(dú)使用，也可以使用以這些樹(shù)脂或樹(shù)脂組合物為基材的材料。
a.含有熱固性樹(shù)脂和粘合成分的組合物在含有熱固性樹(shù)脂和粘合成分的組合物中，主要是，熱固性樹(shù)脂顯示粘接性，粘合成分顯示粘合性。這種組合物中的熱固性樹(shù)脂舉例有，環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、脲醛樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、間苯二酚樹(shù)脂、呋喃樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂等，其中優(yōu)選環(huán)氧樹(shù)脂。另一方面，粘合成分舉例有丙烯酸類(lèi)粘合劑、橡膠類(lèi)粘合劑、聚酯類(lèi)粘合劑、或聚烯烴、聚氯乙烯、聚苯乙烯、熱塑性聚酰胺、聚酯等熱塑性樹(shù)脂，這些里還可以含有光聚合性化合物。的粘合成分優(yōu)選(甲基)丙烯酸酯共聚物。
作為含有熱固性樹(shù)脂和粘合成分的組合物，特別優(yōu)選含有重均分子量在30000以上的(甲基)丙烯酸酯共聚物、重均分子量為100～10000的環(huán)氧樹(shù)脂、光聚合性低分子化合物及熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑的組合物(以下有叫做“組合物a”的情況。)。
作為重均分子量30000以上的(甲基)丙烯酸酯共聚物，舉例有通過(guò)共聚(甲基)丙烯酸、例如由(甲基)丙烯酸和碳原子數(shù)1～14的醇衍生的(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羥乙基酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等單體得到的共聚物等，其中優(yōu)選(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸縮水甘油酯和，至少一種(甲基)丙烯酸烷基酯的共聚物。
由(甲基)丙烯酸和碳原子數(shù)1～14的醇衍生的(甲基)丙烯酸烷基酯的具體例子舉例有(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等。
作為(甲基)丙烯酸酯共聚物，使用由(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸縮水甘油酯衍生的共聚物時(shí)，該共聚物中由(甲基)丙烯酸縮水甘油酯衍生的成分單位的含有率通常為0～80摩爾％，優(yōu)選5～50摩爾％，由(甲基)丙烯酸衍生的成分單位的含有率通常為0～40摩爾％，優(yōu)選5～20摩爾％。此時(shí)，形成(甲基)丙烯酸酯共聚物的(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸縮水甘油酯以外的單體成分優(yōu)選使用(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等(甲基)丙烯酸烷基酯。
重均分子量100～10000的環(huán)氧樹(shù)脂，舉例有雙酚A、雙酚F、間苯二酚、苯酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚醛類(lèi)的縮水甘油醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類(lèi)的縮水甘油醚；苯二酸、異苯二酸、四氫化苯二酸等羧酸的縮水甘油醚；與苯胺基三聚異氰酸酯等的氮原子結(jié)合的活性氫用縮水甘油基取代的縮水甘油基型或烷基縮水甘油基型環(huán)氧樹(shù)脂；乙烯基環(huán)己烯二環(huán)氧化物、3，4-環(huán)氧環(huán)己基甲基-3，4-二環(huán)己烷羧酸酯、2-(3，4-環(huán)氧)環(huán)己基-5，5-螺(3，4-環(huán)氧)環(huán)己烷間二惡烷等在分子內(nèi)的碳-碳雙鍵中通過(guò)如氧化等方法引入環(huán)氧基的所謂的脂環(huán)型環(huán)氧化物等。
上述環(huán)氧樹(shù)脂的環(huán)氧當(dāng)量?jī)?yōu)選50～5000g/eq。上述環(huán)氧樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或組合不同種類(lèi)來(lái)使用。在這些環(huán)氧樹(shù)脂中優(yōu)選使用雙酚類(lèi)縮水甘油基型環(huán)氧樹(shù)脂、鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂及苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂。
上述的環(huán)氧樹(shù)脂對(duì)于(甲基)丙烯酸酯共聚物100重量份，通常使用5～2000重量份，優(yōu)選使用100～1000重量份范圍的量。
光聚合性低分子化合物是通過(guò)照射紫外線、電子射線等能量線能夠交聯(lián)的化合物。這種化合物可以使用在分子內(nèi)具有一個(gè)以上光聚合性雙鍵，并且重均分子量(Mw)為100～30000，優(yōu)選300～10000范圍的低聚物。
光聚合性低分子化合物的具體例子舉例有，尿烷改性丙烯酸酯、環(huán)氧基改性丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯；如(甲基)丙烯酸低聚物及衣康酸低聚物這樣的具有羥基或羧基等官能團(tuán)的低聚物等，其中優(yōu)選使用環(huán)氧基改性丙烯酸酯和尿烷改性丙烯酸酯。
這種光聚合性低分子化合物和上述(甲基)丙烯酸酯共聚物或環(huán)氧樹(shù)脂的不同之處在于，光聚合性低分子化合物的重均分子量的上限為30000，與此不同，上述(甲基)丙烯酸酯共聚物的重均分子量為30000以上，以及光聚合性低分子化合物在分子內(nèi)必須具有一個(gè)以上的光聚合性雙鍵，與此不同，上述(甲基)丙烯酸酯共聚物及環(huán)氧樹(shù)脂通常不具有光聚合性的雙鍵。
上述光聚合性低分子化合物相對(duì)于(甲基)丙烯酸酯共聚物100重量份，通常為10～1000重量份，優(yōu)選為50～600重量份范圍的量。
在為了交聯(lián)上述光聚合性低分子化合物而使用紫外線時(shí)，在組合物a內(nèi)最好摻合光聚合引發(fā)劑。光聚合引發(fā)劑，可以舉例有二苯甲酮、乙酰苯、苯偶因、苯偶姻烷基醚、苯偶酰、芐基二甲基縮酮等。這些光聚合引發(fā)劑可以單獨(dú)使用或組合不同種類(lèi)來(lái)使用，其中優(yōu)選α-取代乙酰苯。
上述光聚合引發(fā)劑對(duì)于光聚合性低分子化合物100重量份，通常使用0.1～10重量份，優(yōu)選使用1～5重量份范圍的量。
熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑是，在室溫不與環(huán)氧樹(shù)脂反應(yīng)，但通過(guò)在某個(gè)溫度以上的加熱而活化，與環(huán)氧樹(shù)脂反應(yīng)的類(lèi)型的固化劑。熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑的種類(lèi)(活化方法除外)有，在通過(guò)加熱的化學(xué)反應(yīng)中生成活性種(陰離子、陽(yáng)離子)的，在室溫附近穩(wěn)定地分散于環(huán)氧樹(shù)脂中，在高溫與環(huán)氧樹(shù)脂相溶、溶解，引發(fā)固化反應(yīng)的，分子篩封入類(lèi)型的固化劑，在高溫溶出引發(fā)固化反應(yīng)的、封入微膠囊的等。這些熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑可以單獨(dú)使用或組合不同種類(lèi)來(lái)使用，其中優(yōu)選使用氰基胍、咪唑化合物、或氰基胍和咪唑的混合物。
上述熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑相對(duì)于環(huán)氧樹(shù)脂100重量份，通常為用0.1～40重量份，優(yōu)選為1～30重量份范圍的量。
為了改變組合物a的粘接性能，上述熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑還可以另外摻合聚異氰酸酯化合物等熱固劑。該熱固劑相對(duì)于(甲基)丙烯酸酯共聚物100重量份，通常為0.1～30重量份，優(yōu)選為5～20重量份范圍的量。
b.聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂的具體例子舉例有，聚酰亞胺樹(shù)脂、聚異酰亞胺樹(shù)脂、馬來(lái)酰亞胺、雙馬來(lái)酰亞胺、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、聚醚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰亞胺異吲哚并喹唑啉二酮酰亞胺樹(shù)脂等。這些聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或組合不同種類(lèi)來(lái)使用，其中優(yōu)選使用聚酰亞胺樹(shù)脂。還有，聚酰亞胺樹(shù)脂有，不帶有反應(yīng)性官能團(tuán)的熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂和通過(guò)加熱進(jìn)行酰亞胺化反應(yīng)的熱固性聚酰亞胺樹(shù)脂，可以使用其中任何一種，也可以將兩者混合使用。
聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂的重均分子量?jī)?yōu)選10,000～1,000,000程度的，特別優(yōu)選50,000～100,000程度的。
c.環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂可以使用與上述組合物a的環(huán)氧樹(shù)脂相同的，但其重均分子量?jī)?yōu)選100～100,000程度的。
上述樹(shù)脂或樹(shù)脂組合物中可以摻合隱色體染料、抗靜電劑、偶合劑、離子輔助劑、抗銅害劑等添加劑或其他聚合物、低聚物、低分子化合物等。
隱色體染料可以使用3-[N(P-甲苯基氨基)-7-苯胺基熒烴、4，4’，4”-三二甲基氨基三甲苯等，抗靜電劑可以使用碳黑、陰離子型表面活性劑、陽(yáng)離子型表面活性劑等。
還有，其他聚合物、低聚物、低分子化合物舉例有，環(huán)氧樹(shù)脂、酰胺樹(shù)脂、尿烷樹(shù)脂、酰胺酸樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、丙烯酸橡膠等各種聚合物或低聚物；三乙醇胺、α，ω-(雙3-氨基丙基)聚乙二醇醚等含氮有機(jī)化合物等。
還有，接合劑部分12除了作為基體的接合劑以外，還可以含有無(wú)機(jī)填充劑、導(dǎo)電性物質(zhì)等。
無(wú)機(jī)填充劑舉例有，熔融二氧化硅、結(jié)晶二氧化硅、氧化鋁、硼氮化物、氮化鋁、氮化硅、氧化鎂、鎂硅酸鹽等。對(duì)于上述組合物a填充二氧化硅粉末、氧化鋁粉末等光散射性無(wú)機(jī)填充劑時(shí)，組合物a中的光聚合性低分子化合物可以通過(guò)光的照射來(lái)有效率地聚合而得到。
導(dǎo)電性物質(zhì)舉例有，由Ni、Ag、Au、Cu、焊錫等導(dǎo)電性好的金屬構(gòu)成的粒子，或覆蓋這些金屬的聚合物粒子、或碳等。向接合劑部分12賦予導(dǎo)電性時(shí)，導(dǎo)電性物質(zhì)相對(duì)于接合劑100重量份，通常摻合50～95重量份。
以上說(shuō)明的接合劑部分12可以通過(guò)根據(jù)絲網(wǎng)印刷把接合劑涂布到基材11使其成規(guī)定形狀(與需要粘接的半導(dǎo)體芯片相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片大的形狀)的方法，或通過(guò)輥印刷、旋轉(zhuǎn)式照相凹版印刷、微模等方法涂布接合劑后，把該粘接層加工成上述規(guī)定形狀的方法等來(lái)形成。
在調(diào)制和涂布上述接合劑時(shí)，可以使用能夠?qū)⒔雍蟿┑母鞒煞志鶆虻厝芙夂头稚⒌娜軇?。這種溶劑只要是能夠?qū)⒏鞒煞志鶆虻厝芙夂头稚t不做特別限制，舉例有二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、二乙二醇二甲基醚、甲苯、苯、二甲苯、甲基乙基酮、四氫呋喃、乙基溶纖劑、二惡烷、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、モノゲラィム等。這些溶劑可以單獨(dú)使用或組合不同種類(lèi)來(lái)使用。
基材11本實(shí)施形態(tài)中的基材11基本上是，在支撐接合劑部分12的同時(shí)，能夠剝離接合劑部分12的為好，具有剛性的也可以。
這種基材11舉例有聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、氯乙烯、離子鍵聚合物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、ポリァラミド、聚醚酮、聚醚和醚酮、聚苯撐硫化物、聚(4-甲基戊烯-1)、聚四氟乙烯等樹(shù)脂或由交聯(lián)這些樹(shù)脂來(lái)構(gòu)成的薄膜。這些薄膜可以單獨(dú)使用，也可以層疊不同種類(lèi)來(lái)使用。薄膜的厚度通常為5～300μm程度，優(yōu)選20～100μm。
還有，除了上述薄膜以外，還可以使用如玻璃紙、粘土涂層紙、樹(shù)脂涂層紙、層壓紙(聚乙烯層壓紙、聚丙烯層壓紙等)的紙，或無(wú)紡布、金屬箔等。
基材11的形成接合劑部分12的面的表面張力優(yōu)選在40dyn/cm以下。為了把表面張力調(diào)整為優(yōu)選值，可以對(duì)基材11的形成接合劑部分12的面進(jìn)行脫模處理。該脫模處理可以使用醇酸樹(shù)脂類(lèi)、硅酮樹(shù)脂類(lèi)、有機(jī)氟樹(shù)脂類(lèi)、不飽和聚酯樹(shù)脂類(lèi)、聚烯樹(shù)脂類(lèi)、蠟類(lèi)等脫模劑。當(dāng)基材11自身具有如上述的表面張力時(shí)，就不必進(jìn)行脫模處理而可以直接使用基材11。
對(duì)接合劑部分12使用上述組合物a時(shí)，基材11優(yōu)選由透過(guò)照射組合物a的能量線的材料構(gòu)成，尤其優(yōu)選由與根據(jù)能量線的照射粘合性提高的組合物a的粘接性低的材料構(gòu)成。
另一方面，對(duì)接合劑部分12使用聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂或環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂時(shí)，作為基材11，優(yōu)選使用由耐熱性樹(shù)脂構(gòu)成的薄膜。耐熱性樹(shù)脂的熔點(diǎn)優(yōu)選230℃以上，更優(yōu)選250～300℃，特別優(yōu)選260～280℃。
接合劑部分13接合劑部分13只要是能夠以不接觸于上述半導(dǎo)體芯片粘接用的接合劑部分12的狀態(tài)形成，則對(duì)于其形態(tài)不做特別限制。本實(shí)施形態(tài)中的接合劑部分13雖然是在基材11的兩端部位以線狀形成，但也可以是斷續(xù)性的線狀，也可以是點(diǎn)狀。接合劑部分13的厚度通常為5～50μm，優(yōu)選10～30μm。
構(gòu)成接合劑部分13的接合劑使用丙烯酸類(lèi)、橡膠類(lèi)、有機(jī)硅類(lèi)等接合劑、或壓敏性接合劑、熱融性接合劑等各種各樣的接合劑。
接合劑部分13可以通過(guò)根據(jù)絲網(wǎng)印刷、輥印刷、旋轉(zhuǎn)式照相凹版印刷、微模、噴射器等在基材11涂布接合劑的方法來(lái)形成。接合劑根據(jù)需要溶解或分散于溶劑中再涂布。
本實(shí)施形態(tài)中的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1具有覆蓋材料粘接用的接合劑部分13，但不使用覆蓋材料時(shí)，例如把貼附在半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1上的半導(dǎo)體芯片直接裝載于引線框時(shí)，不需要此接合劑部分13。還有，即使是粘接覆蓋材料時(shí)，只要在其覆蓋材料側(cè)能夠形成接合劑部分，則不需要半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1側(cè)的接合劑部分13，并且熱融著半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1和覆蓋材料時(shí)，不需要接合劑部分13。
半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的卷收體如圖2所示，上述半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1可以卷繞成卷收體，通過(guò)制成這種卷收體，可以使保管和輸送更加便利，而且還可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)取出。
把半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1制成卷收體時(shí)，在半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的表面可以以半導(dǎo)體芯片粘接用的接合劑部分12或覆蓋材料粘接用的接合劑部分13和基材11的背面不粘接的狀態(tài)貼附剝離薄膜。剝離薄膜可以使用如涂布了硅酮樹(shù)脂、氟類(lèi)樹(shù)脂、長(zhǎng)鏈烷基類(lèi)樹(shù)脂等脫模劑的薄膜或氟類(lèi)樹(shù)脂薄膜等。
半導(dǎo)體芯片載體3如圖4所示，本實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體芯片載體3在上述半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的接合劑部分12上貼附半導(dǎo)體芯片2。
對(duì)于把半導(dǎo)體芯片2貼附于半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的接合劑部分12上的方法不做特別限制，可以使用如在下面表示的方法。
即如圖3所示，把將接合劑部分12向下的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1向帶的在長(zhǎng)度方向上移動(dòng)，使其從圓弧狀態(tài)變成直線狀態(tài)。該動(dòng)作可以通過(guò)例如從半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的卷收體將半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1引出并卷繞的方法來(lái)進(jìn)行。與此同時(shí)，把半導(dǎo)體芯片2以規(guī)定間隔載置于傳送帶上，并配合半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1來(lái)移動(dòng)該傳送帶。
此時(shí)，調(diào)整傳送帶和半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的位置關(guān)系，使半導(dǎo)體芯片2和成直線狀態(tài)的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的接合劑部分12接觸或壓接。還有，把載置于傳送帶上的半導(dǎo)體芯片2的間隔及傳送帶的移動(dòng)速度適當(dāng)調(diào)整成各個(gè)半導(dǎo)體芯片2貼附于各自的接合劑部分12上。
根據(jù)上述方法，可以連續(xù)并有效地把半導(dǎo)體芯片2貼附在半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的接合劑部分12上。
這里，當(dāng)半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的接合劑部分12上有粘性時(shí)，可以根據(jù)該粘性的粘接力進(jìn)行上述貼附。當(dāng)半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的接合劑部分12上沒(méi)有粘性時(shí)，優(yōu)選把接合劑部分12和半導(dǎo)體芯片2熱壓接來(lái)貼附。熱壓接的加熱溫度優(yōu)選30～300℃，特別優(yōu)選50～200℃程度，加熱時(shí)間優(yōu)選1秒～10分鐘，特別優(yōu)選1～30秒，壓力優(yōu)選1～10kg/cm2，特別優(yōu)選1～5kg/cm2程度。
上述半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1或半導(dǎo)體芯片載體3中，對(duì)于接合劑部分12，因能夠只貼附正品半導(dǎo)體芯片2，所以可以提高需要向引線框裝載的帶接合劑部分12半導(dǎo)體芯片2的成品率，防止接合劑使用浪費(fèi)。尤其是接合劑部分12含有Ag粉末等貴金屬導(dǎo)電性物質(zhì)時(shí)，與把接合劑部分12貼附于半導(dǎo)體晶片整面的情況相比，可以相當(dāng)程度降低接合劑所需的成本。
還有，在基材11上形成的接合劑部分12，以與需要粘接的半導(dǎo)體芯片2相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片2大的形狀形成，所以有不必進(jìn)行接合劑部分12的切割的好處。
半導(dǎo)體芯片2的裝載從上述半導(dǎo)體芯片載體3，可以把半導(dǎo)體芯片2直接裝載到引線框上。具體來(lái)講，首先把半導(dǎo)體芯片2與接合劑部分12一起從半導(dǎo)體芯片載體3的基材11上提起(提起帶接合劑部分12的半導(dǎo)體芯片2)，把接合劑部分12向下載置于引線框的島部(ァィランド)上。
這里，在半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的接合劑部分12使用上述組合物a時(shí)，最好在提起帶接合劑部分12的半導(dǎo)體芯片2之前，從半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1的基材11側(cè)對(duì)著接合劑部分12照射能量線。能量線可以使用主波長(zhǎng)為約365nm的紫外線或電子線等。
把紫外線作為能量線來(lái)使用時(shí)，通常設(shè)定照度為20～500mW/cm2，照射時(shí)間為0.1～150秒的范圍。還有，例如使用電子射線時(shí)，也可以參照紫外線來(lái)設(shè)定諸條件。還可以在進(jìn)行如上述能量線的照射時(shí)進(jìn)行輔助性的加熱。
通過(guò)進(jìn)行這種能量線的照射，半導(dǎo)體芯片2和接合劑部分12間的粘接力能夠提高通常50～4000g/25mm，優(yōu)選100～3000g/25mm，另一方面接合劑部分12和基材11間的粘接力則降低，通常為1～500g/25mm，優(yōu)選100g/25mm以下，所以可以在向半導(dǎo)體芯片2側(cè)附著接合劑部分12的同時(shí)，把接合劑部分12確切地從基材11上剝離出來(lái)。
通過(guò)該接合劑部分12把半導(dǎo)體芯片2牢固粘接在引線框上。這種粘接操作一般來(lái)講可以通過(guò)加熱來(lái)進(jìn)行。加熱優(yōu)選在把半導(dǎo)體芯片2載置于引線框上時(shí)進(jìn)行或在載置后進(jìn)行。此時(shí)，如果接合劑部分12上沒(méi)有粘性，優(yōu)選在正式粘接之前進(jìn)行假粘接。
假粘接的加熱溫度是，通常100～300℃，優(yōu)選150～250℃；加熱時(shí)間是，通常1秒～10分鐘，優(yōu)選1～30秒；正式粘接的加熱溫度是，通常100～300℃，優(yōu)選150～250℃；加熱時(shí)間是，通常1～120分鐘，優(yōu)選1～60分鐘。通過(guò)進(jìn)行這樣的加熱，接合劑部分12的接合劑將熔融或固化，半導(dǎo)體芯片2和引線框?qū)⒗喂陶辰印?br> 在進(jìn)行上述加熱時(shí)，可以向半導(dǎo)體芯片2、接合劑部分12及引線框的疊層體的厚度方向施加適度的壓力來(lái)壓著半導(dǎo)體芯片2和引線框。
半導(dǎo)體芯片包裝體5在保管或輸送上述半導(dǎo)體芯片載體3時(shí)，可以在該半導(dǎo)體芯片載體3上粘接如圖5所示的覆蓋材料4，制成如圖7所示的半導(dǎo)體芯片包裝體5。
圖5中所示的覆蓋材料4是成具有對(duì)應(yīng)于上述半導(dǎo)體芯片載體3的寬和長(zhǎng)的長(zhǎng)形狀的形狀，在長(zhǎng)度方向上斷續(xù)性地形成多個(gè)的矩形凹部構(gòu)成芯片容納部41。該芯片容納部41形成得比上述半導(dǎo)體芯片載體3的帶接合劑部分12的半導(dǎo)體芯片2的大小還要大，能夠容納其帶接合劑部分12的半導(dǎo)體芯片2。
作為覆蓋材料4的材料通常優(yōu)選具有一定程度剛性的材料。這種材料舉例有紙；聚乙烯、聚丙烯、氯乙烯類(lèi)樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、聚碳酸酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯腈等塑料等。這些塑料里還可以填充有碳等以賦予其抗靜電性。
對(duì)于把覆蓋材料4粘接于半導(dǎo)體芯片載體3的方法不做特別限制，可以采用如圖6所示的，把從某個(gè)方向引出的半導(dǎo)體芯片載體3和從另一個(gè)方向引出的覆蓋材料4邊粘接邊同時(shí)卷繞的方法。此時(shí)有必要進(jìn)行半導(dǎo)體芯片載體3和覆蓋材料4的位置重合，以使半導(dǎo)體芯片載體3中的帶接合劑部分12的半導(dǎo)體芯片2能夠容納在覆蓋材料4的芯片容納部41里。通過(guò)此方法，可以有效率地得到半導(dǎo)體芯片包裝體5的卷收體。
對(duì)于通過(guò)上述方法得到的半導(dǎo)體芯片包裝體5，如圖7所示，半導(dǎo)體芯片載體3的基材11和覆蓋材料4是通過(guò)接合劑部分13來(lái)粘接，在半導(dǎo)體芯片載體3的基材11上形成的接合劑部分12及半導(dǎo)體芯片2是容納在覆蓋材料4的芯片容納部41里。這種半導(dǎo)體芯片包裝體5非常適合于半導(dǎo)體芯片載體3(帶接合劑部分12的半導(dǎo)體芯片2)的保管或輸送。
對(duì)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片進(jìn)行說(shuō)明。圖8是本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施形態(tài)的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的斜視圖，圖9是同實(shí)施形態(tài)的覆蓋材料的斜視圖，圖10是同實(shí)施形態(tài)的表示粘接半導(dǎo)體芯片載體和覆蓋材料情形的斜視示意圖。
如圖8所示，本實(shí)施形態(tài)中的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片6是由基材61和在基材61上復(fù)數(shù)整列來(lái)形成的半導(dǎo)體芯片粘接用接合劑部分62構(gòu)成。本實(shí)施形態(tài)中，接合劑部分62雖然在基材61上以6行×6列形成，但并不局限于此。
用于半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片6的材料基本上與上述半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1相同，但基材61的厚度為，優(yōu)選5～300μm，特別優(yōu)選20～100μm。
本實(shí)施形態(tài)中，雖然在半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片6的基材61上未形成覆蓋材料粘接用的接合劑部分，但可以在盡可能不接觸于上述半導(dǎo)體芯片粘接用的接合劑部分62的情況下，在所希望的位置形成覆蓋材料粘接用的接合劑部分。
上述半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片6的接合劑部分61上，與上述半導(dǎo)體芯片加載用接合帶1一樣貼附半導(dǎo)體芯片2，形成半導(dǎo)體芯片載體。從該半導(dǎo)體芯片載體可以把半導(dǎo)體芯片2直接裝載于引線框上，如圖10所示，在半導(dǎo)體芯片載體8上粘接覆蓋材料7，來(lái)應(yīng)付半導(dǎo)體芯片載體8(帶接合劑部分62的半導(dǎo)體芯片2)的保管或輸送。
覆蓋材料7可以使用如圖9中所示的材料。該覆蓋材料7成對(duì)應(yīng)于上述半導(dǎo)體芯片載體8的具有縱橫大小的托盤(pán)狀，復(fù)數(shù)整列形成的矩形形狀的凹部(6行×6列)構(gòu)成芯片容納部71。
本實(shí)施形態(tài)中的覆蓋材料7的周邊部位、縱向(長(zhǎng)度方向)中心線部位以及橫向中心線部位上形成有半導(dǎo)體芯片載體8粘接用的接合劑部分72，對(duì)于該接合劑部分72形成的位置，只要是接合劑部分72不進(jìn)到芯片容納部71內(nèi)，則不做特別限制，還有，如果半導(dǎo)體芯片載體8的基材61上形成有覆蓋材料7粘接用的接合劑部分，則不必在覆蓋材料7側(cè)形成接合劑部分72。
以上說(shuō)明的實(shí)施形態(tài)是為了容易理解本發(fā)明而記載的，并不是為了限制本發(fā)明而記載的。所以，在上述實(shí)施形態(tài)中公開(kāi)的各要素還含有屬于本發(fā)明技術(shù)性范圍的所有設(shè)計(jì)變更和均等物。
下面，通過(guò)實(shí)施例等進(jìn)一步具體說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明的范圍并不局限于這些實(shí)施例等。
半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的制造(接合劑組合物a)
共聚丙烯酸丁酯55重量份、甲基丙烯酸甲酯10重量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯20重量份以及丙烯酸2-羥基乙酯15重量份，調(diào)制重均分子量90萬(wàn)的共聚物。
混合上述共聚物10重量份、液狀雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂(油化Shell環(huán)氧樹(shù)脂株式會(huì)社制ェピコ—ト828)24重量份、鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂(日本化薬株式會(huì)社制EOCN-104S)10重量份、作為偶合劑的γ-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷0.05重量份、作為熱活性型潛伏性固化劑的氰基胍1.5重量份、2-苯基-4，5-羥甲基咪唑、作為光聚合性低分子化合物的尿烷丙烯酸酯類(lèi)低聚物(大日精化工業(yè)株式會(huì)社制セィカビ—ム14-29B)5重量份、作為光聚合引發(fā)劑的1-羥基環(huán)己基苯基酮0.2重量份、以及作為交聯(lián)劑的芳香族聚異氰酸酯(日本ポリゥレタン株式會(huì)社制コロネ—トL)1重量份，得到組合物a。
把用硅酮樹(shù)脂對(duì)單面進(jìn)行脫模處理的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)帶(厚度38μm、寬20mm、表面張力34dyn/cm)作為基材，在該基材的脫模處理面上，把上述組合物a以20μm的厚度、10mm×10mm的大小，以及10mm間隔用絲網(wǎng)印刷進(jìn)行涂布。然后把涂布的組合物a在100℃干燥1分鐘制成半導(dǎo)體芯片粘接用的接合劑部分，把此作為半導(dǎo)體芯片加載用接合帶(不對(duì)應(yīng)于覆蓋材料)。
另一方面，混合丙烯酸丁酯92重量份、丙烯酸4.5重量份、2-羥乙基丙烯酸酯0.5重量份、苯乙烯3重量份、醋酸乙酯200重量份以及偶氮二異丁腈0.5重量份，在氮?dú)庀聰嚢?0分鐘后，在60℃反應(yīng)8小時(shí)。對(duì)于得到的共聚物100重量份(固態(tài)組分)，添加作為交聯(lián)劑的六甲撐二異氰酸酯0.2重量份充分?jǐn)嚢?，得到覆蓋材料粘接用的壓敏性接合劑。
接著，對(duì)于上述半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的一部分，在上述基材的兩端部位用微模以1mm寬度涂布上述壓敏性接合劑，把此作為半導(dǎo)體芯片加載用接合帶(對(duì)應(yīng)于覆蓋材料)。
半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的制造(接合劑聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂)
用熱塑性聚酰亞胺(宇部興産株式會(huì)社制ュピタィトUPA-N221)的四氫呋喃溶液(固態(tài)組分20重量％)代替實(shí)施例1中的組合物a，以用硅酮樹(shù)脂對(duì)單面進(jìn)行脫模處理的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜(表面張力34dyn/cm)代替實(shí)施例1中的用硅酮樹(shù)脂對(duì)單面進(jìn)行脫模處理的PET薄膜，除了把熱塑性聚酰亞胺的干燥條件定成90℃、5分鐘以外，其余都與實(shí)施例1相同，制成半導(dǎo)體芯片加載用接合帶。
半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的制造(接合劑環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂組合物)混合高分子量雙酚型環(huán)氧樹(shù)脂(油化Shell環(huán)氧樹(shù)脂株式會(huì)社制エピコ—ト1010)40重量份、多官能甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂(日本化薬株式會(huì)社制EOCN-4600)20重量份、作為熱活性型潛伏性固化劑的2-苯基-4，5-羥甲基咪唑1.5重量份以及γ-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷0.1重量份，作為環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂接合劑。
除了用上述環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂接合劑代替實(shí)施例1中的組合物a以外，其余都與實(shí)施例1相同，制成半導(dǎo)體芯片加載用接合帶。
半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的制造(接合劑組合物a)把用硅酮樹(shù)脂對(duì)單面進(jìn)行脫模處理的PET薄片(厚度38μm、210mm×210mm、表面張力34dyn/cm)作為基材，在該基材的脫模處理面上，把上述組合物a以20μm的厚度、10mm×10mm的大小，以及10mm間隔用絲網(wǎng)印刷進(jìn)行涂布(10行×10列)。然后把涂布的組合物a在100℃干燥1分鐘制成半導(dǎo)體芯片粘接用的接合劑部分，把此作為半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片。
半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的制造(接合劑聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂)用熱塑性聚酰亞胺(宇部興産株式會(huì)社制ュピタィトUPA-N221)的四氫呋喃溶液(固態(tài)組分20重量％)代替實(shí)施例4中的組合物a，以用硅酮樹(shù)脂對(duì)單面進(jìn)行脫模處理的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄片(表面張力34dyn/cm)代替實(shí)施例4中的用硅酮樹(shù)脂對(duì)單面進(jìn)行脫模處理的PET薄片，除了把熱塑性聚酰亞胺的干燥條件定成90℃、5分鐘以外，其余都與實(shí)施例4相同，制成半導(dǎo)體芯片加載用接合帶。
半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的制造(接合劑環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂組合物)除了用實(shí)施例3的環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂接合劑代替實(shí)施例4中的組合物a以外，其余都與實(shí)施例4相同，制成半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片。
半導(dǎo)體芯片載體的制造(帶實(shí)施例1)在從實(shí)施例1中得到的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的半導(dǎo)體芯片粘接用的接合劑部分上，用如圖3所示的方法貼附正品半導(dǎo)體芯片，把此作為半導(dǎo)體芯片載體。
半導(dǎo)體芯片載體的制造(帶實(shí)施例2)在從實(shí)施例2中得到的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的半導(dǎo)體芯片粘接用的接合劑部分上，用如圖3所示的方法熱壓接正品半導(dǎo)體芯片(180℃，5kg/cm2，30秒)，把此作為半導(dǎo)體芯片載體。
半導(dǎo)體芯片載體的制造(帶實(shí)施例3)在從實(shí)施例3中得到的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的半導(dǎo)體芯片粘接用的接合劑部分上，用如圖3所示的方法熱壓接正品半導(dǎo)體芯片(140℃，5kg/cm2，30秒)，把此作為半導(dǎo)體芯片載體。
半導(dǎo)體芯片載體的制造(薄片實(shí)施例4)在從實(shí)施例4中得到的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的接合劑部分上，用常規(guī)方法貼附正品半導(dǎo)體芯片，把此作為半導(dǎo)體芯片載體。
半導(dǎo)體芯片載體的制造(薄片實(shí)施例5)
在從實(shí)施例5中得到的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的接合劑部分上，用常規(guī)方法熱壓接正品半導(dǎo)體芯片(180℃，5kg/cm2，30秒)，把此作為半導(dǎo)體芯片載體。
半導(dǎo)體芯片載體的制造(薄片實(shí)施例6)在從實(shí)施例6中得到的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的接合劑部分上，用常規(guī)方法熱壓接正品半導(dǎo)體芯片(140℃，5kg/cm2，30秒)，把此作為半導(dǎo)體芯片載體。
半導(dǎo)體芯片的裝載(載體實(shí)施例7、10)對(duì)從實(shí)施例7得到的半導(dǎo)體芯片載體(不對(duì)應(yīng)于覆蓋材料)及從實(shí)施例10得到的半導(dǎo)體芯片載體的接合劑部分照射紫外線(使用リンテック株式會(huì)社制ADWILL RAD-2000m/8。照射條件照度340mW/cm2，照射時(shí)間6秒)后，提起帶接合劑部分半導(dǎo)體芯片并載置于引線框的島部分。把半導(dǎo)體芯片和引線框用150℃、5kg/cm2、5秒中的加熱假粘接后，進(jìn)一步在160℃加熱60分鐘，通過(guò)上述接合劑部分牢固粘接半導(dǎo)體芯片和引線框。
半導(dǎo)體芯片的裝載(載體實(shí)施例8、11)把帶接合劑部分半導(dǎo)體芯片從在實(shí)施例8得到的半導(dǎo)體芯片載體(不對(duì)應(yīng)于覆蓋材料)及在實(shí)施例11得到的半導(dǎo)體芯片載體上提起，載置于引線框的島部分。把半導(dǎo)體芯片和引線框用180℃、5kg/cm2、10秒中的加熱假粘接后，進(jìn)一步在200℃加熱60分鐘，通過(guò)上述接合劑部分牢固粘接半導(dǎo)體芯片和引線框。
半導(dǎo)體芯片的裝載(載體實(shí)施例9、12)把帶接合劑部分半導(dǎo)體芯片從在實(shí)施例9得到的半導(dǎo)體芯片載體(不對(duì)應(yīng)于覆蓋材料)及在實(shí)施例12得到的半導(dǎo)體芯片載體上提起，載置于引線框的島部分。把半導(dǎo)體芯片和引線框用180℃、5kg/cm2、5秒中的加熱假粘接后，進(jìn)一步在180℃加熱60分鐘，通過(guò)上述接合劑部分牢固粘接半導(dǎo)體芯片和引線框。
半導(dǎo)體芯片包裝體的制造(帶)覆蓋材料是用聚苯乙烯(厚度500μm，寬16mm)，通過(guò)真空成形法制成以10mm間隔具備有具有10mm×10mm的大小、及3mm深度的芯片容納部的材料。
把在實(shí)施例7～9得到的半導(dǎo)體芯片載體(對(duì)應(yīng)于覆蓋材料)和上述覆蓋材料，用如圖6所示的方法一面粘接一面卷繞，把此作為半導(dǎo)體芯片包裝體。
半導(dǎo)體芯片包裝體的制造(薄片)覆蓋材料是用聚苯乙烯(厚度500μm，210mm×210mm)，通過(guò)真空成形法制成具有10mm×10mm的大小、及3mm深度的芯片容納部以10mm間隔具備有10行×10列的材料。還有，在該覆蓋材料的周邊部位、縱向(長(zhǎng)度方向)中心線部位以及橫向中心線部位，用微模以1mm寬度涂布實(shí)施例1中的熱敏性接合劑。
用常規(guī)方法粘接在實(shí)施例10～12得到的半導(dǎo)體芯片載體和上述覆蓋材料，把此作為半導(dǎo)體芯片包裝體。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶或薄片以及半導(dǎo)體芯片載體，可以提高帶接合劑部分半導(dǎo)體芯片的成品率，防止接合劑的使用浪費(fèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片加載用接合帶，其特征在于在帶狀基材上，粘接半導(dǎo)體芯片的接合劑部分以與需要粘接的半導(dǎo)體芯片相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片大的形狀在所述基材的長(zhǎng)度方向上斷續(xù)性地形成有多個(gè)，構(gòu)成所述接合劑部分的接合劑是粘接合劑。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶，其特征在于所述粘接合劑是包含熱固性樹(shù)脂和粘合成分的組合物。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶，其特征在于所述粘接合劑是包含有重均分子量在30000以上的丙烯酸酯共聚物、重均分子量為100～10000的環(huán)氧樹(shù)脂、光聚合性低分子化合物以及熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑的組合物。
4.一種半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片，其特征在于在薄片狀基材上，粘接半導(dǎo)體芯片的接合劑部分以與需要粘接的半導(dǎo)體芯片相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片大的形狀形成有多個(gè)，構(gòu)成所述接合劑部分的接合劑是粘接合劑。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片，其特征在于所述粘接合劑是包含熱固性樹(shù)脂和粘合成分的組合物。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片，其特征在于所述粘接合劑是包含有重均分子量在30000以上的丙烯酸酯共聚物、重均分子量為100～10000的環(huán)氧樹(shù)脂、光聚合性低分子化合物以及熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑的組合物。
7.一種半導(dǎo)體芯片載體，其特征在于在權(quán)利要求8記載的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的接合劑部分貼附半導(dǎo)體芯片來(lái)構(gòu)成。
8.一種半導(dǎo)體芯片載體，其特征在于在權(quán)利要求11記載的半導(dǎo)體芯片加載用接合薄片的接合劑部分貼附半導(dǎo)體芯片來(lái)構(gòu)成。
9.一種半導(dǎo)體芯片載體的制造方法，其特征在于使權(quán)利要求8記載的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶在長(zhǎng)度方向上移動(dòng)，同時(shí)依次連續(xù)貼附所述半導(dǎo)體芯片加載用接合帶的接合劑部分和以規(guī)定間隔排列的半導(dǎo)體芯片。
10.一種半導(dǎo)體芯片裝載方法，其特征在于使半導(dǎo)體芯片與接合劑部分一起從權(quán)利要求14記載的半導(dǎo)體芯片載體的基材上提起，通過(guò)所述接合劑部分把所述半導(dǎo)體芯片粘接在引線框上。
11.一種半導(dǎo)體芯片裝載方法，其特征在于使半導(dǎo)體芯片與接合劑部分一起從權(quán)利要求15記載的半導(dǎo)體芯片載體的基材上提起，通過(guò)所述接合劑部分把所述半導(dǎo)體芯片粘接在引線框上。
全文摘要
提供能夠提高帶接合劑半導(dǎo)體芯片的成品率，防止使用浪費(fèi)接合劑的半導(dǎo)體芯片加載用接合帶。在帶狀的基材(11)上，把粘接半導(dǎo)體芯片(2)的接合劑部分(12)以需要粘接的半導(dǎo)體芯片(2)相同的形狀或者比需要粘接的半導(dǎo)體芯片(2)大的形狀，在所述的基材(11)的長(zhǎng)度方向上斷續(xù)性地形成多個(gè)。構(gòu)成所述的接合劑部分(12)的接合劑是表示階段性粘接性的。
文檔編號(hào)H01L21/58GK1797704SQ20051012705
公開(kāi)日2006年7月5日 申請(qǐng)日期2002年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月30日
發(fā)明者山崎修, 江部和義 申請(qǐng)人:琳得科株式會(huì)社