專利名稱：具有有機層的熒光發(fā)射元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有有機層的熒光發(fā)射元件，特別涉及根據(jù)權(quán)利要求1和2的前序部分所述的一種有機發(fā)光二極管(OLED)，其作為發(fā)射區(qū)的新結(jié)構(gòu)的結(jié)果而具有增加的電流和量子效率。
背景技術(shù)：
由于由Tang等人在1987年(C.W.Tang等人Appl.Phys.Lett.51(1987)913)中證實了低工作電壓，因此有機發(fā)光二極管允許用于實現(xiàn)大面積顯示器的侯選部件。它們包括由有機材料制成的一系列薄層(通常為1nm到1μm)，這些薄層優(yōu)選是在真空中汽相淀積的(小分子OLED)或者從溶液施加的，例如通過旋涂(spin-on)(聚合物OLED＝PLED)。由金屬層進行電接觸連接之后，有機薄膜形成不同的電子或光電子部件，如二極管、發(fā)光二極管、光電二極管和晶體管，它們的性能可以與以無機層為基礎(chǔ)的建立部件的性能相媲美。發(fā)光元件的接觸件通常是透明接觸件(例如作為陽極的氧化銦錫ITO)和作為陰極的具有低功函數(shù)的金屬接觸件。另外的OLED是半透明的(薄金屬接觸件ITO結(jié)構(gòu))，以及其它的是全透明的，(都是接觸件ITO)。為了從元件的有源區(qū)發(fā)射光(發(fā)射區(qū)或發(fā)射層或?qū)有蛄?，必須向該元件中注入電荷載流子并使它們在有機層中傳輸。通過施加的電壓，從陽極向具有更好空穴傳導(dǎo)性的有機材料(空穴傳輸材料)注入空穴，并且從陰極向電子傳導(dǎo)材料注入電子。電荷載流子在發(fā)射區(qū)中相遇，在那里它們復(fù)合并形成激子。后者隨著光發(fā)射而衰減或者向分子釋放它們的能量。
基于有機分子的這種LED與已經(jīng)長時間公知的無機LED相比的優(yōu)點是可以向大的、潛在的柔性區(qū)域施加有機材料。結(jié)果是可以制成超大顯示器。而且，鑒于有機材料的制造和有機層的制造，有機材料相對便宜。而且，由于它們具有低折射率，可以利用簡單的方式(以高效率)取出(couple out)產(chǎn)生的光。
OLED的標(biāo)準結(jié)構(gòu)包含下列有機層中的一些或全部(圖1的)1、襯底2、底部電極，例如空穴注入(陽極)，通常是透明的3、空穴注入層4、空穴傳輸層(HTL)4a、可能還有阻擋層，空穴側(cè)5、發(fā)光層(EL)6a、可能還有阻擋層，電子側(cè)6、電子傳輸層(ETL)7、電子注入層8、頂部電極，通常是具有低功函數(shù)的金屬，電子注入(陰極)9、封裝，用于排除環(huán)境的影響(空氣、水)。
這是最一般的情況；通常有些層可以省略(除了2、5和8之外)，或者一層本身結(jié)合了多種性能。在上述部件中，光通過透明底部電極離開OLED。其它結(jié)構(gòu)已經(jīng)被證明了，其中層結(jié)構(gòu)是倒置的(陽極在頂部，通過陰極和襯底發(fā)射光)(G.Gu，V.Bulovic，P.E.Burrows，S.R.Forrest，Appl.Phys.Lett.，68，2606(1996)，在1996年3月6日申請的美國專利No.5703436(S.R.Forrest等人)；在1996年4月15日申請的美國專利No.5757026(S.R.Forrest等人)；在1997年10月24日申請的美國專利No.5969474(M.Arai))或者通過陽極和陰極發(fā)光。
如在Egusa等人(在1991年2月12日申請的美國專利No.5093698)和Pfeiffer等人(在2000年11月25日申請的專利申請DE100 58 578.7)的情況下，為了增加它們的傳導(dǎo)性，可以摻雜電荷傳輸層(3和4，以及6和7)。為了保持電流和量子效率很高(電流效率＝每電流發(fā)射的光-cd/A-量子效率＝每個注入的電荷載流子發(fā)射的光子)，需要阻擋層(4a，6a)。后者妨礙激子的形成(專利申請?zhí)朌E100 58 578.7)。這些阻擋層要履行兩項重要的任務(wù)1、它們必須防止少數(shù)電荷載流子從發(fā)射區(qū)(5)注入到電荷載流子傳輸層中(電子進入4，空穴進入6)。電荷載流子傳輸層(4，6)在大多數(shù)情況下已經(jīng)實現(xiàn)了這個要求。阻擋層的第二性能則是非常重要的2、它們必須防止在電荷載流子傳輸層中的多數(shù)電荷載流子(4中的空穴，6中的電子)和在發(fā)射層和各個電荷載流子傳輸層之間的界面中的發(fā)射區(qū)(5)中具有不同標(biāo)記的電荷載流子之間形成激態(tài)復(fù)合物。如果激發(fā)能低于發(fā)射區(qū)中的激子的能量，則形成這些激態(tài)復(fù)合物，它們非放射性地復(fù)合并由此降低了OLED的效率。在這種情況下，激態(tài)復(fù)合物不能轉(zhuǎn)換成發(fā)射區(qū)中的激子。這種行為的原因是用于使多數(shù)電荷載流子從傳輸層(4和6)進入發(fā)射區(qū)(5)中的勢壘太高了。所述勢壘由使空穴從它們的傳輸層(4)注入發(fā)射區(qū)(5)的HOMO(最高占據(jù)分子軌道的能量)差別以及從6進入層5的LUMO(最低未占據(jù)分子軌道的能量)差別確定。這個過程可以通過選擇合適的阻擋層(4a，6a)來防止。后者必須適合于它們的HOMO/LUMO位置，以便它們能阻擋少數(shù)電荷載流子離開發(fā)射區(qū)。這就是說，在施加電壓下，傳輸層(4，6)中的多數(shù)電荷載流子不能太大程度地被阻礙注入到阻擋層(4a，6a)中間勢壘。同時，在與阻擋層(在4a的電子，在6a的空穴)的界面處必須有效地阻擋來自發(fā)射區(qū)(5)的少數(shù)電荷載流子高勢壘。此外，用于從阻擋層(4a，6a)向發(fā)射區(qū)層(5)注入的多數(shù)電荷載流子的勢壘高度必須足夠小以防止激態(tài)復(fù)合物形成低勢壘。
在最簡單的情況下，發(fā)射區(qū)(5)只包括一層(Tang等人的US4356429，1982，C.W.Tang等人Appl.Phys.Lett.51(1987)913)。則這個層結(jié)合了電子和空穴傳輸、激子形成和衰減。這些不同的需求使得難以發(fā)現(xiàn)合適的材料使效率最佳化。例如，標(biāo)準發(fā)射材料Alq3(三喹啉鋁aluminum-tris-quinolate，HOMO＝-5.7eV，LUMO＝-2.9eV)是相對好的電子傳輸器。它具有大的斯托克斯(Stokes)偏移(相對于吸收偏移的紅光發(fā)射，因此不會再吸收)，但是具有不良的空穴傳導(dǎo)性。因此，在具有Alq3作為發(fā)射材料的部件中，在與空穴傳輸層(4或4a)的界面處形成激子。則這個界面的選擇對于OLED的效率來說是非常重要的。這就是界面復(fù)合的影響對OLED比對無機LED更重要的原因；由于有機層中的電荷載流子傳輸通常限于一種類型的電荷載流子和有機分子上的電荷載流子比無機情況下更大程度地被局限，因此復(fù)合區(qū)(在兩種類型的電荷載流子的電荷載流子密度之間有大重疊)通常在阻擋電荷載流子的內(nèi)部界面附近。
在所有有機材料中，光致發(fā)光量子效率(放射性地復(fù)合的激子的比例)受到所謂的“聚集淬滅”的限制，如果在緊密封裝方式中存在分子，則光發(fā)射的效率降低。因此純Alq3層的光致發(fā)光量子效率在10和25％之間(C.W.Tang等人J.Appl.Phys.65(1989)3610；H.Mattoussi等人J.Appl.Phys.86(1999)2642)，比溶液中的Alq3的情況(大于50％)低。
因此，附加的發(fā)射分子通常與發(fā)射區(qū)混合(在文獻中通常還稱為摻雜，但是應(yīng)該不同于上述用于增加傳導(dǎo)性的摻雜)(Tang等人的US4769292，1988，C.W.Tang等人J.Appl.Phys.65(1989)3610)。這具有的優(yōu)點是發(fā)射體不再以集中方式存在并具有較高的光發(fā)射量子效率。觀察到了高達100％的光致發(fā)光量子效率(H.Mattoussi等人，J.Appl.Phys.86(1999)2642)。發(fā)射體摻雜劑不參與電荷載流子傳輸。在發(fā)射體摻雜劑上形成激子可以以兩種方式產(chǎn)生1、如果發(fā)射體分子用做電荷載流子陷阱，則直接在發(fā)射體分子上，2、或者，從主分子經(jīng)過能量的傳輸。
通過這種方式，可以增加OLED的電流和量子效率，例如從具有純Alq3作為發(fā)射體的通常5cd/A增加到具有發(fā)射體摻雜劑的10cd/A(J.Blochwitz等人Synth.Met.127，(2002)169)，其中所述發(fā)射體摻雜劑發(fā)射單激狀態(tài)(例如，喹吖啶酮quinacridone)或激光染料，如香豆素，例如香豆素6 HOMO＝-5.4eV，LUMO＝-2.7eV。濃度通常為1mol％。對于具有0自旋并在只達大約25％的雙極電荷載流子注入的情況下形成的前述單態(tài)激子，經(jīng)過所謂的福斯特(thirster)過程發(fā)生能量的轉(zhuǎn)移。這個過程的范圍大致對應(yīng)1％的摻雜濃度。
增加OLED的效率的另一種方式是能發(fā)射三態(tài)(激子自旋＝1)的分子的混合物(具有強自旋軌道占據(jù)的分子)(Thompson等人的US6303238B1，1997)。這些以大約75％的概率形成。因此，理論上講，OLED的100％內(nèi)部效率可以用于混合單態(tài)和三態(tài)的特殊材料(T.Tsutsui等人Jpn.J.Appl.PhysB 38(1999)L1502；C.Adachi等人Appl.Phys.Lett.77(2000)，904)。然而，有機分子上的三態(tài)激子與單態(tài)激子相比具有某些缺點1、三態(tài)激子壽命長，因此它的擴散長度也長。因此，三態(tài)激子更容易達到它們非放射性地復(fù)合的部件中的位置(如缺陷、雜質(zhì)、接觸)。由于它們的長壽命(通常比單態(tài)激子長100倍以上)，激子密度達到激子與激子湮滅起一定作用的值。這個過程限制了主要在高電流密度的效率(M.A.Baldo等人，Appl.Phys.Lett.75(1999)4；C.Adachi等人，Appl.Phys.Lett.77(2000)904)。
能量轉(zhuǎn)移較慢并具有較短的范圍(Dexter過程)。因此，在混合發(fā)射體分子的情況下?lián)诫s濃度必須大約為8mol％。這個高電子陷阱密度阻礙了電流轉(zhuǎn)移，并且“聚集淬滅”是一個比單態(tài)激子發(fā)射體的情況更嚴重的問題。
考慮到長三態(tài)激子壽命，在界面處的三態(tài)激子的密度可以假設(shè)為高值。因此可能發(fā)生三態(tài)激子飽和。這個“界面激子飽和過程”減少了來自進入電荷載流子的其它激子的形成，原因是后者可以離開重疊區(qū)。因此，界面區(qū)只有有限的容量用于激子，盡管在那里最有效地形成激子。因此降低了OLED的效率。
三態(tài)激子約束能量比用于單態(tài)激子(與大約0.5eV相比，高達1.5eV)的大。因此，可以從具有自旋＝1的界面電荷載流子對(“三元激發(fā)態(tài)復(fù)合物(triplet exciplex)”，發(fā)射區(qū)(5)的材料上的一個電荷載流子，相鄰層(例如4或4a對于空穴，6或6a對于電子)上的另一個)向兩層上的層激子進行能量轉(zhuǎn)移，所述兩層是發(fā)射區(qū)(5)的材料上和各個相鄰轉(zhuǎn)移層(4或4a，6或6a)的材料上。在轉(zhuǎn)移層上產(chǎn)生的三態(tài)激子將非放射性地復(fù)合，就是說降低了OLED效率。與單態(tài)激子相比，這個過程可以用于三態(tài)激子，即使存在用于電荷載流子注入(注入到層4，4a，6，6a)的高勢壘。
用于三態(tài)OLED的效率的阻擋層的重要性由Adachi等人和Ikai等人(C.Adachi等人，Appl.Phys.Lett.77(2000)，904)以及M.Ikai等人(M.Ikai等人，Appl.Phys.Lett.79(2001)，156)示出了。前者表示即使在發(fā)射區(qū)具有小厚度時(達到2.5nm厚)，發(fā)射區(qū)中激子的激子“限制(confinement)”(作為周圍層的較大帶隙的結(jié)果)可能導(dǎo)致非常高的量子效率。在沒有激子阻擋時，在這種小厚度的情況下徹底降低了效率。然而，當(dāng)發(fā)射層具有小厚度時，三態(tài)與三態(tài)湮滅起更大作用，并且使在高電流密度的效率最小化。第二組(Ikai等人)使用用于三態(tài)發(fā)射摻雜劑Ir(ppy)3的穴傳輸主材料作為客分子(Ir(ppy)3-fac-tris(2苯基吡啶，HOMO＝-5.2..-5.6eV，LUMO＝-2.8..-3.0eV，用于綠光譜范圍的最公知的三態(tài)發(fā)射體))。而且，它們使用非常有效的激子和空穴阻擋器(高帶隙和低HOMO)。允許極高的量子效率幾乎高達20％的理論極限(經(jīng)光的取出行為而從簡單的幾何光學(xué)計算估價的極限，忽視波導(dǎo)效果)。
然后，內(nèi)部地，盡管只用于小電流密度，將存在100％量子效率。合適的阻擋層材料的選擇對于這個成分是非常重要的?；谶@個復(fù)雜性，將難以發(fā)現(xiàn)除了(Ir(ppy)3以外的用于不同的發(fā)射系統(tǒng)的和除了TCTA(三(N咔唑基)三苯胺，HOMO＝-5.9eV，LUMO＝-2.7eV)以外的用于不同主材料的等同匹配的阻擋層材料。使用的阻擋層材料(類似于“星放射狀(starburst)”的全氟化亞苯基)將極低的HOMO位置與極大帶隙(超過4eV)組合起來。這個大帶隙還具有電子不再很好地從電子傳輸層(LUMO大約為-3eV)向阻擋層(LUMO-2.6eV，勢壘0.4eV)注入的缺點。向發(fā)光層(5)中逐步注入電子對于OLED的低工作電壓是較好的。已經(jīng)表明對于從ITO向空穴傳輸材料中注入空穴(例如，在MTDATA中，星放射狀分配器，HOMO＝-5.1eV，LUMO＝-1.9eV，經(jīng)注入層，例如，酞菁ZnPc，HOMO＝-5.0eV，LUMO＝-3.4eV，例如D.Ammermann等人，Jpn.J.Appl.Phys.Pt.1，34(1995)1293)。然而，對于從電子傳輸層(6)經(jīng)阻擋層(6a)向發(fā)射層(5)逐步注入電子，6a/5界面變得更重要了，因為電子和空穴的增加的密度可能在那里記載。
用于避免三態(tài)發(fā)射體在高電流密度時的問題，一種方案是使用感光熒光性，具有熒光感光劑(M.A.Baldo等人，Nature 403(2000)，750)；B.W.D’Andrade等人，Appl.Phys.Lett.79(2001)1045；Forrest等人的US6310360B1，1999)。在這種情況下，光發(fā)射來自合適的單態(tài)發(fā)射摻雜劑的單態(tài)激子的熒光性。然而，主材料上的三態(tài)經(jīng)附加的熒光感光劑摻雜劑(混合三態(tài)和單態(tài))轉(zhuǎn)移到單態(tài)發(fā)射體摻雜劑。原則上，利用這個方案也可能實現(xiàn)100％內(nèi)部量子效率。則在較高電流密度時可利用單態(tài)發(fā)射的優(yōu)點。這個方案的實施沒有產(chǎn)生突出的效果，可能是由于涉及的三個分子的復(fù)雜的相互作用。
用于提高三態(tài)OLED的效率的另一種方案可從Hu等人那里知道(W.Hu等人Appl.Phys.Lett.77(2000)4271)。對于發(fā)紅光的OLED，使用純層作為發(fā)射體層(5，銪絡(luò)合物Eu(DBM(3TPPO)，空穴阻擋層用于“激子限制”，如上所述。由于三態(tài)激子的長壽命，后者被自由空穴的湮滅是一個重要的過程。因此，Wu等人提出具有發(fā)射區(qū)(5)的多層結(jié)構(gòu)的OLED。發(fā)射區(qū)包括多個(n倍)小單元，小單元包括發(fā)射體本身和阻擋層材料BCP(浴銅靈bathocuproine){BCP2.5nm/Eu(DBM)3TPPO 2.5nm}η。確定雙效率，盡管結(jié)合了增加的工作電壓。這個情況下兩個半導(dǎo)體之間的界面是I類型的(“類型I異質(zhì)結(jié)”，參見圖2左部)。如果材料A(這里為Eu絡(luò)合物，HOMO＝6.4eV，LUMO＝3.6eV)和材料B(這里為BCP，HOMO＝6.7eV，LUMO＝3.2.eV)的HOMO和LUMO的值設(shè)置成使得兩種電荷載流子類型在與材料B的界面處被阻擋(因此兩種類型的電荷載流子優(yōu)選地位于材料A上)，則出現(xiàn)這種設(shè)置。在來自Hu等人的多個異質(zhì)結(jié)部分中，空穴密度在材料A的右手邊較高(空穴在陰極方向在Eu絡(luò)合物和BCP之間的界面處被阻擋)，并且在材料A的左手邊電子密度較高。因此，空穴和電子密度的重疊不是最佳的，因為兩者被層A的厚度分開。Hu等人堅持BCP中間層使發(fā)射層中的空穴密度最小化。然而，由于這將增加OLED的工作電壓，因此這是不希望的。而且，為了實現(xiàn)高效率，對于三態(tài)OLED需要發(fā)射體摻雜方案(“聚集淬滅”)。對于后者，不再容易實現(xiàn)類型I多異質(zhì)結(jié)，因為這將預(yù)示著使用具有極高帶隙的阻擋層材料。
在通常的OLED中，如圖1所示，空穴阻擋層(6a)的功能是用于有效地阻止空穴離開發(fā)射區(qū)(5)。對于三態(tài)發(fā)射體OLED，發(fā)射區(qū)通常包括具有高帶隙的主材料(如CBP-二咔唑-聯(lián)苯，雙極傳輸材料，HOMO＝-6.3eV，LUMO＝-3.0eV；BCP，OXD7-雙(丁基苯基)噁二唑，HOMO＝-6.4eV，LUMO＝-2.9eV，TAZ-苯基(萘基)苯基-三唑＝典型的電子傳輸材料；TCTA-三(咔唑基)三苯胺，空穴傳輸材料)。帶隙在3.2eV和3.5eV之間(這些材料在光電激勵下可能發(fā)射藍光)。這些主材料與具有較小帶隙(對于綠光發(fā)射為大約2.4eV，例如Ir(ppy)3)的三態(tài)發(fā)射體摻雜劑混合。材料的帶隙之間的這個大差別與三態(tài)激子的特性有關(guān)用于有機材料上的三態(tài)激子的激子約束能量很高。因此，主分子上的三態(tài)激子具有比對應(yīng)帶隙較低的能量。為了使三態(tài)激子仍然能從主材料向摻雜劑進行有效的能量轉(zhuǎn)移，后者必須也具有較低的帶隙。因此，用于綠光單態(tài)發(fā)射體摻雜劑的典型主材料Alq3，實際上不再適合作為用于三態(tài)發(fā)射體摻雜劑的主材料。由于發(fā)射區(qū)主分子的高帶隙，具有高帶隙的材料必須也用于阻擋層?？昭ㄗ钃醪牧?從層5到6a)的一個例子是BCP或BPhen(Bphen紅菲繞啉，帶隙大約為3.5eV，HOMO＝-6.4eV，LUMO＝-3.0eV)。BPhen的帶隙只比典型主材料(例如，TCTA3.4eV到3.2eV)大一點，但是它必須能夠有效地阻擋空穴，并且它的HOMO必須很低。在通常三態(tài)發(fā)射OLED的這種設(shè)置的情況下，材料A和B之間的界面(A＝5中的發(fā)射層材料，B＝6a中的阻擋層材料)形成所謂的交錯型II異質(zhì)結(jié)(參見圖2，右手側(cè))。這個界面的基本性能是兩種類型的電荷載流子在相同的界面被阻擋(只在不同側(cè))，就是說，這兩種類型的電荷載流子是在從陽極到陰極的它們的路途上的空穴和在從陰極到陽極的它們的路途上的電子。由于兩種類型的電荷載流子的增加的密度只被單層分子分開，因此界面復(fù)合是可能的。只有如果可以將在A上和稍后在A中的三重態(tài)摻雜劑(例如TCTA中的Ir(ppy)3)上的激子中的這些界面激子轉(zhuǎn)移，這個復(fù)合對于光產(chǎn)生是有效的。這里必須考慮從B向A進行的電子轉(zhuǎn)移(導(dǎo)致從A進行三態(tài)發(fā)射)在大多情況下是在能量方面(energetically)優(yōu)選的(即使高LUMO勢壘存在)，因為電子轉(zhuǎn)移到A中的已經(jīng)帶正電荷的分子。由于可以直接達到A上的能量方面的穩(wěn)定三態(tài)，因此不必達到A中的LUMO值。對于相同的論據(jù)，當(dāng)然，還可以形成B上的激子。然而，B是阻擋層材料，因此不能從其三態(tài)放射性地復(fù)合。這降低了OLED的效率。由于三態(tài)激子的高約束能量(高達1.5eV)，因此在OLED中不容易形成交錯型II異質(zhì)結(jié)，能夠只在該材料(前面例子中的A)上產(chǎn)生三態(tài)激子，其中在那里可以從三態(tài)有效地產(chǎn)生光。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提出一種部件結(jié)構(gòu)，其中產(chǎn)生的所有三態(tài)激子能夠影響光發(fā)射，或者該部件中的所有電荷載流子預(yù)先復(fù)合以形成三態(tài)激子。
根據(jù)本發(fā)明，該目的是通過權(quán)利要求1和2中所述的特征來實現(xiàn)的。從屬權(quán)利要求涉及有利的改善。
根據(jù)本發(fā)明，三態(tài)激子的產(chǎn)生發(fā)生在兩種材料A(空穴傳輸材料或雙極傳輸材料)和B(電子傳輸材料或雙極傳輸材料)之間的類型“交錯型II異質(zhì)結(jié)”的至少一個內(nèi)部界面處。A和B之間的能量設(shè)置使得包括A上的空穴和類型B的直接相鄰的分子上的電子的具有總自旋1(三態(tài))的界面電荷載流子對具有足夠高的能量，以便能使其有效地轉(zhuǎn)換成A上和/或B上的三態(tài)激子。由于該部件結(jié)構(gòu)，在A上和/或B上產(chǎn)生的所有三態(tài)激子有效地轉(zhuǎn)換成可見光。
提供類型II的多異質(zhì)結(jié)(“交錯型II”)用于發(fā)射區(qū)(5)。發(fā)射區(qū)(5)的結(jié)構(gòu)對應(yīng)下列設(shè)置材料A-材料B-材料A-材料B…([AB]η)，其中下列實施例和性能是可能的-材料A是空穴傳輸材料(和用于三態(tài)發(fā)射體摻雜劑的主材料)，材料B是電子傳輸材料(和用于三態(tài)發(fā)射體摻雜劑的主材料)。
-材料A可以是雙極傳輸材料(和用于三態(tài)發(fā)射體摻雜劑的主材料)，材料B是電子傳輸材料(和用于三態(tài)發(fā)射體摻雜劑的主材料)。
-材料A可以是空穴傳輸材料(和用于三態(tài)發(fā)射體摻雜劑的主材料)，材料B是雙極傳輸材料(和用于三態(tài)發(fā)射體摻雜劑的主材料)。
對于只有一種材料A或B用三態(tài)發(fā)射體摻雜劑摻雜也落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。A和B之間的HOMO和LUMO水平的能量設(shè)置必須是類型“交錯型II異質(zhì)結(jié)”(圖2，右手側(cè)，圖3)。因此在每個界面AB處，空穴停止于從陽極到陰極的它們的路途上，電子停止于從陰極到陽極的它們的路途上。阻擋效率(原則上由勢壘高度確定)對于電子和空穴可能是不同的。在本發(fā)明的具體情況下，不阻擋一種類型的電荷載流子。在這種情況下該界面也被看作是類型“交錯型II異質(zhì)結(jié)”。發(fā)射區(qū)中的界面的數(shù)量n可以是1或大于1(例如，圖3中n＝3)。如果n＝1，則材料A和B必須用三態(tài)發(fā)射體摻雜劑摻雜，以便使該構(gòu)造在本發(fā)明的范圍內(nèi)。層ABABAB…的層厚不必是相同的，它們可以選擇，使得發(fā)射區(qū)中的電荷載流子的均勻分布成為可能并且在每個內(nèi)部界面處的電荷載流子的密度很高。在材料A和B之一是用于兩種類型電荷載流子(例如在圖3中所示的能級設(shè)置的情況下的空穴)之一的較強阻擋器時，這個不相同的分布特別重要。則(在該例中為材料B的)對應(yīng)層厚應(yīng)該足夠薄以便使足夠的電荷載流子遂穿。
在只有所包括層之一用三態(tài)發(fā)射體摻雜劑摻雜的情況下(如圖3所示，只有材料A)，另一層用于保持異質(zhì)結(jié)界面處的電子和空穴的密度為很高。這意味著如果它是電子傳輸材料，這種材料必須有效地阻擋空穴，或者如果它是空穴傳輸材料，則它必須有效地阻擋電子。這還意味著未摻雜的材料必須具有比用三態(tài)發(fā)射體摻雜的材料更高的帶隙。而且，未摻雜材料中的三態(tài)激子的能量必須大于或等于摻雜材料的三態(tài)激子的能量。則保證了在激子已經(jīng)形成在未摻雜材料(例如B)上的情況下，這可以擴散到下一界面AB，在那里它能將其能量釋放給摻雜材料(這里是A)上的三態(tài)激子，或者三態(tài)激子能量向三態(tài)發(fā)射體摻雜劑(這里在A中)的有效直接轉(zhuǎn)移成為可能。由于B上的三態(tài)激子的長壽命，這個能量轉(zhuǎn)移將以幾乎100％的概率發(fā)生。
在內(nèi)部界面AB處的激子密度如此高以至于“界面激子飽和”的效果占主導(dǎo)地位時，這里存在的該結(jié)構(gòu)等同地允許已經(jīng)離開第一界面區(qū)AB的電荷載流子能復(fù)合，從而在下一界面AB處形成三態(tài)激子。
由類型“交錯型II異質(zhì)結(jié)”的多個界面構(gòu)成的發(fā)射區(qū)(5)的結(jié)構(gòu)并行地允許下列事實-在沒有達到相反接觸的情況下所有空穴和電子能復(fù)合，-所有空穴和電子在發(fā)射區(qū)中的有源界面附近復(fù)合，-所有激子不能離開發(fā)射區(qū)，和-所有激子都在發(fā)射區(qū)的區(qū)域中產(chǎn)生，其中在所述區(qū)域中它們能將它們的能量轉(zhuǎn)移給位于整個發(fā)射區(qū)中的或發(fā)射區(qū)的部分中的三態(tài)發(fā)射體摻雜劑。
本發(fā)明可以避免常規(guī)三態(tài)OLED的所有上述問題并獲得這種OLED的最高可能效率而在所需材料的選擇上不進一步限制，以便進一步最優(yōu)化性能(如低工作電壓)。


為了使用典型實施例介紹本發(fā)明，在下列附圖中圖1表示在沒有施加電壓、帶彎曲或?qū)δ芗壍慕缑嫘Ч绊懙那闆r下在前言中所述的已知OLED結(jié)構(gòu)的示意能量圖。
圖2中左邊表示具有對應(yīng)“類型I異質(zhì)結(jié)”的能級設(shè)置的材料A和B之間的示意能量圖，右邊表示用于A和B之間的界面的“交錯型II異質(zhì)結(jié)”設(shè)置的示意能量圖；在本例中，空穴阻擋效果表示為較大(較高的勢壘)。
圖3表示其中n＝3(ABABAB)的類型“交錯型II異質(zhì)結(jié)”的多異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的示意能量圖；這里只有材料A摻雜了三態(tài)發(fā)射體摻雜劑；為了完整性，等同地示出了周圍層的能量位置(4或4a，6或6a)。
圖4表示例2(下列)ABABAB結(jié)構(gòu)中所述的設(shè)置中的示意狀態(tài)。
圖5表示在例3(下列)AB結(jié)構(gòu)(摻雜A和B)所述的設(shè)置中的示意狀態(tài)。
圖6表示對于標(biāo)準OLED的電流效率與電流密度特性曲線，如例4中的OLED(n＝2)和例3中的OLED(n＝1并具有摻雜空穴傳輸層和摻雜電子傳輸層)。
具體實施例方式
下面介紹本發(fā)明的優(yōu)選實施例。示出了發(fā)射區(qū)(5)內(nèi)的多異質(zhì)結(jié)的一般情況。
具有從三態(tài)激子發(fā)射的OLED包括下列層
例11、襯底，2、底部電極，例如空穴注入(陽極)，3、空穴注入層，4、空穴傳輸層(HTL)，4a、可能的話，還有阻擋層，空穴側(cè)，光發(fā)射區(qū)＝多異質(zhì)結(jié)(n＝3)5A1d、用發(fā)射體摻雜劑摻雜的空穴傳輸材料(或雙極傳輸材料)，5B1d或5B1u、電子傳輸層(或雙極傳輸層)，可能用發(fā)射體摻雜劑摻雜，5A2d、用發(fā)射體摻雜劑摻雜的空穴傳輸材料(或雙極傳輸材料)，5B2d或5B2u、電子傳輸層(或雙極傳輸層)，可能用發(fā)射體摻雜劑摻雜，5A3d、用發(fā)射體摻雜劑摻雜的空穴傳輸材料(或雙極傳輸材料)，5B3d或5B3u、電子傳輸層(或雙極傳輸層)，可能用發(fā)射體摻雜劑摻雜，6、電子傳輸層(ETL)，7、電子注入層，8、頂部電極(陰極)，9、封裝，其中界面ABAB…是“交錯型II異質(zhì)結(jié)”類型的。
所述實施例的典型實現(xiàn)是(圖4的)下列材料順序。這些材料是企圖表示根據(jù)本發(fā)明的層順序的例子。
例21、玻璃襯底，2、ITO陽極，4、用F4-TCNQ 100nm(導(dǎo)電性增加)摻雜的星放射狀(MTDATA)，
4a、TPD(三苯基二胺)，5nm，HOMO＝-5.4eV，LUMO＝-2.4eV，光發(fā)射區(qū)＝多異質(zhì)結(jié)(n＝3)5A1d、用用做三態(tài)發(fā)射體的Ir(ppy)3摻雜的TCTA，10nm，5B1u、BPhen 5nm5A2d、TCTAIr(ppy)3 15nm5B2u、BPhen 5nm5A3d、TCTAIr(ppy)3 2nm5B3u、BPhen 10nm6、Alq3 40nm7、LiF(氟化鋰)1nm，8、鋁(陰極)。
在這種情況下，體現(xiàn)了界面AB，使得在界面AB處更有效地阻擋空穴。這是必須的，因為只有材料A用發(fā)射體摻雜劑摻雜了，并因此在材料A中存在較高的電荷載流子密度。然而，甚至更重要的是B中的三態(tài)激子具有比A中的能量更大的能量。因此，B上產(chǎn)生的激子后來可以轉(zhuǎn)換成A(或A中的發(fā)射體摻雜劑)上的激子。
從圖4中的能級設(shè)置明顯看出-在內(nèi)部三態(tài)發(fā)射體摻雜層TCTA(5A2，對于層5A1和5A3也是相同的意見)中產(chǎn)生的激子不能離開后者，因為BPhen上的三態(tài)具有更高的能量。
-在層5B1和5B2中產(chǎn)生的激子能在兩個方向擴散至與TCTAIr(ppy)3的界面，在那里它們可以轉(zhuǎn)換成TCTA上或Ir(ppy)3上的三態(tài)激子(這些三態(tài)激子具有較低能量)。后者與光發(fā)射組合。
-穿過發(fā)射區(qū)的空穴后來可以在5A3和5B3之間的界面復(fù)合，從而形成三態(tài)激子，主要在5A3上形成那些激子(這里為TCTAIr(ppy)3)。
-穿過發(fā)射區(qū)的電子后來可以在5A1和4A之間的界面與空穴復(fù)合(后者在4a與5A1的界面處被較弱地阻擋)。在那里它們能在TCTA或Ir(ppy)3(在5A1中)上形成激子。
選擇各個層的厚度，以便實現(xiàn)發(fā)射區(qū)內(nèi)的空穴和電子之間的良好平衡(阻擋效果和電荷載流子傳輸之間的平衡)。因此，最后TCTAIr(ppy)3層(5A3)的厚度小于層5A1和5A2的厚度。這允許良好的電子注入到其它發(fā)射體摻雜層(5A1和5A2)中，因為TCTA具有對于電子注入的相對低勢壘，但是具有相對低的電子遷移率。然而，層5A3的厚度足夠大，使得到達所述層的其余空穴與位于其中的電子復(fù)合。所有注入的空穴和電子將在發(fā)射區(qū)內(nèi)復(fù)合，并且隨后輻射性地衰減，因為形成的所有激子能夠到達它們能借助三態(tài)發(fā)射體摻雜劑衰減的發(fā)射區(qū)的一部分。如果發(fā)射區(qū)內(nèi)的阻擋層和電子傳輸材料(BPhen)用相同或不同的三態(tài)發(fā)射體摻雜劑相同地摻雜，則OLED將同樣很好地執(zhí)行功能。
在兩個前述例子中n＝3，但是異質(zhì)結(jié)的數(shù)量可以更高或更低。在n＝1的情況下，異質(zhì)結(jié)的兩種材料A和B必須用三態(tài)發(fā)射體摻雜劑摻雜，以便獲得根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。具有示范材料的優(yōu)選的示范實施例是(見圖5)例31、襯底，2、底部電極，例如，ITO陽極，3、空穴注入層，例如酞菁，4、空穴傳輸層，例如MTDATAF4-TCNQ，4a、空穴側(cè)的阻擋層，例如TPD，光發(fā)射區(qū)＝多異質(zhì)結(jié)(n＝1)5AId、用發(fā)射體摻雜劑摻雜的空穴傳輸層，例如TCTAIr(ppy)3，5B1d、用發(fā)射體摻雜劑摻雜的電子傳輸層和空穴阻擋層，例如BphenIr(ppy)3，6a、電子側(cè)上的阻擋層，例如BCP，6、電子傳輸層，例如Alq3，
7、電子注入層，例如LiF，8、頂部電極(陰極)，例如鋁。
在這個OLED結(jié)構(gòu)中形成激子再次在界面5A1和5B1附近發(fā)生(因為后者形成“交錯型II異質(zhì)結(jié)”)。界面激子能夠?qū)⑺鼈兊哪芰哭D(zhuǎn)移給層5A1或5B1中的三態(tài)激子。這兩層都用三態(tài)發(fā)射體摻雜劑摻雜。它們能在那里擴散，但是在與4a和6a的界面處停止，因此在摻雜層中放射性地衰減。都用三態(tài)發(fā)射體摻雜的空穴傳輸材料和電子傳輸材料的使用允許所有激子能夠放射性地復(fù)合。
圖6表示根據(jù)示范實施例3的樣品的電流效率/電流密度特性曲線。準確的OLED結(jié)構(gòu)是ITO/100nm p摻雜的MTDATA(4)/10nmIr(ppy)3摻雜的TCTA(5A1d)/10nm Ir(ppy)3摻雜的Bphen(5B1d)/40nmBphen(6)/1nm LiF(7)/Al(8)。在本實施例中，層(4)結(jié)合了空穴傳輸和阻擋層性能。
下面提出具有示范材料的另一示范實施例，并且其光電性能與標(biāo)準例子(在發(fā)射區(qū)中沒有異質(zhì)結(jié))相比較。
例41、襯底，2、ITO陽極，4、MTDATAF4-TCNQ 100nm，光發(fā)射區(qū)＝多異質(zhì)結(jié)(n＝2)5A1d、TCTA Ir(ppy)3，20nm，5B1u、BPhen 10nm，5A2d、TCTAIr(ppy)3 1.5nm，5B2u、BPhen 20nm，6、Alq3 30nm，7、LiF 1nm，
8、鋁。
在這個結(jié)構(gòu)中已經(jīng)省略了阻擋層，因為(i)MTDATA已經(jīng)有效地阻擋了電子，和(ii)多異質(zhì)結(jié)(5B2)的最后層已經(jīng)同樣的用做空穴的阻擋層。
標(biāo)準結(jié)構(gòu)包括標(biāo)準結(jié)構(gòu)2ITO4MTDATAF4TCNQ 100nm5TCTAIrppy 20nm6aBphen 20nm6Alq3 30nm7LiF 1nm8Al。
在圖6中，比較這兩種OLED的效率(作為電流密度的函數(shù))。沒有多異質(zhì)結(jié)的效率至多為20cd/A，具有多異質(zhì)結(jié)(n＝2)的效率大于40cd/A。在OLED中不使用其他材料的情況下可以使OLED效率增加2倍。圖6附加地示出了OLED形式例3的效率曲線。這也表示了效率的加倍。
電流效率的增加不能歸結(jié)于微腔效應(yīng)，因為樣品的絕對層厚度大致相同，有機層的折射率只在邊緣上不同。因此，不希望在正向方向增加亮度。
OLED的發(fā)射區(qū)中的異質(zhì)結(jié)從具有單激子狀態(tài)發(fā)射的OLED可知。與本發(fā)明相反，這些通常在所謂的多量子阱結(jié)構(gòu)中使用未摻雜層(Y.ohmori等人Appl.Phys.Lett.62，(1993)，3250；Y.ohmori等人Appl.Phys.Lett.63，(1993)，1871)。這些量子阱結(jié)構(gòu)(有時也稱為超晶格或多層結(jié)構(gòu))設(shè)計成可以影響OLED的發(fā)射光譜。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這種結(jié)構(gòu)(例如與TPD交替的Alq3；這個界面也是類型II之一)不會導(dǎo)致OLED的效率的明顯增加。Mori等人(T.Mori等人，J.Phys.D-Appl.Phys.32(1999)，1198)已經(jīng)調(diào)查了堆疊結(jié)構(gòu)對在發(fā)射區(qū)中具有單發(fā)射體摻雜劑的OLED的影響，甚至發(fā)現(xiàn)了OLED的效率的降低。因此，應(yīng)該注意到，多層發(fā)射區(qū)型II在單態(tài)發(fā)射情況下與在前述三態(tài)發(fā)射情況下不同地工作。如前所述，這與更長的三態(tài)激子壽命和增加的激子約束能量相關(guān)。其原因是對于單態(tài)激子的相對容易構(gòu)成類型II的界面的概率，其中激子只形成在界面的一側(cè)，即優(yōu)選具有單激子狀態(tài)的放射性復(fù)合的較高產(chǎn)量的一側(cè)。然而，由于三態(tài)激子的較高的約束能量，這些三態(tài)激子形成在界面的兩種材料上。基于在這個專利中提出的結(jié)構(gòu)的部件的優(yōu)點在于它能有效地“收集”空穴和電子并將它們轉(zhuǎn)換成光。
由Huang等人發(fā)表的文章(J.S.Huang Jpn.J.Appl.Phys.40(2001)6630)提出了一種多量子阱結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)用螺環(huán)TAD(spiro-TAD)(材料TPD的穩(wěn)定形式)和Alq3(就是說類型II界面)在標(biāo)準結(jié)構(gòu)中構(gòu)成發(fā)射區(qū)(5)。在該情況下(在4.5V的工作電壓下，從4到4.5cd/A)也沒有發(fā)現(xiàn)明顯的效率增加。另一方面，Huang等人(J.S.Huang等人，Appl.Phys.Lett.73(1998)3348)發(fā)現(xiàn)對于在發(fā)射區(qū)(5)中具有Alq3和被摻雜在Alq3中的紅熒烯(橙色單態(tài)發(fā)射體染料)的多層結(jié)構(gòu)在效率上有明顯增加。這種結(jié)構(gòu)形成類型I異質(zhì)結(jié)，其中只收集在紅熒烯摻雜層中的激子，因此不符合這個專利。單態(tài)發(fā)射體OLED中的另一方案是Sakamoto等人的(G.Sakamoto等人，Appl.Phys.Lett.75(1999)766)。他提出具有下列層順序的OLED結(jié)構(gòu)陽極/空穴注入層/用紅熒烯摻雜的空穴傳輸層/用紅熒烯摻雜的電子傳輸層和發(fā)射層(Alq3)/陰極。這個部件的效率與其中只有發(fā)射層用紅熒烯摻雜的部件相比只增加了一點兒。主要效果是OLED的壽命的增加。通過減少發(fā)射層Alq3中的自由空穴的密度將產(chǎn)生更高的穩(wěn)定性，這將減少Alq3的不能還原的氧化。雙摻雜OLED中的效率的較小增加可以歸因于發(fā)射層中的空穴和電子的改進了的平衡。
上述例子介紹了這里所提出的概念。本領(lǐng)域的專家可以提出根據(jù)本發(fā)明的這里未全部詳細公開的很多另外的典型例子。例如，如果材料C具有與材料A(空穴傳輸或雙極傳輸)相似的性能和材料D具有與材料B(電子傳輸或雙極傳輸)相似的性能，并且界面是類型II，顯然部件結(jié)構(gòu)ABAB…還可以是類型ABCD…。
參考標(biāo)記列表1、襯底2、陽極或陰極3、空穴注入層(為了提高導(dǎo)電性而可能摻雜)4、空穴傳輸層(為了提高導(dǎo)電性而可能摻雜)4a、空穴側(cè)的阻擋層5、發(fā)光層，可包括各種層5A1d、5A2d、5A3d用發(fā)射體摻雜劑摻雜的類型A(空穴傳輸)的多異質(zhì)結(jié)材料5B1d、5B2d、5B3d用發(fā)射體摻雜劑摻雜的類型B(電子傳輸和空穴阻擋器)的多異質(zhì)結(jié)材料5B1u、5B2u、5B3u不用發(fā)射體摻雜劑摻雜的類型B(電子傳輸和空穴阻擋器)的多異質(zhì)結(jié)材料6a、電子側(cè)上的阻擋層6、電子傳輸層(為了提高導(dǎo)電性而可能摻雜)7、電子注入層(為了提高導(dǎo)電性而可能摻雜)8、陰極9、封裝A、異質(zhì)結(jié)的第一部分B、異質(zhì)結(jié)的第二部分
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光部件，其具有有機層并以提高的效率發(fā)射三激態(tài)(熒光)，并且具有以下層順序空穴注入接觸件(陽極)、一個或多個空穴注入和傳輸層、在光發(fā)射區(qū)中的層的系統(tǒng)、一個或多個電子傳輸和注入層以及電子注入接觸件(陰極)，其特征在于光發(fā)射區(qū)包括具有形成類型“交錯型II”的界面的材料A和B(ABAB…)的一系列異質(zhì)結(jié)、具有空穴傳輸或雙極傳輸性能的一種材料(A)以及具有電子傳輸或雙極傳輸性能的另一種材料(B)，并且這兩種材料A或B中的至少一種用能有效地將其三態(tài)激子能量轉(zhuǎn)換成光的三態(tài)發(fā)射體摻雜劑混合。
2.一種發(fā)光部件，其具有有機層并以提高的效率發(fā)射三激態(tài)(熒光)，并且具有以下層順序空穴注入接觸件(陽極)、一個或多個空穴注入和傳輸層、在光發(fā)射區(qū)中的層的系統(tǒng)、一個或多個電子傳輸和注入層以及電子注入接觸件(陰極)，其特征在于光發(fā)射區(qū)包括具有材料A和B的異質(zhì)結(jié)(AB)，其界面是類型“交錯型II”；具有空穴傳輸或雙極傳輸性能的材料(A)以及具有電子傳輸或雙極傳輸性能的另一種材料(B)，并且材料A或B都用能有效地將其三態(tài)激子能量轉(zhuǎn)換成光的三態(tài)發(fā)射體摻雜劑混合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的發(fā)光部件，其特征在于光發(fā)射區(qū)中的多異質(zhì)結(jié)的兩種材料以摻雜方式與相同的三態(tài)發(fā)射體摻雜劑混合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項的發(fā)光部件，其特征在于所述多異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的材料A與一種三態(tài)發(fā)射體摻雜劑混合，并且材料B與另一種三態(tài)發(fā)射體摻雜劑混合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項的發(fā)光部件，其特征在于材料A(或材料B)與三態(tài)發(fā)射體摻雜劑混合，材料B(或材料A)不與這種摻雜劑混合，B(或A)上的最低三態(tài)能量至少與材料A(或B)上的三態(tài)能量一樣大，因此能夠進行B上的三態(tài)激子向A上的三態(tài)激子的能量的有效傳輸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項的發(fā)光部件，其特征在于材料A(或材料B)與三態(tài)發(fā)射體摻雜劑混合，材料B(或A)與能從單態(tài)有效地發(fā)射光的發(fā)射體摻雜劑混合，B(或A)上的最低三態(tài)能量至少與材料A(或B)上的三態(tài)能量一樣大，因此可以進行B上的三態(tài)激子向A上的三態(tài)激子的能量的有效傳輸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4至6任一項的發(fā)光部件，其特征在于所述異質(zhì)結(jié)在兩次(A1，B1，A2，B2)和十次([AB]10)之間出現(xiàn)在光發(fā)射區(qū)內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項的發(fā)光部件，其特征在于所述A和B之間的界面在從A到B的界面處能阻擋空穴，在從B到A的界面處能阻擋電子(定義為“交錯型II異質(zhì)結(jié)”)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項的發(fā)光部件，其特征在于所述A和B之間的界面在從A到B(或從B到A)的界面處能阻擋空穴(或電子)，在從B到A(或從A到B)的界面處僅能微弱地阻擋電子(或空穴)(用于電荷載流子注入的勢壘＜0.2eV)，并且材料B(或A)具有比材料A(或B)更大的帶隙。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項的發(fā)光部件，其特征在于選擇材料A和B以及發(fā)射體摻雜劑，從而能夠進行從A和B上的單激子和三態(tài)激子向發(fā)射體摻雜劑的能量的有效傳輸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10任一項的發(fā)光部件，其特征在于選擇發(fā)射區(qū)內(nèi)的各層(A1，B1，A2，B2…)的厚度，以便實現(xiàn)OLED的最大效率和最低工作電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11任一項的發(fā)光部件，其特征在于所述OLED包含在最內(nèi)層空穴傳輸層和第一光發(fā)射層(A1)之間的阻擋層，其中存在用于從A1向空穴傳輸層注入電子的勢壘。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12任一項的發(fā)光部件，其特征在于所述OLED的層順序還包含在最內(nèi)層電子傳輸層和最后光發(fā)射層(Bn)之間的阻擋層，其中存在用于從光發(fā)射層向電子傳輸層注入空穴的勢壘。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13任一項的發(fā)光部件，其特征在于類型ABAB…的結(jié)構(gòu)也可以是類型ABCD，材料C具有與材料A(空穴傳輸或雙極傳輸)相似的性能，材料D具有與材料B相似的性能(電子傳輸或雙極傳輸)，并且在所述材料之間存在類型“交錯型II”的界面。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14任一項的發(fā)光部件，其特征在于有機層的層厚在0.1nm至50μm的范圍。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至15任一項的發(fā)光部件，其特征在于所述層包括作為在真空中淀積的蒸氣的小分子，或者完全或部分地包括聚合物。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16任一項的發(fā)光部件，其特征在于所述混合層是通過在真空中混合汽化產(chǎn)生的，或者是通過從溶液施加混合層或通過依次施加所述材料然后將摻雜劑擴散到這些層中而產(chǎn)生的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光部件，它具有有機層和以提高的效率發(fā)射三激態(tài)(熒光)，并具有以下層順序空穴注入接觸件(陽極)、一個或多個空穴注入和傳輸層、在發(fā)光區(qū)中的層的系統(tǒng)、一個或多個電子傳輸和注入層以及電子注入接觸件(陰極)，其特征在于發(fā)光區(qū)包括具有形成類型“交錯型II”的界面的材料A和B(ABAB…)的一系列異質(zhì)結(jié)、具有空穴傳輸或雙極傳輸性能的一種材料(A)以及具有電子傳輸或雙極傳輸性能的另一種材料(B)，并且這兩種材料A或B中的至少一種用能有效地將其三態(tài)激子能量轉(zhuǎn)換成光的三態(tài)發(fā)射體摻雜劑混合。
文檔編號H01L51/50GK1663060SQ03814609
公開日2005年8月31日 申請日期2003年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月24日
發(fā)明者秦大山, 周翔, 楊·布魯赫維茲-尼莫斯, 馬丁·菲弗 申請人:諾瓦萊德有限公司