技術(shù)編號：39725816
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。各個方面涉及憶阻結(jié)構(gòu)、包括多個憶阻結(jié)構(gòu)的憶阻陣列及其方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)的方法，例如用于形成憶阻結(jié)構(gòu)陣列的方法。背景技術(shù)、一般來說，各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用可能依賴于晶體管技術(shù)。然而，發(fā)現(xiàn)電阻陣列對于一些數(shù)據(jù)處理應(yīng)用也是有用的。這種基于電阻器的技術(shù)被進(jìn)一步開發(fā)，以允許選擇性地重新配置電阻器的電阻。例如，這種具有非易失性、可重新配置電阻的器件可以被稱為憶阻器件或憶阻器。開發(fā)憶阻器交叉陣列是為了在一些數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用中取代晶體管和存儲單元。然而，基于憶阻器的交叉陣列中泄漏電流的出現(xiàn)會限制這種結(jié)...
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