專利名稱：近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法和近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用光、尤其是近場(chǎng)光來將各種信息記錄于記錄介質(zhì)的記錄頭所搭載的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法和近場(chǎng)光產(chǎn)生元件。
背景技術(shù)：
近幾年，信息處理設(shè)備中的信息記錄再現(xiàn)裝置，被要求在將裝置本身小型化的基礎(chǔ)上進(jìn)行更大量的信息的記錄再現(xiàn)。因此，記錄信息的介質(zhì)、例如硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁介質(zhì)等密度逐年提高。為了響應(yīng)這樣的記錄密度的高密度化，有必要使作為一個(gè)記錄單位的磁疇(設(shè)在記錄介質(zhì)上的小的磁體)更小且接近，但如果縮小，則由于相鄰的磁疇的影響或周圍的熱能等而發(fā)生已進(jìn)行記錄的磁疇無意地反轉(zhuǎn)的現(xiàn)象。為了抑制這樣的現(xiàn)象，將頑磁強(qiáng)的材料用于記錄介質(zhì)。頑磁強(qiáng)的記錄介質(zhì)抑制無意的反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，取而代之如果在記錄時(shí)不施加更大的磁場(chǎng)則不能使磁疇反轉(zhuǎn)，變得難以記錄。為了消除這樣的不良狀況，提倡這樣的方式通過照射光，從而僅使進(jìn)行記錄的磁疇加熱升溫，使頑磁力下降，進(jìn)行重寫記錄。由于逐年進(jìn)步的記錄密度的上升，因而進(jìn)行記錄的磁疇本身變得非常小，因此，要求聚光為在現(xiàn)有的光學(xué)系統(tǒng)中被作為極限的光的波長以下的大小并加熱。為了實(shí)現(xiàn)這點(diǎn)，利用近場(chǎng)光，由此，能夠聚光為更微小的區(qū)域并加熱，據(jù)稱能夠?qū)崿F(xiàn)超過現(xiàn)有的信息記錄再現(xiàn)裝置等的高的記錄密度。在使用這樣的光輔助磁記錄方式來記錄信息的頭中，需要產(chǎn)生高強(qiáng)度的近場(chǎng)光的元件和設(shè)在該元件的極近處并且重寫介質(zhì)的信息的磁頭。尤其重要的是以高強(qiáng)度產(chǎn)生近場(chǎng)光的元件。作為這樣的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件提出有各種構(gòu)成。作為一個(gè)示例，可舉出專利文獻(xiàn)I和專利文獻(xiàn)2所示出的構(gòu)成。以與第一光波導(dǎo)介質(zhì)(芯)接觸的方式設(shè)置第二光波導(dǎo)介質(zhì)(包層)，以相比第一光波導(dǎo)介質(zhì)的低折射率構(gòu)成第二光波導(dǎo)介質(zhì)。以經(jīng)由該第一光波導(dǎo)介質(zhì)而被光照射的方式設(shè)置平面狀的微細(xì)的三角形的散射體(近場(chǎng)光產(chǎn)生元件)。這樣的構(gòu)造的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件由于不使用透鏡等就能夠從芯直接光照射散射體，因而在芯中不發(fā)生大的極化。由于不發(fā)生大的極化，因而不會(huì)消除在散射體表面聚集的電荷的效果，能夠產(chǎn)生高強(qiáng)度的近場(chǎng)光。專利文獻(xiàn)I :日本特開2007-280572號(hào)公報(bào)圖2專利文獻(xiàn)2 :日本特開2007-128573號(hào)公報(bào)圖
發(fā)明內(nèi)容
這樣的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件是由芯端面為一條邊幾百nm、散射體一條邊一百幾十nm、厚度幾十nm的極微小的構(gòu)造物構(gòu)成的元件。因此，可以考慮到，對(duì)生成近場(chǎng)光的散射體要求至少幾nm 十nm左右的高的尺寸精度。另外,在上述專利文獻(xiàn)中公開了由于芯、包層以及散射體的相對(duì)位置關(guān)系而導(dǎo)致所生成的近場(chǎng)光的強(qiáng)度大幅變動(dòng)的情況。然而，在上述專利文獻(xiàn)中未公開實(shí)現(xiàn)這樣的幾nm 幾十nm的位置和尺寸精度的制造方法。于是，本發(fā)明是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于，提供能夠高精度地制造芯、包層以及散射體的相對(duì)位置、散射體的尺寸的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法，另外，提供依據(jù)該制造方法制造的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件。為了達(dá)成上述目的本發(fā)明提供以下的方案。本發(fā)明的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于，具備包層成膜工序，將包層成膜于基板;第I槽形成工序，在包層形成第I槽；第2槽形成工序，在包層沿著第I槽的長度方向形成第2槽；金屬構(gòu)造物形成工序,在第I槽內(nèi)部形成金屬構(gòu)造物；芯形成工序，在第2槽內(nèi)部設(shè)置相比所述包層的高折射率材料的芯；以及散射體形成工序，通過將金屬構(gòu)造物相對(duì)于基板平面而垂直地切斷并研磨該切斷面來形成散射體。依據(jù)這樣的特征，能夠以期望的位置關(guān)系制造生成近場(chǎng)光的散射體與將光供給至散射體的光波導(dǎo)(芯和包層)的光軸的相互位置關(guān)系。因此，能夠效率良好地生成近場(chǎng)光。而且，由于在通過研磨形成散射體時(shí)，能夠保持埋沒于包層或芯原樣地研磨，因而能夠沒有破損地形成散射體。而且，由于能夠利用真空薄膜制造技術(shù)，因而能夠成批地制造多個(gè)元件，能夠?qū)崿F(xiàn)大量且低成本的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法。另外，本發(fā)明的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法特征在于在第I槽形成工序中，將與第I槽嵌合的第I模具壓接于包層，形成第I槽。另外，本發(fā)明的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法特征在于在包層成膜工序之后具有至少在包層上形成抗蝕劑的抗蝕劑形成工序，在第I槽形成工序中，將與第I槽嵌合的第I模具壓接于抗蝕劑，在抗蝕劑形成與第I槽大致相同形狀的槽，蝕刻與第I槽大致相同形狀的槽，由此在包層形成第I槽。另外，本發(fā)明的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法特征在于，第I槽形成工序利用切割刀片來形成第I槽。另外，本發(fā)明的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法特征在于在第2槽形成工序中，將與第2槽嵌合的第2模具壓接于包層，形成第2槽。依據(jù)這樣的特征，能夠統(tǒng)一地進(jìn)行高精度的槽加工，能夠高精度地加工在槽內(nèi)形成的芯和散射體。所以，能夠生成高效率的近場(chǎng)光，與此同時(shí)，能夠進(jìn)行大量制造。另外，本發(fā)明的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法特征在于，具備在芯形成工序之后對(duì)芯進(jìn)行平坦化的平坦化工序；以及在已進(jìn)行平坦化的芯上形成上包層(over clad)的工序。依據(jù)這樣的特征，由于能夠由包層有效地包圍芯，能夠防止在芯內(nèi)傳播的光的散射，因而光傳播效率提高，能夠產(chǎn)生高強(qiáng)度的近 場(chǎng)光。另外，本發(fā)明的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法特征在于在散射體形成工序中，在金屬構(gòu)造物設(shè)置電阻體，通過對(duì)該電阻體通電而根據(jù)變化的電阻體的阻值來研磨金屬構(gòu)造物的切斷面。依據(jù)這樣的特征，不需要通過目視進(jìn)行的研磨量控制，能夠進(jìn)行高精度的研磨量控制，能夠以高的尺寸精度形成散射體。因此，能夠生成高效率的近場(chǎng)光。另外，本發(fā)明提供通過上述的制造方法制造的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件。由于能夠以期望的位置關(guān)系制造生成近場(chǎng)光的散射體和光波導(dǎo)介質(zhì)的光軸的相互位置關(guān)系，因而能夠效率良好地生成近場(chǎng)光。


圖I是示出使用有頭萬向架組件的信息記錄再現(xiàn)裝置的構(gòu)成圖，其中頭萬向架組件利用本發(fā)明的第I實(shí)施方式涉及的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法制造。圖2是示出利用本發(fā)明的第I實(shí)施方式涉及的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法制造的頭萬向架組件的構(gòu)成圖。圖3是說明利用本發(fā)明的第I實(shí)施方式涉及的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法制造的頭萬向架組件的可撓基板的構(gòu)造的說明圖。圖4是說明利用本發(fā)明的第I實(shí)施方式涉及的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法制造的頭萬向架組件的滑塊的構(gòu)造的說明圖。圖5-1 (a) (f)是示出本發(fā)明的第I實(shí)施方式涉及的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法的說明圖。圖5_2(g) (i)是示出本發(fā)明的第I實(shí)施方式涉及的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的接續(xù)圖5-1的制造方法的說明圖。圖6是示出本發(fā)明的第2實(shí)施方式涉及的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法的說明圖。圖7是示出模具基板的制造方法的說明圖，其中模具基板用于本發(fā)明的第2實(shí)施方式涉及的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法。圖8是示出本發(fā)明的第3實(shí)施方式涉及的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法的說明圖。附圖標(biāo)記說明D記錄介質(zhì)；1信息記錄再現(xiàn)裝置；2滑塊；3懸架；11滑架；12頭萬向架組件；13可撓基板；204彎曲件；210近場(chǎng)光產(chǎn)生元件；211包層；212波導(dǎo)芯；213上部包層層；250散射體；251金；291、292、293抗蝕劑；295模具基板；296凹槽；297V槽；302電布線；303芯；310斜面；320可撓基板側(cè)光出射端。
具體實(shí)施例方式(第I實(shí)施方式)以下，參照?qǐng)DI至圖5，說明本發(fā)明涉及的第I實(shí)施方式。圖I是示出使用有頭萬向架組件的信息記錄再現(xiàn)裝置I的構(gòu)成圖，其中頭萬向架組件利用本發(fā)明涉及的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法制造。此外，信息記錄再現(xiàn)裝置I是以熱輔助磁記錄方式來對(duì)具有磁記錄層的記錄介質(zhì)D進(jìn)行寫入的裝置。如圖I所示，在信息記錄再現(xiàn)裝置I中，固定有滑塊2的懸架3固定于滑架11。將滑塊2和懸架3合稱為頭萬向架組件12。通過主軸電動(dòng)機(jī)7使圓盤狀的記錄介質(zhì)D沿既定的方向旋轉(zhuǎn)?；?1能夠以樞軸10為中心旋轉(zhuǎn)，借助致動(dòng)器6而旋轉(zhuǎn)，能夠?qū)⒒瑝K2配置于記錄介質(zhì)D表面的既定的位置，其中致動(dòng)器6由來自控制部5的控制信號(hào)控制。殼體9是由鋁等構(gòu)成的盒狀(在圖I中，為了使說明容易理解，省略包圍殼體9的周圍的周壁)，將上述的零件收納于其內(nèi)部。主軸電動(dòng)機(jī)7固定于殼體9的底面?；瑝K2具有磁極(省略圖示)，朝向記錄介質(zhì)D產(chǎn)生磁場(chǎng)；近場(chǎng)光產(chǎn)生元件(省略圖示)，產(chǎn)生近場(chǎng)光斑；以及磁頭(省略圖示)，再現(xiàn)記錄介質(zhì)D所記錄的信息。磁極和磁頭經(jīng)由沿著懸架3和滑架11敷設(shè)的可撓基板13、設(shè)在滑架11側(cè)面的端子14以及扁平電纜4而與控制部5連接?？刂撇?5具備電子電路和與電子電路連接的光源?？刂撇?的電子電路和可撓基板13內(nèi)的電布線電連接，光源和可撓基板13內(nèi)的光波導(dǎo)光學(xué)地連接。記錄介質(zhì)D可以是I枚，也可以如圖I所示是多枚。如果記錄介質(zhì)D的枚數(shù)增加，則頭萬向架組件12的個(gè)數(shù)也增加。在圖I中，示出僅在記錄介質(zhì)D的單面?zhèn)仍O(shè)有頭萬向架組件12的構(gòu)成，但也可以設(shè)在兩面。因而，頭萬向架組件12的個(gè)數(shù)最大成為記錄介質(zhì)D的塊數(shù)的兩倍。由此，能夠謀求信息記錄再現(xiàn)裝置的記錄容量的增加和裝置的小型化。圖2是利用本發(fā)明涉及的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法制造的頭萬向架組件12的放大圖。懸架3由以不銹鋼薄板作為材料的基底板201、鉸鏈202、負(fù)載梁203、彎曲件204構(gòu)成。基底板201通過設(shè)在其一部分的安裝孔201a而固定于滑架11。鉸鏈202連接基底板201和負(fù)載梁203。鉸鏈202比基底板201和負(fù)載梁203更薄，懸架3以鉸鏈202為中心而撓曲。彎曲件204是固定于負(fù)載梁203、鉸鏈202的細(xì)長的部件，比負(fù)載梁203和基底板201更薄，而且設(shè)有大致字形的開口 205，能夠容易地?fù)锨?。在彎曲?04的與負(fù)載梁203的安裝面相對(duì)的一面，設(shè)有由薄的板狀的樹脂構(gòu)成的可撓基板13。在彎曲件204的前 端部，經(jīng)過可撓基板13而固定有大致長方體形狀的滑塊2。圖3是說明前述的可撓基板13的構(gòu)造的說明圖。在由薄板狀的樹脂構(gòu)成的可撓基板13內(nèi)部，設(shè)有電布線302和光波導(dǎo)的芯303。光波導(dǎo)的芯303在彎曲件204的開口 205架橋而設(shè)置。在滑塊2側(cè)的芯303的一端面，設(shè)有大致45度的斜面310，在斜面310面上設(shè)有由金屬薄膜構(gòu)成的反射膜(省略圖示)。在光波導(dǎo)的芯303從另一端朝向斜面310傳播的光被斜面310的反射膜反射，出射至與滑塊2固定的一面(在圖3中，為Z軸正側(cè)XY面)。將該可撓基板13的表面中的光出射的區(qū)域稱為可撓基板側(cè)光出射端320。圖4是說明前述的滑塊2的構(gòu)造的說明圖?；瑝K2的Z軸正側(cè)XY面是與記錄介質(zhì)D (圖I)相對(duì)的面。該面被稱為ABS (AirBearing Surface :空氣支承表面)，設(shè)有微細(xì)的凹凸形狀(省略圖示)。在上述的構(gòu)成中，如果記錄介質(zhì)D旋轉(zhuǎn)，則由于在設(shè)于滑塊2的ABS和記錄介質(zhì)D之間產(chǎn)生的空氣流的粘性而產(chǎn)生用于使滑塊2浮起的期望的壓力。由于欲使滑塊2從記錄介質(zhì)D離開的正壓和欲將滑塊2拉近至記錄介質(zhì)D的負(fù)壓與懸架3產(chǎn)生的按壓力的平衡，滑塊2以期望的狀態(tài)浮起。記錄介質(zhì)D和滑塊2的間隙的最低值成為IOnm左右或其以下。懸架3產(chǎn)生的按壓力主要由于鉸鏈202的彈性而產(chǎn)生。另外，鉸鏈202和彎曲件204相對(duì)記錄介質(zhì)D表面的起伏而彈性變形，由此，滑塊2能夠維持期望的浮起狀態(tài)。另外，在滑塊2的Z軸正側(cè)XY面上且在X軸負(fù)側(cè)的端部，近場(chǎng)光產(chǎn)生元件210、磁極以及磁頭(省略圖示)以分別成為附近的方式配置。近場(chǎng)光產(chǎn)生元件210由與X軸大致平行地設(shè)置的波導(dǎo)芯212、設(shè)在波導(dǎo)芯212的Z軸正側(cè)端部的三角形平板狀的散射體250以及設(shè)在波導(dǎo)芯212周圍的包層211構(gòu)成。該散射體250是一條邊約一百nm的三角形。設(shè)在可撓基板13的電布線302與滑塊2電連接。詳細(xì)而言，經(jīng)過滑塊內(nèi)部的布線而與磁極的線圈和磁頭連接。流動(dòng)于線圈的電流導(dǎo)致磁極產(chǎn)生磁場(chǎng)，另外，磁頭將從記錄于記錄介質(zhì)的磁疇發(fā)出的磁場(chǎng)作為電氣輸出而輸出。另外，可撓基板13和滑塊2也光學(xué)地連接。從作為光源的半導(dǎo)體激光器出射的光在設(shè)于可撓基板13的芯303傳播，在斜面310反射，入射至在滑塊2設(shè)置的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件210的入射端。入射至近場(chǎng)光產(chǎn)生元件210的入射端的光在設(shè)于近場(chǎng)光產(chǎn)生元件210內(nèi)部的波導(dǎo)芯212內(nèi)向Z軸正側(cè)傳播。在波導(dǎo)芯212的Z軸正側(cè)的端面，設(shè)有三角形平板狀的散射體250,在此,在波導(dǎo)芯212內(nèi)傳播的光被向近場(chǎng)光變換。由于可撓基板13的電布線302和芯303分別與控制部5電連接及光學(xué)地連接，因而控制部5的電子電路、半導(dǎo)體激光器與滑塊2電連接及光學(xué)地連接。依據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠利用來自控制部5的電子電路的信號(hào)來控制設(shè)于滑塊2的磁極和磁頭。另外，能夠利用設(shè)于磁極附近的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件210的近場(chǎng)光來加熱記錄介質(zhì)D的期望的區(qū)域。由此，能夠記錄再現(xiàn)記錄介質(zhì)D的信息。接著，關(guān)于本發(fā)明的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造工序，在圖5示出。首先，在形成有進(jìn)行磁信息的記錄再現(xiàn)的磁頭和磁極的各種構(gòu)造的鋁鈦碳(AlTiC)基板上，將氧化鉭成膜，形成包層211 (圖5(a))。在此上涂敷抗蝕劑291，將形成有微細(xì)的三棱柱的模具基板295壓接于抗蝕劑(圖 5(b))。此外，模具基板295為硅制，通過各向異性蝕刻而形成橫倒的三棱柱。詳細(xì)而言，三角形剖面以與基板表面垂直的方式形成。將模具基板295壓接于抗蝕劑291同時(shí)進(jìn)行烘焙，然后拆卸模具基板295。在包層211上的抗蝕劑291轉(zhuǎn)印形成與模具基板295的三棱柱嵌合的V槽(圖5(c))。此后，如果進(jìn)行氧化鉭的蝕刻，則抗蝕劑層逐漸溶解，從V槽的最薄的部分除去抗蝕劑。從抗蝕劑層被除去的部分蝕刻包層211，以轉(zhuǎn)印抗蝕劑291的V槽的形式在包層211形成V槽297(圖5(d))。在除去殘留的抗蝕劑291之后，將金251成膜，將金251填充至V槽297內(nèi)(圖5(e))。從此上涂敷抗蝕劑并進(jìn)行曝光和顯影之后，與V槽鄰接地或在附近形成凹槽。其后，將相比包層211的高折射率的氧化鉭成膜，至少填充至凹槽內(nèi)，形成波導(dǎo)芯212(圖5(f))。其后，對(duì)基板上表面進(jìn)行化學(xué)拋光，對(duì)基板上表面進(jìn)行平坦化(圖5 (g))。從其上將在圖5(a)中成膜的低折射率的氧化鉭成膜，以由包層211覆蓋整體的方式形成(圖5(h))。隨后，將鋁鈦碳基板切割成棒狀，研磨切割切斷面。此時(shí)，研磨填充至V槽內(nèi)的金251，以金251的厚度成為既定值的方式控制研磨量，形成散射體250(圖5(i))。進(jìn)而，通過化學(xué)拋光或蝕刻等在研磨面形成ABS用的微細(xì)結(jié)構(gòu)。然后，切割棒狀的基板而單片化，成為滑塊2。此外，為了研磨形成散射體250,也可以在V槽297附近設(shè)置ELG(electro lappingguide :電研磨引導(dǎo)件)，利用其來控制研磨量。所謂ELG，是一邊確認(rèn)ELG元件的阻值一邊進(jìn)行研磨而控制研磨量的部件。具體而言，在將金填充至V槽內(nèi)之后，研磨基板表面。此后，形成ELG元件和與ELG元件的兩端連接的一對(duì)電極墊。在電極墊上不形成包層，在散射體形成時(shí)，經(jīng)由電極墊對(duì)ELG元件通電并同時(shí)進(jìn)行研磨。于是，ELG元件也與棒的側(cè)面一起研磨，ELG元件的寬度減少，電阻增加。于是，預(yù)先求出ELG元件的電阻和研磨量的相關(guān)，一邊監(jiān)測(cè)ELG元件的阻值一邊進(jìn)行研磨，在阻值達(dá)到既定值的時(shí)刻，判斷為得到期望的研磨量，結(jié)束研磨。此外,在此,將氧化鉭用于波導(dǎo)芯212,但只要是相對(duì)于在波導(dǎo)芯212傳播的光而透射率較高且相對(duì)于包層211具有既定的折射率差并能夠形成微細(xì)結(jié)構(gòu)的材料，就能夠?qū)嵤?。作為一個(gè)示例，可舉出氧化硅、氧化錫、氧化鋅、氧化錫鎘、光波導(dǎo)用樹脂等。此外，同樣地，散射體也不僅是金，使用生成近場(chǎng)光的金屬材料、銀、鋁、銅、鉬、鈀等也能夠?qū)嵤?。另外，在此，按照鋁鈦碳基板、磁頭構(gòu)造、近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的順序形成，但也能夠在鋁鈦碳基板上首先形成近場(chǎng)光產(chǎn)生元件，其后形成進(jìn)行磁信息的記錄再現(xiàn)的磁頭構(gòu)造。根據(jù)在記錄介質(zhì)D上有效地相互作用的作為熱源的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件和進(jìn)行磁信息的記錄再現(xiàn)的磁頭的位置關(guān)系來決定即可。依據(jù)這樣的制造方法，關(guān)于波導(dǎo)芯、包層以及散射體的相互位置和散射體的尺寸，能夠以既定的位置關(guān)系和尺寸制造。由此，能夠?qū)⑷肷渲两鼒?chǎng)光產(chǎn)生元件的光效率良好地變換成近場(chǎng)光，能夠從近場(chǎng)光產(chǎn)生元件發(fā)出高強(qiáng)度的近場(chǎng)光。因而，能夠提供高性能的信息記錄再現(xiàn)裝置。而且，由于近場(chǎng)光產(chǎn)生元件由薄膜制造裝置成批地大量形成，其后，通過切割等來分離而制造，因而能夠進(jìn)行大量且低成本的制造。(第2實(shí)施方式)以下，在圖6說明本發(fā)明涉及的第2實(shí)施方式的制造方法。對(duì)與第I實(shí)施方式相同之處標(biāo)記相同符號(hào)并省略詳細(xì)的說明。本實(shí)施方式與第I實(shí)施方式不同點(diǎn)是在包層同時(shí)形成V槽和凹槽這點(diǎn)。如圖6所示，在形成有進(jìn)行磁信息的記錄再現(xiàn)的磁頭構(gòu)造的鋁鈦碳基板上，涂敷成為包層 211 的 PMMA(Poly Methyl Methacrylate Acrylic resin :聚甲基丙烯酸甲酯丙烯酸樹脂)(圖6(a))。從此上將形成有微細(xì)的三棱柱和四棱柱的模具基板295壓接在PMMA(圖6(b))。此外，該模具基板295的三棱柱橫倒，詳細(xì)而言，三角形剖面以與基板表面垂直的方式形成。與該三棱柱鄰接地或在附近配置四棱柱。將模具基板295壓接于包層211同時(shí)進(jìn)行烘焙，然后拆卸模具基板295。在包層211轉(zhuǎn)印形成與模具基板295的三棱柱和四棱柱嵌合的V槽297和凹槽296(圖6(c))。隨后，將金251成膜，以及涂敷相比包層211的高折射率的PMMA，然后進(jìn)行烘焙。將金251填充至V槽297內(nèi)，將波導(dǎo)芯212填充至凹槽296內(nèi)(圖6 (d))。其后，對(duì)基板上表面進(jìn)行化學(xué)拋光，對(duì)基板上表面進(jìn)行平坦化(圖5 (e))。從其上涂敷在圖6(a)成膜的低折射率的PMMA涂層，然后進(jìn)行烘焙，以由包層211覆蓋整體的方式形成(圖6(f))。其后，與第一實(shí)施方式同樣，在切割基板之后，研磨填充至V槽內(nèi)的金251，以金251的厚度成為既定值的方式控制研磨量，形成散射體250 (圖6 (g))。在此，使用同時(shí)形成V槽和凹槽的模具基板295。在圖7對(duì)該模具基板295的制造方法進(jìn)行說明。將抗蝕劑292涂敷于模具基板，將抗蝕劑曝光及顯影為寬度不同的四邊形形狀(圖 7(a))。
如果對(duì)模具基板進(jìn)行干蝕刻而除去抗蝕劑292，則與抗蝕劑292的形狀配合地在模具基板表面上形成寬度不同的四邊形的凸起形狀(圖7(b))。以覆蓋模具基板的寬度寬的凸起形狀及其周圍的方式對(duì)抗蝕劑293進(jìn)行曝光顯影(圖 7(c))。其后，將模具基板在氬(Ar)等的等離子體中進(jìn)行濺射蝕刻。選擇性地蝕刻寬度窄的凸起部的角，形成斜面。如果繼續(xù)該蝕刻，則斜面相對(duì)于基板表面保持一定的角度并被蝕亥IJ，形成剖面為三角形形狀的凸起部。通過以上，從而能夠形成使微細(xì)的三棱柱和四棱柱接近或鄰接的模具基板。此外，在此，將PMMA用于包層和波導(dǎo)芯材料，但能夠使用能夠進(jìn)行光折射率的調(diào)整的熱塑性樹脂來實(shí)施。另外，如果用透射紫外線的氧化硅等形成槽形成用的模具基板，不是進(jìn)行烘焙，而是進(jìn)行紫外線照射來形成包層，則也能夠利用紫外線硬化樹脂。依據(jù)這樣的制造方法，形成波導(dǎo)芯和散射體的槽能夠精度良好地統(tǒng)一地形成，因而能夠進(jìn)行大量且低成本的制造。另外，由于能夠?qū)渲牧侠糜诎鼘雍筒▽?dǎo)芯，因而不需要高性能的真空薄膜制造裝置，能夠低成本地制造。(第3實(shí)施方式)以下，在圖8說明本發(fā)明涉及的第3實(shí)施方式的制造方法。對(duì)與第I和第2實(shí)施方式相同之處標(biāo)記相同符號(hào)并省略詳細(xì)的說明。本實(shí)施方式與第I和第2實(shí)施方式不同點(diǎn)是通過切割來在包層形成V槽這點(diǎn)。首先，在形成有進(jìn)行磁信息的記錄再現(xiàn)的磁頭和磁極的各種構(gòu)造的鋁鈦碳基板上，將氧化鉭成膜，形成包層211 (圖8 (a))。在此上涂敷抗蝕劑并進(jìn)行曝光和顯影后，蝕刻包層211，在包層211形成凹槽296 (圖 8(b))。在除去抗蝕劑291之后，在縱斷凹槽296的位置，通過切割來形成V槽297 (圖8(c))。在此使用的切割刀片，前端以既定的角度成為銳角，因而在包層291形成V槽。在所形成的V槽297形成金251，在凹槽296形成波導(dǎo)芯212(圖8(d))。其后，研磨基板表面(圖8 (e))，形成包層211 (圖8 (f))，通過切割而切斷基板后，研磨切割面，形成散射體250 (圖8(g))。在此，當(dāng)形成V槽時(shí)，使用前端為銳角的切割刀片，通過切割而形成。在切割中的幾十 幾百nm左右的深度的切入控制困難的情況下，也能夠在稍深地形成V槽之后，以在圖8(e)中示出的研磨量來控制散射體250的三角形形狀。依據(jù)這樣的制造方法，關(guān)于波導(dǎo)芯、包層以及散射體的相互位置和散射體的尺寸，能夠以既定的位置關(guān)系和尺寸制造，向近場(chǎng)光的變換效率提高，能夠從近場(chǎng)光產(chǎn)生元件發(fā)出高強(qiáng)度的近場(chǎng)光。因而，能夠提供高性能的信息記錄再現(xiàn)裝置。
另外，由于能夠?qū)霗C(jī)械的加工方法，因而不需要高性能的真空薄膜制造裝置，能夠低成本地制造。此外，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于上述的實(shí)施方式，而是在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，包含對(duì)上述實(shí)施方式施加各種變更。即，在上述的實(shí)施方式中所舉出的構(gòu)成等只不過是一個(gè)示例，能夠適當(dāng)變更。另外，還能夠?qū)⑸鲜龅母鲗?shí)施方式適當(dāng)組合而采用。
權(quán)利要求
1.一種近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于，具備 包層成膜工序，將包層成膜于基板； 第I槽形成工序，在所述包層形成第I槽； 第2槽形成工序，在所述包層沿著所述第I槽的長度方向形成第2槽； 金屬構(gòu)造物形成工序，在所述第I槽內(nèi)部形成金屬構(gòu)造物； 芯形成工序，在所述第2槽內(nèi)部設(shè)置相比所述包層的高折射率材料的芯；以及散射體形成工序，通過將所述金屬構(gòu)造物相對(duì)于所述基板平面而垂直地切斷并研磨該切斷面來形成散射體。
2.如權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于， 在所述第I槽形成工序中， 將與所述第I槽嵌合的第I模具壓接于所述包層，形成所述第I槽。
3.如權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于， 在所述包層成膜工序之后，具有在所述包層上形成抗蝕劑的抗蝕劑形成工序， 在所述第I槽形成工序中， 將與所述第I槽嵌合的第I模具壓接于所述抗蝕劑，在所述抗蝕劑形成與所述第I槽大致相同形狀的槽，蝕刻與所述第I槽大致相同形狀的槽，由此在所述包層形成所述第I槽。
4.如權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于， 所述第I槽形成工序利用切割刀片來形成所述第I槽。
5.如權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于， 在所述第2槽形成工序中， 將與所述第2槽嵌合的第2模具壓接于所述包層，形成所述第2槽。
6.如權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于，具備 平坦化工序，在所述芯形成工序之后對(duì)所述芯進(jìn)行平坦化；以及 在所述已進(jìn)行平坦化的芯上形成上包層的工序。
7.如權(quán)利要求I所述的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于， 在所述散射體形成工序中， 在所述金屬構(gòu)造物設(shè)置電阻體，通過對(duì)該電阻體通電而根據(jù)變化的所述電阻體的阻值來研磨所述金屬構(gòu)造物的切斷面。
8.—種近場(chǎng)光產(chǎn)生元件，其特征在于， 使用權(quán)利要求I至7中的任一項(xiàng)所述的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法制造。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠高精度地制造芯、包層以及散射體的相對(duì)位置、散射體的尺寸的近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的制造方法。在設(shè)于基板的包層形成凹槽和V槽，將芯和金屬構(gòu)造物成膜于各個(gè)槽內(nèi)部后，對(duì)基板表面進(jìn)行平坦化。在從其上再次將包層成膜之后，切斷基板，以形成于V槽內(nèi)的金屬構(gòu)造物成為既定厚度的方式研磨切斷面，形成散射體。
文檔編號(hào)G11B7/26GK102637442SQ20121004047
公開日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2012年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月14日
發(fā)明者千葉德男, 大海學(xué), 平田雅一, 田中良和, 田邊幸子, 筱原陽子 申請(qǐng)人:精工電子有限公司