一種溫度控制裝置及恒溫控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及醫(yī)療器械溫度控制領(lǐng)域，具體涉及一種溫度控制裝置及恒溫控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]二類檢驗(yàn)醫(yī)療器械包括凝血分析儀需要配置溫度控制裝置來滿足檢測(cè)工作狀態(tài)下對(duì)溫控的需求。為了提高設(shè)備運(yùn)行效率，現(xiàn)在常用的檢驗(yàn)類醫(yī)療設(shè)備多采用旋轉(zhuǎn)式裝置作為樣本和試劑位裝置，這類設(shè)備大多涉及血液類和測(cè)試試劑樣本檢測(cè)，而血液類和測(cè)試試劑對(duì)溫度的要求較高，血液類樣本一般要求在常溫下保存，試劑要求在2°C_8°C下保存，檢測(cè)時(shí)則要求在37°C狀態(tài)下工作，并且溫度控制要求為±0.5°C。
[0003]現(xiàn)在因?yàn)樾D(zhuǎn)類檢測(cè)裝置在結(jié)構(gòu)上的設(shè)計(jì)特殊性，這類裝置很難進(jìn)行精確制冷和精確制熱的溫度控制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以上問題，提供一種溫度控制裝置及恒溫控制方法，本發(fā)明的溫度控制裝置為旋轉(zhuǎn)式一體裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)精確制冷和精確制熱的溫度控制，并且該裝置溫控調(diào)節(jié)效率高，成本低，能夠滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)凝血分析類裝置中旋轉(zhuǎn)式溫控裝置發(fā)展的需求。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0006]—種溫度控制裝置，其包括:
[0007]托盤，所述托盤的頂部端面上設(shè)有若干試劑位和若干樣本位，所述試劑位和樣本位均為盲孔，若干所述試劑位之間等間距的呈圓周排列，若干所述樣本位之間等間距的呈圓周排列，所述樣本位設(shè)置在所述試劑位的外周；
[0008]轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸貫穿所述托盤中心能夠帶動(dòng)所述托盤旋轉(zhuǎn)；
[0009]所述轉(zhuǎn)軸與所述試劑位之間的中空間隙中設(shè)有第一加熱電阻絲，所述第一加熱電阻絲的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，所述第一加熱電阻絲用于加熱所述試劑位中的試劑；
[0010]所述樣本位的外周設(shè)有第二加熱電阻絲，所述第二加熱電阻絲的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，所述第二加熱電阻絲用于加熱所述樣本位中的樣本；
[0011 ]所述托盤的托盤底為中空結(jié)構(gòu)，所述托盤底包括第一底盤和第二底盤，所述樣本位的底部為所述第二底盤，所述試劑位的底部為所述第一底盤，所述第一底盤和第二底盤之間設(shè)有制冷片，所述制冷片貼緊所述第一底盤的底面，所述制冷片用于制冷。
[0012]優(yōu)選地，還包括溫度傳感器，所述溫度傳感器設(shè)置在所述第一底盤和第二底盤之間。
[0013]優(yōu)選地，所述第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲的加熱溫度能夠達(dá)到37°C ±0.5-C。
[0014]優(yōu)選地，所述第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲恒溫控制的溫度誤差為37°C 土0.rc。
[0015]優(yōu)選地，所述制冷片的制冷溫度能夠至14°C ±2°C。
[0016]優(yōu)選地，一種恒溫控制方法，包括以下步驟:
[0017]SI MCU單元根據(jù)預(yù)先設(shè)置的加熱、制冷以及溫控流程參數(shù)，給樣本位、試劑位發(fā)送溫控命令；
[0018]S2用于試劑位加熱的第一加熱電阻絲、用于樣本位上加熱的第二加熱電阻絲以及制冷片根據(jù)接收到的命令進(jìn)行各種單元加溫操作、制冷操作；
[0019]S3溫度傳感器將監(jiān)測(cè)到的溫度信號(hào)傳輸給芯片NE5532，傳感器信號(hào)經(jīng)過芯片NE5532信號(hào)運(yùn)放后，傳輸給MCU單元；
[0020]S4 M⑶單元進(jìn)行模擬信號(hào)A/D轉(zhuǎn)換運(yùn)算分析，計(jì)算當(dāng)前溫度值與設(shè)定的目標(biāo)溫度之間的關(guān)系，對(duì)第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲進(jìn)行控制，若當(dāng)前的溫度值比設(shè)定的溫度高，通過MCU單元控制關(guān)閉第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲的加熱器，若當(dāng)前溫度值比設(shè)定的溫度低，通過MCU單元控制開啟第一加熱電阻絲和第二加熱電阻絲的加熱器；
[0021]S5將溫度控制的執(zhí)行結(jié)果傳輸給MCU單元。本發(fā)明的有益效果是:
[0022]其一、本發(fā)明的溫度控制裝置是一種旋轉(zhuǎn)式樣本裝置，該裝置上設(shè)有樣本位、試劑位，承載上述樣本位和試劑位的托盤采用鋁材質(zhì)，鋁材質(zhì)具有良好的導(dǎo)熱性能，并且專選中心軸下采用中空結(jié)構(gòu)設(shè)置，方便制冷元器件和溫度傳感器控制線導(dǎo)出，制冷元器件采用電制冷片。
[0023]其二、本發(fā)明的溫度控制裝置及方法的恒溫控制誤差僅在37°C±TC，其誤差范圍小，測(cè)量精度高，能夠保證儀器高質(zhì)量運(yùn)行。
[0024]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。
【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0026]圖1是本發(fā)明溫度控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2是圖1的A-A剖面圖；
[0028]圖3是圖2中A部分的放大示意圖；
[0029]圖4是本發(fā)明智能溫控的原理圖；
[0030]圖5是本發(fā)明智能溫控的接線圖；
[0031]圖6是加熱原理圖；
[0032]圖7是制冷原理圖。
[0033]其中，1-托盤，2-轉(zhuǎn)軸，101-試劑位，102-樣本位，103-第一加熱電阻絲，104-第二加熱電阻絲，105-絕緣保護(hù)層，106-第一底盤，107-第二底盤，108-制冷片。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0035]實(shí)施例
[0036]參照?qǐng)D1-3所示，本實(shí)施例中公開了一種溫度控制裝置，該溫度控制裝置是旋轉(zhuǎn)式裝置，其主要包括托盤I和轉(zhuǎn)軸2，其中上述托盤I是用來承載試劑和樣本的裝置，上述轉(zhuǎn)軸2在旋轉(zhuǎn)電機(jī)的帶動(dòng)下能夠帶動(dòng)上述托盤I旋轉(zhuǎn)。
[0037]它們之間的具體結(jié)構(gòu)為:在上述托盤I的頂部端面上設(shè)有若干試劑位101和若干樣本位102，上述試劑位101和樣本位102均為盲孔，若干上述試劑位101之間等間距的呈圓周排列，若干上述樣本位102之間等間距的呈圓周排列，上述樣本位102設(shè)置在上述試劑位101的外周。
[0038]上述轉(zhuǎn)軸2貫穿上述托盤I中心能夠帶動(dòng)上述托盤旋轉(zhuǎn)，上述轉(zhuǎn)軸2由旋轉(zhuǎn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)其旋轉(zhuǎn)。
[0039]因?yàn)楸緦?shí)施例中的溫度控制裝置能夠?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)溫控，因此該裝置設(shè)置了加熱元器件和制冷元器件，在上述轉(zhuǎn)軸2與上述試劑位101之間的中空間隙中設(shè)有第一加熱電阻絲103，上述第一加熱電阻絲103的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層，上述第一加熱電阻絲103用于加熱上述試劑位101中的試劑。
[0040]上述樣本位102的外周設(shè)有第二加熱電阻絲104，上述第二加熱電阻絲104的外側(cè)設(shè)有絕緣保護(hù)層105，上述第二加熱電阻