本非臨時(shí)申請(qǐng)?jiān)诿绹?guó)法典第35卷第119節(jié)(a)款下要求2015年11月4日于日本提交的第2015-216560號(hào)的專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，所述專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及阻燃樹(shù)脂組合物和阻燃樹(shù)脂膜以及半導(dǎo)體器件和制造方法。

背景技術(shù)：

在微電子或半導(dǎo)體器件的制造中，對(duì)更大直徑和降低的厚度的晶片取得快速的進(jìn)展。存在對(duì)能夠封裝晶片級(jí)的器件的技術(shù)的需求。雖然用于傳遞成型固體環(huán)氧樹(shù)脂組合物的技術(shù)是常規(guī)的，但是在WO 2009/142065中建議了用于壓縮成型液體環(huán)氧樹(shù)脂組合物的技術(shù)。

傳遞成型技術(shù)可以因?yàn)闃?shù)脂流入窄的間隙而導(dǎo)致繞線變形(wire deformation)。隨著封裝區(qū)域變得更大而更可能發(fā)生不足的填充。壓縮成型技術(shù)難于精確控制在晶片端部的成型范圍。另外，在將封裝用液體樹(shù)脂進(jìn)料至成型機(jī)中時(shí)不容易使其流動(dòng)性質(zhì)和物理性質(zhì)最優(yōu)化。隨著目前晶片朝著更大的直徑和降低的厚度的轉(zhuǎn)變，在現(xiàn)有技術(shù)中并不顯著的晶片在成型之后的翹曲成為問(wèn)題。還需要更好的晶片保護(hù)。將會(huì)可取的是擁有可以一次封裝整個(gè)晶片而不產(chǎn)生包括在晶片表面填充不足的問(wèn)題的晶片成型材料，所述晶片成型材料在成型之后顯示出最小的翹曲和令人滿意的晶片保護(hù)。

此外，因?yàn)榕c電氣/電子部件一起使用的封裝劑組合物本身是可燃的，所以對(duì)其添加阻燃性試劑和添加劑如鹵素化合物和銻化合物以使它們阻燃。然而，出于降低環(huán)境負(fù)荷的方面，使用這些化合物現(xiàn)在受到限制。取而代之，使用磷系阻燃劑。然而磷系阻燃劑可能對(duì)水的質(zhì)量產(chǎn)生負(fù)面影響。存在對(duì)不含磷系阻燃添加劑的成型或封裝材料的需求。

引用列表

專利文獻(xiàn)1：WO 2009/142065

發(fā)明簡(jiǎn)述

本發(fā)明的目的在于提供阻燃樹(shù)脂組合物或阻燃樹(shù)脂膜，其基本上不含阻燃添加劑，可以一次封裝整個(gè)晶片(即晶片成型)，在大直徑/薄的晶片上可有效成型，在成型之后提供最小的翹曲和令人滿意的晶片保護(hù)，確保有效的成型過(guò)程，并且因此適合用于晶片級(jí)封裝。另一目的在于提供用阻燃樹(shù)脂膜覆蓋的半導(dǎo)體器件；和用于制造半導(dǎo)體器件的方法。

在一個(gè)方面，本發(fā)明提供了阻燃樹(shù)脂組合物，其包含(A)有機(jī)硅樹(shù)脂，(B)經(jīng)三嗪改性的酚醛清漆(phenol novolak，線型酚醛)化合物和(C)填料。將有機(jī)硅樹(shù)脂(A)限定為包含由組成式(1)表示的構(gòu)成單元并且具有3,000至500,000的重均分子量，

其中R¹至R⁴各自獨(dú)立地為一價(jià)C₁-C₈烴基，排除R³和R⁴同時(shí)為甲基，m和n各自為0至300的整數(shù)，R⁵至R⁸各自獨(dú)立地為二價(jià)C₁-C₁₀烴基，a和b為正數(shù)，a+b＝1，X為具有通式(2)的二價(jià)有機(jī)基團(tuán)：

其中，V為選自以下的二價(jià)有機(jī)基團(tuán)：

p為0或1，R⁹和R¹⁰各自獨(dú)立地為C₁-C₄烷基或烷氧基，和h為0、1或2。

優(yōu)選地，組分(B)為含氨基的三嗪骨架酚醛清漆樹(shù)脂，特別是具有通式(7)的帶有三嗪骨架的酚醛清漆化合物：

其中，R¹¹為氫或甲基，s為1至10的整數(shù)，和t為1至5的整數(shù)。

可以將如上文定義的阻燃樹(shù)脂組合物成型成膜，采用所述膜可以覆蓋整個(gè)晶片(獲得成型的晶片)。對(duì)于大直徑/薄的晶片，樹(shù)脂組合物確保了令人滿意的成型性能、粘著性、低翹曲、晶片保護(hù)、可靠性和阻燃性，并且因此可用于晶片級(jí)的封裝(package)。

在優(yōu)選的實(shí)施方案中，組分(B)的量相對(duì)于100重量份的組分(A)為5至50重量份，組分(C)的重量百分?jǐn)?shù)為組合物總重量的60至95重量％，更優(yōu)選70至90重量％。

可以容易地將該阻燃樹(shù)脂組合物成型成膜，采用所述膜可以容易地覆蓋整個(gè)晶片(獲得成型的晶片)。對(duì)于大直徑/薄的晶片而言，所述樹(shù)脂組合物確保了令人滿意的成型性能、粘著性、低翹曲、晶片保護(hù)、可靠性和阻燃性，并且因此完全可用于晶片級(jí)的封裝。

優(yōu)選地，還將環(huán)氧樹(shù)脂固化促進(jìn)劑添加至所述樹(shù)脂組合物用于改進(jìn)對(duì)晶片的粘著性和晶片保護(hù)。所述樹(shù)脂組合物完全可用于晶片級(jí)的封裝。進(jìn)一步優(yōu)選地，將環(huán)氧樹(shù)脂添加至所述樹(shù)脂組合物以改進(jìn)粘著性和保護(hù)。

優(yōu)選地，將二氧化硅用作所述填料。使用二氧化硅填料是便利的，因?yàn)檫M(jìn)一步改進(jìn)了晶片保護(hù)并且預(yù)期更好的耐熱性、耐濕性和強(qiáng)度以及更高的可靠性和阻燃性。

在另外的方面，本發(fā)明提供了由所述阻燃樹(shù)脂組合物形成的阻燃樹(shù)脂膜。所述阻燃樹(shù)脂膜對(duì)于大直徑/薄的晶片具有良好的成型性能。當(dāng)以一個(gè)批次封裝整個(gè)晶片時(shí)，并不需要流延所述樹(shù)脂，消除了如在晶片表面上填充不足的問(wèn)題。所述樹(shù)脂組合物的膜變成滿足對(duì)晶片的粘著性和晶片保護(hù)二者的晶片成型材料。

可以通過(guò)以下步驟制備阻燃樹(shù)脂膜：將阻燃樹(shù)脂組合物涂覆至剝離膜或保護(hù)膜以形成包括樹(shù)脂組合物層的前體，提供至少兩個(gè)這樣的前體，將所述剝離膜或保護(hù)膜從每個(gè)前體撕除以露出樹(shù)脂組合物層，和使露出的組合物層彼此連接。

在另外的方面中，本發(fā)明提供了用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：將阻燃樹(shù)脂膜貼附至半導(dǎo)體晶片以用樹(shù)脂膜覆蓋晶片，熱固化所述樹(shù)脂膜，和將成型的晶片單片化(singulating)成分立的器件。

用樹(shù)脂膜覆蓋的半導(dǎo)體晶片(或成型的晶片)在被完全保護(hù)時(shí)經(jīng)歷最小的翹曲。通過(guò)將所述晶片單片化，以高生產(chǎn)率制造有品質(zhì)的半導(dǎo)體器件。

在又一方面，本發(fā)明提供了通過(guò)以下獲得的半導(dǎo)體器件：熱固化所述阻燃樹(shù)脂膜以形成熱固化膜，用所述熱固化膜覆蓋半導(dǎo)體晶片，和將成型的半導(dǎo)體晶片單片化成分立的器件。獲得具有熱固化膜的半導(dǎo)體器件。

用通過(guò)熱固化所述阻燃樹(shù)脂膜獲得的熱固化膜覆蓋的半導(dǎo)體晶片在被完全保護(hù)時(shí)經(jīng)歷最小的翹曲。通過(guò)將所述晶片單片化，制造有品質(zhì)而沒(méi)有翹曲的半導(dǎo)體器件。

本發(fā)明的有益效果

因?yàn)榭梢詫⒆枞紭?shù)脂組合物成型成膜，所述膜對(duì)大尺寸/薄的晶片具有令人滿意的覆蓋或封裝性能?？梢詫⒄麄€(gè)晶片用樹(shù)脂膜一次封裝，同時(shí)所述樹(shù)脂膜確保令人滿意的粘著性、低翹曲和晶片保護(hù)。因此阻燃樹(shù)脂膜可用于晶片級(jí)的封裝。采用所述半導(dǎo)體器件構(gòu)造和制造方法，以高的生產(chǎn)率制造有品質(zhì)的半導(dǎo)體器件。

優(yōu)選實(shí)施方案的描述

如上文所討論，希望開(kāi)發(fā)可以在一個(gè)批次中封裝整個(gè)晶片而不產(chǎn)生包括在晶片表面處填充不足的問(wèn)題的阻燃晶片成型材料，并且所述材料在成型之后顯示出緊密的粘著、最小的翹曲和令人滿意的晶片保護(hù)。

本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)：在固化之后具有改進(jìn)的對(duì)晶片的粘著性、最小的翹曲和阻燃性的樹(shù)脂組合物可通過(guò)組合(A)有機(jī)硅樹(shù)脂與(B)特定結(jié)構(gòu)的酚化合物獲得；通過(guò)向該樹(shù)脂組合物添加(C)填料進(jìn)一步改進(jìn)其晶片保護(hù)、固化之后的可靠性和阻燃性；由所述阻燃樹(shù)脂組合物形成的阻燃樹(shù)脂膜是同時(shí)具有對(duì)晶片的粘著性和晶片保護(hù)性的有效的晶片成型材料。

在下文詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的阻燃樹(shù)脂組合物、樹(shù)脂膜(復(fù)合膜)、半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造。

簡(jiǎn)而言之，本發(fā)明提供了阻燃樹(shù)脂組合物，其包含(A)有機(jī)硅樹(shù)脂、(B)經(jīng)三嗪改性的酚醛清漆化合物和(C)填料。

樹(shù)脂組合物

[(A)有機(jī)硅樹(shù)脂]

在樹(shù)脂組合物中充當(dāng)組分(A)的有機(jī)硅樹(shù)脂具有成膜能力。由所述樹(shù)脂組合物形成樹(shù)脂膜。當(dāng)被用作晶片成型材料時(shí)，所述樹(shù)脂膜提供對(duì)晶片的粘著性、最小的翹曲和良好的成型性能。

將所述有機(jī)硅樹(shù)脂(A)定義為包括由組成式(1)表示的構(gòu)成單元并且具有3,000至500,000的重均分子量。

其中，R¹至R⁴各自獨(dú)立地為一價(jià)C₁-C₈烴基，排除R³和R⁴同時(shí)為甲基，m和n各自為0至300的整數(shù)，R⁵至R⁸各自獨(dú)立地為二價(jià)C₁-C₁₀烴基，a和b為正數(shù)，a+b＝1。X為具有通式(2)的二價(jià)有機(jī)基團(tuán)。

其中，V為選自以下的二價(jià)有機(jī)基團(tuán)：

p為0或1，R⁹和R¹⁰各自獨(dú)立地為C₁-C₄烷基或烷氧基，和h為0、1或2。

所述有機(jī)硅樹(shù)脂包括由式(1)表示的重復(fù)單元并且具有3,000至500,000，優(yōu)選5,000至200,000的重均分子量(Mw)，其通過(guò)凝膠滲透色譜法(GPC)使用四氫呋喃洗脫劑相對(duì)于聚苯乙烯標(biāo)樣測(cè)量。下標(biāo)a和b為正數(shù)，a+b＝1。所述單元可以無(wú)規(guī)或嵌段地排布。

在式(1)中，m和n各自獨(dú)立地為0至300的整數(shù)，優(yōu)選地m為0至200的整數(shù)，更優(yōu)選0至100的整數(shù)，和n為1至200的整數(shù)，更優(yōu)選5至100的整數(shù)。X為具有式(2)的二價(jià)有機(jī)基團(tuán)。R¹至R⁴各自獨(dú)立地為1至8個(gè)碳原子、優(yōu)選1至6個(gè)碳原子的一價(jià)烴基。合適的烴基包括烷基、環(huán)烷基和芳基，如甲基、乙基、丙基、己基、環(huán)己基和苯基。尤其因?yàn)榉磻?yīng)物的可獲得性優(yōu)選甲基和苯基。排除R³和R⁴同時(shí)為甲基。

在式(2)中，R⁹和R¹⁰各自獨(dú)立地為1至4個(gè)碳原子、優(yōu)選1至2個(gè)碳原子的烷基或烷氧基，如甲基、乙基、丙基、叔丁基、甲氧基或乙氧基，h為0、1或2，優(yōu)選0。

在式(2)中，V為選自以下的二價(jià)有機(jī)基團(tuán)，p為0或1。

下標(biāo)a和b為正數(shù)，a+b＝1；優(yōu)選0.05≤a≤0.80，更優(yōu)選0.10≤a≤0.70，0.20≤b≤0.95，更優(yōu)選0.30≤b≤0.90。

[有機(jī)硅樹(shù)脂(A)的制備]

所述有機(jī)硅樹(shù)脂可以通過(guò)在金屬催化劑存在下進(jìn)行具有通式(3)至(6)的化合物的加成聚合來(lái)制備。

其中，R¹至R⁴各自獨(dú)立地為一價(jià)C₁-C₈烴基，排除R³和R⁴同時(shí)為甲基，m和n各自為0至300的整數(shù)。

其中，V為選自以下的二價(jià)有機(jī)基團(tuán)：

p為0或1，R⁹和R¹⁰各自獨(dú)立地為C₁-C₄烷基或烷氧基，h為0、1或2，R¹¹為氫或甲基，和g為0至7的整數(shù)。

其中，R³和R⁴各自獨(dú)立地為一價(jià)C₁-C₈烴基，排除R³和R⁴同時(shí)為甲基，q和r各自為0至300的整數(shù)，R¹²為氫或甲基，和k為0至7的整數(shù)。

本文中所使用的金屬催化劑典型地為鉑族金屬系催化劑。示例性催化劑包括單質(zhì)鉑族金屬，如鉑(包括鉑黑)、銠和鈀；氯化鉑、氯鉑酸和氯鉑酸鹽如H₂PtCl₄·xH₂O、H₂PtCl₆·xH₂O、NaHPtCl₆·xH₂O、KHPtCl₆·xH₂O、Na₂PtCl₆·xH₂O、K₂PtCl₄·xH₂O、PtCl₄·xH₂O、PtCl₂和Na₂HPtCl₄·xH₂O，其中x為0至6的整數(shù)，優(yōu)選0或6；醇改性的氯鉑酸(參見(jiàn)USP 3,220,972)；氯鉑酸與烯烴的絡(luò)合物(參見(jiàn)USP 3,159,601、3,159,662和3,775,452)；在載體如氧化鋁、二氧化硅和碳上的鉑族金屬如鉑黑和鈀；銠-烯烴絡(luò)合物；氯三(三苯基膦)合銠(稱為Wilkinson催化劑)；和氯化鉑、氯鉑酸或氯鉑酸鹽與含乙烯基的硅氧烷，特別是含乙烯基的環(huán)狀硅氧烷的絡(luò)合物。

以催化量，基于反應(yīng)物的總重量計(jì)典型地0.0001至0.1重量％，優(yōu)選0.001至0.01重量％的鉑族金屬使用催化劑。盡管甚至可以在無(wú)溶劑體系中進(jìn)行加成反應(yīng)，但如果需要的話可以使用溶劑。如果使用的話，所述溶劑優(yōu)選選自烴溶劑，如甲苯和二甲苯。反應(yīng)溫度并沒(méi)有特別限制，只要不使催化劑失活并且在可接受的時(shí)間內(nèi)完成聚合。例如，合適的溫度為40至150℃，特別是60至120℃。反應(yīng)時(shí)間可以取決于反應(yīng)物的類型和量加以選擇，并且優(yōu)選為0.5至100小時(shí)，更優(yōu)選0.5至30小時(shí)。當(dāng)使用溶劑時(shí)，在反應(yīng)結(jié)束時(shí)進(jìn)行真空蒸餾以蒸餾出所述溶劑。

反應(yīng)工序沒(méi)有特別限制。當(dāng)使式(3)、(4)、(5)和(6)的化合物反應(yīng)時(shí)，一種示例性工序?yàn)橥ㄟ^(guò)預(yù)混合式(5)和(6)的化合物，加熱混合物，將金屬催化劑添加至混合物，和在0.1至5小時(shí)內(nèi)滴加式(3)和(4)的化合物。

優(yōu)選地，使式(3)、(4)、(5)和(6)的化合物共混，使得式(3)和(4)的化合物中的氫甲硅烷基的總摩爾數(shù)比式(5)和(6)的化合物中的烯基的總摩爾數(shù)的比例可以為0.67至1.67，更優(yōu)選0.83至1.25范圍。聚合物的Mw可以通過(guò)使用分子量改性劑如單烯丙基化合物(例如鄰烯丙基苯酚)、單氫硅烷(例如三乙基氫硅烷)或單氫硅氧烷來(lái)控制。

從成膜能力、成型性能和低翹曲的方面優(yōu)選的是，所述有機(jī)硅樹(shù)脂具有30至80重量％的硅氧烷含量。

[(B)帶有三嗪骨架的酚醛清漆化合物]

組分(B)是帶有三嗪骨架的酚醛清漆化合物，其由酚、醛和含氨基的三嗪化合物縮合而獲得。所述酚的實(shí)例包括：苯酚；烷基酚如鄰甲酚、間甲酚、二甲酚、乙基苯酚、丁基苯酚、壬基苯酚和辛基苯酚；多元酚如雙酚A、雙酚F、雙酚S、雙酚AD、四甲基雙酚A、間苯二酚和鄰苯二酚；萘酚如單羥基萘和二羥基萘；苯基苯酚和氨基苯酚。將這樣的酚與醛縮合以形成酚醛清漆樹(shù)脂，優(yōu)選的是甲酚醛清漆樹(shù)脂。

此外，將所述酚醛清漆樹(shù)脂與三嗪縮合以形成帶有三嗪骨架的酚化合物。具體而言，所述帶有三嗪骨架的酚化合物具有通式(7)。

其中，R¹¹為氫或甲基，優(yōu)選甲基，s為1至10的整數(shù)，和t為1至5的整數(shù)。

作為帶有三嗪骨架的酚醛樹(shù)脂，可使用由DIC Corp.商購(gòu)獲得的Phenolite LA系列。作為所述帶有三嗪骨架的酚醛樹(shù)脂，可以使用包含5至24重量％的三嗪骨架并具有5至25重量％、更優(yōu)選8至20重量％的氮含量和100至160、更優(yōu)選120至150的羥基當(dāng)量的那些樹(shù)脂。從阻燃性的觀點(diǎn)來(lái)看，具有10至20重量％的氮含量的那些樹(shù)脂是更希望的。

組分(B)在加熱時(shí)會(huì)與所述有機(jī)硅樹(shù)脂(A)發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)。添加組分(B)對(duì)改進(jìn)所述有機(jī)硅樹(shù)脂的對(duì)晶片的粘著性、保護(hù)、可靠性和阻燃性有效?？梢詥为?dú)或混合使用酚化合物。

盡管所使用的帶有三嗪骨架的酚化合物的量沒(méi)有特別限制，但是所述量相對(duì)于100重量份的組分(A)優(yōu)選為5至50重量份，更優(yōu)選5至40重量份。只要所使用的帶有三嗪骨架的酚化合物的量在該范圍內(nèi)，則所述組合物在粘著性、保護(hù)和阻燃性方面得到改進(jìn)并且其固化物更可靠。

[(C)填料]

組分(C)是用于將晶片保護(hù)賦予所述樹(shù)脂組合物、改進(jìn)其耐熱性、耐濕性和強(qiáng)度，并增強(qiáng)其可靠性和阻燃性的填料。合適的填料包括硅酸鹽如滑石、煅燒粘土、未煅燒粘土、云母和玻璃；氧化物如二氧化鈦、氧化鋁、熔融二氧化硅(例如熔融的球狀二氧化硅和熔融的研磨二氧化硅)和結(jié)晶二氧化硅粉末；碳酸鹽如碳酸鈣、碳酸鎂和水滑石；氫氧化物如氫氧化鋁、氫氧化鎂和氫氧化鈣；硫酸鹽和亞硫酸鹽如硫酸鋇、硫酸鈣和亞硫酸鈣；硼酸鹽如硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣和硼酸鈉；和氮化物如氮化鋁、氮化硼和氮化硅。所述填料可以單獨(dú)或混合使用。尤其優(yōu)選的是粉末二氧化硅如氣相二氧化硅或結(jié)晶二氧化硅。所述粉末二氧化硅的實(shí)例包括增強(qiáng)二氧化硅如熔融二氧化硅或沉淀二氧化硅和結(jié)晶二氧化硅如石英。這些二氧化硅類型是商購(gòu)可得的，例如以商品名Aerosil R972、R974和R976購(gòu)自Nippon Aerosil Co.,Ltd.，以SE-2050、SC-2050、SE-1050、SO-E1、SO-C1、SO-E2、SO-C2、SO-E3、SO-C3、SO-E5和SO-C5購(gòu)自Admatechs，和以Musil 120A和Musil 130A購(gòu)自Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.(信越化學(xué)公司)。

呈顆粒形式的填料優(yōu)選具有0.01至20μm，更優(yōu)選0.01至10μm的平均粒度，盡管所述粒度并不限于此。具有超出所述下限的平均粒度的無(wú)機(jī)填料不太可能聚集并且有效地賦予強(qiáng)度。具有低于所述上限的平均粒度的無(wú)機(jī)填料使得樹(shù)脂在芯片之間流動(dòng)并且實(shí)現(xiàn)致密的填充。將所述平均粒度通過(guò)基于激光衍射法的粒度分布測(cè)量?jī)x器測(cè)量為重均值，即重量基礎(chǔ)的50％累積粒徑(D₅₀)或中值直徑。

優(yōu)選以60至95重量％，更優(yōu)選70至90重量％的量使用所述填料，基于所述阻燃樹(shù)脂組合物的總重量計(jì)。低于所述上限的所述填料的量確保了成膜能力、順利的樹(shù)脂流動(dòng)和致密的填充。高于所述下限的填料量是充分有效的。

環(huán)氧樹(shù)脂

出于改進(jìn)對(duì)晶片的粘著性和保護(hù)的目的，可以向所述阻燃樹(shù)脂組合物添加環(huán)氧樹(shù)脂。像所述有機(jī)硅樹(shù)脂(A)那樣，所述環(huán)氧樹(shù)脂經(jīng)歷與所述酚化合物(B)的交聯(lián)反應(yīng)，以由此改進(jìn)對(duì)晶片的粘著性、保護(hù)和可靠性。

所述環(huán)氧樹(shù)脂的實(shí)例包括雙酚A環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F環(huán)氧樹(shù)脂、其氫化產(chǎn)物、縮水甘油醚系環(huán)氧樹(shù)脂如酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂和甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、縮水甘油酯系環(huán)氧樹(shù)脂如六氫鄰苯二甲酸縮水甘油酯和二聚酸縮水甘油酯、異氰脲酸三縮水甘油酯和縮水甘油基胺系環(huán)氧樹(shù)脂如四縮水甘油基二氨基二苯基甲烷。尤其優(yōu)選的是雙酚A環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚F環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂和甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂。具有更多芳族碳含量的環(huán)氧樹(shù)脂由于阻燃性而是更優(yōu)選的。這些樹(shù)脂是商購(gòu)可得的，例如以商品名jER 1001和jER 517購(gòu)自Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.，以Epiclon 830S購(gòu)自DIC Corp.和以EOCN 103S購(gòu)自Nippon Kayaku Co.,Ltd.。

如果使用的話，則優(yōu)選以相對(duì)于100重量份的組分(A)為1至50重量份，更優(yōu)選2至30重量份的量添加所述環(huán)氧樹(shù)脂。

環(huán)氧樹(shù)脂固化促進(jìn)劑

所述阻燃樹(shù)脂組合物可以進(jìn)一步包含環(huán)氧樹(shù)脂固化促進(jìn)劑。所述固化促進(jìn)劑對(duì)于固化反應(yīng)充分和均勻的進(jìn)行有效。所使用的固化促進(jìn)劑的量可以相對(duì)于100重量份的組分(A)為0.1至10重量份，優(yōu)選0.2至5重量份。

所述環(huán)氧樹(shù)脂固化促進(jìn)劑的實(shí)例包括咪唑化合物如2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、前述的乙基異氰酸酯，2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑和2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑；DBU化合物如1,8-二氮雜雙環(huán)(5.4.0)十一烷-7(DBU)、1,5-二氮雜雙環(huán)(4.3.0)壬烯-5(DBN)、DBU的有機(jī)酸鹽，DBU的酚醛樹(shù)脂鹽，和DBU衍生物的四苯基硼酸鹽；三有機(jī)基膦，如三苯基膦、三丁基膦、三(對(duì)甲基苯基)膦、三(對(duì)甲氧基苯基)膦、三(對(duì)乙氧基苯基)膦、三苯基膦-三苯基硼酸鹽，和四苯基膦-四苯基硼酸鹽；季銨鹽，叔胺如三亞乙基銨三苯基硼酸鹽，及其四苯基硼酸鹽。所述固化促進(jìn)劑可以單獨(dú)或混合使用。

硅烷偶聯(lián)劑

所述阻燃樹(shù)脂組合物可以進(jìn)一步包括硅烷偶聯(lián)劑，其有效用于改進(jìn)所述樹(shù)脂組合物對(duì)晶片的粘著性。合適的硅烷偶聯(lián)劑包括環(huán)氧硅烷偶聯(lián)劑和芳族氨基硅烷偶聯(lián)劑，它們可以單獨(dú)或混合使用。如果使用的話，則優(yōu)選基于所述樹(shù)脂組合物的總重量計(jì)以0.01至5重量％的量添加所述硅烷偶聯(lián)劑。

可以將另一組分添加至所述阻燃樹(shù)脂組合物。例如可以添加添加劑以改進(jìn)有機(jī)硅樹(shù)脂(A)與帶有三嗪骨架的酚化合物(B)之間的相容性，或增強(qiáng)所述樹(shù)脂組合物的儲(chǔ)存穩(wěn)定性、加工性和其它性質(zhì)。合適的添加劑包括內(nèi)脫模劑如脂肪酸酯、甘油酸酯、硬脂酸鋅和硬脂酸鈣，和抗氧化劑如酚系、磷系或硫系抗氧化劑?？梢詫⑷芜x的添加劑原樣添加至所述阻燃樹(shù)脂組合物?；蛘?，可以將添加劑溶解或分散于有機(jī)溶劑中以形成溶液或分散體，然后將其添加至所述樹(shù)脂組合物。

有機(jī)溶劑

任選地，可以將有機(jī)溶劑用于形成所述阻燃樹(shù)脂組合物的分散體。合適的有機(jī)溶劑包括N,N-二甲基乙酰胺、甲基乙基酮、N,N-二甲基甲酰胺、環(huán)己酮、環(huán)戊酮、N-甲基-2-吡咯烷酮、甲苯、甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、丙二醇單甲醚和丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)。尤其優(yōu)選的是甲基乙基酮、環(huán)戊酮、丙二醇單甲醚和PGMEA。所述有機(jī)溶劑可以單獨(dú)或混合使用。優(yōu)選地，以這樣的量使用所述有機(jī)溶劑，使得所述樹(shù)脂組合物分散體可以具有50至80重量％的固體濃度。

樹(shù)脂膜

優(yōu)選地，將所述阻燃樹(shù)脂組合物預(yù)成型成膜。樹(shù)脂膜具有對(duì)大直徑/薄的晶片的良好的成型能力并且消除在一個(gè)批次中封裝晶片時(shí)流延所述樹(shù)脂組合物的需要。這實(shí)質(zhì)上解決目前現(xiàn)有技術(shù)中未解決的問(wèn)題，包括在傳遞成型的情況下的繞線變形和在晶片表面填充不足，在壓縮成型的情況下難于控制成型范圍和封裝用液體樹(shù)脂的流動(dòng)性和物理性質(zhì)。

所述阻燃樹(shù)脂膜的厚度優(yōu)選為50μm至1,000μm，更優(yōu)選80μm至700μm，但并不限于此。具有在該范圍的厚度的樹(shù)脂膜具有最小翹曲和良好保護(hù)的優(yōu)點(diǎn)。

在該意義上，本發(fā)明提供了由所述阻燃樹(shù)脂組合物形成的阻燃樹(shù)脂膜。所述阻燃樹(shù)脂膜的實(shí)施方式包括由所述阻燃樹(shù)脂組合物形成的樹(shù)脂膜和由阻燃樹(shù)脂膜組成的經(jīng)保護(hù)的樹(shù)脂膜和覆蓋所述樹(shù)脂膜的保護(hù)層。稍后將描述保護(hù)層。現(xiàn)在描述如何制備所述阻燃樹(shù)脂膜。

阻燃樹(shù)脂膜的制備

首先，通過(guò)在有機(jī)溶劑中混合有機(jī)硅樹(shù)脂(A)、帶有三嗪骨架的酚化合物(B)、填料(C)和任選的組分而制備液體形式的阻燃樹(shù)脂組合物，即樹(shù)脂組合物溶液。使用逆輥涂布機(jī)、缺角輪涂布機(jī)等，將所述樹(shù)脂組合物溶液涂布至保護(hù)層(保護(hù)性膜或剝離膜)上。將用所述樹(shù)脂組合物溶液涂布的保護(hù)性膜通過(guò)在線干燥機(jī)，在此處將其在80至160℃干燥2至20分鐘以除去所述有機(jī)溶劑。使用輥層合機(jī)將經(jīng)涂布的保護(hù)層加壓結(jié)合至另外的保護(hù)層成為層合體，即，根據(jù)本發(fā)明的包括阻燃樹(shù)脂膜(或?qū)?的膜前體。用于層合的加壓結(jié)合條件包括50至100℃的溫度、0.5至5kgf/cm的線性壓力(linear pressure)和0.1至5m/min的速率，但并不限于此。

在另一實(shí)施方式中，提供至少兩個(gè)這樣的膜前體(保護(hù)層/樹(shù)脂層/保護(hù)層)，將所述保護(hù)層從每個(gè)前體撕除以露出所述阻燃樹(shù)脂組合物層，將所述膜前體的露出的樹(shù)脂組合物層彼此連接，產(chǎn)生由兩個(gè)樹(shù)脂層組成的(復(fù)合的)樹(shù)脂膜。在連接步驟中，優(yōu)選在30至120℃加熱時(shí)結(jié)合所述樹(shù)脂層。

保護(hù)層(保護(hù)或剝離膜)

本文中所使用的保護(hù)層并沒(méi)有特別限制，只要可以將其從膜前體撕除而不負(fù)面地影響所述樹(shù)脂層。所述保護(hù)層充當(dāng)晶片的保護(hù)膜或剝離膜。包括塑料膜如聚乙烯(PE)膜、聚丙烯(PP)膜、聚甲基戊烯(TPX)膜和用脫模劑處理的聚酯膜。典型地，所述保護(hù)層需要50至300mN/min的剝離力并且具有25至150μm，優(yōu)選38至125μm的厚度。

晶片

待用所述樹(shù)脂膜在一個(gè)批次中覆蓋的晶片并沒(méi)有特別限制，并且其可以為在其上安裝有半導(dǎo)體器件或芯片的晶片或在其表面中構(gòu)建有半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體晶片。所述樹(shù)脂膜具有相對(duì)于成型之前的晶片表面的良好的填充能力并且在成型之后提供最小的翹曲和良好的保護(hù)?？蓪⑺鰳?shù)脂膜有利地施加至具有至少8英寸(典型地8英寸(200mm)或12英寸(300mm))的直徑或450mm較大直徑的大直徑的晶片，和已被減薄至5至300μm厚度的薄的晶片，盡管所述晶片并不受此限制。

晶片的覆蓋

用于用本發(fā)明的阻燃樹(shù)脂膜覆蓋或封裝晶片的方法沒(méi)有特別限制。例如，撕除一個(gè)保護(hù)層(在夾在保護(hù)層之間的樹(shù)脂膜的層合體中)。使用真空層壓機(jī)(例如Takatori Corp.的型號(hào)TEAM-300)，將其真空室設(shè)定在50至1,000Pa，優(yōu)選50至500Pa，典型地100Pa的真空和80至200℃，優(yōu)選80至130℃，典型地100℃的溫度，將另一保護(hù)層上的露出的樹(shù)脂膜在一個(gè)批次中貼附至晶片。在回復(fù)大氣壓力之后，將所述晶片冷卻至室溫并從層壓機(jī)中取出，撕除所述另一保護(hù)層。

對(duì)于在其上安裝有半導(dǎo)體芯片的晶片而言，也可以使用壓縮成型機(jī)或包括真空膜層壓機(jī)和用于平坦化的金屬臺(tái)板壓機(jī)(metal platen press)的系統(tǒng)。典型的壓縮成型機(jī)是Apic Yamada Corp.的型號(hào)MZ-824-01?？梢詫⒃谄渖习惭b有半導(dǎo)體芯片的300-mm硅晶片在包括100至180℃的溫度、100至300kN的成型壓力、30至90秒的夾持時(shí)間和5至20分鐘的成型時(shí)間的條件下封裝(或成型)。

典型的包括真空膜層壓機(jī)和用于平坦化的金屬臺(tái)板壓機(jī)的系統(tǒng)是Nikko-Materials Co.,Ltd.的型號(hào)CVP-300?？梢栽诎?00至180℃的溫度、50至500Pa的真空、0.1至0.9PMa的壓力和30至300秒的時(shí)間的條件下進(jìn)行層合，并且可以將層合的樹(shù)脂的頂部在包括100至180℃的上/下臺(tái)板溫度、0.1至3.0MPa的壓力和30至300秒的壓制時(shí)間的條件下平坦化。

在成型或覆蓋之后，將所述樹(shù)脂膜在120至220℃加熱15至180分鐘以固化所述樹(shù)脂膜。

半導(dǎo)體器件

然后將用熱固化狀態(tài)的樹(shù)脂膜覆蓋的半導(dǎo)體晶片劃片(單片化)成分立的半導(dǎo)體器件(各自具有固化的樹(shù)脂膜)。具體而言，將樹(shù)脂膜覆蓋的晶片(也被稱為成型的晶片)貼附至半導(dǎo)體加工用保護(hù)帶(如劃片帶)(其中所述樹(shù)脂膜或晶片與所述帶接觸)，并置于劃片機(jī)的卡盤工作臺(tái)上，然后借助具有劃片刀的劃片鋸(例如DISCO Corp.的DFD6361)將其劃片。盡管劃片操作的主軸回轉(zhuǎn)和切割速率可以在寬范圍內(nèi)變化，但合適的劃片條件包括25,000至45,000rpm的主軸回轉(zhuǎn)和10至50mm/sec的切割速率。分立的單元的尺寸通常為2mm×2mm至30mm×30mm，盡管尺寸取決于特定的半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)。

由于使用劃片刀將翹曲最小化并且用樹(shù)脂膜充分保護(hù)的晶片單片化，例如，以高的生產(chǎn)率獲得有品質(zhì)的分立的半導(dǎo)體器件。

半導(dǎo)體器件的制造

用于制造半導(dǎo)體器件的方法起始于夾在保護(hù)層之間的樹(shù)脂膜的層合體，并且包括以下步驟：從所述層合體剝離一個(gè)保護(hù)層以露出所述樹(shù)脂膜，將露出的樹(shù)脂膜貼附至半導(dǎo)體晶片，和從所述樹(shù)脂膜剝離另一保護(hù)層，由此用所述樹(shù)脂膜覆蓋半導(dǎo)體晶片，和將經(jīng)覆蓋的半導(dǎo)體晶片單片化成分立的片。

實(shí)施例

在下文以闡釋而非限制的方式給出合成例、實(shí)施例和比較例。

在合成例中，聚合物的重均分子量(Mw)通過(guò)凝膠滲透色譜法(GPC)相對(duì)于單分散的聚苯乙烯標(biāo)樣使用GPC柱TSKgel Super HZM-H(Tosoh Corp.)在包括四氫呋喃洗脫劑，流速0.6mL/min和柱溫40℃的條件下測(cè)量。

如下確定合成例中使用的化合物。

注意化合物S-2、S-3和S-4可由Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.商購(gòu)獲得。

合成例1

向配備攪拌器、溫度計(jì)、氮?dú)獯祾吖芫€和回流冷凝器的3L燒瓶裝入147g(0.35mol)化合物S-1和27.9g(0.15mol)化合物S-2，向其中添加2,000g甲苯。將燒瓶在70℃加熱，之后添入1.0g的氯鉑酸甲苯溶液(Pt濃度0.5重量％)并在1小時(shí)內(nèi)滴加77.8g(0.4mol)化合物S-3和276.7g(0.1mol)化合物S-4(其中x＝40)。這導(dǎo)致(氫甲硅烷基的總摩爾數(shù))/(烯基的總摩爾數(shù))的比例＝1/1。在滴加結(jié)束時(shí)，將反應(yīng)溶液在100℃加熱并熟化6小時(shí)。在真空中從反應(yīng)溶液蒸餾出甲苯，生成具有45,000的Mw的產(chǎn)物。將產(chǎn)物指定為樹(shù)脂#1。要注意的是，樹(shù)脂#1具有58重量％的硅氧烷含量并且由根據(jù)裝料的比例為a＝0.2和b＝0.8的構(gòu)成單元構(gòu)成。

合成例2

向配備攪拌器、溫度計(jì)、氮?dú)獯祾吖芫€和回流冷凝器的3L燒瓶裝入210g(0.5mol)化合物S-1，向其中添加2,100g甲苯。將燒瓶在70℃加熱，之后添入1.0g的氯鉑酸甲苯溶液(Pt濃度0.5重量％)并在1小時(shí)內(nèi)滴加77.8g(0.4mol)化合物S-3和361.9g(0.1mol)化合物S-4(其中x＝100)。這導(dǎo)致(氫甲硅烷基的總摩爾數(shù))/(烯基的總摩爾數(shù))的比例＝1/1。在滴加結(jié)束時(shí)，將反應(yīng)溶液在100℃加熱并熟化6小時(shí)。在真空中從反應(yīng)溶液蒸餾出甲苯，生成具有48,000的Mw的產(chǎn)物。將產(chǎn)物指定為樹(shù)脂#2。要注意的是，樹(shù)脂#2具有69重量％的硅氧烷含量并且由根據(jù)裝料的比例為a＝0.2和b＝0.8的構(gòu)成單元構(gòu)成。

合成例3

向配備攪拌器、溫度計(jì)、氮?dú)獯祾吖芫€和回流冷凝器的3L燒瓶裝入105g(0.25mol)化合物S-1和46.5g(0.25mol)化合物S-2，向其中添加1,000g甲苯。將燒瓶在70℃加熱，之后添入0.5g的氯鉑酸甲苯溶液(Pt濃度0.5重量％)并在1小時(shí)內(nèi)滴加77.8g(0.40mol)化合物S-3和70.6g(0.10mol)化合物S-4(其中x＝8)。這導(dǎo)致(氫甲硅烷基的總摩爾數(shù))/(烯基的總摩爾數(shù))的比例＝1/1。在滴加結(jié)束時(shí)，將反應(yīng)溶液在100℃加熱并熟化6小時(shí)。在真空中從反應(yīng)溶液蒸餾出甲苯，生成具有35,000的Mw的產(chǎn)物。將產(chǎn)物指定為樹(shù)脂#3。要注意的是，樹(shù)脂#3具有39重量％的硅氧烷含量并且由根據(jù)裝料的比例為a＝0.2和b＝0.8的構(gòu)成單元構(gòu)成。

對(duì)比合成例1

向配備攪拌器、溫度計(jì)、氮?dú)獯祾吖芫€和回流冷凝器的3L燒瓶裝入151g(0.35mol)化合物S-5和27.9g(0.15mol)化合物S-2，向其中添加2,000g甲苯。將燒瓶在70℃加熱，之后添入1.0g的氯鉑酸甲苯溶液(Pt濃度0.5重量％)并在1小時(shí)內(nèi)滴加77.8g(0.4mol)化合物S-3和276.7g(0.1mol)化合物S-4(其中x＝40)。這導(dǎo)致(氫甲硅烷基的總摩爾數(shù))/(烯基的總摩爾數(shù))的比例＝1/1。在滴加結(jié)束時(shí)，將反應(yīng)溶液在100℃加熱并熟化6小時(shí)。在真空中從反應(yīng)溶液蒸餾出甲苯，生成具有38,000的Mw的產(chǎn)物。將產(chǎn)物指定為樹(shù)脂#4，將其用于比較例1。要注意的是，樹(shù)脂#4具有57重量％的硅氧烷含量。

實(shí)施例1至6&比較例1至4

[制備阻燃樹(shù)脂組合物]

通過(guò)以下制備液體分散體形式的樹(shù)脂組合物：根據(jù)表1中所示的配方混合有機(jī)硅樹(shù)脂(A)(樹(shù)脂#1、#2或#3)、帶有三嗪的酚化合物(B)、填料(C)和任選的組分，將環(huán)戊酮添加至混合物從而產(chǎn)生65重量％的固體濃度，攪拌并在球磨機(jī)中研磨混合物以溶解和分散。要注意的是，表1中的組分的量以重量份表示。

比較例1是包含在本發(fā)明的有機(jī)硅樹(shù)脂(A)的范圍以外的有機(jī)硅樹(shù)脂(樹(shù)脂#4)的樹(shù)脂組合物。比較例2是包含在本發(fā)明的酚化合物(B)的范圍以外的酚醛清漆樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物。比較例3是不含填料(C)的樹(shù)脂組合物。

[樹(shù)脂膜的成型]

使用模涂機(jī)(die coater)作為膜涂布機(jī)，將表1中的實(shí)施例1的阻燃樹(shù)脂組合物涂布至剝離膜(其為E7304的剝離膜#1)上。使其在5分鐘內(nèi)通過(guò)設(shè)定在100℃的4m長(zhǎng)的熱空氣循環(huán)烘箱，在剝離膜#1上形成100μm厚的樹(shù)脂層。在100℃和10N/cm的線性壓力使用輥式層壓機(jī)將作為100μm厚的聚乙烯膜的保護(hù)膜連接并結(jié)合至所述樹(shù)脂層，得到剝離膜#1/樹(shù)脂層/保護(hù)膜的第一層合體。

重復(fù)上述工序，不同之處在于使用E7302的剝離膜#2替代剝離膜#1。獲得剝離膜#2/樹(shù)脂層/保護(hù)膜的第二層合體。

接下來(lái)，將所述保護(hù)膜(PE膜)從所述第一和第二層合體撕除。使以它們的露出的樹(shù)脂層匹配在一起的層合體通過(guò)在60℃的熱的輥式層壓機(jī)，以形成由剝離膜#1/樹(shù)脂膜/剝離膜#2組成的一體的層合體，其中所述樹(shù)脂膜(由兩個(gè)樹(shù)脂層組成)具有200μm的厚度。

使用表1中的其余樹(shù)脂組合物的每一個(gè)重復(fù)實(shí)施例1的工序，得到具有200μm厚的樹(shù)脂膜的整合的層合體。在實(shí)施例6中，類似地獲得具有500μm厚的樹(shù)脂膜的一體的層合體。

如下確定在樹(shù)脂組合物的制備中使用的組分。

帶有三嗪骨架的酚化合物(B)

Phenolite LA-7054

(帶有三嗪骨架的甲酚酚醛清漆，氮含量12重量％，OH當(dāng)量125，由DIC Corp.制造)

Phenolite LA-7751

(帶有三嗪骨架的甲酚酚醛清漆，氮含量14重量％，OH當(dāng)量135，由DIC Corp.制造)

Phenolite LA-1356

(帶有三嗪骨架的甲酚酚醛清漆，氮含量19重量％，OH當(dāng)量146，由DIC Corp.制造)

填料(C)

二氧化硅，平均粒度為5.0μm(Admatechs)

其它組分

EOCN-103S

(環(huán)氧樹(shù)脂，環(huán)氧當(dāng)量209-219，Nippon Kayaku Co.,Ltd.)

Curesol 2P4MHZ

(2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑，由Shikoku Chemicals Corp.制造)

Phenolite TD-2090

(不含三嗪骨架的酚醛清漆型酚醛樹(shù)脂，OH當(dāng)量105，由DIC Corp.制造)

三聚氰胺

(胺當(dāng)量42，氮含量66.6重量％，由Wako Pure Chemical Industries,Ltd.制造)

剝離膜#1：E7304

(聚酯，厚度75μm，剝離力200mN/50mm,Toyobo Co.,Ltd.)

剝離膜#2：E7302

(聚酯，厚度75μm，剝離力90mN/50mm，Toyobo Co.,Ltd.)

保護(hù)膜：100μm厚的聚乙烯膜

表1

[用樹(shù)脂膜覆蓋晶片]

提供具有12英寸(300mm)直徑和100μm厚度的硅晶片。將剝離膜#2從實(shí)施例1至6和比較例1至4的一體的層合體的每一個(gè)撕除。使用真空層壓機(jī)型號(hào)TEAM-300M(Takatori Corp.)(將其真空室設(shè)定在250Pa的真空)在110℃的溫度將露出的樹(shù)脂膜在一個(gè)批次中貼附至硅晶片。在恢復(fù)大氣壓之后，將硅晶片冷卻至25℃并從層壓機(jī)中取出。撕除剝離膜#1。留下經(jīng)樹(shù)脂膜覆蓋的晶片，將其在惰性烘箱中在180℃加熱2小時(shí)，以使樹(shù)脂固化。

測(cè)試1：晶片翹曲

通過(guò)激光儀器FLX-3300-T(Toho Technology Co.,Ltd.)測(cè)量用固化的樹(shù)脂膜覆蓋的晶片的翹曲。結(jié)果示于表2中。對(duì)于翹曲過(guò)大而不能用所述儀器測(cè)量的那些樣品，通過(guò)尺子測(cè)量翹曲(JIS Grade 1)。

測(cè)試2：晶片可支持性

當(dāng)在邊緣支持樹(shù)脂膜覆蓋的晶片時(shí)，通過(guò)尺子測(cè)量晶片的偏斜(JIS Grade 1)。當(dāng)偏斜在20mm以內(nèi)時(shí)將晶片可支持性分級(jí)為良好并且在偏斜超過(guò)20mm時(shí)分級(jí)為差。結(jié)果示于表2中。

測(cè)試3：粘著性

使用真空層壓機(jī)型號(hào)TEAM-100(Takatori Corp.)在100Pa的壓力和100℃的溫度將25μm厚的樹(shù)脂膜連接并結(jié)合至半導(dǎo)體晶片(直徑6英寸，厚度625μm，Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.)。使用具有劃片刀的自動(dòng)劃片鋸(DAD685，DISCO Corp.)，將晶片劃片成2mm×2mm的正方形片。分別提供15mm×15mm的硅晶片(基礎(chǔ)基材)。將其樹(shù)脂膜朝下的2mm×2mm的正方形芯片置于硅晶片上并在150℃在50mN的負(fù)荷下與其結(jié)合。將組件在180℃加熱2小時(shí)，以使樹(shù)脂膜固化。以該方式對(duì)于每個(gè)實(shí)施例制備五個(gè)測(cè)試樣品并使其經(jīng)受以下結(jié)合強(qiáng)度測(cè)試。

使用結(jié)合測(cè)試儀(Dage系列4000-PXY，由Dage制造)。在從基礎(chǔ)基材(15mm×15mm的硅晶片)剝離半導(dǎo)體芯片(2mm×2mm)的嘗試中，測(cè)量抵抗力并將其記錄為樹(shù)脂膜的粘合強(qiáng)度或結(jié)合強(qiáng)度。測(cè)試條件包括200μm/sec的速率和50μm的高度。結(jié)果示于表2中。表2中的值為測(cè)量五個(gè)測(cè)試樣品的平均值并且較高的值表明樹(shù)脂膜(即結(jié)合片材)的較高的結(jié)合強(qiáng)度。

測(cè)試4：可靠性

通過(guò)以40,000rpm的主軸回轉(zhuǎn)和的切割速率20mm/sec運(yùn)行具有劃片刀的劃片鋸(DAD685，DISCO Corp.)，將固化的樹(shù)脂膜覆蓋的晶片劃片成10mm×10mm的正方形片(測(cè)試樣品)。使十個(gè)測(cè)試樣品(對(duì)于每個(gè)實(shí)施例)經(jīng)受重復(fù)1,000個(gè)在-25℃保持10分鐘和在125℃保持10分鐘的循環(huán)的熱循環(huán)測(cè)試。在熱循環(huán)測(cè)試之后，通過(guò)超聲波檢測(cè)觀察樹(shù)脂膜是否從晶片剝離。當(dāng)沒(méi)有在任何樣品中觀察到剝離時(shí)判斷為良好，和當(dāng)在一個(gè)或多個(gè)樣品中觀察到剝離時(shí)判斷為差。結(jié)果示于表2中。

測(cè)試5：阻燃性

由實(shí)施例1至6和比較例1至4的一體的層合體的每一個(gè)撕除剝離膜#2。將樹(shù)脂膜在惰性烘箱中于180℃加熱2小時(shí)以使樹(shù)脂固化。通過(guò)UL 94阻燃性測(cè)試評(píng)價(jià)固化膜的阻燃性。當(dāng)樣品的阻燃性通過(guò)UL94V-0分級(jí)時(shí)將其分級(jí)為良好和當(dāng)樣品不能通過(guò)UL94V-0分級(jí)時(shí)將其分級(jí)為差。結(jié)果示于表2中。

表2

由測(cè)試數(shù)據(jù)證實(shí)，與比較例相比，實(shí)施例的阻燃樹(shù)脂組合物的樹(shù)脂膜提供降低的翹曲、良好的晶片可支持性、粘著性、可靠性和阻燃性。

將本發(fā)明的阻燃樹(shù)脂組合物成型成膜，采用所述膜可以在一個(gè)批次中覆蓋和封裝晶片。所述樹(shù)脂組合物的樹(shù)脂膜具有對(duì)大直徑/薄的晶片的令人滿意的成型或覆蓋性能。所述樹(shù)脂膜的有利之處在于最小的翹曲、晶片保護(hù)、粘著性、可靠性和阻燃性。

盡管已出于闡釋的目的詳細(xì)描述了本發(fā)明的特定實(shí)施方式，但可以作出許多改變和強(qiáng)化而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。因此，并不將本發(fā)明排他地限制在所附的權(quán)利要求。

通過(guò)引用將日本專利申請(qǐng)第2015-216560號(hào)引入本文。

盡管描述了一些優(yōu)選的實(shí)施方案，但是根據(jù)上述教導(dǎo)對(duì)其可以做出許多改變和變型。因此應(yīng)理解的是本發(fā)明可以不同于具體描述那樣實(shí)施而不脫離所附的權(quán)利要求的范圍。