一種適合于led陶瓷支架表面敷銀的制備工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及陶瓷器件的領(lǐng)域，尤其涉及一種適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的LED陶瓷支架表面敷銀采用的是銀漿直接厚膜印刷，再在空氣爐中，經(jīng)850°C左右燒結(jié)而成。由于銀粉的價(jià)格遠(yuǎn)高于銅粉的價(jià)格，所以銀漿的成本在LED陶瓷支架中所占的成本比例較大。目前國(guó)內(nèi)很多廠家，都希望采用賤金屬厚膜漿料來(lái)代替貴金屬厚膜漿料(如銀漿)生產(chǎn)陶瓷線路板。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝，采用陶瓷件表面敷金屬銅層再經(jīng)過(guò)鍍銀的工藝來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的厚膜銀漿工藝，以達(dá)到降低成本的目的，得到的銀層各方面性能和直接銀漿印刷的銀層相同，而且結(jié)合強(qiáng)度高，焊接時(shí)不容易脫落。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供了一種適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝，包括以下具體步驟:
a、制備膏劑，將亞微米級(jí)的氧化亞銅粉、少量氧化鋁粉、少量氧化硅粉和有機(jī)溶劑混合制備成氧化亞銅膏劑；
b、絲網(wǎng)印刷，通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式，按所需的線路圖樣式將氧化亞銅漿料印制在陶瓷件表面；
c、燒結(jié)，將印刷好的陶瓷件放置在空氣爐中，經(jīng)1100°C燒結(jié)，此時(shí)，氧化亞銅膏劑中的氧化亞銅、氧化鋁粉、氧化硅粉和陶瓷中的氧化鋁通過(guò)物理化學(xué)的方式進(jìn)行結(jié)合；
d、二次燒結(jié)，再將燒結(jié)好的陶瓷件放置在氫氣氣氛保護(hù)爐內(nèi)，經(jīng)500-700°C燒結(jié)，氧化亞銅膏劑還原得到金屬銅層；
e、鍍銀，將涂覆好金屬銅層的陶瓷件進(jìn)行鍍銀處理。
[0005]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的陶瓷件為L(zhǎng)ED陶瓷支架。
[0006]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的氧化亞銅粉的百分比含量為95%，氧化鋁粉和氧化娃粉的百分比含量為5%。
[0007]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的有機(jī)溶劑是由乙基纖維素和松油醇按照1:(15-20)的比例溶解成的溶劑本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝，采用陶瓷件表面敷金屬銅層再經(jīng)過(guò)鍍銀的工藝來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的厚膜銀漿工藝，以達(dá)到降低成本的目的，得到的銀層各方面性能和直接銀漿印刷的銀層相同，而且結(jié)合強(qiáng)度高，焊接時(shí)不容易脫落。
【附圖說(shuō)明】
[0008]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中:
圖1是本發(fā)明適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝的一較佳實(shí)施例的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0010]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例包括:
一種適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝，包括以下具體步驟:
a、制備膏劑，將亞微米級(jí)的氧化亞銅粉、少量氧化鋁粉、少量氧化硅粉和有機(jī)溶劑混合制備成氧化亞銅膏劑；
b、絲網(wǎng)印刷，通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式，按所需的線路圖樣式將氧化亞銅漿料印制在陶瓷件表面；
c、燒結(jié)，將印刷好的陶瓷件放置在空氣爐中，經(jīng)1100°C燒結(jié)，此時(shí)，氧化亞銅膏劑中的氧化亞銅、氧化鋁粉、氧化硅粉和陶瓷中的氧化鋁通過(guò)物理化學(xué)的方式進(jìn)行結(jié)合；
d、二次燒結(jié)，再將燒結(jié)好的陶瓷件放置在氫氣氣氛保護(hù)爐內(nèi)，經(jīng)500-700°C燒結(jié)，氧化亞銅膏劑還原得到金屬銅層；
e、鍍銀，將涂覆好金屬銅層的陶瓷件進(jìn)行鍍銀處理。
[0011]上述中，所述的陶瓷件為L(zhǎng)ED陶瓷支架。
[0012]進(jìn)一步的，所述的氧化亞銅粉的百分比含量為95%，氧化鋁粉和氧化硅粉的百分比含量為5%。所述的有機(jī)溶劑是由乙基纖維素和松油醇按照1:(15-20)的比例溶解成的溶劑。
[0013]通過(guò)上述方法得到的銀層各方面性能和直接銀漿印刷的銀層相同，而且結(jié)合強(qiáng)度高，焊接時(shí)不容易脫落，但是最關(guān)鍵的是降低了成本。
[0014]本發(fā)明采用亞微米級(jí)氧化亞銅粉和少量氧化鋁粉、氧化硅粉制備成膏劑，通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式涂覆在陶瓷件表面，然后，將陶瓷件放置在1100°c左右的空氣爐中燒結(jié)，燒結(jié)好的陶瓷件再放置在純氫氣氣氛保護(hù)，500-700°C爐中進(jìn)行還原得到所需要的敷金屬銅層，再將已經(jīng)還原好的銅層表面鍍銀，得到所需要的敷銀層。
[0015]綜上所述，本發(fā)明的適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝，采用陶瓷件表面敷金屬銅層再經(jīng)過(guò)鍍銀的工藝來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的厚膜銀漿工藝，以達(dá)到降低成本的目的，得到的銀層各方面性能和直接銀漿印刷的銀層相同，而且結(jié)合強(qiáng)度高，焊接時(shí)不容易脫落。
[0016]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝，其特征在于，包括以下具體步驟: a、制備膏劑，將亞微米級(jí)的氧化亞銅粉、少量氧化鋁粉、少量氧化硅粉和有機(jī)溶劑混合制備成氧化亞銅膏劑； b、絲網(wǎng)印刷，通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式，按所需的線路圖樣式將氧化亞銅漿料印制在陶瓷件表面； c、燒結(jié)，將印刷好的陶瓷件放置在空氣爐中，經(jīng)1100°C燒結(jié)，此時(shí)，氧化亞銅膏劑中的氧化亞銅、氧化鋁粉、氧化硅粉和陶瓷中的氧化鋁通過(guò)物理化學(xué)的方式進(jìn)行結(jié)合； d、二次燒結(jié)，再將燒結(jié)好的陶瓷件放置在氫氣氣氛保護(hù)爐內(nèi)，經(jīng)500-700°C燒結(jié)，氧化亞銅膏劑還原得到金屬銅層； e、鍍銀，將涂覆好金屬銅層的陶瓷件進(jìn)行鍍銀處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝，其特征在于，所述的陶瓷件為L(zhǎng)ED陶瓷支架。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝，其特征在于，所述的氧化亞銅粉的百分比含量為95%，氧化鋁粉和氧化硅粉的百分比含量為5%。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝，其特征在于，所述的有機(jī)溶劑是由乙基纖維素和松油醇按照1:(15-20)的比例溶解成的溶劑。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝，包括以下具體步驟：制備膏劑、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)、二次燒結(jié)、鍍銀。通過(guò)上述方式，本發(fā)明提供的適合于LED陶瓷支架表面敷銀的制備工藝，采用陶瓷件表面敷金屬銅層再經(jīng)過(guò)鍍銀的工藝來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的厚膜銀漿工藝，以達(dá)到降低成本的目的，得到的銀層各方面性能和直接銀漿印刷的銀層相同，而且結(jié)合強(qiáng)度高，焊接時(shí)不容易脫落。
【IPC分類】C04B41/88
【公開(kāi)號(hào)】CN105367133
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510838984
【發(fā)明人】高永泉, 翟文斌
【申請(qǐng)人】常熟市銀洋陶瓷器件有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月2日
【申請(qǐng)日】2015年11月27日