一種磁控濺射真空鍍膜設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于鍍膜機(jī)產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)一種磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，包括帶有抽氣口的真空鍍膜室以及控制電源，所述真空鍍膜室側(cè)壁上設(shè)有若干組直立型平面孿生磁控靶，所述平面孿生磁控靶的周圍設(shè)有開(kāi)合式擋板裝置，所述真空鍍膜室內(nèi)設(shè)有立式的平面離子源。該真空鍍膜設(shè)備，工件薄膜沉積均勻，性能穩(wěn)定，極大提高工件的鍍膜效率和效果，此外，設(shè)備簡(jiǎn)單實(shí)用，制作成本低。
【專利說(shuō)明】
一種磁控濺射真空鍍膜設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種磁控濺射真空鍍膜設(shè)備?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]目前透明導(dǎo)電薄膜廣泛的應(yīng)用于半導(dǎo)體和光伏行業(yè)，而透明導(dǎo)電薄膜的制備過(guò)程主要采用的是磁控濺射工藝，常規(guī)的主要是直流濺射和射頻濺射，在現(xiàn)有技術(shù)中，直流濺射和射頻濺射技術(shù)存在有以下缺點(diǎn):
[0003]第一，直流濺射金屬氧化物制備透明導(dǎo)電薄膜時(shí)，在鍍膜過(guò)程中容易在靶材表面積累大量的電荷，導(dǎo)致靶材發(fā)生中毒，此外，直流濺射透明導(dǎo)電薄膜沉積速率仍然不夠快， 放電電壓工作過(guò)程中容易受到干擾，造成濺射過(guò)程中靶材表面放電不穩(wěn)定，導(dǎo)致沉積薄膜不夠均勻，性能不夠穩(wěn)定，使得透明導(dǎo)電薄膜在基材表面不能夠牢固附著等。
[0004]第二，射頻濺射設(shè)備對(duì)真空鍍膜設(shè)備的工藝和屏蔽要求高，鍍膜設(shè)備結(jié)構(gòu)繁瑣，制作成本高，不便于大規(guī)模的推廣應(yīng)用。
[0005]因此，研發(fā)一種沉積薄膜均勻，性能穩(wěn)定，能在基材表面牢固附著，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作成本低的磁控濺射真空鍍膜設(shè)備迫在眉睫。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，公開(kāi)一種磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，該真空鍍膜設(shè)備，工件薄膜沉積均勻，性能穩(wěn)定，極大提高工件的鍍膜效率和效果，此外，設(shè)備簡(jiǎn)單實(shí)用，制作成本低。
[0007]為了達(dá)到上述技術(shù)目的，本發(fā)明是按以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0008]本發(fā)明所述的一種磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，包括帶有抽氣口的真空鍍膜室以及控制電源，所述真空鍍膜室側(cè)壁上設(shè)有若干組直立型平面孿生磁控靶，所述平面孿生磁控靶的的周圍設(shè)有開(kāi)合式擋板裝置，所述真空鍍膜室內(nèi)設(shè)有立式的平面離子源。
[0009]作為上述技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述平面孿生磁控靶包括兩相對(duì)設(shè)置的立式長(zhǎng)條型靶頭。
[0010]作為上述技術(shù)的更進(jìn)一步改進(jìn)，所述開(kāi)合式擋板裝置包括擋板和驅(qū)動(dòng)擋板能成打開(kāi)或關(guān)閉狀態(tài)的驅(qū)動(dòng)裝置。
[0011]在本發(fā)明中，所述平面離子源為直立于真空鍍膜室側(cè)壁上的長(zhǎng)條形離子源。
[0012]在本發(fā)明中，所述真空鍍膜室側(cè)壁上的平面孿生磁控靶為至少兩組。
[0013]在本發(fā)明中，所述真空鍍膜室內(nèi)設(shè)有用于安裝待鍍工件并能帶動(dòng)待鍍工件轉(zhuǎn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)工架臺(tái)。
[0014]在本發(fā)明中，所述控制電源為高功率中頻電源。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
[0016](1)本發(fā)明所述的真空濺射鍍膜機(jī)，由于設(shè)置有直立型平面孿生磁控靶以及安裝在平面孿生磁控靶周圍的開(kāi)合式擋板裝置，具有較好的遮擋屏蔽作用，待鍍工件旋轉(zhuǎn)動(dòng)作，提高了鍍層的膜厚均勻性和鍍膜效果；
[0017](2)本發(fā)明所述的真空濺射鍍膜機(jī)，由于設(shè)有直立于真空鍍膜室內(nèi)的長(zhǎng)條形離子源，長(zhǎng)條形離子源的使用即可得到大面積、大范圍的多弧離子源，其充分利用多弧離化率高的特點(diǎn)，同時(shí)又降低離化時(shí)待鍍工件的表面溫度，使得沉積薄膜的顆粒細(xì)膩，同時(shí)也提高了膜層在待鍍工件表面的附著力；
[0018](3)本發(fā)明中，至少兩組孿生磁控靶結(jié)合高功率中頻電源的使用，能夠有效地避免金屬氧化物靶材表面中毒而無(wú)法穩(wěn)定濺射鍍膜，中頻電源的使用能夠提高薄膜沉積速率， 提高生產(chǎn)效率?！靖綀D說(shuō)明】
[0019]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)的說(shuō)明:
[0020]圖1是本發(fā)明所述的鍍膜機(jī)設(shè)備正面示意圖；
[0021]圖2是本發(fā)明所述的鍍膜機(jī)設(shè)備正面示意圖(擋板呈閉合狀態(tài))；[〇〇22]圖3是本發(fā)明所述的鍍膜機(jī)設(shè)備正面示意圖(擋板呈開(kāi)啟狀態(tài))?！揪唧w實(shí)施方式】
[0023]如圖1至圖3所示，本發(fā)明所述的一種磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，包括帶有抽氣口 11 的真空鍍膜室1和控制電源，所述真空鍍膜室1側(cè)壁上設(shè)有兩組直立型平面孿生磁控靶2,所述平面孿生磁控靶2的的周圍設(shè)有開(kāi)合式擋板裝置3,所述真空鍍膜室1側(cè)壁上設(shè)有立式的平面離子源4。
[0024]如圖1所示，所述平面孿生磁控靶2包括兩相對(duì)設(shè)置的立式長(zhǎng)條型靶頭，所述平面離子源4為直立于真空鍍膜室1側(cè)壁上的長(zhǎng)條形離子源。所述真空鍍膜室1內(nèi)的中部還設(shè)有用于安裝待鍍工件10并能帶動(dòng)待鍍工件10轉(zhuǎn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)工架臺(tái)5,旋轉(zhuǎn)工架臺(tái)5帶動(dòng)待鍍工件 10做實(shí)時(shí)的轉(zhuǎn)動(dòng)，確保鍍膜的均勻性。
[0025]如圖2、圖3所示，所述開(kāi)合式擋板裝置3包括擋板31和驅(qū)動(dòng)擋板31能成打開(kāi)或關(guān)閉狀態(tài)的驅(qū)動(dòng)裝置32。如圖3所示，需要鍍膜時(shí)，驅(qū)動(dòng)裝置32打開(kāi)擋板31，所述擋板31遮擋住平面孿生磁控靶2的側(cè)面位置，確保孿生磁控靶2的濺射效果;如圖2所示，當(dāng)不需要鍍膜時(shí)，驅(qū)動(dòng)裝置32將擋板31閉合，具有較好地隔離屏蔽效果。
[0026]在本發(fā)明中，所述控制電源為高功率中頻電源，兩組孿生磁控靶2結(jié)合高功率中頻電源的使用，能夠有效地避免金屬氧化物靶材表面中毒而無(wú)法穩(wěn)定濺射鍍膜，高功率中頻電源的使用能夠提高薄膜沉積速率，提高生產(chǎn)效率。
[0027]本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，凡是對(duì)本發(fā)明的各種改動(dòng)或變型不脫離本發(fā)明的精神和范圍，倘若這些改動(dòng)和變型屬于本發(fā)明的權(quán)利要求和等同技術(shù)范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意味著包含這些改動(dòng)和變型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，包括帶有抽氣口的真空鍍膜室以及控制電源，其特征 在于:所述真空鍍膜室側(cè)壁上設(shè)有若干組直立型平面孿生磁控靶，所述平面孿生磁控靶的 的周圍設(shè)有開(kāi)合式擋板裝置，所述真空鍍膜室內(nèi)設(shè)有立式的平面離子源。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述平面孿生磁控靶包 括兩相對(duì)設(shè)置的立式長(zhǎng)條型靶頭。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述開(kāi)合式擋板裝置包 括擋板和驅(qū)動(dòng)擋板能成打開(kāi)或關(guān)閉狀態(tài)的驅(qū)動(dòng)裝置。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述平面離 子源為直立于真空鍍膜室側(cè)壁上的長(zhǎng)條形離子源。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述真空鍍膜室側(cè)壁上 的平面孿生磁控靶為至少兩組。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述真空鍍膜室內(nèi)設(shè)有 用于安裝待鍍工件并能帶動(dòng)待鍍工件轉(zhuǎn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)工架臺(tái)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，其特征在于:所述控制電源為高功率 中頻電源。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK106011765SQ201610556466
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年7月12日
【發(fā)明人】潘振強(qiáng), 朱惠欽
【申請(qǐng)人】廣東振華科技股份有限公司