沉積材料的方法和設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及沉積材料的方法和設(shè)備。本發(fā)明提供一種在腔室內(nèi)用脈沖DC磁控裝置通過(guò)脈沖DC磁控濺射將介電材料沉積到襯底上的方法，所述脈沖DC磁控裝置產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)初級(jí)磁場(chǎng)；其中，濺射材料從靶材中濺射出，其中，所述靶材和所述襯底隔開(kāi)2.5～10cm的間隙，并且在所述腔室內(nèi)產(chǎn)生次級(jí)磁場(chǎng)，所述次級(jí)磁場(chǎng)引起由所述脈沖DC磁控裝置產(chǎn)生的等離子體向所述腔室的一個(gè)或多個(gè)壁擴(kuò)展。
【專利說(shuō)明】
沉積材料的方法和設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種通過(guò)磁控瓣射將材料沉積到腔室中的襯底上的方法W及相關(guān)設(shè) 備。
【背景技術(shù)】
[0002] 磁控瓣射是眾所周知的PVD(物理氣相沉積）的實(shí)例。磁控瓣射用于將一定范圍的 膜沉積到一定范圍的襯底上。例如，已知通過(guò)脈沖D切茲控瓣射沉積A1N膜。A1N膜能夠W確定 的結(jié)晶取向進(jìn)行沉積，從而產(chǎn)生壓電特性。沉積的膜從而能夠在某些確定的RF頻帶下形成 諧振結(jié)構(gòu)。運(yùn)種類型的膜例如在體聲波(BAW)裝置的制造中具有應(yīng)用，并用作RF頻率的濾波 器。通常情況下，表面積為幾平方毫米的BAW裝置被裝配到圓形娃襯底上。娃襯底可W是直 徑為200mm。壓電A1N膜的諧振頻率是膜厚及其聲學(xué)特性的一階函數(shù)。因此，整個(gè)襯底上的 A1N厚度的不均勻性必須非常低，W允許濾波器在校正的RF濾波器頻帶中工作。通常情況 下，A1N厚度的不均勻性(NU%)應(yīng)小于1%。
[0003] A1N的PVD的已知問(wèn)題是：沉積的膜厚在襯底的徑向最外端部分上明顯下降。對(duì)于 200mm直徑的娃晶片，徑向最外端15mm的晶片特別容易受到A1N膜厚大幅下降的影響。運(yùn)種 下降使得BAW濾波器不能由運(yùn)一部分的晶片制成，除非進(jìn)行額外的工藝步驟W適應(yīng)膜厚的 運(yùn)種內(nèi)在變化。圖1示出了 A1N膜厚(埃)關(guān)于娃晶片半徑(mm)的函數(shù)的兩個(gè)線掃描，一個(gè)線 掃描在90〇,另一個(gè)線掃描在第一晶片1和第二晶片2上的沉積。膜厚的下降在晶片的較外 20mm處變得顯著，并且在晶片的最外15mm處特別明顯。對(duì)于200mm直徑晶片，晶片的最外 15mm代表87cm2的面積，其中全表面積為314cm2。運(yùn)代表用于處理的可用娃的損失為28%。
[0004] 應(yīng)理解的是，通常期望實(shí)現(xiàn)均勻的磁控瓣射的沉積膜厚，因?yàn)橥ǔＦ谕圃爝^(guò)程 提供均勻的結(jié)果。因此，本發(fā)明并不限定于A1N膜的沉積。
[0005] 在至少一些本發(fā)明的實(shí)施方式中，本發(fā)明解決了上述問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了 一種在腔室中用脈沖D切茲控裝置通過(guò)脈沖D切茲控 瓣射將介電材料沉積到襯底上的方法，所述脈沖D切茲控裝置產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)初級(jí)磁場(chǎng)；
[0007] 其中，從祀材中瓣射出瓣射材料，其中，所述祀材和所述襯底隔開(kāi)2.5~10cm的間 隙，并且在所述腔室內(nèi)產(chǎn)生次級(jí)磁場(chǎng)，所述腔室引起由所述脈沖DC磁控裝置產(chǎn)生的等離子 體向所述腔室的一個(gè)或多個(gè)壁擴(kuò)展。
[000引所述襯底可W具有150mm或更大的寬度。
[0009]所述祀材可W具有一寬度，并且所述襯底可W具有一寬度。所述祀材的寬度可W 大于所述襯底的寬度。在運(yùn)些情況下，所述等離子體的寬度大于所述襯底的寬度，并且與直 覺(jué)相反的是:運(yùn)可能有利于使所述等離子體進(jìn)一步擴(kuò)展。通常情況下，所述祀材和所述襯底 的寬度為各自的半徑。原則上，所述祀材和所述襯底可W是不同形狀的，并且所述寬度可W 對(duì)應(yīng)于一種或多種不同的線性尺寸。
[0010] 可w使用電磁體倉(cāng)幡所述次級(jí)磁場(chǎng)?？蒞通過(guò)將DC電流施加到線圈來(lái)倉(cāng)幡所述次 級(jí)磁場(chǎng)。所述線圈可W設(shè)置在所述腔室的外周。通常情況下，所述磁控裝置位于所述腔室的 上部區(qū)域，并且所述線圈設(shè)置在所述腔室的主體部分周圍，所述腔室的主體部分位于所述 腔室的上部區(qū)域的下方。原則上，所述線圈可W設(shè)置在所述腔室內(nèi)。然而，運(yùn)被認(rèn)為是不太 實(shí)用的布置。
[0011] 所述電磁體可W是單個(gè)電磁體或具有對(duì)齊的極性的一系列電磁體，使得全部電磁 體引起由所述磁控裝置產(chǎn)生的等離子體向所述腔室的一個(gè)或多個(gè)壁擴(kuò)展。
[0012] 或者，可W使用永磁體創(chuàng)建所述次級(jí)磁場(chǎng)。然而，有利的是能夠使用電磁體，因?yàn)?電磁體更容易對(duì)所述次級(jí)磁場(chǎng)進(jìn)行微調(diào)W產(chǎn)生最佳性能。
[0013] -般情況下，產(chǎn)生所述次級(jí)磁場(chǎng)，W便在所述襯底的外周部分提供厚度增大的沉 積的材料。
[0014] 所述次級(jí)磁場(chǎng)可W引起離子偏離所述襯底的外周部分。所述次級(jí)磁場(chǎng)可W向所述 腔室的一個(gè)或多個(gè)壁吸引電子W產(chǎn)生漂移電場(chǎng)，所述漂移電場(chǎng)使離子偏離所述襯底的外周 部分。
[0015] 在所述腔室的壁和所述襯底之間的區(qū)域中，所述次級(jí)磁場(chǎng)可W在所述腔室中大致 沿軸向延伸。
[0016] 可W使用脈沖D切茲控瓣射來(lái)沉積所述材料。當(dāng)與脈沖DC磁控瓣射或產(chǎn)生高密度離 子的任何其它磁控瓣射技術(shù)一起使用時(shí)，本發(fā)明被認(rèn)為是特別有效的。
[0017] 可W使用反應(yīng)瓣射來(lái)沉積所述材料。
[0018] 沉積的介電材料可W是A1N。沉積的介電材料可W是娃氧化物。
[0019] 負(fù)偏壓電位可被施加到襯底支架，所述襯底放置在所述襯底支架上。
[0020] 所述等離子體可W在包含氣的氣體混合物中產(chǎn)生。其它稀有氣體是可預(yù)期的。
[0021] Ar+離子可W偏離所述襯底的外周部分。
[0022] 所述襯底可W是半導(dǎo)體襯底，諸如半導(dǎo)體晶片。所述襯底可W是娃襯底。所述襯底 可W是半徑為200mm或300mm的晶片。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種通過(guò)脈沖D切茲控瓣射將介電材料沉積到襯底 上的PV的受備，包括：
[0024] 腔室；
[0025] 脈沖DC磁控裝置，所述脈沖DC磁控裝置產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)初級(jí)磁場(chǎng)，所述脈沖DC磁 控裝置包括能瓣射出瓣射材料的祀材；
[0026] 襯底支架，所述襯底支架設(shè)置在所述腔室中；
[0027] 次級(jí)磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置，所述次級(jí)磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置被配置成在使用時(shí)所述祀材和所述襯 底隔開(kāi)2.5~10cm的間隙；W及，
[0028] 控制器，所述控制器被配置成控制所述次級(jí)磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置，使得次級(jí)磁場(chǎng)產(chǎn)生在 所述腔室內(nèi)，而同時(shí)沉積所述介電材料，所述次級(jí)磁場(chǎng)使所述腔室的一個(gè)或多個(gè)壁偏離漂 移電場(chǎng)，所述漂移電場(chǎng)使離子偏離所述襯底的外周部分。
[0029] 所述襯底支架被配置成支承寬度為150mm或更大的襯底。
[0030] 所述祀材可W具有寬度。所述襯底支架被配置成支承具有寬度的襯底。所述祀材 的寬度可W大于所述襯底的寬度。
[0031] 所述次級(jí)磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置可W是電磁體。所述電磁體可W是單個(gè)電磁體或具有對(duì)齊 的極性的一系列電磁體，使得全部電磁體產(chǎn)生磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)使電子向所述腔室的一個(gè)或 多個(gè)壁偏移W產(chǎn)生漂移電場(chǎng)，所述漂移電場(chǎng)使離子偏離所述襯底的外周部分。
[0032] 所述次級(jí)磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置可W包括:設(shè)置在所述腔室的外周的線圈，W及將DC電流 施加到所述線圈的電源。
[0033] 所述脈沖D切茲控裝置可W是平衡的磁控管或未平衡的磁控管。
[0034] 所述設(shè)備可W進(jìn)一步包括所述襯底。
[0035] 根據(jù)本發(fā)明的第Ξ方面，提供了一種制造體聲波裝置的方法，所述方法包括使用 根據(jù)本發(fā)明的第一方面的方法將介電材料沉積到襯底上。
[0036] 雖然本發(fā)明已經(jīng)描述如上，但是它延伸至上文中或者下面的說(shuō)明書(shū)、附圖或權(quán)利 要求中所陳述的特征的任何發(fā)明組合。
【附圖說(shuō)明】
[0037] 將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備和方法的實(shí)施方式，其中：
[0038] 圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)沉積工藝的作為晶片徑向位置的函數(shù)的A1N膜厚；
[0039] 圖2是現(xiàn)有技術(shù)用于沉積A1N的D切茲控系統(tǒng)的一部分的半示意性截面圖；
[0040] 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的PV的受備；
[0041] 圖4是用于沉積A1N的本發(fā)明的D切茲控系統(tǒng)的一部分的半示意性截面圖；
[0042] 圖5示出了對(duì)于DC線圈中的若干DC電流值，作為晶片徑向位置的函數(shù)的A1N膜厚； W及，
[0043] 圖6示出了對(duì)于DC線圈中的若干DC電流值，晶片內(nèi)已沉積的A1N膜的不均一性。
【具體實(shí)施方式】
[0044] 圖3示出了本發(fā)明的PVD設(shè)備，通常用30描述。設(shè)備30包括腔室32,腔室32容納DC磁 控裝置34;祀材36,通過(guò)磁控裝置34從祀材36中瓣射出材料；W及襯底支架38,襯底支架38 支承襯底(未示出），所需的材料沉積在襯底上。設(shè)備30進(jìn)一步包括線圈40,線圈40設(shè)置在腔 室32的主體部分周圍。在圖3所示的實(shí)施方式中，腔室是圓柱形的，雖然在原則上可W利用 其它腔室形狀和其它線圈橫截面形狀。為了簡(jiǎn)單呈現(xiàn)起見(jiàn)，磁控瓣射裝置的其它通用方面 (諸如氣體入口和出口）未在圖3中示出。
[0045] 將脈沖DC功率從DC電源施加到祀材36上。通過(guò)線圈DC電源46將DC功率施加到線圈 40，線圈DC電源46能夠改變施加的電流。將RF功率從RF電源44施加到襯底支架38，W便使襯 底支架具有負(fù)偏壓。通常情況下，襯底支架38通常W13.56MHz進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，盡管本發(fā)明并不受 限制于運(yùn)個(gè)方面。電源42、44、46的操作由控制器48控制。控制器48可W是具有合適的圖形 用戶界面的計(jì)算機(jī)。
[0046] 已在上面描述了與材料(諸如A1N)沉積有關(guān)的膜均勻性的問(wèn)題。本發(fā)明人認(rèn)為:他 們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了沉積的A1N膜在晶片外周處的厚度降低的原因。不希望受到任何特定的理論 或推測(cè)所束縛，據(jù)信:在晶片外周處的膜厚降低是由于帶正電荷的離子瓣射。運(yùn)被描繪在圖 2中，圖2示出了D邱茲控系統(tǒng)的一部分，D邱茲控系統(tǒng)的一部分包括具有祀材背板20a的腔室 20,祀材背板20a充當(dāng)蓋部。祀材22被粘接到祀材背板20a上。一對(duì)可旋轉(zhuǎn)的磁鐵24放置在祀 材背板20a的對(duì)面，遠(yuǎn)離祀材22。晶片26放置在臺(tái)板28上，臺(tái)板28能被RF驅(qū)動(dòng)W產(chǎn)生負(fù)DC偏 壓。將氣氣和氮?dú)獾幕旌衔镆肭皇?，并且將?fù)的脈沖高DC電壓施加到由此充當(dāng)陰極的祀 材背板20a/祀材22。運(yùn)產(chǎn)生了包含氣離子和A1N離子的高密度等離子體。晶片26位于陰極的 主侵蝕軌道內(nèi)，陰極的主侵蝕軌道由磁鐵24的轉(zhuǎn)動(dòng)路徑限定。據(jù)信，一部分離子使等離子體 的陰極輝光(negative glow)逸出并朝著臺(tái)板28移動(dòng)。也據(jù)信，臺(tái)板28上的負(fù)偏壓起到將帶 正電荷的離子(諸如Ar+)吸引到晶片26的邊緣的作用，從而導(dǎo)致沉積的A1N膜在該區(qū)域中通 過(guò)瓣射蝕刻變薄。A1正離子和N正離子可能也會(huì)產(chǎn)生某些瓣射蝕刻。
[0047] 圖4示出了本發(fā)明的設(shè)備的一部分，運(yùn)與圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)設(shè)備的許多特征相 同。因此，圖4中已使用的相同附圖標(biāo)記描述了運(yùn)些相同特征。圖4中所示的本發(fā)明的實(shí)施方 式進(jìn)一步包括多應(yīng)線圈29,多應(yīng)線圈29位于腔室20的主體部分周圍。線圈29由DC電源(未示 出)供給DC電流。圖4也示出了由通電線圈29產(chǎn)生的次級(jí)磁場(chǎng)線。可見(jiàn)，腔室20的內(nèi)部中產(chǎn)生 的磁場(chǎng)線21沿著腔室大致軸向延伸至接近主體部分的腔室壁。由線圈29產(chǎn)生的次級(jí)磁場(chǎng)的 作用是引起等離子體朝向腔室20的主體部分的壁擴(kuò)展。不希望受到任何特定的理論或推測(cè) 所束縛，據(jù)信:次級(jí)磁場(chǎng)吸引來(lái)自陰極的電子，運(yùn)反過(guò)來(lái)建立了漂移電場(chǎng)，該漂移電場(chǎng)使離 子偏離晶片26的邊緣。運(yùn)降低了在晶片的邊緣處的瓣射蝕刻。因此，據(jù)信，本發(fā)明能夠通過(guò) 使運(yùn)些正離子朝向腔室壁偏離來(lái)減少朝向晶片邊緣移動(dòng)的正離子的數(shù)目，否則運(yùn)會(huì)瓣射蝕 刻晶片的邊緣區(qū)域。由于影響晶片邊緣區(qū)域的正離子數(shù)得W減少，據(jù)信，由離子轟擊導(dǎo)致的 晶片的運(yùn)個(gè)區(qū)域中的局部變薄的效果也減少。運(yùn)導(dǎo)致沉積的膜均勻性改善。
[0048] 已使用根據(jù)圖2和圖4的設(shè)備進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，W將A1N膜沉積到娃襯底上。所使用的沉積 工藝條件示于表1中。
[0049] 表1 :A1N膜沉積的工藝條件
[(K)加]
[0051]將多種DC電流施加到產(chǎn)生次級(jí)磁場(chǎng)的線圈（分別對(duì)應(yīng)于圖4和圖3中所示的線圈29 和線圈40)。更具體地說(shuō)，0A、10A和20A的電流與33應(yīng)線圈結(jié)合使用。圖5示出了對(duì)于使用運(yùn) 些DC電流沉積的膜，沉積的A1N膜厚與晶片上的徑向位置的函數(shù)。線50示出了當(dāng)不施加電流 時(shí)的膜厚，線52示出了 10A電流的膜厚，并且線54示出了 20A電流的膜厚?？梢?jiàn)，當(dāng)20A電流用 于產(chǎn)生次級(jí)磁場(chǎng)時(shí)，在娃晶片的邊緣處A1N膜厚沒(méi)有出現(xiàn)下降。圖6示出了3、5和10mm邊緣排 除(ee)的49點(diǎn)極性測(cè)量的由10%標(biāo)準(zhǔn)偏差表示的晶片內(nèi)膜(WIW)厚度不均勻性關(guān)于施加到 生成次級(jí)磁場(chǎng)的線圈的DC線圈電流的函數(shù)。線60、62、64分別對(duì)應(yīng)于3mm、5mm和10mm的邊緣 排除。圖6示出了在未施加直流電流時(shí)不均勻性在3和5mm邊緣排除處較高，運(yùn)是由于在晶片 邊緣處膜厚下降。在施加20A的DC電流時(shí)，晶片內(nèi)不均勻性對(duì)于3mm、5mm到10mm的邊緣排除 來(lái)說(shuō)基本上相同。可見(jiàn)，對(duì)于與運(yùn)些實(shí)驗(yàn)相關(guān)的系統(tǒng)和工藝條件，最佳次級(jí)磁場(chǎng)是由施加約 20A的DC電流產(chǎn)生的。也能夠看出獲得了優(yōu)異的結(jié)果。實(shí)際上，加工到3mm邊緣排除被認(rèn)為是 現(xiàn)有技術(shù)。使用電磁體產(chǎn)生次級(jí)磁場(chǎng)是有利的，因?yàn)樗试S磁場(chǎng)的強(qiáng)度容易改變W得到最 佳結(jié)果。在本文提供的實(shí)例中，優(yōu)化的磁場(chǎng)為33X20 = 660安培應(yīng)(Amp turn)。對(duì)于任何給 定的實(shí)現(xiàn)方式，使用本文提供的原理能夠容易地得到優(yōu)化的磁場(chǎng)。
[0052]本發(fā)明能夠應(yīng)用于范圍廣泛的PVD系統(tǒng)。能夠產(chǎn)生實(shí)施本發(fā)明的預(yù)定系統(tǒng)，并且也 能夠容易地改進(jìn)現(xiàn)有的PVD系統(tǒng)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種在腔室內(nèi)用脈沖DC磁控裝置通過(guò)脈沖DC磁控濺射將介電材料沉積到襯底上的 方法，所述脈沖DC磁控裝置產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)初級(jí)磁場(chǎng)； 其中，從靶材中濺射出濺射材料，其中，所述靶材和所述襯底隔開(kāi)2.5~10cm的間隙，并 且在所述腔室內(nèi)產(chǎn)生次級(jí)磁場(chǎng)，所述次級(jí)磁場(chǎng)引起由所述脈沖DC磁控裝置產(chǎn)生的等離子體 向所述腔室的一個(gè)或多個(gè)壁擴(kuò)展。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述襯底具有150mm或更大的寬度。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述靶材具有寬度，所述襯底具有寬度，并且 所述靶材的寬度大于所述襯底的寬度。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，使用電磁體創(chuàng)建所述次級(jí)磁場(chǎng)。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，通過(guò)將DC電流施加到線圈來(lái)創(chuàng)建所述次級(jí)磁場(chǎng)， 所述線圈設(shè)置在所述腔室的外周。6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其中，所述電磁體是單個(gè)電磁體或具有對(duì)齊的極性 的一系列電磁體，使得全部電磁體引起由所述磁控裝置產(chǎn)生的等離子體向所述腔室的一個(gè) 或多個(gè)壁擴(kuò)展。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中，產(chǎn)生所述次級(jí)磁場(chǎng)，以便在所述襯底 的外周部分提供厚度增大的沉積的介電材料。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述次級(jí)磁場(chǎng)引起離子偏離所述襯 底的外周部分。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，Ar+離子偏離所述襯底的外周部分。10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其中，所述次級(jí)磁場(chǎng)向所述腔室的一個(gè)或多個(gè)壁吸 引電子以產(chǎn)生漂移電場(chǎng)，所述漂移電場(chǎng)使離子偏離所述襯底的外周部分。11. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在所述腔室的壁和所述襯底之間的 區(qū)域中，所述次級(jí)磁場(chǎng)在所述腔室中大致沿軸向延伸。12. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，A1N被沉積。13. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，將負(fù)偏壓電位施加到襯底支架，所 述襯底放置在所述襯底支架上。14. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述襯底是半導(dǎo)體襯底，諸如硅襯 底。15. -種通過(guò)DC磁控濺射將介電材料沉積到襯底上的PVD設(shè)備，包括： 腔室； 脈沖DC磁控裝置，所述DC磁控裝置產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)初級(jí)磁場(chǎng)，所述脈沖DC磁控裝置包 括能濺射出濺射材料的靶材； 襯底支架，所述襯底支架設(shè)置在所述腔室中； 次級(jí)磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置，所述次級(jí)磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置被配置成在使用時(shí)所述靶材和所述襯底隔 開(kāi)2.5~10cm的間隙；以及， 控制器，所述控制器被配置成控制所述次級(jí)磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置，使得在所述腔室內(nèi)產(chǎn)生次 級(jí)磁場(chǎng)，而同時(shí)沉積所述介電材料，所述次級(jí)磁場(chǎng)使電子向所述腔室的一個(gè)或多個(gè)壁偏移 以產(chǎn)生漂移電場(chǎng)，所述漂移電場(chǎng)使離子偏離所述襯底的外周部分。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中，所述襯底支架被配置成支承寬度為150mm或更 大的襯底。17. 根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的設(shè)備，其中，所述靶材具有寬度，所述襯底支架被配置 成支承具有寬度的襯底，并且所述靶材的寬度大于所述襯底的寬度。18. 根據(jù)權(quán)利要求15至17中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述次級(jí)磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置是電磁 體。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其中，所述電磁體是單個(gè)電磁體或具有對(duì)齊的極性的 一系列電磁體，使得全部電磁體產(chǎn)生磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)使電子向所述腔室的一個(gè)或多個(gè)壁偏 移以產(chǎn)生漂移電場(chǎng)，所述漂移電場(chǎng)使離子偏離所述襯底的外周部分。20. 根據(jù)權(quán)利要求15至19中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述次級(jí)磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置包括:設(shè) 置在所述腔室的外周的線圈，以及將DC電流施加到所述線圈的電源。21. 根據(jù)權(quán)利要求15至20中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括所述襯底。22. -種制造體聲波裝置的方法，所述方法包括使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法將介電 材料沉積到襯底上。
【文檔編號(hào)】C23C14/06GK106011761SQ201610201666
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年3月31日
【發(fā)明人】斯蒂芬·R·伯吉斯, R·辛德曼, 阿米特·拉斯托吉, 保羅·埃杜拉多·利馬, C·L·威迪克斯, 保羅·理查, 斯科特·海莫爾, 丹尼爾·庫(kù)克
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