使用還原方法的分子層沉積的制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】使用還原方法的分子層沉積
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2013年11月27日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)N0.61/909，819的權(quán)益，其通過(guò)引用整體并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本公開(kāi)內(nèi)容涉及使用自由基在基底上進(jìn)行分子層沉積(MLD)。
【背景技術(shù)】
[0004]MLD是一種用于使分子沉積到基底上作為單元以在所述基底上形成聚合物膜的薄膜沉積方法。在MLD中，分子碎片在每個(gè)反應(yīng)循環(huán)期間沉積。用于MLD的前體通常是同雙官能團(tuán)反應(yīng)物。MLD方法一般用于在基底上使有機(jī)聚合物例如聚酰胺生長(zhǎng)。
[0005]用于MLD的前體可用于使混雜有機(jī)-無(wú)機(jī)聚合物如鋁氧烷(Alucone)和鋯氧烷(Zircone)生長(zhǎng)。鋁氧烷是指具有含碳骨架的烷醇鋁聚合物并且可得自于三甲基鋁(TMA:Al (CH3) 3)與乙二醇的反應(yīng)。鋯氧烷是指由二醇(例如，乙二醇)與鋯前體(例如叔丁醇錯(cuò)Zr[0C(CH3)3)]4、四(二甲基酰胺基)鋯Zr [N (CH3) 2]4)的反應(yīng)所獲得的混雜有機(jī)-無(wú)機(jī)化合物。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]實(shí)施方案涉及使材料沉積到基底上。將基底暴露于含金屬前體以使含金屬前體的金屬原子吸附至基底。將暴露于含金屬前體的基底暴露于有機(jī)前體以通過(guò)有機(jī)前體與吸附至基底的金屬原子的反應(yīng)使材料層沉積。將基底暴露于還原劑的自由基以增加沉積在基底上的材料的反應(yīng)性。將基底暴露于含金屬前體、有機(jī)前體和還原劑的自由基可重復(fù)進(jìn)行，從而使材料的附加層沉積到基底上。
[0007]在一個(gè)實(shí)施方案中，在將含金屬前體注射到基底上之后并且在注射有機(jī)前體之前，將基底暴露于還原劑的自由基以增加金屬原子對(duì)于有機(jī)前體的反應(yīng)性。
[0008]在一個(gè)實(shí)施方案中，沉積材料是金屬醇鹽(metalcone)。含金屬前體可包括三甲基鋁。含金屬前體可包括含鋁前體、含鈦前體、含鋅前體、含鋯前體、含鎳前體或其組合。有機(jī)BU體可包括一醇、二醇、氣基醇、燒基一胺、燒基酌\氣基燒基二燒氧基娃燒、異氛酸基燒基三烷氧基硅烷或其組合中的至少一種。
[0009]在一個(gè)實(shí)施方案中，還原劑包括肼、氨、氫氣或其組合中的至少一種。將基底暴露于還原劑的自由基可包括注射氮?dú)庖苑€(wěn)定還原劑。
[0010]在一個(gè)實(shí)施方案中，將基底暴露于有機(jī)前體可包括按順序?qū)⒒妆┞队诙喾N有機(jī)前體。將注射有含金屬前體的基底暴露于第一有機(jī)前體以通過(guò)第一有機(jī)前體與吸附到基底上的金屬原子的反應(yīng)使材料層沉積。在將基底暴露于第一有機(jī)前體之后，將注射有第一有機(jī)前體的基底暴露于還原劑的自由基以增加沉積在基底上的材料與第二有機(jī)前體的反應(yīng)性。將注射有第一有機(jī)前體的基底暴露于第二有機(jī)前體以保持或延長(zhǎng)沉積材料層的烴橋(hydrocarbon bridge)。第一有機(jī)前體可以是4_乙基苯酸并且第二有機(jī)前體可以是3_氨基-丙基三甲氧基硅烷，反之亦然。第一有機(jī)前體可以是3-氨基-丙基三甲氧基硅烷并且第二有機(jī)前體可以是3-異氰酸基丙基三乙氧基硅烷，反之亦然。
[0011]實(shí)施方案還涉及包含沉積在基底上的材料的產(chǎn)品。所述產(chǎn)品通過(guò)本文所述方法產(chǎn)生。
[0012]實(shí)施方案涉及用于使材料層沉積在基底上的設(shè)備。所述設(shè)備包括第一注射裝置、移動(dòng)機(jī)構(gòu)、第二注射裝置和自由基反應(yīng)器。第一注射裝置具有朝向基底表面開(kāi)口的第一反應(yīng)室以將含金屬前體注射到該表面上并使得含金屬前體的金屬原子吸附至基底表面。移動(dòng)機(jī)構(gòu)被構(gòu)造成引起第一基底與第一注射裝置之間的相對(duì)移動(dòng)。第二注射裝置設(shè)置在相對(duì)移動(dòng)的路徑上，并且具有朝向基底表面開(kāi)口的第二反應(yīng)室，以將有機(jī)前體注射到注射有含金屬前體的基底表面上并通過(guò)有機(jī)前體與吸附至基底的金屬原子的反應(yīng)使材料層沉積在基底上。自由基反應(yīng)器構(gòu)造為將還原劑的自由基注射到注射有有機(jī)前體的基底上。
[0013]在一個(gè)實(shí)施方案中，第一注射裝置形成有排氣部分、連接排氣部分和第一反應(yīng)室的收縮區(qū)域(constrict1n zone)。第一反應(yīng)室平行于相對(duì)移動(dòng)路徑的寬度超過(guò)了收縮區(qū)域的上表面與基底表面之間的高度。
[0014]在一個(gè)實(shí)施方案中，所述設(shè)備包括在相對(duì)移動(dòng)路徑上的第三注射裝置。第三注射裝置構(gòu)造為將惰性氣體注射到基底上，從而移除物理吸附在基底上的含金屬前體。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的用于進(jìn)行分子層沉積的線(xiàn)性沉積裝置的橫截面視圖。
[0016]圖2是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的線(xiàn)性沉積裝置的透視圖。
[0017]圖3是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的用于進(jìn)行分子層沉積的旋轉(zhuǎn)沉積裝置的透視圖。
[0018]圖4是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的圖1的沉積裝置中反應(yīng)器的透視圖。
[0019]圖5A是說(shuō)明根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的圖4的注射裝置的橫截面視圖。
[0020]圖5B是說(shuō)明根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的圖4的自由基反應(yīng)器的橫截面視圖。
[0021]圖6是說(shuō)明根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的使材料沉積在基底上的方法的流程圖。
[0022]圖7A至7G是說(shuō)明根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，當(dāng)基底經(jīng)歷用于進(jìn)行MLD的加工步驟時(shí)沉積在基底上的材料的概念圖。
[0023]圖8A至8C是說(shuō)明根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的使用MLD方法沉積具有可替代結(jié)構(gòu)的材料的概念圖。
[0024]圖9是說(shuō)明根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的利用三甲基鋁(TMA)和氨基丙基三甲氧基硅烷(APTMOS)沉積聚合物MLD膜的概念圖。
[0025]圖10是說(shuō)明根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的使用TMA、4-乙基苯酚和APTMOS沉積聚合物MLD膜的概念圖。
[0026]圖11是說(shuō)明根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案使用TMA、APTMOS和3_異氰酸基丙基三乙氧基硅烷沉積聚脲基聚合物膜的概念圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]本文參照附圖對(duì)實(shí)施方案進(jìn)行描述。然而，本文所公開(kāi)的原理可以以不同形式體現(xiàn)并且不應(yīng)解釋為局限于本文所描述的實(shí)施方案。在說(shuō)明書(shū)中，可以省略公知特征和技術(shù)的細(xì)節(jié)以避免不必要地模糊實(shí)施方案的特征。
[0028]在附圖中，附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。為了清楚起見(jiàn)，可放大附圖的形狀、尺寸和區(qū)域等。
[0029]實(shí)施方案涉及使用還原劑的自由基(例如，氫自由基H*)進(jìn)行分子層沉積(MLD)方法以增加沉積速率和/或改善沉積在基底上的材料的聚合特性。在將含金屬前體(例如，三甲基鋁(TMA))和有機(jī)前體(例如，4-乙基苯酚)注射到基底上之后，注射還原劑的自由基以沉積下一層金屬醇鹽。通過(guò)使用還原劑的自由基而不是氧化氣體的自由基，保留了沉積材料中的碳橋聯(lián)，從而使沉積速率增加并導(dǎo)致表現(xiàn)出較高的聚合特性。
[0030]線(xiàn)性沉積裝置
[0031]圖1是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的用于進(jìn)行MLD方法的線(xiàn)性沉積裝置100的橫截面視圖。圖2是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的線(xiàn)性沉積裝置100的透視圖(為了便于解釋而沒(méi)有室壁)。除了其他部件，線(xiàn)性沉積裝置100可包括支撐柱(support pillar) 118、處理室110和一個(gè)或更多個(gè)反應(yīng)器136。反應(yīng)器136可包括一個(gè)或更多個(gè)注射裝置和一個(gè)或更多個(gè)自由基反應(yīng)器。每個(gè)注射裝置將吹掃氣體、含金屬前體或有機(jī)前體注射到基底120上。
[0032]由壁封裝的處理室110可維持在真空狀態(tài)下以防止污染物影響沉積過(guò)程。處理室110包括接收基底120的接受器(susc印tor) 128。接受器128放置在支撐板124上以進(jìn)行滑動(dòng)。支撐板124可包括溫度控制器(例如，加熱器或冷卻器)以控制基底120的溫度。線(xiàn)性沉積裝置100還可包括頂針(lift pin)(未示出)，其便于將基底120裝載在接受器128上或者將基底120從接受器128中拆卸下來(lái)。
[0033]在一個(gè)實(shí)施方案中，線(xiàn)性沉積裝置100包括移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其構(gòu)造為引起基底120與反應(yīng)器136之間的相對(duì)移動(dòng)。移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括發(fā)動(dòng)機(jī)114和延伸棒(extended bar) 138。接受器128用在其上形成的螺釘固定至在延伸棒上移動(dòng)的一個(gè)或更多個(gè)托架210。托架210具有在其接收延伸棒138的孔中形成的相應(yīng)螺紋。延伸棒138固定至發(fā)動(dòng)機(jī)114的軸上，因此延伸棒138隨著發(fā)動(dòng)機(jī)114的軸旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)。延伸棒138的旋轉(zhuǎn)導(dǎo)致托架210 (并因此接受器128)在支撐板124上進(jìn)行線(xiàn)性移動(dòng)。換句話(huà)說(shuō)，托架210將延伸棒138的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換成平行于延伸棒138的線(xiàn)性運(yùn)動(dòng)。通過(guò)控制發(fā)動(dòng)機(jī)114的速度和旋轉(zhuǎn)方向，可沿著相對(duì)移動(dòng)的路徑控制接受器128線(xiàn)性移動(dòng)的速度