超電容電極材料的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種控電位電沉積制備(Ni)Co(OH)x超電容電極材料的方法，在泡沫鎳基體上采用控電位法電沉積(Ni)Co(OH)x超電容電極材料，工藝簡單、易實施，制備的超電容電極材料純度高，沉積厚度均勻無脫落，電化學(xué)性能優(yōu)異，采用循環(huán)伏安法測得泡沫鎳基(Ni)Co(OH)x超電容電極材料的比電容值均在1675F/g以上，最高可達(dá)1883F/g。
【專利說明】一種控電位電沉積制備（N i) Co (OH) x超電容電極材料的方 法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及超電容電極材料的制備領(lǐng)域，特別涉及采用控電位電沉積的方法制備 (Ni) Co (OH) x超電容電極材料。

【背景技術(shù)】
[0002] 超級電容器作為一種新型的儲能裝置，與鋰電池相比，其具有可用數(shù)百甚至上萬 安的大電流進(jìn)行快速充放電、不會爆炸燃燒、循環(huán)壽命可達(dá)數(shù)十萬次的突出優(yōu)勢，在新能源 發(fā)電、電動汽車、消費電子、軍工等領(lǐng)域有著極為廣闊的應(yīng)用前景。
[0003] Ni (OH)2、C〇(OH)2等氫氧化物因具有較大的理論比電容值、低廉的成本且對環(huán)境污 染小而備受關(guān)注。目前，Ni(0H)2、&)(011)2的制備方法主要有化學(xué)沉淀法和電沉積法，Yun 等人[Electrochimica Acta, 56(6) :2627 - 2632(2011).]用化學(xué)浴沉積法在泡沫鎳表面上 得到20nm厚的多孔Ni (0H) 2或NiOOH復(fù)合物膜，其比電容值為1420F/g，但該方法制備過程 不易控制，制得產(chǎn)物不穩(wěn)定，而且會產(chǎn)生大量堿性廢液，造成環(huán)境污染。
[0004]
【發(fā)明者】戴玉明, 趙靜濤, 王超, 巴志新, 談玲華, 黃偉, 朱帥帥, 陶學(xué)偉 申請人:南京工程學(xué)院