真空雙極濺射餐具鍍膜方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及餐具鍍膜，具體涉及一種真空雙極濺射餐具鍍膜方法。
【背景技術】
[0002]利用雙極濺射技術進行真空鍍膜的過程中，靶材消耗很快，尤其對于銅、鉻、鋯甚至金等非常貴重的靶材，局部刻蝕會使刻蝕部位加速凹陷，使用不久就會擊穿靶材，則靶材利用率非常低，只能達到30%左右，造成產(chǎn)品生產(chǎn)成本居高不下。為了提高靶材利用率，降低生產(chǎn)成本，本公司研發(fā)設計了動態(tài)單極靶運動系統(tǒng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要針對普通單極靶消耗過快，造成靶材利用率低、生產(chǎn)成本高的缺點，發(fā)明了利用一種采用單極靶形成可移動磁場使餐具上的鍍層均勻一致的真空雙極濺射餐具鍍膜方法，可移動的磁場是通過運動的單極靶形成的，主要通過設計擺線減速機動力裝置，動力裝置帶動單極靶緩慢轉動，轉動過程通過強制調(diào)節(jié)機構調(diào)整磁場，使定磁場與單極靶始終保持水平狀態(tài)，最終形成了定磁場圍繞單極靶均勻做圓周運動。因此，在磁控濺射過程中靶材的刻蝕位置是不斷變化的，靶材表面均勻消耗。
[0004]本發(fā)明的上述技術問題是通過以下技術方案得以實施的:一種真空雙極濺射餐具鍍膜方法，包括封閉的濺射室，濺射室的中間為帶負極的金屬柱體，即單極靶，所述單極靶設置成中空，且單極靶內(nèi)設置有磁塊，由磁塊形成定磁場，所述單極靶由一動力裝置驅動，在動力裝置的驅動下單極靶進行自轉運動，而定磁場圍繞單極靶做圓周運動；
所述濺射室內(nèi)、單極靶的周圍設置帶正極的工架；
具體鍍膜步驟如下:
步驟一:將餐具放在濺射室內(nèi)的工架上，關閉濺射室，形成封閉的濺射空間；
步驟二:抽氣，利用抽氣泵對封閉的濺射室進行抽氣，使濺射室內(nèi)的真空度達到0.008 ?0.015Pa ；
步驟三:向濺射室內(nèi)充入惰性氣體，并保持真空度在0.25?0.35Pa ；
步驟四:鍍膜，給濺射室內(nèi)的單極靶通高壓電，電壓為700伏，使濺射室內(nèi)的氬氣電離，電離出的氬氣分子在正負極的作用下，從正極向負極運動，即氬氣分子從四周向中間的單極靶運動，對單極靶形成沖擊；單極靶受到氬氣分子的沖擊，金屬分子被反彈至餐具上。
[0005]作為優(yōu)選，所述抽氣步驟包括:粗抽、半精抽、精抽；其中，粗抽是利用抽氣泵對封閉的濺射室進行抽氣，使濺射室內(nèi)的真空度達到75?85Pa ；
半精抽是利用羅茨泵對封閉的濺射室進行第二次抽氣，使濺射室內(nèi)的真空度達到2.5 ?3.5Pa ；
精抽是利用羅茨泵對封閉的濺射室進行第三次抽氣，使濺射室內(nèi)的真空度達到0.008 ?0.015Pao
[0006]作為優(yōu)選，所述惰性氣體為氬氣。
[0007]作為優(yōu)選，所述單極靶為不銹鋼材料或銅材料或銀材料。
[0008]作為優(yōu)選，所述步驟四中，單極靶保持自轉。
[0009]作為優(yōu)選，所述步驟四中，工架以單極靶為中心，圍繞其公轉，公轉速度為15?25
轉/分。
[0010]作為優(yōu)選，所述步驟四中，工架還進行自轉，自轉速度為周期為55?65轉/分。
[0011]作為優(yōu)選，鍍膜完成后，開啟濺射室，取出鍍膜后的餐具。
[0012]綜上所述，本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有如下優(yōu)點:
本發(fā)明利用一種采用單極靶形成可移動磁場使餐具上的鍍層均勻一致的真空雙極濺射餐具鍍膜方法，可移動的磁場是通過運動的單極靶形成的，主要通過設計擺線減速機動力裝置，動力裝置帶動單極靶緩慢轉動，轉動過程通過強制調(diào)節(jié)機構調(diào)整磁場，使定磁場與單極靶始終保持水平狀態(tài)，最終形成了定磁場圍繞單極靶均勻做圓周運動。因此，在磁控濺射過程中靶材的刻蝕位置是不斷變化的，靶材表面均勻消耗。
【具體實施方式】
[0013]下面結合實施例對本發(fā)明進一步說明。
[0014]實施例1:一種真空雙極濺射餐具鍍膜方法，包括封閉的濺射室，濺射室的中間為帶負極的304不銹鋼柱體，即單極靶，所述單極靶設置成中空，且單極靶內(nèi)設置有磁塊，由磁塊形成定磁場，所述單極靶由一動力裝置驅動，在動力裝置的驅動下單極靶進行自轉運動，而定磁場圍繞單極革E做圓周運動；
所述濺射室內(nèi)、單極靶的周圍設置帶正極的工架；
具體鍍膜步驟如下:
步驟一:將餐具放在濺射室內(nèi)的工架上，關閉濺射室，形成封閉的濺射空間；
步驟二:粗抽，利用抽氣泵對封閉的濺射室進行抽氣，用時約4分鐘，使濺射室內(nèi)的真空度達到75Pa ；
步驟三:半精抽，利用羅茨泵對封閉的濺射室進行第二次抽氣，用時約I分鐘，使濺射室內(nèi)的真空度達到25Pa ；
步驟四:精抽，利用羅茨泵對封閉的濺射室進行第三次抽氣，用時約6分鐘，使濺射室內(nèi)的真空度達到0.008Pa ；
步驟五:向濺射室內(nèi)充入氬氣，保持濺射室內(nèi)的工作真空度在0.25Pa ；
步驟六:鍍膜，給濺射室內(nèi)的單極靶通高壓電，電壓為700伏，使濺射室內(nèi)的氬氣電離，電離出的氬氣分子在正負極的作用下，從正極向負極運動，即氬氣分子從四周向中間的單極靶運動，對單極靶形成沖擊；單極靶受到氬氣分子的沖擊，不銹鋼分子被反彈至餐具上。
[0015]在鍍膜過程中，工架以單極靶為中心，圍繞其公轉，公轉速度為15轉/分。
[0016]在鍍膜過程中，工架還進行自轉，即放置在工架上的餐具隨之旋轉，工架的自轉速度為周期為55轉/分。
[0017]鍍膜過程用時約6分鐘，鍍膜完成后，開啟濺射室，取出鍍膜后的餐具。
[0018]實施例2:—種真空雙極濺射餐具鍍膜方法，包括封閉的濺射室，濺射室的中間為帶負極的304不銹鋼柱體，即單極靶，所述單極靶設置成中空，且單極靶內(nèi)設置有磁塊，由磁塊形成定磁場，所述單極靶由一動力裝置驅動，在動力裝置的驅動下單極靶進行自轉運動，而定磁場圍繞單極革E做圓周運動；
所述濺射室內(nèi)、單極靶的周圍設置帶正極的工架；
具體鍍膜步驟如下:
步驟一:將餐具放在濺射室內(nèi)的工架上，關閉濺射室，形成封閉的濺射空間；
步驟二:粗抽，利用抽氣泵對封閉的濺射室進行抽氣，用時約2分鐘，使濺射室內(nèi)的真空度達到85Pa ；
步驟三:半精抽，利用羅茨泵對封閉的濺射室進行第二次抽氣，用時約I分鐘，使濺射室內(nèi)的真空度達到35Pa ；
步驟四:精抽，利用羅茨泵對封閉的濺射室進行第三次抽氣，用時約5分鐘，使濺射室內(nèi)的真空度達到0.015Pa;
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