顯示基板及其制作方法、顯示器件的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種顯示基板及其制作方法、顯示器件。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有技術的液晶顯示器件(Liquid Crystal Display Device，簡稱“LCD”)的主體為顯示面板，顯示面板是通過將陣列基板和彩膜基板進行成盒工藝粘貼而成，在成盒時陣列基板和彩膜基板之間會存在一定的偏差，該偏差會導致LCD顯示器件開口率降低、漏光等問題。并且LCD器件PPI越高，開口率的降低越嚴重，與此同時產(chǎn)品的亮度、色域等都會有所降低，能耗會有所增加。
[0003]為了消除陣列基板和濾色片基板之間的偏差，提高開口率、降低成本，面板廠商開發(fā)了一種彩膜基板上的彩色濾光層以及黑矩陣設置在陣列基板的技術，也就是C0A(ColorOn Array)技術。COA技術通過將黑矩陣設置于陣列基板的數(shù)據(jù)線、柵線、薄膜晶體管上方，缺省了彩膜基板和陣列基板的對盒工藝，從而克服了成盒工藝中陣列基板與彩膜基板存在對位偏差的問題，提高了開口率，降低了成本，提高了產(chǎn)品的顯示品質。
[0004]現(xiàn)有技術中的黑矩陣多是由包覆碳黑顆粒的有機樹脂制得，另外為了提高開口率，降低寄生電容，黑矩陣也可以采用金屬材料來制作。當采用金屬材料來制得黑矩陣時，由于金屬材料具有一定的反射率，因此顯示面板中的金屬黑矩陣會反光，造成顯示對比度的下降，影響畫面質量，當采用金屬材料來替代黑矩陣遮光時，顯示面板的反射率相對于采用碳黑顆粒的黑矩陣大幅增加，并且顯示面板的反射率與金屬黑矩陣的面積大小相關，面積越大，反射率越大。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明提供一種顯示基板及顯示器件，用以解決黑矩陣反射光線，導致顯示器件的對比度下降的問題。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明實施例中提供一種顯示基板的制作方法，包括形成黑矩陣的步驟，形成黑矩陣的步驟包括:
[0007]在所述黑矩陣靠近顯示側的表面形成凹凸不平的結構。
[0008]本發(fā)明實施例中還提供一種采用如上所述的制作方法制得的顯示基板，包括黑矩陣，所述黑矩陣靠近顯示側的表面凹凸不平。
[0009]本發(fā)明實施例中還提供一種顯示器件，包括如上所述的顯示基板。
[0010]本發(fā)明的上述技術方案的有益效果如下:
[0011]上述技術方案中，設置黑矩陣靠近顯示側的表面凹凸不平，以減少黑矩陣向顯示側反射的光線，降低顯示面板的反射率，減小對顯示畫面對比度的影響，改善顯示畫面的質量。
【附圖說明】
[0012]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1表不本發(fā)明實施例中顯不基板的結構不意圖；
[0014]圖2表示圖1沿A-A的剖視圖一；
[0015]圖3表示圖1沿B-B的剖視圖一；
[0016]圖4表示圖1沿A-A的剖視圖二；
[0017]圖5表示圖1沿B-B的剖視圖二；
[0018]圖6表示本發(fā)明實施例中對第一子層的表面進行濕法刻蝕形成凹凸不平表面的結構示意圖；
[0019]圖7表示圖6中虛線框內的局部放大示意圖；
[0020]圖8表示本發(fā)明實施例中采用第一工藝參數(shù)對第一子層的表面進行干法刻蝕形成光滑表面的結構示意圖；
[0021]圖9表示本發(fā)明實施例中采用第二工藝參數(shù)對第一子層的表面進行干法刻蝕形成凹凸不平表面的結構示意圖；
[0022]圖10表示本發(fā)明實施例中采用第三工藝參數(shù)對第一子層的表面進行干法刻蝕形成凹凸不平表面的結構示意圖；
[0023]圖11表示本發(fā)明實施例中對第一子層的表面進行過刻形成凹凸不平表面的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面將結合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0025]實施例一
[0026I圖1表示本實施例中顯示基板的結構示意圖，圖2表示圖1沿A-A的剖視圖一，圖3表示圖1沿B-B的剖視圖一，圖4表示圖1沿A-A的剖視圖二，圖5表示圖1沿B-B的剖視圖二。
[0027]結合圖1-圖5所示，本實施例中提供一種顯示基板，所述顯示基板包括黑矩陣1，且黑矩陣I靠近顯示側的表面凹凸不平，以減少黑矩陣I向顯示側反射的光線，降低顯示面板的反射率，減小對顯示畫面對比度的影響，改善顯示畫面的質量。
[0028]所述顯示基板可以彩膜基板，也可以為COA陣列基板。
[0029]本發(fā)明的技術方案尤其適用于黑矩陣I的材料為金屬的情況，因為金屬材料的反射率較高，對顯示面板的對比度影響較大。而黑矩陣I的材料為有機樹脂時，對顯示面板的對比度沒有太大影響。
[0030]黑矩陣I可以為單層結構，也可以為多層結構，當黑矩陣I為多層結構時，不同層的材料可以相同，也不以不同。
[0031]結合圖1、圖4和圖5所示，本實施例中，設置黑矩陣I包括第一子層10和第二子層20，第一子層10靠近顯示側的表面凹凸不平，可以為黑矩陣I提供凹凸不平的表面。第二子層20設置在第一子層10上，并沿第一子層10的表面延伸，使得第二子層10的表面形狀與第一子層20的表面形狀相同，從而使得黑矩陣1的表面凹凸不平。其中，第一子層10和第二子層20可以由金屬材料或絕緣材料制得，可以為單層結構，也可以為多層結構。優(yōu)選地，第一子層10和第二子層20中的至少一個由金屬材料制得，以形成屏蔽，降低顯示基板的寄生電容。受到制作工藝的影響，金屬材料相對于絕緣材料的成膜較薄，為了保證第二子層20能夠沿第一子層10的表面延伸，使得黑矩陣1的表面由第一子層10提供，本實施例中設置第二子層10由金屬材料制得。
[0032]上述技術方案中，當?shù)谝蛔訉?0由金屬材料制得時，采用低電阻率的金屬材料，如Al、Cu、Ag。但是低電阻率的金屬材料較為活潑，分子容易滲透到相鄰膜層，影響相鄰膜層特性，如:影響半導體的性能。
[0033]基于上述理由，當?shù)谝蛔訉?0由金屬材料制得時，設置第一子層10包括至少兩個疊層設置的金屬層。具體的，第一子層10可以包括第一金屬層和第二金屬層，所述第二金屬層靠近顯示側，所述第二金屬層的電阻率小于所述第一金屬層的電阻率，可選的，所述第一金屬層的材料為Mo，所述第二金屬層的材料為A1。
[0034]當然，黑矩陣1也可以僅包括第一子層10，結合圖1、圖2和圖3所示。優(yōu)選地，第一子層10由金屬材料制得，以提高像素開口率，同時還能夠起到屏蔽作用，降低顯示基板的寄生電容。進一步地，第一子層10包括至少兩個疊層設置的金屬層。具體的，第一子層10可以包括第一金屬層和第二金屬層，所述第二金屬層靠近顯示側，所述第二金屬層的電阻率小于所述第一金屬層的電阻率，所述第一金屬層可以阻擋所述第二金屬層對相鄰膜層性能的影響。
[0035]當本實施例中的顯示基板為C0A陣列基板，并應用于薄膜晶體管液晶顯示器件時，具體可以包括:
[0036]設置在一基底100上的、橫縱交叉分布的柵線2和數(shù)據(jù)線3，用于限定多個像素區(qū)域；
[0037]位于每個像素區(qū)域的薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵電極4、有源層9、源電極5和漏電極，柵電極4和有源層9之間具有柵絕緣層101，薄膜晶體管的柵電極4與對應的柵線2電性連接，所述薄膜晶體管的源電極5與對應的數(shù)據(jù)線3電性連接；
[0038]設置在薄膜晶體管上、覆蓋整個基底100的第一鈍化層102;
[0039]位于每個像素區(qū)域的彩色濾光層6，彩色