一種掩膜版、曝光裝置及曝光方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜版、曝光裝置及曝光方法。
【背景技術(shù)】
[0002]彩色濾光片(ColorFilter，CF) —般由黑矩陣(Black Matrix，BM)、著色層(RedGreen Blue，RGB)、覆蓋層(Over Coat, OC)/ 電極層(Indium-Tin Oxide, IT0)與支撐柱(Pillar Spacer,PS)等生產(chǎn)工序組成；其中BM、RGB、PS這幾道工序在生產(chǎn)時(shí)存在曝光和顯影作業(yè)；影響曝光圖形線寬的因素主要有曝光量的照度、Dev的電導(dǎo)率以及相應(yīng)Mask的開口寬。
[0003]由于顯影過程中為傾斜顯影，導(dǎo)致在顯影過程中出現(xiàn)顯影不均的情況。顯影不均是由于在進(jìn)行顯影(Develop，Dev)過程中，由于玻璃基板(Glass)傾斜導(dǎo)致已參與顯影的藥液通過流動(dòng)，流到Glass下部，在流動(dòng)過程中變相稀釋其他區(qū)域的顯影濃度，導(dǎo)致顯影不均。同時(shí)由于曝光機(jī)受中心光線影響，設(shè)備照度也存在偏移，也會(huì)影響該顯影過程的線寬(Critical Dimens1n, CD)分布情況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種掩膜版、曝光裝置及曝光方法。能夠提高產(chǎn)品線寬的均勻性。
[0005]基于上述目的本發(fā)明提供的掩膜版，包括基板以及設(shè)置在基板上的多個(gè)開口圖形，在利用所述掩膜版對(duì)目標(biāo)基板進(jìn)行曝光時(shí)，基板上第一區(qū)域中的開口圖形的光線透過量大于基板第二區(qū)域中的光線透過量，使得第一區(qū)域中多于第二區(qū)域的光線透過量能夠?qū)Φ诙^(qū)域所對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品區(qū)域中的線寬進(jìn)行補(bǔ)償，令產(chǎn)品線寬的一致度大于設(shè)定值；所述第一區(qū)域和第二區(qū)域?yàn)榛迳系膬蓚€(gè)區(qū)域。
[0006]可選的，所述第一區(qū)域的開口圖形的開口寬度大于所述第二區(qū)域的開口圖形的開口寬度。
[0007]同時(shí)，本發(fā)明提供一種曝光裝置，包括掩膜版，所述掩膜版包括基板以及設(shè)置在基板上的多個(gè)開口圖形，基板上第一區(qū)域中的光線透過量大于基板第二區(qū)域中的開口圖形的光線透過量，使得第一區(qū)域中多于第二區(qū)域的光線透過量能夠?qū)Φ诙^(qū)域所對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品區(qū)域中的線寬進(jìn)行補(bǔ)償，令產(chǎn)品線寬的一致度大于設(shè)定值；所述第一區(qū)域和第二區(qū)域?yàn)榛迳系膬蓚€(gè)區(qū)域。
[0008]可選的，所述第一區(qū)域的開口圖形的開口寬度大于所述第二區(qū)域的開口圖形的開口寬度。
[0009]可選的，所述曝光裝置還包括:
[0010]設(shè)置在開口圖形上的濾光片，所述第一區(qū)域中濾光片的光線透過率大于所述第二區(qū)域中濾光片的光線透過率。
[0011]可選的，所述曝光裝置還包括:
[0012]用于投射光線的光線投射模塊；所述光線投射模塊向第一區(qū)域投射的光線量與向第二區(qū)域投射的光線量不同，使得基板上第一區(qū)域中的光線透過量大于基板第二區(qū)域中的光線透過量。
[0013]可選的，所述基板的第三區(qū)域開口寬度大于所述基板的第四區(qū)域開口寬度；所述第三區(qū)域和所述第四區(qū)域?yàn)榛迳系膬蓚€(gè)區(qū)域；所述光線投射模塊向所述第三區(qū)域投射的光線強(qiáng)度小于向所述第四區(qū)域投射的光線強(qiáng)度。
[0014]進(jìn)一步，本發(fā)明提供一種曝光方法，包括如下步驟:
[0015]采用本發(fā)明任意一項(xiàng)實(shí)施例所提供的曝光裝置對(duì)目標(biāo)基板進(jìn)行曝光，所述目標(biāo)基板第五區(qū)域接收到的曝光量大于所述目標(biāo)基板第六區(qū)域接收到的曝光量，其中，所述第五區(qū)域和所述第六區(qū)域?yàn)樗瞿繕?biāo)基板上的兩個(gè)區(qū)域；所述第五區(qū)域與所述掩膜版基板的第一區(qū)域?qū)?yīng)，所述第六區(qū)域與所述掩膜版的第二區(qū)域?qū)?yīng)。
[0016]可選的，所述曝光方法還包括:
[0017]顯影步驟，對(duì)曝光后的目標(biāo)基板進(jìn)行顯影。
[0018]可選的，所述顯影步驟具體包括:
[0019]將所述目標(biāo)基板放置入顯影液中，所述目標(biāo)基板第五區(qū)域與所述顯影液水平面的距離大于所述目標(biāo)基板第六區(qū)域與所述顯影液水平面的距離。
[0020]從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的掩膜版、曝光機(jī)及曝光方法，能夠根據(jù)顯影時(shí)顯影液的濃度不均的現(xiàn)象，對(duì)掩膜版或曝光機(jī)進(jìn)行改進(jìn)，使得掩膜版一部分區(qū)域的光線透過量大于另一部分區(qū)域的光線透過量，從而在顯影時(shí)，將目標(biāo)基板浸入顯影液進(jìn)行顯影，曝光量較多的部分與顯影液濃度低的位置相對(duì)應(yīng)，曝光量較少的部分與顯影液濃度高的位置相對(duì)應(yīng)，從而對(duì)目標(biāo)基板上因?yàn)閮A斜顯影而產(chǎn)生的產(chǎn)品線寬不一致進(jìn)行補(bǔ)償；使得在實(shí)際線寬小于設(shè)計(jì)線寬的區(qū)域中，產(chǎn)品線寬增加；同時(shí)使得在實(shí)際線寬小于設(shè)計(jì)線寬的區(qū)域中，產(chǎn)品線寬減少。從而實(shí)現(xiàn)了令目標(biāo)基板上的線寬一致度大于某一設(shè)定值，提高了線寬的一致性。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的掩膜版結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為曝光顯影過程中的傾斜顯影示意圖；
[0023]圖3為曝光機(jī)曝光原理不意圖；
[0024]圖4A為現(xiàn)有技術(shù)的目標(biāo)基板上形成的圖形線寬分布示意圖；
[0025]圖4B為本發(fā)明實(shí)施例的目標(biāo)基板上形成的圖形線寬分布示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0027]本發(fā)明首先提供一種掩膜版，結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括基板以及設(shè)置在基板上的多個(gè)開口圖形101，在利用所述掩膜版對(duì)目標(biāo)基板進(jìn)行曝光時(shí)，基板上第一區(qū)域102中的開口圖形101的光線透過量大于基板第二區(qū)域103中的光線透過量，使得第一區(qū)域102中多于第二區(qū)域103的光線透過量能夠?qū)Φ诙^(qū)域103所對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品區(qū)域中的線寬進(jìn)行補(bǔ)償，令產(chǎn)品線寬的一致度大于設(shè)定值；所述第一區(qū)域101和第二區(qū)域103為基板上的兩個(gè)區(qū)域。
[0028]現(xiàn)有技術(shù)中，由于傾斜顯影、曝光機(jī)照度不均勻等原因，導(dǎo)致目標(biāo)基板，即目標(biāo)產(chǎn)品的基板上生成的光圖形線寬不一致，進(jìn)而導(dǎo)致產(chǎn)品上圖形線寬不一致。如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)目標(biāo)產(chǎn)品基板201進(jìn)行顯影時(shí)，基板201并非水平放置，而是相對(duì)于水平方向有所傾斜，導(dǎo)致已經(jīng)參與過顯影的顯影液流動(dòng)到基板201水平高度較低的一端，使得基板201上方的顯影液濃度發(fā)生變化，假設(shè)C。為原顯影液濃度，c為流動(dòng)后顯影液的濃度，L。為原顯影液占流動(dòng)后顯影液的體積比；AL為流動(dòng)的顯影液所占體積比例，即顯影液體積變化率；從而流動(dòng)后的顯影液的濃度為:c = (c。+ Ac)/ (L0+ Δ L)?？梢钥闯龌?01水平高度較低的一端上方的顯影液濃度降低。
[0029]從而在現(xiàn)有技術(shù)中掩膜版上開口圖形線寬一致的情況下，基板201水平高度較低的一端線寬較小，基板201水平高度較高的一端線寬較大。
[0030]而目標(biāo)產(chǎn)品上的圖形線寬與掩膜版的開口線寬有關(guān)，圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的彩膜基板曝光機(jī)曝光原理示意圖，曝光機(jī)的光線投射模塊301投射光線，光線穿過掩膜版302的開口圖形3021，照射到目標(biāo)基板303上，使得目標(biāo)基板203進(jìn)行曝光，從圖3中可以看出，掩膜版302的開口圖形3021線寬越大，目標(biāo)基板303上形成的圖形的線寬就越大。
[0031]本發(fā)明令掩膜版上不同區(qū)域中的開口圖形的光線透過量不同，從而在使用掩膜版進(jìn)行曝光時(shí)，可令目標(biāo)基板上第一區(qū)域的曝光量大、第二區(qū)域的曝光量小，在顯影時(shí)將目標(biāo)基板曝光量大的部位與顯影液濃度低的位置對(duì)應(yīng)，將目標(biāo)基板曝光量小的部位與顯影液濃度高的位置對(duì)應(yīng)，以使得顯影時(shí)由于傾斜導(dǎo)致目標(biāo)基板不同部位高低不一致導(dǎo)致的線寬不一致現(xiàn)象得到減輕或消除，提高目標(biāo)基板產(chǎn)品的圖形線寬一致性。
[0032]本發(fā)明所提供的掩膜版，可應(yīng)用于所有存在曝光和顯影工序的產(chǎn)品的制作。
[0033]在本發(fā)明具體實(shí)施例中，所述線寬的一致度，可以是任意能夠體現(xiàn)產(chǎn)品上不同部位線寬是否一致的參數(shù)。例如，產(chǎn)品實(shí)際線寬平均值與設(shè)計(jì)線寬的比值；產(chǎn)品線寬合格的圖形數(shù)量占圖形總數(shù)量的比值等。
[0034]在本發(fā)明一些實(shí)施例中，所述第一區(qū)域的開口圖形的開口寬度大于所述第二區(qū)域的開口圖形的開口寬度。在曝光強(qiáng)度一致的情況下，開口圖形的開口寬度越大，光線透過量越大。
[0035]在本發(fā)明具體實(shí)施例中，開口圖形的開口寬度可通過實(shí)際試驗(yàn)進(jìn)行確定。首先使用開口圖形線寬一致的基準(zhǔn)掩膜版對(duì)目標(biāo)基板進(jìn)行曝光顯影，再根據(jù)目標(biāo)基板上形成的圖形線寬進(jìn)行測(cè)量，根據(jù)目標(biāo)基板上形成的圖形線寬和設(shè)計(jì)線寬的比例將基準(zhǔn)掩膜版的開口圖形線寬進(jìn)行放大或縮小。
[0036]在本發(fā)明的另一些具體實(shí)施例中，可在開口圖形線寬不改變的情況下，在掩膜版上設(shè)置濾光片，使得通過第二區(qū)域的開口圖形的開口的光線減少，從而在曝光強(qiáng)度和開口大小一致的情況下，第一區(qū)域的開口圖形的光線透過量大于第二區(qū)域的開口圖形的光線透過量。
[0037]同時(shí)，本發(fā)明提供一種曝光裝置，包括掩膜版，所述掩膜版包括基板以及設(shè)置在基板上的多個(gè)開口圖形，基板上第一區(qū)域中的光線透過量大于基板第二區(qū)域中的光線透過量，使得第一區(qū)域中多于第二區(qū)域的光線透過量能夠?qū)Φ诙^(qū)域所對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品區(qū)域中的線寬進(jìn)行補(bǔ)償，令產(chǎn)品線寬的一致度大于設(shè)定值；所述第一區(qū)域和第二區(qū)域?yàn)榛迳系膬蓚€(gè)區(qū)域。