一種防水性能良好的電子裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及防水的電子裝置制作領(lǐng)域，尤其涉及具防水膜的電子裝置制作領(lǐng)域。一種防水性能良好的電子裝置，所述電子裝置內(nèi)包括至少一需覆蓋防水膜的電子配件，所述電子配件上覆蓋有一復(fù)合防水膜層，所述復(fù)合防水膜層的最底層為聚對二甲苯N型層，所述復(fù)合防水膜層的中間層為聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層，所述復(fù)合防水膜層的最外層為聚對二甲苯F型層。本實(shí)用新型中不同層具有不同的優(yōu)點(diǎn)，因而可避免單層的缺點(diǎn)，防水性能更好。
【專利說明】-種防水性能良好的電子裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及防水電子裝置制作領(lǐng)域，尤其涉及具防水膜的電子裝置制作領(lǐng) 域。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著人們生活水平的提高，電子產(chǎn)品尤其是手機(jī)和平板電腦等智能產(chǎn)品得到了越 來越廣泛的使用，為人們的生活帶來了極大的方便。但是這些電子產(chǎn)品目前還不能實(shí)現(xiàn)很 好的防水效果，該電子產(chǎn)品處于某種潮濕的環(huán)境或不小心掉入水中或?yàn)R到水包括各種導(dǎo)電 的液體時(shí)或者接觸高濕度的環(huán)境或水蒸汽時(shí)，會(huì)受到損壞而無法使用，造成使用者的損失。
[0003] 為實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品的防水效果，現(xiàn)有通過外部防水的方式實(shí)現(xiàn)防水的，也有通過內(nèi) 部防水的方式實(shí)現(xiàn)防水的。外部防水的方式對電子產(chǎn)品的外觀及設(shè)計(jì)有很大的影響，需要 增強(qiáng)密封圈或橡膠堵頭等，如申請?zhí)枮?01210246768. 8的專利公開的一種《防水嵌入式電 子裝置》，其包括殼體和設(shè)置于殼體內(nèi)的電路板組件，其中，所述殼體包括一為整體無縫結(jié) 構(gòu)的上盒體，該上盒體包括一頂部以及環(huán)繞該頂部的側(cè)壁，所述頂部和所述側(cè)壁構(gòu)成一容 納空間，且所述上盒體的開口向下，一蓋體蓋合于所述上盒體的底部周緣，所述蓋體底部具 有至少一個(gè)通孔，所述電路板組件固定于所述上盒體的側(cè)壁內(nèi)側(cè)。這種外部防水的設(shè)計(jì)不 僅對外觀設(shè)計(jì)造成一定影響，且水分仍可從盒體底部進(jìn)入電子裝置內(nèi)，防水效果欠佳。
[0004] 因而現(xiàn)在許多電子裝置都采用內(nèi)部防水的方式實(shí)現(xiàn)其防水效果，內(nèi)部防水主要是 利用化學(xué)氣相沉積聚對二甲基苯膜在電子裝置內(nèi)需覆蓋防水膜的電子配件上的，然而目前 都是采用一種聚對二甲基苯膜做防水膜，單一一種聚對二甲苯有優(yōu)與缺，且性能較為單一， 防水性能較差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存有的缺陷，本實(shí)用新型提供一種防水性能良好的電子裝 置，該電子裝置的防水膜性能多樣化，因而內(nèi)部防水性能較好，不易被水入侵。
[0006] 為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為：
[0007] -種防水性能良好的電子裝置，所述電子裝置內(nèi)包括至少一需覆蓋防水膜的電子 配件，所述電子配件上覆蓋有一復(fù)合防水膜層，所述復(fù)合防水膜層的最底層為聚對二甲苯N 型層，所述復(fù)合防水膜層的中間層為聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層，所述復(fù)合防水 膜層的最外層為聚對二甲苯F型層。
[0008] 依上述結(jié)構(gòu)，所述聚對二甲苯N型層、聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層、聚 對二甲苯F型層均是通過真空氣相沉積在前述電子配件上的。
[0009] 與以往技術(shù)相比，本實(shí)用新型所帶來的有益效果有：
[0010] 由于本實(shí)用新型中的電子配件上涂覆有復(fù)合防水層，所述復(fù)合防水層依次為聚對 二甲苯N型層、聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層、聚對二甲苯F型層三層，不同層具 有不同的優(yōu)點(diǎn)，因而可避免單層的缺點(diǎn)，防水性能更好。例如聚對二甲苯N型層具有較強(qiáng)的 滲透能力，能有效地在電子配件上的各種細(xì)縫或針孔表面形成薄膜；它的介電常數(shù)極低，耗 散因子小，且隨外界頻率的增加變化不大；還具有極低的摩擦系數(shù)，使其具有優(yōu)異的潤滑效 果。聚對二甲苯C型層具有極低的水分子和腐蝕性氣體的穿透率。聚對二甲苯D型層在更 高溫度下具有相對更好的物理及電性能，其與聚對二甲苯N型層、聚對二甲苯C型層相比， 具有更好的熱穩(wěn)定性。聚對二甲苯F型層抵抗紫外線能力較強(qiáng)，且具有較好的熱穩(wěn)定性和 抗老化性能。
[0011] 下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明：

【專利附圖】

【附圖說明】 [0012] ：
[0013] 圖1為本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例的其一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014] 圖2為本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例的其二結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】 [0015] ：
[0016] 如圖1~2所示，本實(shí)用新型涉及一種防水性能良好的電子裝置，所述電子裝置內(nèi) 包括至少一需覆蓋防水膜的電子配件1，所述電子配件1上蓋覆有一復(fù)合防水膜層2,所述 復(fù)合防水膜層2至少包括有以下三層結(jié)構(gòu)：聚對二甲苯N型層21、聚對二甲苯C型層22或 聚對二甲苯D型層23、聚對二甲苯F型層24。
[0017] 如圖1所示，復(fù)合防水膜層2的最底層為聚對二甲苯N型層21，所述復(fù)合防水膜 層2的中間層為聚對二甲苯C型層22,所述復(fù)合防水膜層2的最外層為聚對二甲苯F型層 24。
[0018] 如圖2所示，復(fù)合防水膜層2的最底層為聚對二甲苯N型層21，所述復(fù)合防水膜 層2的中間層為聚對二甲苯D型層23,所述復(fù)合防水膜層2的最外層為聚對二甲苯F型層 24。
[0019] 聚對二甲苯N型層21、聚對二甲苯C型層22或聚對二甲苯D型層23、聚對二甲苯 F型24層均是通過真空氣相沉積在電子配件1上的。
[0020] 由于不同聚對二甲基苯結(jié)構(gòu)具有不同的特性，因而本實(shí)用新型中不同層具有不同 的優(yōu)點(diǎn)，因而可避免單層的缺點(diǎn)，防水性能更好。
[0021] 聚對二甲基苯N型層21是對二甲苯的高聚物，具有最強(qiáng)的滲透能力，能夠有效地 在各種細(xì)縫或針孔表面形成薄膜，它的介電常數(shù)極低（2.65)及耗散因子小，且隨外界頻率 的增加變化不大，同時(shí)極低摩擦系數(shù)使其有優(yōu)異的潤滑效果。
[0022] 聚對二甲基苯C型層22是在于其芳香基中之一氫分子被氯所取代，具有極低的水 分子和腐蝕性氣體的穿透率，沉積速率比聚對二甲基苯N型快。
[0023] 聚對二甲基苯D型層23是在于其芳香基中之二個(gè)氫原子被二個(gè)氯原子所取代，因 而在更高溫度下具有相對更好的物理及電性能，同時(shí)與聚對二甲基苯N、C型相比，具有更 好的熱穩(wěn)定性，其沉積與聚合速度非?？?，但鍵結(jié)壓力卻十分慢。
[0024] 聚對二甲基苯F型層24將二甲基上的Η原子替換為F原子，F(xiàn)-C鍵是已知最強(qiáng)的 共價(jià)鍵，鍵能高達(dá)445KJ / mol，僅次于C-Η鍵，但是鍵能卻比C一Η鍵強(qiáng)得多，因而能抵抗 紫外線對它的破壞，改善抗紫外線能力，氟原子取代亞甲基上的氫原子也極大地改變化學(xué) 鍵的極性，進(jìn)而提高了其熱穩(wěn)定性和抗老化性能，使其在航空及半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)⒂锌捎^的應(yīng) 用前景。
[0025] 因而通過本實(shí)用新型中多元復(fù)合結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，使復(fù)合式防水膜2具有各單層膜的 優(yōu)點(diǎn)，而避免單層膜的缺點(diǎn)，因而防水性能更好。
[0026] 上述實(shí)施例僅為本實(shí)用新型的其一較佳實(shí)施例，并非以此限定本實(shí)用新型的保護(hù) 范圍，故：凡依本實(shí)用新型的形狀、結(jié)構(gòu)或原理所作的等效變換，均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的 保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種防水性能良好的電子裝置，其特征在于：所述電子裝置內(nèi)包括至少一需覆蓋防 水膜的電子配件，所述電子配件上覆蓋有一復(fù)合防水膜層，所述復(fù)合防水膜層的最底層為 聚對二甲苯N型層，所述復(fù)合防水膜層的中間層為聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層， 所述復(fù)合防水膜層的最外層為聚對二甲苯F型層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防水性能良好的電子裝置，其特征在于：所述聚對二甲 苯N型層、聚對二甲苯C型層或聚對二甲苯D型層、聚對二甲苯F型層均是通過真空氣相沉 積在前述電子配件上的。
【文檔編號(hào)】B32B27/08GK203876330SQ201420136999
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月25日
【發(fā)明者】侯光輝 申請人:侯光輝