本發(fā)明涉及腦電圖監(jiān)測，特別是涉及一種頭皮腦電圖體表定位頭盔。

背景技術(shù)：

1、腦電圖是目前神經(jīng)內(nèi)科常用的輔助診斷技術(shù)，但其操作相對復雜費時，對初學者有一定的難度，主要是由于頭皮腦電圖監(jiān)測的點位較多，精準的電極放置位置對臨床診斷至關(guān)重要。因此，尋找更加便捷可靠的頭皮定位方法，對臨床上實現(xiàn)快速準確的腦電圖監(jiān)測有至關(guān)重要的作用。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、針對上述背景技術(shù)中提出的問題，本發(fā)明提供一種頭皮腦電圖體表定位頭盔，以幫助快速準確定位頭皮腦電圖每個電極的安放位置，提高腦電圖操作的效率和精確性。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下方案。

3、一種頭皮腦電圖體表定位頭盔，包括：頭盔主體以及集成在頭盔主體內(nèi)的深度傳感器陣列、四組rgbd傳感器陣列、主控芯片以及標記裝置；所述主控芯片分別與所述深度傳感器陣列、所述rgbd傳感器陣列以及所述標記裝置連接；

4、所述頭盔主體采用全盔或四分之三盔型式，能夠覆蓋使用者頭部鼻根點、枕骨粗隆點和兩側(cè)耳前凹陷點這四個定位點區(qū)域以及整個頭皮區(qū)域；所述深度傳感器陣列布設(shè)在所述頭盔主體內(nèi)表面，能夠覆蓋整個頭皮區(qū)域，用于采集整個頭皮區(qū)域的深度圖像數(shù)據(jù)并發(fā)送至所述主控芯片；四組rgbd傳感器陣列分別布設(shè)在所述頭盔主體內(nèi)表面與鼻根點、枕骨粗隆點以及兩側(cè)耳前凹陷點區(qū)域正對的位置，分別用于采集鼻根點、枕骨粗隆點以及兩側(cè)耳前凹陷點區(qū)域的rgbd圖像數(shù)據(jù)并發(fā)送至所述主控芯片；

5、所述主控芯片配置為根據(jù)整個頭皮區(qū)域的深度圖像數(shù)據(jù)生成整個頭皮區(qū)域的等比例頭皮3d模型；所述主控芯片還配置為根據(jù)四個定位點區(qū)域的rgbd圖像數(shù)據(jù)識別出鼻根點、枕骨粗隆點以及兩側(cè)耳前凹陷點的位置，并在頭皮3d模型上標示出來；所述主控芯片還配置為根據(jù)鼻根點、枕骨粗隆點以及兩側(cè)耳前凹陷點的位置計算出整個頭皮區(qū)域的多個電極安放位置并在頭皮3d模型上標示出來；所述主控芯片還配置為將頭皮3d模型上的多個電極安放位置利用所述標記裝置在使用者的頭皮區(qū)域進行無損傷標記。

6、可選地，所述深度傳感器陣列中深度傳感器的布設(shè)密度大于或等于每平方厘米4個。

7、可選地，所述rgbd傳感器陣列中rgbd傳感器的布設(shè)密度大于或等于每平方厘米9個。

8、可選地，所述標記裝置采用醫(yī)用皮膚記號筆、油性筆或龍膽紫材料在使用者的頭皮區(qū)域進行無損傷標記。

9、可選地，所述主控芯片中搭載有基于深度圖像的三維重建算法，能夠根據(jù)整個頭皮區(qū)域的深度圖像數(shù)據(jù)生成整個頭皮區(qū)域的等比例頭皮3d模型。

10、可選地，所述主控芯片中搭載有預先訓練好的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，能夠分別根據(jù)四個定位點區(qū)域的rgbd圖像數(shù)據(jù)識別出鼻根點、枕骨粗隆點以及兩側(cè)耳前凹陷點的位置。

11、可選地，所述主控芯片還配置為根據(jù)鼻根點、枕骨粗隆點以及兩側(cè)耳前凹陷點的位置計算出整個頭皮區(qū)域的多個電極安放位置并在頭皮3d模型上標示出來，具體包括：

12、將鼻根點到枕骨粗隆點在頭皮3d模型上的直接連線作為a線，對a線進行10等分分割，分別在10%、30%、50%、70%、90%位置進行標示，對應(yīng)標示為a1、a2、a3、a4、a5點；

13、將兩側(cè)耳前凹陷點在頭皮3d模型上的直接連線作為b線，對b線進行10等分分割，分別在10%、30%、50%、70%、90%位置進行標示，對應(yīng)標示為b1、b2、b3、b4、b5點；

14、連接a1、b1、a5三點在頭皮3d模型上的半環(huán)線作為c線，對c線進行10等分分割，分別在10%、30%、50%、70%、90%位置進行標示，對應(yīng)標示為c1、c2、c3、c4、c5點；

15、連接a1、b5、a5三點在頭皮3d模型上的半環(huán)線作為d線，對d線進行10等分分割，分別在10%、30%、50%、70%、90%位置進行標示，對應(yīng)標示為d1、d2、d3、d4、d5點；

16、連接c1、b2、c5三點在頭皮3d模型上的半環(huán)線作為e線，對e線進行4等分分割，分別在25%、50%、75%位置進行標示，對應(yīng)標示為e1、e2、e3點；

17、連接d1、b4、d5三點在頭皮3d模型上的半環(huán)線作為f線，對f線進行4等分分割，分別在25%、50%、75%位置進行標示，對應(yīng)標示為f1、f2、f3點；

18、將a2、a3、a4、b1、b2、b4、b5、c1、c2、c4、c5、d1、d2、d4、d5、e1、e3、f1、f3點標示為頭皮3d模型上的多個電極安放位置。

19、可選地，所述主控芯片還配置為將頭皮3d模型上的多個電極安放位置利用所述標記裝置在使用者的頭皮區(qū)域進行無損傷標記，具體包括：

20、利用所述標記裝置，將頭皮3d模型上的a2、a3、a4、b1、b2、b4、b5、c1、c2、c4、c5、d1、d2、d4、d5、e1、e3、f1、f3點在使用者的頭皮區(qū)域進行對應(yīng)標記。

21、根據(jù)本發(fā)明提供的具體實施例，本發(fā)明公開了以下技術(shù)效果：

22、本發(fā)明所提供的頭皮腦電圖體表定位頭盔，利用布設(shè)在頭盔主體內(nèi)表面的深度傳感器陣列來采集整個頭皮區(qū)域的深度圖像數(shù)據(jù)，以構(gòu)建整個頭皮區(qū)域的等比例頭皮3d模型；利用四組rgbd傳感器陣列分別采集鼻根點、枕骨粗隆點以及兩側(cè)耳前凹陷點區(qū)域的rgbd圖像數(shù)據(jù)，以識別四個定位點的位置；主控芯片根據(jù)四個定位點的位置計算出頭皮3d模型上的多個電極安放位置，并利用標記裝置將電極安放位置在使用者的頭皮區(qū)域進行無損傷標記。可見本發(fā)明頭皮腦電圖體表定位頭盔能夠幫助快速準確定位頭皮腦電圖每個電極的安放位置，提高了腦電圖操作的效率和精確性。

技術(shù)特征：

1.一種頭皮腦電圖體表定位頭盔，其特征在于，包括：頭盔主體以及集成在頭盔主體內(nèi)的深度傳感器陣列、四組rgbd傳感器陣列、主控芯片以及標記裝置；所述主控芯片分別與所述深度傳感器陣列、所述rgbd傳感器陣列以及所述標記裝置連接；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頭皮腦電圖體表定位頭盔，其特征在于，所述深度傳感器陣列中深度傳感器的布設(shè)密度大于或等于每平方厘米4個。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頭皮腦電圖體表定位頭盔，其特征在于，所述rgbd傳感器陣列中rgbd傳感器的布設(shè)密度大于或等于每平方厘米9個。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頭皮腦電圖體表定位頭盔，其特征在于，所述標記裝置采用醫(yī)用皮膚記號筆、油性筆或龍膽紫材料在使用者的頭皮區(qū)域進行無損傷標記。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頭皮腦電圖體表定位頭盔，其特征在于，所述主控芯片中搭載有基于深度圖像的三維重建算法，能夠根據(jù)整個頭皮區(qū)域的深度圖像數(shù)據(jù)生成整個頭皮區(qū)域的等比例頭皮3d模型。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頭皮腦電圖體表定位頭盔，其特征在于，所述主控芯片中搭載有預先訓練好的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，能夠分別根據(jù)四個定位點區(qū)域的rgbd圖像數(shù)據(jù)識別出鼻根點、枕骨粗隆點以及兩側(cè)耳前凹陷點的位置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頭皮腦電圖體表定位頭盔，其特征在于，所述主控芯片還配置為根據(jù)鼻根點、枕骨粗隆點以及兩側(cè)耳前凹陷點的位置計算出整個頭皮區(qū)域的多個電極安放位置并在頭皮3d模型上標示出來，具體包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的頭皮腦電圖體表定位頭盔，其特征在于，所述主控芯片還配置為將頭皮3d模型上的多個電極安放位置利用所述標記裝置在使用者的頭皮區(qū)域進行無損傷標記，具體包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種頭皮腦電圖體表定位頭盔，涉及腦電圖監(jiān)測領(lǐng)域。所述頭皮腦電圖體表定位頭盔包括頭盔主體以及集成在頭盔主體內(nèi)的深度傳感器陣列、四組RGBD傳感器陣列、主控芯片以及標記裝置；深度傳感器陣列用于采集整個頭皮區(qū)域的深度圖像數(shù)據(jù)以構(gòu)建頭皮3D模型；四組RGBD傳感器陣列分別用于采集鼻根點、枕骨粗隆點以及兩側(cè)耳前凹陷點區(qū)域的RGBD圖像數(shù)據(jù)以識別四個定位點位置；主控芯片根據(jù)四個定位點位置計算出頭皮3D模型上的多個電極安放位置，并利用標記裝置將電極安放位置在使用者的頭皮區(qū)域進行無損傷標記。本發(fā)明頭皮腦電圖體表定位頭盔能夠幫助快速準確定位頭皮腦電圖每個電極的安放位置，提高腦電圖操作的效率和精確性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉欣,吳炳軒,劉麗萍
受保護的技術(shù)使用者：首都醫(yī)科大學附屬北京天壇醫(yī)院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21