專利名稱：高溫真空單晶燒結(jié)爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種用于高溫真空單晶燒結(jié)爐。
背景技術(shù)：
高溫?zé)Y(jié)爐主要用于單晶體和鍍膜材料的燒結(jié)，現(xiàn)有技術(shù)無法解決在高溫作用下氟化物腐蝕鎢錸熱偶、料易揮發(fā)，溫度低又造成料不溶化、浪費(fèi)極大的問題；以往使用的石墨加熱器直徑大，徑向溫度梯度較大，不利于晶體以及鍍膜材料的制作，在石墨加工過程中，需把柱形原料車制成筒形，材料利用率極低，造價(jià)高；通常采用鑰片制作保溫罩，在高溫下鑰片容易變脆壽命短，造成浪費(fèi)，每次溫度都有損失，重復(fù)性不好，基本一次一扔。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種高溫真空單晶燒結(jié)爐，以解決石墨材料浪費(fèi)及鎢錸熱偶、鑰片制作保溫罩使用壽命短、成品率低的問題。本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是碳?xì)直赝才c外殼內(nèi)部套接，筒形石墨加熱器與支架固定連接，筒形石墨加熱器與石墨坩堝外部套接。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)具有新穎性，體積小，費(fèi)用低，效率高，更換簡單，維修方便，徑向溫度梯度小，適于大尺過石鍋加熱，熱場均勻，材料的均勻性以及重復(fù)性好成品率高，使用壽命長，保溫效果好，溫場復(fù)性好，有利于鍍膜材料及晶體生長制作，在前端就達(dá)到了溫度控制。

圖I是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
碳?xì)直赝?與外殼5內(nèi)部套接，筒形石墨加熱器2與支架3固定連接，筒形石墨加熱器2與石墨坩堝I外部套接。采用功率控溫可以調(diào)整電阻，取消了鎢錸熱偶，使用組合加熱器，徑向溫度梯度小，適于大尺過石鍋加熱，熱場均勻，材料的均勻性以及重復(fù)性好成品率高，用碳纖維制成的碳?xì)滞泊媪顺杀緲O高的鑰片保溫筒，使用壽命長，保溫效果好，溫場復(fù)性好，有利于鍍膜材料及晶體生長制作，增加了溫控儀表，使用功率控制器在前端就達(dá)到了溫度控制。
權(quán)利要求1.ー種高溫真空單晶燒結(jié)爐，其特征在于碳?xì)直赝才c外殼內(nèi)部套接，筒形石墨加熱器與支架固定連接，筒形石墨加熱器與石墨坩堝外部套接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種高溫真空單晶燒結(jié)爐，屬于鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。碳?xì)直赝才c外殼內(nèi)部套接，筒形石墨加熱器與支架固定連接，筒形石墨加熱器與石墨坩堝外部套接。實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)具有新穎性，體積小，費(fèi)用低，效率高，更換簡單，維修方便，徑向溫度梯度小，適于大尺過石鍋加熱，熱場均勻，材料的均勻性以及重復(fù)性好成品率高，使用壽命長，保溫效果好，溫場復(fù)性好，有利于鍍膜材料及晶體生長制作，在前端就達(dá)到了溫度控制。
文檔編號C30B35/00GK202465962SQ20122002275
公開日2012年10月3日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
發(fā)明者靜宇, 靜楓 申請人:吉林省賽爾光電技術(shù)有限公司