專利名稱：應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及離子遷移譜技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及離子遷移譜探測技術(shù)領(lǐng)域，具體是指一種應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
離子遷移譜探測技術(shù)在微量痕跡檢測領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。尤其是便攜式離子遷移譜探測儀在公共安檢場合發(fā)揮著其獨特的優(yōu)勢。離子遷移管是其中的一個關(guān)鍵部件，其性能的好壞決定著離子遷移譜探測儀性能的優(yōu)劣。對離子遷移管的加熱方式及其溫度穩(wěn)定性的控制，直接關(guān)系著離子遷移譜探測儀的電源配備和連續(xù)使用時間的長短。傳統(tǒng)的離子遷移管加熱方法是，通過包裹在離子管外面的電加熱膜片3對離子管加熱的。其結(jié)構(gòu)如圖I所示。離子遷移管的熱量傳遞路線是從電加熱膜片3傳導(dǎo)給離子管金屬管體2，再由金屬管體2傳導(dǎo)給其內(nèi)的陶瓷絕緣層1，以達(dá)到給離子遷移管管腔4加溫的目的。由于電加熱膜片3不可能完全緊貼在離子遷移管金屬管體2表面，因而熱量從電加熱膜片3傳導(dǎo)到離子遷移管金屬管體2的過程中存在著一定的損耗。再則，離子遷移管金屬管體2上還分布著若干安裝聯(lián)接用的結(jié)構(gòu)要素，對離子遷移管金屬管體2的保溫措施不可能很完善。所以暴露在外的離子遷移管金屬管體2又有一部分散熱的損耗。上述兩點主要損耗因素的存在，決定了采用電加熱膜片加熱方式的熱傳導(dǎo)效率比較低。另外，受電加熱膜片3自身結(jié)構(gòu)中粘接膠體耐熱性能的制約，電加熱膜片3最高工作溫度在200°C左右。這就使得在離子遷移管進(jìn)行清洗程序吋，因為腔內(nèi)溫度不夠高，必須花更長的清洗時間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺點，提供ー種利用熱噴涂エ藝在離子遷移管的陶瓷管體上噴涂半導(dǎo)體電熱膜，從而大幅提升離子遷移管的電熱轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而降低離子遷移管探測儀的整體所需電能，同時，半導(dǎo)體電熱膜本身的工作溫度可達(dá)300°C以上，在清洗離子遷移管時，能有效縮短所需時間，且結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉，應(yīng)用范圍較為廣泛的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)。為了實現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)具有如下構(gòu)成該應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)包括陶瓷絕緣管體和包圍于所述的陶瓷絕緣管體中的管腔，且所述的陶瓷絕緣管體外覆蓋有半導(dǎo)體電熱膜。該應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)中，所述的半導(dǎo)體電熱膜為氧化錫半導(dǎo)體電熱膜。該應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)中，所述的半導(dǎo)體電熱膜通過熱噴涂エ藝噴涂形成于所述的陶瓷絕緣管體外表面。該應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)中，所述的陶瓷絕緣管體的兩端還分別設(shè)置有兩個金屬環(huán)，所述的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)通過所述的兩個金屬環(huán)固定連接于所述的離子遷移譜探測儀的結(jié)構(gòu)部件。該應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)中，所述的兩個金屬環(huán)分別焊接固定于所述的陶瓷絕緣管體的兩端。該應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)中，所述的半導(dǎo)體電熱膜覆蓋于所述的兩個金屬環(huán)之間的陶瓷絕緣管體外表面上。采用了該發(fā)明的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，由于其包括陶瓷絕緣管體和包圍于所述的陶瓷絕緣管體中的管腔，且所述的陶瓷絕緣管體外覆蓋有半導(dǎo)體電熱膜。利用該半導(dǎo)體電熱膜能夠大幅提升離子遷移管的電熱轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而降低離子遷移管探測儀的整體所需電能，同時，半導(dǎo)體電熱膜本身的工作溫度可達(dá)300°C以上，在清洗離子遷移管時，能有效縮短所需時間。且本發(fā)明的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉，應(yīng)用范圍也較為廣泛。


圖I傳統(tǒng)的離子遷移管的層結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的技術(shù)頁面，特舉以下實施例詳細(xì)說明。請參閱圖2所示，為本發(fā)明的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)示意圖。在一種實施方式中，該應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)包括陶瓷絕緣管體I和包圍于所述的陶瓷絕緣管體I中的管腔4，且所述的陶瓷絕緣管體外覆蓋有半導(dǎo)體電熱膜5。所述的半導(dǎo)體電熱膜5通過熱噴涂エ藝噴涂形成于所述的陶瓷絕緣管體I的外表面的氧化錫半導(dǎo)體電熱膜5。在一種優(yōu)選的實施方式中，所述的陶瓷絕緣管體I的兩端還分別焊接固定有兩個金屬環(huán)6，所述的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)通過所述的兩個金屬環(huán)6固定連接于所述的離子遷移譜探測儀的結(jié)構(gòu)部件。所述的半導(dǎo)體電熱膜5覆蓋于所述的兩個金屬環(huán)6之間的陶瓷絕緣管體I的外表面上。在本發(fā)明的應(yīng)用中，本發(fā)明的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)采用陶瓷焊接エ藝將兩個金屬環(huán)焊接于離子管絕緣陶瓷管體的兩端。在金屬環(huán)上可構(gòu)建各種結(jié)構(gòu)要素，以滿足安裝聯(lián)接的需求。在離子管絕緣陶瓷管體的外表面用熱噴涂エ藝將氧化錫半導(dǎo)體電熱膜均勻地覆蓋在其上。由此形成的離子遷移管結(jié)構(gòu)的熱量傳遞路線是半導(dǎo)體電熱膜傳給離子管絕緣陶瓷管，再由絕緣陶瓷管對離子管腔體加熱。在熱傳遞鏈路中少了金屬管體這ー環(huán)節(jié)，由于其是半導(dǎo)體電熱膜是直接噴涂在絕緣陶瓷管體表面的(半導(dǎo)體電熱膜與絕緣陶瓷管體表面間是ー種無縫聯(lián)接狀態(tài))，所以熱量傳遞過程中的損耗是很小的。因此，半導(dǎo)體電熱膜這一加熱方法的電熱轉(zhuǎn)換效率大大地提高了，探測儀整體電能的使用就得以降低。同時，半導(dǎo)體電熱膜本身的工作溫度可達(dá)300°C以上，執(zhí)行離子管清洗程序操作時，腔體溫度能設(shè)定在較高的溫度條件下，所以清洗的時間可以縮短很多。采用了該發(fā)明的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，由于其包括陶瓷絕緣管體和包圍于所述的陶瓷絕緣管體中的管腔，且所述的陶瓷絕緣管體外覆蓋有半導(dǎo)體電熱膜。利用該半導(dǎo)體電熱膜能夠大幅提升離子遷移管的電熱轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而降低離子遷移管探測儀的整體所需電能，同時，半導(dǎo)體電熱膜本身的工作溫度可達(dá)300°C以上，在清洗離子遷移管時，能有效縮短所需時間。且本發(fā)明的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉，應(yīng)用范圍也較為廣泛。
在此說明書中，本發(fā)明已參照其特定的實施例作了描述。但是，很顯然仍可以作出各種修改和變換而不背離本發(fā)明的精神和范圍。因此，說明書和附圖應(yīng)被認(rèn)為是說明性的而非限制性的。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，所述的離子遷移管結(jié)構(gòu)包括陶瓷絕緣管體和包圍于所述的陶瓷絕緣管體中的管腔，其特征在于，所述的陶瓷絕緣管體外覆蓋有半導(dǎo)體電熱膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的半導(dǎo)體電熱膜為氧化錫半導(dǎo)體電熱膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的半導(dǎo)體電熱膜通過熱噴涂エ藝噴涂形成于所述的陶瓷絕緣管體外表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項所述的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的陶瓷絕緣管體的兩端還分別設(shè)置有兩個金屬環(huán)，所述的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)通過所述的兩個金屬環(huán)固定連接于所述的離子遷移譜探測儀的結(jié)構(gòu)部件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的兩個金屬環(huán)分別焊接固定于所述的陶瓷絕緣管體的兩端。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的半導(dǎo)體電熱膜覆蓋于所述的兩個金屬環(huán)之間的陶瓷絕緣管體外表面上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，屬于離子遷移譜技術(shù)領(lǐng)域。該應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)包括陶瓷絕緣管體和包圍于所述的陶瓷絕緣管體中的管腔，且所述的陶瓷絕緣管體外覆蓋有半導(dǎo)體電熱膜。利用該半導(dǎo)體電熱膜能夠大幅提升離子遷移管的電熱轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而降低離子遷移管探測儀的整體所需電能，同時，半導(dǎo)體電熱膜本身的工作溫度可達(dá)300℃以上，在清洗離子遷移管時，能有效縮短所需時間。且本發(fā)明的應(yīng)用于離子遷移譜探測儀的半導(dǎo)體加熱離子遷移管結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單，成本低廉，應(yīng)用范圍也較為廣泛。
文檔編號H05B3/42GK102751161SQ20121025987
公開日2012年10月24日 申請日期2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月25日
發(fā)明者李震宇, 江洪, 陳勇 申請人:公安部第三研究所