專利名稱：配線基板的鍍覆方法、鍍覆配線基板的制法以及銀蝕刻液的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于安裝半導體元件等電子元件的配線基板，更詳細而言，涉及配線基板的鍍覆方法、鍍覆配線基板的制造方法、以及銀蝕刻液。
背景技術：
半導體元件等電子元件通常安裝在配線基板上。配線基板通常具有絕緣性基材和導電圖案。作為能夠用于配線基板的絕緣性基材，已知除了電木等樹脂材料、用酚醛樹脂將紙加固的紙酚醛材料、用環(huán)氧樹脂將玻璃纖維加固的玻璃環(huán)氧材料等浸透式材料以外，還有陶瓷、以及玻璃等。配線基板上安裝的電子元件、尤其是半導體元件的發(fā)熱量隨著半導體元件的高性能化而增大。因此，期望配線基板由熱導率更高、具有散熱性的材料形成。作為有高導熱性 的配線基板材料，大多使用以氧化鋁燒結體為代表的陶瓷基板。最近也探討了使用比氧化鋁燒結體熱導率更高的氮化鋁燒結體。為了使用以該氮化鋁燒結體為代表例的氮化物陶瓷燒結體基板來制造配線基板，必須在氮化物陶瓷燒結體的表面形成金屬配線。作為形成金屬配線的方法，有將金屬糊劑涂布后焙燒的厚膜法、以及通過蒸鍍形成金屬薄膜的薄膜法等。其中，在需要散熱性的用途中，需要大量電流的情況多，由于通過薄膜法形成的膜厚對能通過的電流有限制，因此優(yōu)選采用厚膜法。另外，厚膜法中，作為涂布金屬糊劑的方法，可采用絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法等通過印刷的手法，因此可在形成金屬材料層的同時也完成配線圖案形狀的劃定。換言之，形成金屬材料層之后不需要為了劃定配線圖案的形狀而進行蝕刻處理等。因此，容易降低成本，因此從降低成本的觀點來看也優(yōu)選采用厚膜法。作為在陶瓷基板上通過厚膜法形成金屬配線的工業(yè)方法，已知使用包含高熔點金屬粉末的糊劑的同時焙燒法(共燒法，co-firing)和后焙燒法(后燒法，post-firing)。共燒法是通過在陶瓷還片(ceramics green sheet)上涂布高熔點金屬糊劑并焙燒從而同時進行陶瓷的燒結和高熔點金屬的熔燒的方法。共燒法具有如下特征可形成牢固地密合的金屬層，但另一方面，由于伴隨陶瓷燒結的收縮而難以進行尺寸精度高的金屬圖案的形成。后燒法是在預先燒結的陶瓷基板上涂布高熔點金屬糊劑并將其熔燒的方法，基本上不會發(fā)生上述共燒法中那樣的尺寸精度方面的問題。但是，目前，尤其是以氮化鋁為代表的氮化物陶瓷在后燒法中金屬層的接合強度(密合強度)難以提高。因此，近年提出了通過使用以Ag-Cu合金為主成分，含有氫化鈦作為副成分的糊劑使密合強度提高的技術(專利文獻I)。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開平5-226515號公報發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題另一方面，為了在這些基板上安裝電子元件，基板的金屬化部分必須可焊接安裝(模片接合，die bonding)半導體元件等電子元件并電連接(引線接合,wire bonding)。因此，通常，為了提高焊接性、引線接合性(例如接合強度)，進行只對導電圖案部分施行鍍覆的處理。作為提高安裝性的鍍膜結構，適宜采用在鍍Ni上施行鍍Au的結構等。根據(jù)本發(fā)明人等的補充試驗，發(fā)現(xiàn)專利文獻I的金屬化基板中，有時金屬化層的密合強度、以及金屬化層表面的鍍覆性差(鍍層對金屬化層的的密合強度變低，或者出現(xiàn)未鍍覆的部分)。因此本發(fā)明人等研究的結果發(fā)現(xiàn)，經(jīng)過在陶瓷基板上層疊包含銅粉以及氫化鈦粉的第I糊劑層而制作第I層疊體的工序、在第I層疊體的第I糊劑層上層疊包含銀和銅的合金粉的第2糊劑層而制作第2層疊體的工序、以及焙燒第2層疊體的工序，由此可制造金屬化層表面的鍍覆性優(yōu)異的金屬化基板，從而進行了專利申請(日本特愿2010-045283)。然而，作為鍍覆配線基板的制造方法，依然殘留有應該改良之處。即，用厚膜法形成金屬化基板后施行化學鍍時，金屬化層(導電圖案)表面的鍍覆性雖然良好，但未形成金·屬化層的部分(陶瓷露出的部分)上有時也會有鍍覆析出。這種在導電圖案以外的部分上鍍覆析出的產(chǎn)品除了外觀不良以外，還有圖案間的絕緣特性下降的可能。因此，這種產(chǎn)品從品質管理的觀點來看不得不廢棄，成為使鍍覆配線基板的制造成品率提高的障礙。因此，本發(fā)明的課題在于提供一種具有導電圖案的配線基板的鍍覆方法，所述導電圖案在外表面露出至少含有銀和銅的金屬層，該配線基板的鍍覆方法可抑制導電圖案以外的部分的鍍覆析出，且可在導電圖案表面形成良好的鍍層。另外，提供一種鍍覆配線基板的制造方法。另外，提供一種可在本發(fā)明的配線基板的鍍覆方法中適宜使用的銀蝕刻液。用于解決問題的方案本發(fā)明人等進行了深入研究，結果發(fā)現(xiàn)，通過在化學鍍之前，以規(guī)定的順序對配線基板施行規(guī)定的前處理工序，可解決上述課題，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明的第I方式為一種配線基板的鍍覆方法，其特征在于，其為在具有絕緣性基材和導電圖案的配線基板的導電圖案上施行鍍覆的方法，所述導電圖案在最外層具有至少含有銀和銅的金屬層，該方法具有以下工序將配線基板用含有氧化劑的第I處理液處理的(A)工序；將經(jīng)過該(A)工序的配線基板用溶解氧化銅的第2處理液處理，由此從導電圖案的表面將氧化銅去除的(B)工序；將經(jīng)過該(B)工序的配線基板用第3處理液處理，由此從所述導電圖案表面將氧化銀去除的(C)工序，所述第3處理液在25°C下溶解氧化銀(I)的速度為在25°C下溶解銅(O)的速度的1000倍以上；在經(jīng)過該(C)工序的配線基板的導電圖案上施行化學鍍的(D )工序。此處，本發(fā)明中，具有“導電圖案”的配線基板是指表面同時具有以金屬層覆蓋的部分并且具有未以金屬層覆蓋、露出絕緣性基材的部分的配線基板。“在最外層具有至少含有銀和銅的金屬層的導電圖案”是指導電圖案具有至少含有銀和銅的金屬層，該金屬層露出在配線基板的外表面，在導電圖案具有具備多層金屬層的層疊結構的情況下，是指構成導電圖案的該多層金屬層中離絕緣性基材最遠的層，即，該層與絕緣性基材之間存在構成導電圖案的其他所有金屬層的層為至少含有銀和銅的金屬層。上述導電圖案為也包含僅由“至少含有銀和銅的金屬層”構成的方式的概念?！叭芙狻笔侵敢舶殡S著氧化的溶解以及伴隨著絡合的溶解等的概念?！把趸y(I)”是指氧化數(shù)為+I價的氧化銀，“銅(O)”是指氧化數(shù)為O價的銅。另外，“溶解氧化銀(I)的速度”和“溶解銅(O)的速度”分別指將氧化銀(I)和銅(O)的每單位時間和每單位表面積的溶解量用金屬元素的摩爾量來表示的溶解速度。本發(fā)明的第I方式中優(yōu)選的是，(D)工序具有在配線基板的導電圖案上施行化學鍍鎳的(Dl)工序和在經(jīng)過該(Dl)工序的配線基板的導電圖案上施行化學鍍貴金屬的(D2)工序。本發(fā)明中，“貴金屬”是指金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、銥(Ir)、釕(Ru)、以及鋨(Os) 8種元素。本發(fā)明的第I方式中優(yōu)選的是，第I處理液為包含選自高錳酸鹽和重鉻酸鹽的至少一種的水溶液。 本發(fā)明的第I方式中優(yōu)選的是，第2處理液為包含硫酸和過氧化氫的水溶液。本發(fā)明的第I方式中優(yōu)選的是，第3處理液為包含過氧化氫和氨的水溶液。本發(fā)明的第I方式中優(yōu)選的是，第3處理液為在25°C下以溶解銅(O)的速度的2500倍以上的速度溶解氧化銀(I)的處理液。本發(fā)明的第2方式為一種鍍覆配線基板的制造方法，其特征在于，其為具有絕緣性基材和絕緣性基材上的導電圖案的鍍覆配線基板的制造方法，所述導電圖案在至少含有銀和銅的金屬層的表面施行了鍍覆，該方法具有以下工序制作具有絕緣性基材和絕緣性基材上的導電圖案的配線基板的(X)工序，所述導電圖案在最外層具有至少含有銀和銅的金屬層；在該(X)工序制作的配線基板的導電圖案上，通過本發(fā)明的第I方式的配線基板的鍍覆方法施行鍍覆的(Y)工序。本發(fā)明中，“鍍覆配線基板”是指在導電圖案上施行了鍍覆的配線基板。本發(fā)明的第2方式中，絕緣性基材可為陶瓷基板，(X)工序可具有以下工序將至少含有銀和銅的糊劑組合物涂布在燒結陶瓷基板或陶瓷坯片表面，由此制作配線基板前體的(Xl)工序；將該(Xl)工序制作的配線基板前體焙燒，由此制作配線基板的(X2)工序。本發(fā)明的第3方式為一種銀蝕刻液，其特征在于，在25°C下以溶解銅(O)的速度的1000倍以上的速度溶解氧化銀(I)。本發(fā)明的第3方式中優(yōu)選的是，25°C下氧化銀(I)的溶解速度為lX10_16mol/s -m2以上且I X 10 12mol/s · m2以下。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的第I方式的配線基板的鍍覆方法，在鍍覆具有在外表面露出至少含有銀和銅的金屬層的導電圖案的配線基板時，可抑制導電圖案以外的部分的鍍覆析出，且可在導電圖案表面形成良好的鍍層。因此，可使成品率提高。本發(fā)明的第I方式中，通過使(D)工序為具有上述(Dl)工序和上述(D2)工序這種順序的工序，從而能夠通過貴金屬鍍層的存在而使導電圖案的耐腐蝕性提高。另外可適當選擇構成最表層的貴金屬鍍層的貴金屬，因此容易提高與用于電子元件的安裝的焊錫、接合線等的親合性。另外，通過鍍鎳層的存在，容易使貴金屬鍍層的密合強度提高、調(diào)整導電圖案的硬度、以及防止銅向表層方向的遷移。本發(fā)明的第I方式中，通過使第I處理液為包含選自高錳酸鹽和重鉻酸鹽的至少一種的水溶液，從而容易抑制導電圖案以外的部分的鍍覆析出。
本發(fā)明的第I方式中，通過使第2處理液為包含硫酸和過氧化氫的水溶液，從而容易在導電圖案的表面形成良好的鍍層。本發(fā)明的第I方式中,通過使第3處理液為包含過氧化氫和氨的水溶液，從而容易在導電圖案的表面形成良好的鍍層。本發(fā)明的第I方式中，通過使第3處理液為在25°C下以溶解銅(O)的速度的2500倍以上的速度溶解氧化銀(I)的處理液，從而更容易在導電圖案的表面形成良好的鍍層。根據(jù)本發(fā)明的第2方式的鍍覆配線基板的制造方法，通過本發(fā)明的第I方式的配線基板的鍍覆方法，在最外層具有至少含有銀和銅的金屬層的導電圖案上施行鍍覆，從而可抑制導電圖案以外的部分的鍍覆析出，且可在導電圖案表面形成良好的鍍層。因此，可提高鍍覆配線基板的制造成品率。本發(fā)明的第2方式中，以陶瓷基板作為絕緣性基材，使(X)工序為具有上述(Xl)工 序和上述(X2)工序這種順序的工序時，在(X)工序中制作具有用厚膜法形成的導電圖案的金屬化陶瓷配線基板。然后，在接下來的上述(Y)工序中，可抑制導電圖案以外的部分的鍍覆析出，且在導電圖案表面形成良好的鍍層。因此，可使鍍覆金屬化陶瓷配線基板的制造成品率提聞。本發(fā)明的第3方式的銀蝕刻液可在本發(fā)明的第I方式的配線基板的鍍覆方法、以及本發(fā)明的第2方式的鍍覆配線基板的制造方法中，作為上述第3處理液適宜地使用。本發(fā)明的第3方式中，通過使25°C下氧化銀(I)的溶解速度為lX10_16mol/s · m2以上且lX10_12mol/s ·πι2以下，從而在本發(fā)明的第I方式的配線基板的鍍覆方法、以及本發(fā)明的第2方式的鍍覆配線基板的制造方法中，容易使上述(C)工序中的時間效率提高。另夕卜，容易使上述(C)工序中對處理條件的容許度提高，從而容易進行處理的控制。


圖I為說明金屬化陶瓷配線基板的制造的示意圖。圖2為說明金屬化陶瓷配線基板的制造(形成第3糊劑層的情況)的示意圖。圖3為說明金屬化陶瓷配線基板的剖面的圖。圖4為說明金屬化陶瓷配線基板上附著污染物質的情況的圖。圖5為用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察實施例I的鍍覆金屬化陶瓷配線基板的電路部分的剖面的圖。圖6為用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察比較例5的鍍覆金屬化陶瓷配線基板的發(fā)生鍍覆變色的電路部分的剖面的圖。附圖標記說明10 :氮化物陶瓷燒結體基板20 :第I糊劑層30 :第2糊劑層40:第3糊劑層50:金屬層(導電圖案)60 :氮化鈦層70 :圖案間部分(陶瓷露出部分)
80 :污染物質100 :金屬化陶瓷配線基板110 :金屬化陶瓷配線基板前體
具體實施例方式以下詳細說明本發(fā)明。以下例示出從氮化物陶瓷燒結體基板制造鍍覆金屬化陶瓷配線基板的一系列流程，對本發(fā)明進行說明。氮化物陶瓷由于熱導率高，其金屬化工序中，適宜采用形成至少銀和銅在金屬化表面共存的金屬化層的方式，因而可認為是優(yōu)選的實施方式，但本發(fā)明不受該方式的限制。此外，以下只要沒有預先說明，數(shù)值A、B的“A、”指A以上且B以下。鍍覆金屬化陶瓷配線基板200的制造方法
本發(fā)明的鍍覆配線基板的制造方法具有制作配線基板的(X)工序與在該配線基板的導電圖案上施行鍍覆的(Y)工序。(X)工序(X)工序為制作金屬化陶瓷配線基板100的工序。圖I中示出金屬化陶瓷配線基板100的制造方法的概略。(X)工序具有制作金屬化陶瓷配線基板前體110的(Xl)工序與從該金屬化陶瓷配線基板前體110制作金屬化陶瓷配線基板100的(X2)工序。以下依次進行說明。(Xl)工序(Xl)工序中，在氮化物陶瓷燒結體基板10上形成第I糊劑層20，在該第I糊劑層20上形成第2糊劑層，由此制作金屬化陶瓷配線基板前體110。氮化物陶瓷饒結體基板10氮化物陶瓷燒結體基板10可通過對規(guī)定形狀的氮化物陶瓷坯片或者將氮化物陶瓷顆粒加壓成形而成的加壓成形體進行焙燒的公知的方法來制作。其形狀、厚度等沒有特別限制。燒結體原料中，可以包含通常使用的稀土類等燒結助劑。氮化物陶瓷燒結體基板10的表面可根據(jù)需要研磨而使表面平滑。作為氮化物陶瓷，例如可列舉出氮化鋁、氮化硅、氮化硼、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉭、氮化鈮等。其中，優(yōu)選使用具有高熱導率等特性的氮化鋁。第I糊劑層20以及第2糊劑層30在氮化物陶瓷燒結體基板10上涂布包含銅粉和氫化鈦粉的第I糊劑組合物，由此形成第I糊劑層20。其后，在第I糊劑層20上涂布包含銀和銅的合金粉的第2糊劑組合物，由此形成第2糊劑層30。如此制作金屬化陶瓷配線基板前體110。第I糊劑層20和第2糊劑層30通過在要形成配線圖案的地方分別涂布以下說明的第I糊劑組合物和第2糊劑組合物而形成。糊劑組合物的涂布從形成精密配線的觀點來看，優(yōu)選通過印刷來進行。作為印刷，可采用絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、膠版印刷等。糊劑組合物根據(jù)采用的印刷法適當調(diào)整到最適合的粘度即可，但使用絲網(wǎng)印刷法時，若考慮到操作性和圖案再現(xiàn)性，則優(yōu)選的是，使用將各成分的量調(diào)整到使25°C時的粘度為5(T400Pa .s的糊劑組合物。可在形成第I糊劑層20后使其干燥、然后形成第2糊劑層30、之后使第2糊劑層30干燥，也可形成第I糊劑層20和第2糊劑層30之后使其一同干燥。干燥方法沒有特別的限制，只要是可使糊劑層中的溶劑揮發(fā)的方法即可。例如可列舉出在8(T12(TC左右使其干燥I分鐘到I小時左右的方法。通過以后述(X2)工序對層疊了包含氫化鈦粉的第I糊劑層20與不含氫化鈦粉的第2糊劑層30的金屬化陶瓷配線基板前體110進行焙燒，從而形成氮化鈦層60和金屬層50。該氮化鈦層60通過第I糊劑層20的鈦成分與氮化物陶瓷燒結體基板10中的氮成分發(fā)生反應，從而在氮化物陶瓷燒結體10與金屬層50的界面上形成。另外，由于存在不含氫化鈦粉的第2糊劑層30，可抑制后述(X2)工序中鈦成分向金屬層50的表面移動、使金屬層50表面的鍍覆性變良好、且減少金屬層50的表面的凹坑。另外，通過抑制鈦成分向金屬層50的表面移動，氮化鈦層60在氮化物陶瓷燒結體基板10與金屬層50的界面上充分地形成，因此金屬層50與氮化物陶瓷燒結體基板10的密合性變得更加良好。通過在(Xl)工序中形成包含銀和銅的合金粉的第2糊劑層30，可減少金屬層50中的空隙。即，通過(X2)工序中的焙燒，第2糊劑層30中的銀和銅的合金粉作為釬料發(fā)揮 作用并熔融成為液體，向第I糊劑層20的內(nèi)部滲透，并填補第I糊劑層20中的空隙，由此可減少金屬層50中的空隙。通過空隙的減少，可使金屬層50的密合性提高，另外，后述的(Y)工序中在金屬層50的表面進行鍍覆時，可抑制變色、起泡這樣的不良的發(fā)生。另外，只包含銀和銅的合金作為第2糊劑層30的金屬成分的情況下，焙燒時上層的第2糊劑層30作為釬料而熔融，被第I糊劑層20所吸收(由此填補第一糊劑層20中的空隙。)。由此，即使是從由第I糊劑層20劃定的區(qū)域溢出而形成第2糊劑層30時，也可抑制因未形成第I糊劑層20而未形成氮化鈦層的部位的金屬層50從氮化陶瓷燒結體基板10上浮起的事態(tài)。因此，后述(Y)工序中，可抑制以金屬層的浮起為原因的鍍覆的溢出、變色。另外，即使出于嚴格防止第2糊劑層30的溢出的目的而比第I糊劑層20劃定的區(qū)域更小地形成第2糊劑層30時，第2糊劑層30終究會熔融并被第I糊劑層20吸收，所形成的金屬層50不產(chǎn)生高度差，因此有效利用面積不會減少。第I糊劑層20的厚度優(yōu)選為3μ 以上且150μπ 以下，更優(yōu)選為5μ 以上且70 μ m以下。第2糊劑層30的厚度優(yōu)選為3 μ m以上且150 μ m以下，更優(yōu)選為5 μ m以上且70 μ m以下。第I糊劑層20與第2糊劑層30的厚度比優(yōu)選為O. I以上且10. O以下(第I糊劑層/第2糊劑層)，更優(yōu)選為0.2以上且5. O以下。其中，上述第I糊劑層的厚度為將下述說明的第I糊劑組合物在氮化物陶瓷燒結體基板10上涂布并干燥、由此使糊劑層中的溶劑揮發(fā)后的糊劑層的厚度。另外，上述第2糊劑層的厚度也為將下述說明的第2糊劑組合物在第I糊劑層20上涂布并干燥、由此使糊劑層中的溶劑揮發(fā)后的糊劑層的厚度。糊劑組合物用于形成第I糊劑層20的第I糊劑組合物包含銅粉和氫化鈦粉，此外優(yōu)選包含粘結劑、分散劑、溶劑。另外，用于形成第2糊劑層30的第2糊劑組合物包含銀和銅的合金粉，此外同樣地優(yōu)選包含粘結劑、分散劑、溶劑。此外，如上所述，第I糊劑層20包含氫化鈦粉從而金屬層50的密合性提高，因此糊劑組合物中不需要添加陶瓷粉末。由于沒有絕緣性成分的陶瓷成分，因此可使形成的金屬層50的導電性更加良好。第I糊劑層20除了上述銅粉和氫化鈦粉以外，也可以包含銀粉或銀和銅的合金粉。這種情況下，第I糊劑層20中優(yōu)選的是，相對于100質量份銅粉，使銀粉、或銀和銅的合金粉為I質量份以上且80質量份以下。通過第I糊劑層20包含銀粉、或銀和銅的合金粉，從而使金屬層50中的空隙減少，有降低金屬層50的電阻值的效果。另外，混合的銀粉、或銀和銅的合金粉的量過多時，材料價格變高，另外，由于金屬層中的液相量變得過多而無法保持形狀，可能會在形成精密的配線圖案方面帶來障礙。另外，第I糊劑層20中除了上述銅粉和氫化鈦粉以外，也可以使其含有銀粉以及銀和銅的合金粉兩者。這種情況下的含有比例與上述同樣，優(yōu)選的是相對于100質量份銅粉，使銀粉以及銀和銅的合金粉的總量為I質量份以上且80質量份以下。第2糊劑層30含有銀和銅的合金粉作為金屬成分而成。此處，銀和銅的合金粉并非銀和銅的粉末個別存在，而是指在銀中添加銅并熔解而成的粉。第2糊劑層30優(yōu)選僅包含銀和銅的合金粉作為金屬成分，由該構成，第2糊劑層30在焙燒時熔融并被第I糊劑層20吸收，因此容易抑制金屬層的浮起以及有效利用面積的減少。作為銀和銅的合金粉，只要在比粘接劑的分解溫度高的溫度、且比銅的熔點(1083°C)低的溫度下熔融即可，沒有特別的限制，例如優(yōu)選銅成分的含有比率為2(Γ35質量％。其中，作為易于發(fā)揮上述優(yōu)點、操作 性良好、進而獲取容易的合金粉，優(yōu)選使用Ag-Cu的共晶組成即銅成分的含有比率為28質量％的銀和銅的合金粉。另外，第2糊劑層30除了銀和銅的合金粉以外也可包含銅粉。這種情況下，第2糊劑層30中，優(yōu)選的是相對于銀和銅的合金粉100質量份，使銅粉為I質量份以上且300質量份以下。通過第2糊劑層30包含銅粉，有能使金屬層50的表面更平滑的效果。另一方面，混合的銅粉的量過多時，由于合金量變得相對較少，填補空隙的效果不充分，有金屬層50中殘留空隙的可能。另外，使第2糊劑層30中含有銅粉時，優(yōu)選使第2糊劑層30的厚度為10 μ m以上。作為通常能夠獲取的釬料而使用粒徑10 μ m左右的釬料時，若第2糊劑層30厚度過薄，相反地會有表面平滑性變差的可能。此外，使用5 μ m以下的小粒徑釬料作為釬料時，不會發(fā)生這種問題。第I糊劑組合物和第2糊劑組合物優(yōu)選的是，相對于形成第I糊劑層20和第2糊劑層30的全部的糊劑組合物中的銅成分和銀成分的總量100質量份，使形成第I糊劑層20的糊劑組合物中的氫化鈦粉為I質量份以上且10質量份以下。其中，銅成分和銀成分的總量是指各糊劑組合物中的銀粉、銅粉、以及銀和銅的合金粉的總量。氫化鈦粉的量過少時，后述(Y)工序中焙燒后的金屬層50可能密合性差。另一方面，氫化鈦粉的量過多時，金屬層50的使密合性提高的效果飽和，并且金屬層50的電阻變高，且由于焙燒時生成的液相潤濕性過度提高，液相成分從配線圖案溢出，因此可能難以形成精密的配線圖案。其中，以形成第I糊劑層20和第2糊劑層30的全部糊劑組合物中的銅成分和銀成分的總量為基準是因為，若能使第2糊劑層30較厚地形成，則可增加第I糊劑層20中氫化鈦粉的配混量。第I糊劑層20和第2糊劑層30的整體中，優(yōu)選使銀成分和銅成分的質量比為O. 15以上且O. 8以下(銀成分/銅成分)。銀成分的量過少時，金屬層50的電阻可能變高，反之銀成分的含量過多時，材料價格變高，另外，由于金屬層50中的液相量過多而難以保持形狀，可能無法形成精密的配線圖案。此外，在上述范圍內(nèi)，若銀成分的含量較多，則有使金屬層50中的空隙減少、金屬層50的電阻值下降的效果。具體而言，第I糊劑組合物優(yōu)選相對于100質量份銅粉，包含I. O質量份以上且20. O質量份以下的氫化鈦粉,優(yōu)選為2. O質量份以上且15. O質量份以下。
另外，第2糊劑組合物優(yōu)選僅使用銀和銅的合金粉作為金屬粉。第I或第2糊劑組合物中的銅粉的平均粒徑?jīng)]有特別的限制，只要是與以往的糊劑中使用的粒徑相同的粒徑即可。具體而言，該銅粉可使用平均粒徑為O. Ιμπι以上且5. O μ m以下的銅粉。該銅粉特別優(yōu)選使用平均粒徑優(yōu)選為I. O μ m以上且5. O μ m以下、更優(yōu)選為I. 5 μ m以上且3. O μ m以下的銅粉作為主成分。以平均粒徑為I. O μ m以上且5. O μ m以下的銅粉為主成分時，也可以在不足全部銅粉的50質量％的范圍內(nèi)，配混平均粒徑優(yōu)選為O. I μ m以上且不足I. O μ m、更優(yōu)選為O. 2 μ m以上且O. 6 μ m以下的銅粉。另外，銀粉的平均粒徑也沒有特別的限制，只要是與金屬化用糊劑中通常使用的粒徑相同的粒徑即可。具體而言，銀粉可使用平均粒徑優(yōu)選為O. I μ m以上且5. O μ m以下、更優(yōu)選為O. 5 μ m以上且4. O μ m以下的銀粉。通過使用滿足上述范圍的平均粒徑的銅粉、銀粉，可使絲網(wǎng)印刷的印刷性變好、抑制圖案(金屬層50)的溢出。進而可形成致密的金屬層50。若使金屬層50致密地形成，則可防止在金屬層50上形成鍍層時，因鍍覆液向金屬層50滲透并在金屬化層內(nèi)殘留而發(fā)生的、金屬化的變色、加熱時鍍膜的起泡等缺陷?！ち硗?，第I或第2糊劑組合物中的銀和銅的合金粉的平均粒徑也沒有特別的限制，只要是與金屬化用糊劑中通常使用的粒徑相同的粒徑即可。具體而言，銀和銅的合金粉可使用平均粒徑優(yōu)選為O. I μ m以上且20 μ m以下、更優(yōu)選為O. 5 μ m以上且10 μ m以下的合金粉。另外，第I糊劑組合物中的氫化鈦粉的平均粒徑?jīng)]有特別的限制，只要是與金屬化用糊劑中通常使用的粒徑相同的粒徑即可。具體而言，可使用平均粒徑優(yōu)選為O. I μ m以上且20. O μ m以下、更優(yōu)選為O. 5 μ m以上且10. O μ m以下的氫化鈦粉。此外，工業(yè)上能夠獲取的氫化鈦粉通常粒徑分布廣，有時即使平均粒徑在上述范圍內(nèi)，也含有一部分粗大粒子。氫化鈦粉的粗大粒子在糊劑組合物中存在時，可能如后述在金屬層表面發(fā)生凹凸，因此氫化鈦粉優(yōu)選為具有不含超過30 μ m、更優(yōu)選為不含超過20 μ m的粒子的粒徑分布的氫化鈦粉。即，氫化鈦粉的嚴格意義上的上限優(yōu)選為30μπι以下、更優(yōu)選為20μπι以下。其中，上述平均粒徑和粒徑分布為使用日機裝株式會社制造的Microtrac,通過激光衍射法測定的值(體積平均值)。作為使第I或第2糊劑組合物中含有的粘結劑，可沒有特別限制地使用公知的粘結劑。例如聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯等丙烯酸類樹脂，甲基纖維素、羥甲基纖維素、乙基纖維素、硝基纖維素、醋酸丁酸纖維素等纖維素樹脂，聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯等含乙烯基樹脂等。另外，出于改善印刷性等的目的，也可混合使用兩種以上的樹脂。這些之中，從非活性氣氛中的焙燒的殘渣較少的觀點來看，特別優(yōu)選丙烯酸類樹脂。作為使第I或第2糊劑組合物中含有的溶劑，可沒有特別限制地使用公知的溶劑。例如可使用甲苯、醋酸乙酯、萜品醇、丁基卡必醇醋酸酯、醇酯-12 (Texanol)等。另外，出于提高印刷適應性、保存穩(wěn)定性等目的，可添加公知的表面活性劑、增塑劑等。作為可適宜使用的分散劑，可例示磷酸酯系、多元羧酸系等。第3糊劑層40如圖2的(a)、(b)所示，(Xl)工序中，可在第I糊劑層20與第2糊劑層30之間(圖2的(a))、或者第2糊劑層30上(圖2的(b))進一步形成包含銅粉的第3糊劑層40。這樣形成第3糊劑層40時，焙燒前的金屬化陶瓷配線基板前體的形態(tài)有以下兩種圖2的Ca)的“氮化物陶瓷燒結體基板10/第I糊劑層20/第3糊劑層40/第2糊劑層30”，圖2的(b)的“氮化物陶瓷燒結體基板10/第I糊劑層20/第2糊劑層30/第3糊劑層40”。第3糊劑層40的形成方法(糊劑組合物的涂布、糊劑粘度等)與上述第I糊劑層20的情況相同。另外，如圖2的(c)所示，第3糊劑層40可形成在第I糊劑層20和第2糊劑層30之間、以及第2糊劑層30上方兩處。第3糊劑層40如上所述，形成在第I糊劑層20與第2糊劑層30之間、或是第2糊劑層30上方、或在這兩處。任一情況下，第3糊劑層40均形成在包含氫化鈦粉的第I糊劑層20的上方。通過該包含銅粉而成的第3糊劑層40存在于第I糊劑層20的上方，可降低第I糊劑層中的氫化鈦粉來源的金屬層50的表面粗糙度。第3糊劑層40的厚度優(yōu)選為Ιμ 以上且ΙΟΟμπ 以下，更優(yōu)選為5μ 以上且50 μ m以下，進一步優(yōu)選為8 μ m以上且30 μ m以下。如圖2的(c)那樣在兩處形成第3糊劑層40時，只要合計的層厚在上述范圍內(nèi)即可。第3糊劑層40過薄時，使表面平滑的效果 減弱，反之，過厚時除了使表面平滑的效果飽和之外，在第I糊劑層20和第2糊劑層30之間形成第3糊劑層40時，可能會抑制焙燒時熔解的第2糊劑層30填補第I糊劑層20中的空隙的作用。另外，第3糊劑層40相對于第I糊劑層20的厚度比優(yōu)選為O. I以上且10. O以下(第3糊劑層/第I糊劑層)、更優(yōu)選為O. 2以上且5. O以下。其中，本發(fā)明中第3糊劑層40的厚度為將以下詳述的第3糊劑組合物在第2糊劑層上涂布并干燥，由此使糊劑層中的溶劑揮發(fā)后的糊劑層的厚度。用于形成第3糊劑層40的第3糊劑組合物包含銅粉，此外，包含粘結劑、分散劑、溶劑，這些方面與上述第I糊劑組合物相同。第3糊劑層40中除了銅粉以外，也可包含銀粉、銀和銅的合金粉、氫化鈦粉，若從賦予表面的平滑性的觀點來看，優(yōu)選的是以第3糊劑組合物的金屬粉總量為基準(100質量％)，使銅粉的比率為70質量％以上且100質量％以下。另外，優(yōu)選的是以將第I糊劑層20、第2糊劑層30、以及第3糊劑層40合計的銅成分和銀成分的總質量為100質量份，使第I糊劑層20中所含的氫化鈦粉為I質量份以上且10質量份以下。第3糊劑層40中的金屬粒子的平均粒徑與上述第I糊劑層20的情況相同。另外，優(yōu)選的是將第I糊劑層20和第2糊劑層30、以及第3糊劑層40合計的總量中，銀成分相對于銅成分的質量比(銀成分/銅成分)為O. 15以上且O. 8以下。(X2)工序(X2)工序中，通過焙燒上述(Xl)工序中制作的金屬化陶瓷配線基板前體110，從而制作金屬化陶瓷配線基板100。通過焙燒，在氮化物陶瓷燒結體基板10上形成氮化鈦層60和金屬層50。焙燒優(yōu)選在非氧化性氣氛中、在耐熱性容器內(nèi)進行。作為非氧化性氣氛，可例示真空下、或者氬氣、氦氣等非活性氣體、或氫氣氣氛。另夕卜，也可以是非活性氣體和氫氣的混合氣氛。這些非氧化性氣氛之中，優(yōu)選采用真空下、或非活性氣體與氫氣的混合氣體氣氛。在真空下進行焙燒時，出于防止氣氛中的氧氣、氮氣等反應性氣體與鈦發(fā)生反應的目的，真空度最好盡可能高，優(yōu)選為I. 33X KT1Pa以下，更優(yōu)選為1.33X10_2Pa以下。此外，真空度的上限沒有特別的限制，若考慮工業(yè)生產(chǎn)，則為I. 33XKT4Pa 以上。耐熱性容器只要是由能充分耐受焙燒金屬化陶瓷配線基板前體110時的溫度的材質形成即可，優(yōu)選即使在焙燒時的高溫下也不透氣、容器自身不產(chǎn)生氣體、且氣密性高的耐熱性容器。若具體例示該耐熱性容器可適宜使用的材質，可例示氮化鋁、氮化硼、氮化硅等氮化物燒結體、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯等氧化物燒結體、耐熱鎳鉻鐵合金(incoloy)、耐鹽酸鎳基合金(hastelloy)等耐熱合金類、或石英玻璃等。其中，從確保焙燒時容器內(nèi)的均熱性的觀點來看，優(yōu)選導熱性優(yōu)異的氮化物燒結體。認為耐熱性容器有如下作用焙燒工序中將金屬化陶瓷配線基板前體110附近的氣氛從其他焙燒爐內(nèi)的氣氛中隔斷開，抑制糊劑中的粘結劑分解·飛散而在爐壁等上再附著的分解物、其他污染源隨著焙燒爐內(nèi)的溫度上升而再飛散而與第I糊劑層20中的鈦成分發(fā)生反應。因此，該耐熱性容器優(yōu)選使用在焙燒工序中能將金屬化陶瓷配線基板前體110附近的氣氛從其他焙燒爐內(nèi)的氣氛中隔斷開的、可以蓋上的結構的容器。另外，耐熱性容器也可以是能夠成為完全的密閉狀態(tài)的容器，但也可以是具有可將第I糊劑層20、第2糊劑層30、以及第3糊劑40中的粘結劑熱分解產(chǎn)生的氣體向容器外放出程度的縫隙的容器。 另外，耐熱性容器的形狀優(yōu)選為在焙燒爐內(nèi)能使耐熱性容器內(nèi)沒有溫度分布的大小。從這一點考慮，耐熱性容器也優(yōu)選由導熱性優(yōu)異的氮化物燒結體形成的容器。焙燒由于第2糊劑組合物包含銀成分，因此可在銅的熔點(1083°C)以下的溫度下施行。此外，為了形成高精度的精密配線圖案，優(yōu)選在800°C以上且950°C以下的溫度下焙燒。若在上述焙燒溫度范圍中提高焙燒溫度，則有金屬層50中的空隙減少的效果。另外，焙燒時間可根據(jù)配線圖案、膜厚等適當決定，在上述溫度范圍保持數(shù)十秒以上且I小時以下為充分。這樣形成的金屬層50并非僅由銀和銅的合金相形成，還有具有富含銀的組成的部分與具有富含銅的組成的部分。通過焙燒形成金屬層50時，由加熱而一度熔融混合的金屬成分隨著冷卻而固化。該固化處理中，銀成分與銅成分之間容易出現(xiàn)分相，其結果，金屬層50中，具有富含銀的組成的部分與具有富含銅的組成的部分無規(guī)地分開而存在。本發(fā)明的配線基板的鍍覆方法能夠在這種分相的金屬層的表面形成良好的鍍層。以下，對(Y)工序進行詳述。(Y)工序(Y)工序中，在上述(X)工序中制作的金屬化陶瓷配線基板100 (以下也簡稱為“配線基板100”。)的金屬層50 (以下也簡稱為“導電圖案50”。)上施行鍍覆處理。圖3中示出配線基板100的剖面的概略。如圖3所示，在配線基板100的有導電圖案50存在的表面，存在被導電圖案50覆蓋的部分、和未被導電圖案50覆蓋、露出氮化陶瓷燒結體基板10的部分70、70、…(以下也簡稱為“圖案間部分70、70、…”。)。如上所述，導電圖案50至少包含銀和銅。(Y)工序依次具有如下工序將配線基板100用含有氧化劑的第I處理液處理的(A)工序；將配線基板100用溶解氧化銅的第2處理液處理，由此從導電圖案50表面將氧化銅去除的(B)工序；將配線基板100用第3處理液處理，由此從導電圖案表面將氧化銀去除的(C)工序，所述第3處理液在25°C下溶解氧化銀(I)的速度為在25°C下溶解銅(O)的速度的1000倍以上；在導電圖案50上施行化學鍍的(D)工序。以下，按順序對各工序進行說明。(A )工序(A)工序為將配線基板100用含有氧化劑的第I處理液處理的工序。圖3為說明配線基板100的剖面的示意圖。配線基板中露出絕緣性基材的部分有時會有污染物質附著。例如如圖4所示，上述(X)工序制作的配線基板100中，露出氮化物陶瓷基板10的圖案間部分70、70、…上，有時會有污染物質80、80、…附著。上述(X)工序中通過厚膜法制作的金屬化陶瓷配線基板100中，污染物質80、80、…常常為來自糊劑組合物的有機成分的碳素性殘渣。若污染物質(80、80、…)在圖案間部分(70、70、…)上存在，則進行化學鍍處理時，會成為露出絕緣性基材(10)的圖案間部分( 70、70、…)上不希望的鍍覆析出的原因。其中，關于污染物質80、80、…在圖案間部分70、70、…上誘發(fā)鍍覆析出的機理，本發(fā)明人等推定如下化學鍍與電解鍍不同，以由還原劑(例如次磷酸等。)而不是電極提供的電子將鍍覆用金屬(例如若是鍍鎳則為鎳)的陽離子還原，由此在鍍覆對象物體上使O價的鍍覆用金屬析出。因此，實際上在進行使鍍覆用金屬析出的反應之前，會進行使促進還原劑的反應的催化劑(例如鈀等)附著在鍍覆對象部分的表面的處理。圖案間部分70、70、…上附著污染物質80、80、…時，該污染物質80、80、…上有時有催化劑成分殘留(例如吸附等)，該殘留的催化劑引起圖案間部分70、70、…上的鍍覆析出。進而，鍍覆用金屬為具有催化還原劑的反應的性質的金屬(例如鎳等)時，由于析出的鍍覆用金屬進一步催化還原反應，因此即使微量污染物質80、80···也可誘發(fā)圖案間部分70、70、…的大部分上析出鍍覆用金屬的事態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的配線基板的鍍覆方法，通過進行(A)工序，可將污染物質80、80、…從圖案間部分70、70、…上氧化去除，因此可抑制進行化學鍍處理時如上所述的圖案間部分70、70、...上的鍍覆析出。第I處理液第I處理液包含溶劑和該溶劑所溶解的氧化劑而成。作為溶劑的條件，要求可溶解氧化劑。另外，優(yōu)選不與該氧化劑反應(或反應速度非常緩慢)，以及對配線基板100潤濕性良好。作為第I處理液能夠使用的溶劑，例如可列舉出水。作為能夠使用的氧化劑，可列舉出高錳酸鈉、高錳酸鉀、高錳酸鎂、高錳酸鈣、高錳酸鋇、高錳酸銀、高錳酸鋅、高錳酸銨等高錳酸鹽；重鉻酸鈉、重鉻酸鉀、重鉻酸銨等重鉻酸鹽、以及鉻酸鈉、鉻酸鉀、鉻酸銨等鉻酸鹽等氧化數(shù)為+IV價的鉻的含氧酸及其鹽；高氯酸鹽；過硫酸鹽等氧化劑。其中，從獲取容易性等觀點來看，優(yōu)選高錳酸鹽、重鉻酸鹽以及鉻酸鹽，從環(huán)境影響和安全性等的觀點來看更優(yōu)選高錳酸鹽，其中特別優(yōu)選高錳酸鉀。第I處理液中的氧化劑的濃度的上限由溶劑中的氧化劑的溶解度限制，除此之外可沒有其他特別限制地選擇。但是，從縮短處理時間而使時間效率提高等觀點來看，優(yōu)選使?jié)舛葹槟撤N程度以上。優(yōu)選的濃度根據(jù)氧化劑而不同，例如溶劑為水、氧化劑為高錳酸鉀時，優(yōu)選使?jié)舛葹镺. 5質量％以上，更優(yōu)選為I質量％以上。另外，從容易控制反應進程等觀點來看，優(yōu)選使?jié)舛葹?質量％以下，更優(yōu)選為3質量％以下。
第I處理液的溶液性質沒有特別的限制。含有的氧化劑為高錳酸鹽等在反應中需要氫離子的氧化劑時，從提高氧化力的觀點來看通常使其為硫酸酸性，但在本發(fā)明中，雖然有該情況，但也可采用堿性的溶液性質。通過使溶液性質為堿性,能夠降低構成導電圖案50的金屬元素、尤其銅的蝕刻速度，從而容易使后述(B)和(C)工序中導電圖案50表面的鍍覆性良好，因此后述(D)工序中容易形成良好的鍍層。使溶液性質為堿性時，作為堿例如可使用氫氧化鈉、氫氧化鉀等，可使PH例如為約12等?？勺鳛榈贗處理液使用的含氧化劑處理液的市售品例如可列舉出World MetalCo. , Ltd.制造的CR-11。另外，第I處理液中除了上述溶劑和氧化劑之外，也可含有穩(wěn)定劑 等作為添加劑。處理備件(A)工序可通過使第I處理液接觸配線基板100而進行。更具體而言，通過浸潰、涂布、噴霧等使第I處理液接觸配線基板100的至少圖案間部分70、70、…、優(yōu)選接觸至少圖案間部分70、70、…的整體。從容易工業(yè)處理的觀點來看，也可使第I處理液接觸配線基板100的整體。(A)工序中的處理溫度沒有特別的限制。但是，從使反應速度提高從而使處理效率提高等的觀點來看，優(yōu)選使處理溫度為10°c以上，更優(yōu)選為20°C以上。另外，從容易控制氧化反應的進程等觀點來看，優(yōu)選使處理溫度為40°C以下，更優(yōu)選為30°C以下。優(yōu)選使(A)工序中的處理時間(配線基板100與第I處理液的接觸時間)為充分去除污染物質80、80、…、且導電圖案50不受到過度氧化的范圍的處理時間。處理時間可基于第I處理液的組成和反應溫度適宜選擇。例如溶劑為水、氧化劑為高錳酸鉀(2質量％)、溶液性質為pH=12、處理溫度為25°C時，可使處理時間為I分鐘以上且10分鐘以下的范圍。此外，使第I處理液接觸配線基板100經(jīng)過上述規(guī)定的處理時間后，為了使配線基板100表面上的氧化反應確實地結束、抑制向下一工序的處理液的帶入，優(yōu)選通過用水等洗滌等來從配線基板100的表面去除第I處理液。(B)工序(B)工序為將經(jīng)過(A)工序的配線基板100用溶解氧化銅的第2處理液處理，由此從導電圖案50表面將氧化銅去除的工序。經(jīng)過上述(A)工序的配線基板100的導電圖案50的表面由于被第I處理液中所含氧化劑的強氧化力氧化，該表面上至少生成了氧化銅以及氧化銀。因此，即使經(jīng)過(A)工序之后立刻施行鍍覆，也難以在導電圖案50的表面形成良好的鍍膜。因此，為了形成良好的鍍膜，需要從導電圖案50的表面去除上述氧化物。但是，本發(fā)明人研究的結果判明，由于上述氧化物呈厚層地形成，通常用于鍍覆的前處理的氟化銨-鹽酸系的處理液充分地去除上述氧化物是非常困難的。另外判明，如上所述，上述(X)工序中形成金屬層50時、一度熔融混合的銀成分與銅成分隨著冷卻而固化時出現(xiàn)分相，其結果，具有富含銀的組成的部分與具有富含銅的組成的部分在金屬層50中無規(guī)地分開而存在。還判明，作為上述分相的結果，經(jīng)過(A)工序的導電圖案50的表面上，由以氧化銀為主成分的氧化物覆蓋的部分與由以氧化銅為主成分的氧化物覆蓋的部分無規(guī)地分開而存在。由于銀和銅具有不同的氧化特性，另外，氧化銀和氧化銅具有不同的溶解特性，因此可知用一種處理液去除所有的氧化物是困難的。任何一者的氧化物層在導電圖案50表面殘存時，由于上述分相，在導電圖案50表面并非均勻地而是局部的鍍覆性顯著惡化。其結果，即使可以形成鍍層，鍍覆性惡化的部分(氧化物殘留的部分)發(fā)生鍍覆金屬(例如Ni)附著的障礙，成為變色等的原因。另外還判明，進一步施行具有比該鍍覆金屬更高電位的金屬(例如Au)的鍍覆時，該鍍覆性惡化的部分上形成局部的電池系(例如Ni/Au系局部電池)，基底的鍍覆金屬(例如Ni)受到侵蝕，其結果導致鍍覆表面的變色、表面粗糙度的增大。因此，本發(fā)明人進一步討論的結果發(fā)現(xiàn)，通過在(A)工序之后按規(guī)定的順序使用至少兩種處理液，可將上述氧化物確實地去除、使導電圖案50表面的鍍覆性良好，從而解決上述問題。即，本發(fā)明的配線基板的鍍覆方法通過按照在(A)工序之后進行(B)工序和后述(C)工序這樣的順序進行，可抑制圖案間部分70、70、…上的鍍覆析出，并在導電圖案50上形成良好的鍍膜。以下，繼續(xù)對(B)工序進行說明。
第2處理液(B)工序中使用的第2處理液為可溶解去除氧化銅的處理液。作為第2處理液，可沒有特別限制地使用作為銅單質的鍍覆前蝕刻液而公知的處理液。例如，可優(yōu)選使用硫酸-過氧化氫系的水溶液。使用硫酸-過氧化氫系的水溶液作為第2處理液時，可使硫酸的濃度例如為I質量％以上且10質量％以下。另外可使過氧化氫的濃度例如為I質量％以上且30質量％以下。第2處理液的溶液性質為酸性，可使pH例如為2以上且5以下?？勺鳛榈?處理液使用的硫酸-過氧化氫系水溶液的市售品例如可列舉出三菱瓦斯化學公司制造的CPE-700。另外，除了硫酸和過氧化氫以外，還可含有作為添加劑的穩(wěn)定劑等。處理條件(B)工序可通過使第2處理液接觸配線基板100而進行。更具體而言，通過浸潰、涂布、噴霧等使第2處理液接觸配線基板100的至少導體圖案50、優(yōu)選接觸至少導體圖案50的整體、更優(yōu)選接觸配線基板100的整體。(B)工序的處理溫度沒有特別的限制。但是，從使反應速度提高從而使處理效率提高等的觀點來看，優(yōu)選使處理溫度為15°C以上，更優(yōu)選為20°C以上。另外，從第2處理液的穩(wěn)定性等觀點來看，特別是第2處理液為硫酸-過氧化氫系時，優(yōu)選使處理溫度為40°C以下，更優(yōu)選為35°C以下。優(yōu)選使(B)工序的處理時間(配線基板100與第2處理液的接觸時間)為將導電圖案50表面的氧化銅充分去除的程度的時間，更優(yōu)選為將氧化銅完全去除的時間。處理時間可基于第2處理液的組成和反應溫度而適宜選擇。例如第2處理液為硫酸-過氧化氫系的水溶液(硫酸2質量％、過氧化氫2. 5質量％)、處理溫度為25°C時，可使處理時間為10秒以上且300秒以下的范圍。此外，使第2處理液接觸配線基板100經(jīng)過上述規(guī)定的處理時間后，為了使配線基板100表面上氧化銅的去除確實地結束、抑制向下一工序的處理液的帶入，優(yōu)選通過用水等洗滌等來從配線基板100的表面去除第2處理液。(C)工序
(C)工序為將經(jīng)過(B)工序的配線基板100用第3處理液處理，由此從導電圖案50的表面將氧化銀去除的工序，所述第3處理液溶解氧化銀(I)的速度比溶解銅(O)的速度快。本發(fā)明中，(A) (B) (C) 3步工序的順序非常重要。在(B)或(C)工序后進行(A)工序時，之前由(B )或(C)工序去除的氧化物會重新在導電圖案50上形成，從而難以形成良好的鍍膜。因此，(A)工序必須在3步工序中最先進行。另外，(C)工序比(B)工序先進行時，即使由(C)工序去除了氧化銀，也會在(B)工序中重新生成氧化銀、在導電圖案50表面產(chǎn)生局部鍍覆性差的部分，從而此時也難以形成良好的鍍膜。因此(C)工序必須在(B)工序之后進行。第3處理液第3處理液特征在于，在25°C下溶解氧化銀(I)的速度為在25°C下溶解銅(O)的速度的1000倍以上。優(yōu)選第3處理液在25°C下溶解氧化銀(I)的速度為在25°C下溶解銅
·(O)的速度的2500倍以上，更優(yōu)選為10000倍以上。通過使第3處理液的對氧化銀和銅的溶解速度的關系在上述范圍內(nèi)，容易使具有富含銀的組成的部分的鍍覆性提高，而不會使導電圖案50表面的具有富含銅的組成的部分的鍍覆性惡化，從而后述(D)工序中更容易在導電圖案50表面整體形成良好的鍍層。另外，第3處理液優(yōu)選在25°C下氧化銀(I)的溶解速度為lX10_16mol/s -m2以上，更優(yōu)選為2. 5 X lCT15mol/s ·τα,另外，優(yōu)選為I X lCT12mol/s *m2以下。另外，在25°C下銅(O)的溶解速度優(yōu)選為I X 10_17mol/s · m2以下，更優(yōu)選為5X 10_18mol/s · m2以下。通過使氧化銀(I)的溶解速度為上述下限值以上，容易使后述(C)工序中的時間效率提高。另外，通過使氧化銀(I)的溶解速度為上述上限值以下，容易使后述(C)工序中對處理條件的容許度提高，從而容易控制反應的進行度。另外，通過使銅(O)的溶解速度為上述上限值以下，容易維持(B )工序中被蝕刻的銅(O )的表面狀態(tài)良好，從而在后述(D )工序中容易形成均勻的鍍層。作為第3處理液，從容易滿足關于溶解速度的上述條件的觀點來看，例如可特別適宜地采用含有過氧化氫和氨的水溶液(以下也稱“過氧化氫-氨系水溶液”。)。使用過氧化氫-氨系水溶液作為第3處理液時，從滿足上述條件的觀點來看，優(yōu)選具有如下組成。即，過氧化氫的濃度優(yōu)選為I質量％以上，更優(yōu)選為7質量％以上，特別優(yōu)選為15質量％以上。另外，優(yōu)選為30質量％以下，更優(yōu)選為25質量％以下，特別優(yōu)選為23質量％以下。另外，優(yōu)選使溶液的pH為7. 3以上，更優(yōu)選為7.8以上。另外，優(yōu)選使溶液的pH為10以下，更優(yōu)選為9. 5以下。通過使pH為上述下限值以上，容易提高氧化銀的溶解反應(例如與氨的絡離子([Ag (NH3)2]+)的形成反應)的速度，從而容易滿足關于氧化銀和銅的溶解速度的上述條件。另外，通過使PH為10以下，容易降低過氧化氫的自身分解反應的反應速度，另外，通過使pH為9.5以下，容易降低銅(O)的蝕刻速度。此外，優(yōu)選溶液中的氨濃度為使溶液的PH在上述范圍內(nèi)的值的濃度。第3處理液為過氧化氫-氨系水溶液時，在含有過氧化氫和氨的基礎上，從防止過氧化氫分解等觀點來看，也可含有磷酸。此時，可使磷酸的濃度例如為O. 2質量％以上，優(yōu)選為O. 5質量％以上,并且為2質量％以下,優(yōu)選為I. 5質量％以下。
處理備件(C)工序可通過使第3處理液接觸配線基板100而進行。更具體而言，通過浸潰、涂布、噴霧等使第3處理液接觸配線基板100的至少導體圖案50、優(yōu)選接觸至少導體圖案50的整體、更優(yōu)選接觸配線基板100的整體。(C)工序的處理溫度沒有特別的限制。但是，從使反應速度提高從而使處理效率提高等的觀點來看，優(yōu)選使處理溫度為15°C以上，更優(yōu)選為20°C以上。另外，從第3處理液的穩(wěn)定性等觀點來看，特別是第3處理液為過氧化氫-氨系時，優(yōu)選使處理溫度為40°C以下，更優(yōu)選為30°C以下。優(yōu)選使(C)工序的處理時間(配線基板100與第3處理液的接觸時間)為將導電圖案50表面的氧化銀充分去除的程度的時間，更優(yōu)選為將氧化銀完全去除的時間。處理時間可基于第3處理液的組成和反應溫度而適宜選擇。例如第3處理液為過氧化氫-氨系水溶液(過氧化氫20質量％、磷酸I質量％、加入30質量％氨水調(diào)整為pH=9. 23的液體)，處理溫度為25°C時，可使其為10秒鐘以上且120秒鐘以下的范圍。 此外，使第3處理液接觸配線基板100經(jīng)過上述規(guī)定的處理時間后，為了使配線基板100表面上氧化銀的去除確實地結束、抑制向下一工序的處理液的帶入，優(yōu)選通過用水等洗滌等來從配線基板100的表面去除第3處理液。(D)工序(D)工序為在經(jīng)過上述(A) (C)工序的配線基板100的導電圖案50上施行化學鍍的工序。(D)工序依次具有施行化學鍍鎳的(Dl)工序和施行化學鍍貴金屬的(D2)工序。根據(jù)具有該構成的(D)工序，能夠通過貴金屬鍍層的存在而使導電圖案的耐腐蝕性提高。并且由于可適宜選擇構成最表層的貴金屬鍍層的貴金屬，因此容易提高與用于電子元件的安裝的焊錫、接合線等的親合性。另外，通過鍍鎳層的存在，容易使貴金屬鍍層的密合強度提高、調(diào)整導電圖案的硬度、以及防止金屬層50含有的銅成分向表層方向的遷移。以下，按順序進行說明。(Dl)工序(Dl)工序中，在經(jīng)過上述(A) (C)工序的配線基板100的導電圖案50上施行化學鍍鎳。作為化學鍍鎳使用的還原劑，可沒有特別限制地使用能夠用于化學鍍鎳的公知的還原劑。但是，從后述(D2)工序中的化學鍍貴金屬時的耐腐蝕性的觀點來看，優(yōu)選的是使用次磷酸作為還原劑的化學鍍鎳(以下也稱“鍍Ni-P”。)。以下通過鍍Ni-P為例進行說明。催化劑如上所述，導電圖案50的表面上，具有富含銅的組成的部分和具有富含銀的組成的部分微細地分開而存在。在具有富含銅的組成的部分上通過鍍Ni-P使鎳析出比較困難，因此優(yōu)選在使鎳析出前，在導電圖案50表面賦予催化劑。通過賦予催化劑，容易使鎳在導電圖案50表面均勻地析出。對于次磷酸，已知鐵、鎳、鈷、鈀等各種金屬元素都具有催化劑作用，但從容易僅在導電圖案50表面賦予催化劑的觀點來看，可優(yōu)選使用鈀。使用鈀作為催化劑時，通過對配線基板100用含鈀溶液進行處理，可在配線基板100表面中僅對導電圖案50的表面賦予作為催化劑的鈀。用于處理的含鈀溶液只要含有鈀離子(例如Pd2+)或鈀的絡離子即可，作為這種鍍覆液的市售品例如可列舉出上村工業(yè)公司制造的MSR28。作為催化劑的鈀只附著極少量即為足夠。處理條件例如可使處理溫度為30°C、處理時間為I分鐘。此外，為了抑制向下一工序的處理液的帶入，優(yōu)選通過用水等洗滌等來從配線基板100的表面去除含鈀溶液。鎳析出賦予催化劑后，使配線基板100通過浸潰等接觸鍍Ni-P液，由此使鎳在導電圖案50上析出。作為鍍Ni-P液，可沒有特別限制地使用含有鎳(+11)和次磷酸的公知的鍍Ni-P液。作為能夠使用的鍍Ni-P液的市售品例如可列舉出上村工業(yè)公司制造的KPR。可使處理溫度例如為75°C 85°C等。另外，處理時間可根據(jù)鍍覆配線基板的用途并基于必要的鎳層的厚度而適宜決定。
此外，為了抑制向下一工序的處理液的帶入，優(yōu)選通過用水等來洗滌等從配線基板100的表面去除鍍覆液。(D2)工序(D2)工序中，在上述(Dl)工序形成的鍍鎳層的表面通過化學鍍形成貴金屬鍍層。作為形成鍍層的貴金屬優(yōu)選的貴金屬可列舉出金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鈕(Pd)。貴金屬鍍層可以由單層構成，也可以由不同金屬元素的多層鍍層構成。作為具有多層貴金屬鍍層的鍍層結構特別優(yōu)選的結構，例如可列舉出施行鍍鈀后施行鍍金的Ni/Pd/Au的鍍層結構。其中構成最外層的貴金屬可根據(jù)安裝的元件、焊錫的組成、接合線的素材等適當選擇。以下以得到Ni/Au的鍍層結構的方式為第I方式、得到Ni/Pd/Au的鍍層結構的方式為第2方式，分別進行說明。第I方式為在上述(Dl)工序形成的鍍鎳層的表面直接施行鍍金的方式，能夠沒有特別限制地使用公知的鍍金液。例如，作為能夠用于金沖擊鍍(Au strike plating)的市售的鍍金液，可列舉出上村工業(yè)公司制造的TSB-72(處理溫度70°C 90°C、處理時間2分鐘 20分鐘)，作為能夠用于厚層鍍金的市售的鍍金液，可列舉出上村工業(yè)制的TMX-22 (處理溫度40°C 55°C、處理時間2分鐘飛O分鐘)。處理時間可根據(jù)必要的的膜厚而適當選擇。第2方式為在上述(Dl)工序形成的鍍鎳層的表面施行化學鍍鈀，然后在鈀鍍層上施行化學鍍金的方式，可沒有特別限制地使用公知的鍍鈀液、鍍金液。作為市售的鍍鈀液，例如可列舉出上村工業(yè)公司制造的TPD-30(處理溫度40°C 65°C、處理時間2 30分鐘)。另夕卜，作為鍍金液，例如可使用上述的鍍覆液。關于本發(fā)明的上述說明中，例示了在通過糊劑組合物的印刷等將導電圖案的形狀劃定的配線基板上進行鍍覆處理的方式，但本發(fā)明不受該方式的限制。也可為在通過蝕刻將導電圖案的形狀劃定的配線基板(例如，對在基板的一個整面上具有包含銀和銅的金屬層的基板通過光刻法進行蝕刻而將導電圖案的形狀劃定的配線基板。)上進行鍍覆處理的方式，這種配線基板的鍍覆方法、以及鍍覆配線基板的制造方法和本發(fā)明的配線基板的鍍覆方法、以及鍍覆配線基板的制造方法均包含在權利要求的保護范圍內(nèi)。如上所述以蝕刻形成導電圖案時，例如有時抗蝕劑的殘渣在絕緣性基材的露出部分作為污染物質附著，這種污染物質也可成為圖案間部分的鍍覆析出的原因。根據(jù)本發(fā)明，這樣以蝕刻形成導電圖案時，也能夠獲得如下的本發(fā)明的優(yōu)點抑制絕緣性基材露出的部分的鍍覆析出，并且在導電圖案上形成良好的鍍層。
關于本發(fā)明的上述說明中，例示了在用后燒法制作的金屬化陶瓷配線基板上進行鍍覆處理的方式，但本發(fā)明不受該方式的限制。對于用共燒法制作的金屬化陶瓷配線基板也可通過本發(fā)明的鍍覆方法進行鍍覆處理，這種鍍覆配線基板的制造方法也包含在本發(fā)明的鍍覆配線基板的制造方法的權利要求的保護范圍內(nèi)。關于本發(fā)明的上述說明中，例示了在金屬化陶瓷配線基板上進行鍍覆處理的方式，但本發(fā)明不受該方式的限制。只要是具有在最外層具有包含銀和銅的金屬層的導電圖案的配線基板，也可為對具有陶瓷以外的材料構成的絕緣性基材的配線基板通過本發(fā)明的鍍覆方法進行鍍覆處理的方式。制作具有用陶瓷以外的材料構成的絕緣性基材的配線基板、并在該配線基板上通過本發(fā)明的鍍覆方法進行鍍覆處理的方式也包含在本發(fā)明的鍍覆配線基板的制造方法的權利要求的保護范圍內(nèi)。關于本發(fā)明的鍍覆配線基板的制造方法的上述說明中，例示了在制造金屬化陶瓷配線基板時，將2層I層的糊劑層重疊而形成的方式，但本發(fā)明的鍍覆配線基板的制造方法不受該方式的限制。只要是形成具有在最外層具有包含銀和銅的金屬層的導電圖案的配線基板，也可使其為僅由I層糊劑層形成的方式。另外，也可使其為由5層以上糊劑層形成 的方式。關于本發(fā)明的鍍覆配線基板的制造方法的上述說明中，例示了形成包含銀、銅和鈦的金屬層的方式，但本發(fā)明的鍍覆配線基板的制造方法不受該方式的限制。只要是形成具有在最外層具有包含銀和銅的金屬層的導電圖案的配線基板，即包含在本發(fā)明的鍍覆配線基板的制造方法的權利要求的保護范圍內(nèi)，而與糊劑組合物的組成無關，關于本發(fā)明的上述說明中，例示了最外層形成金的鍍層的方式，但本發(fā)明的配線基板的鍍覆方法以及鍍覆配線基板的制造方法不受該方式的限制。構成最外層的鍍層的金屬不限于金，例如銀、鉬、鈀、銠、銥等，可根據(jù)用途適當選擇。另外，關于本發(fā)明的上述說明中，例示了施行鍍鎳后施行鍍貴金屬的方式，但本發(fā)明的配線基板的鍍覆方法和鍍覆配線基板的制造方法不受該方式的限制。只要是化學鍍，即可對鍍層的層構成進行適當變更，例如鍍覆鎳以外的賤金屬作為基底進行鍍貴金屬的方式、不進行鍍貴金屬的方式、另外，不鍍覆鎳等賤金屬而直接施行鍍貴金屬的方式等也包含在本發(fā)明的配線基板的鍍覆方法和鍍覆配線基板的制造方法的權利要求的保護范圍內(nèi)。實施例以下基于實施例和比較例對本發(fā)明進行進一步詳細說明。但本發(fā)明不受下述實施例的限制。實施例I以及比較例Γιο按照以下程序，進行金屬化陶瓷配線基板的制作，并嘗試鍍覆處理。實施例I第I糊劑組合物的制作將15質量份平均粒徑為O. 3 μ m的銅粉末、82質量份平均粒徑為2 μ m的銅粉末以及3質量份平均粒徑為5 μ m的氫化鈦粉末、使聚甲基丙烯酸烷基酯在萜品醇中溶解而成的賦形劑(vehicle)用乳缽預混合后，用3輥磨進行分散處理，由此制作第I糊劑組合物。第2糊劑組合物的制作將平均粒徑為6 μ m的Ag-Cu合金粉末(BAg-8、組成銀72 w t%-銅28 w t%)、使聚甲基丙烯酸烷基酯在萜品醇中溶解而成的賦形劑用乳缽預混合后，用3輥磨進行分散處理，由此制作第2糊劑組合物。金屬化陶瓷配線基板的制造將制作的上述第I糊劑組合物用絲網(wǎng)印刷法在厚度O. 64mm、縱橫寬度IOmmX 15mm的氮化招燒結體基板(Tokuyama Corporation.制造,商品名SH-30)上印刷(圖案為最小間隔100 μ m、最小線寬200 μ m的測試圖案)，使其在100°C下干燥10分鐘形成第I糊劑層(第I糊劑層的厚度為15 μ m)。此時，根據(jù)第I糊劑層形成前后的基板的質量變化，算出基板上形成的第I糊劑層的質量。接著，將上述第2糊劑組合物用絲網(wǎng)印刷法在第I糊劑層上重疊印刷，使其在100°C下干燥10分鐘形成第2糊劑層(第2糊劑層的厚度為10 μ m)。此時，根據(jù)第2糊劑層形成前后的基板的質量變化，算出基板上形成的第2糊劑層的質量?？鄢鳛檎辰Y劑使用的聚甲基丙烯酸烷基酯的質量的第I糊劑層與第2糊劑層的質量比(僅金屬成分的質量比第2糊劑層/第I糊劑層)為O. 68。根據(jù)該第I糊劑層與第2糊劑層的質量比，算出以合計第I糊劑層和第2糊劑層的銅粉與合金粉末的總量為100 質量份時的氫化鈦粉的量，為I. 8質量份。另外，合計第I糊劑層和第2糊劑層的銀成分與銅成分的質量比為O. 42 (銀成分/銅成分)。接著，在真空中(真空度4X l(T3Pa 8X 10-3Pa)、850°C下焙燒30分鐘，由此得到金屬化陶瓷配線基板。此時，以將基板容納在氮化鋁制裝定器內(nèi)(密閉容器內(nèi))的狀態(tài)進行基板的焙燒。所得金屬化基板的金屬化表面的色調(diào)為淡橙色。金屬化層(金屬層)的厚度為20 μ m0其中，通過SEM/EDS (掃描電子顯微鏡/能量色散X射線分析法)確認在金屬層的最外層有銀和銅存在。(A)工序用第I處理液處理將上述所得配線基板用含有氧化劑的第I處理液處理。使用World MetalCo. , Ltd.制造的CR-Il (高錳酸鉀含量2質量％、pH:12)作為第I處理液。將配線基板在第I處理液中于25°C下浸潰5分鐘后，從第I處理液中提起配線基板，用水洗滌。(B)工序用第2處理液處理將經(jīng)過(A)工序的配線基板用硫酸-過氧化氫系的第2處理液處理。使用三菱瓦斯化學公司制造的CPE-700 (硫酸含量2質量％、過氧化氫含量2. 5質量％)作為第2處理液。將配線基板在第2處理液中于25°C下浸潰40秒鐘后，從第2處理液中提起配線基板，用水洗滌。(C)工序用第3處理液處理將經(jīng)過(B)工序的配線基板用第3處理液處理。使用后述實施例4的過氧化氫-氨系水溶液(過氧化氫含量20質量％、磷酸I質量％、pH 8. 2、氧化銀溶解速度(25°C )6. 9 X lCT15mol/s · m2、銅溶解速度(25°C ) :1· 8 X lCT19mol/s · m2)作為第 3 處理液。將配線基板在第3處理液中于25°C下浸潰40秒鐘后，從第3處理液中提起配線基板，用水洗滌。(D)工序鍍覆處理將經(jīng)過(C)工序的配線基板進行賦予鈀催化劑的處理，使導電圖案表面附著催化劑量的鈀。賦予鈀催化劑的處理通過使用上村工業(yè)公司制造的MSR28作為鍍覆液，將配線基板在30°C下浸潰I分鐘來進行。
浸鍍鈀后進行鍍Ni-P，在導電圖案上形成鍍鎳層。鍍Ni-P通過使用上村工業(yè)公司制造的KPR作為鍍覆液，將配線基板在82°C下浸潰15分鐘來進行。鍍Ni-P后進行鍍Pd-P，在鍍鎳層上形成鍍鈀層。鍍Pd-P通過使用上村工業(yè)公司制造的TPD-30作為鍍覆液，將配線基板在50°C下浸潰10分鐘來進行。鍍Pd-P后進行金沖擊鍍，在鍍鈀層的表面形成薄的鍍金層。金沖擊鍍通過使用上村工業(yè)公司制造的T SB-72作為鍍覆液，將配線基板在80°C下浸潰10分鐘來進行.金沖擊鍍后進行厚層鍍金，在鈀鍍層上形成鍍金層。厚層鍍金通過使用上村工業(yè)公司制造的TMX-22，將配線基板在50°C下浸潰10分鐘來進行。如上所述地操作，制造在金屬化圖案上有具有Ni/Pd/Au的層結構的鍍層的鍍覆金屬化陶瓷配線基板。比較例I 除了通過將配線基板在酸性氟化銨水溶液(氟化銨10g/L、鹽酸10質量％)中于60°C下浸潰5分鐘進行處理，來代替(A) (C)工序以外，用與實施例I同樣的方法嘗試鍍覆金屬化陶瓷配線基板的制造。比較例2除了不進行(B)工序和(C)以外，用與實施例I同樣的方法嘗試鍍覆金屬化陶瓷配線基板的制造。比較例3除了通過將配線基板在鹽酸酸性氟化銨水溶液(氟化銨10g/L、鹽酸10質量％)中于60°C浸潰5分鐘進行處理，來代替(B)工序和(C)工序以外，用與實施例I同樣的方法嘗試鍍覆金屬化陶瓷配線基板的制造。比較例4除了將用酸性氟化銨水溶液的處理條件設置為60°C下20分鐘以外，用與比較例3同樣的方法嘗試鍍覆金屬化陶瓷配線基板的制造。比較例5除了不進行(C)工序以外，用與實施例I同樣的方法嘗試鍍覆金屬化陶瓷配線基板的制造。比較例6除了將(B)工序的處理時間設置為2分鐘以外，用與比較例5同樣的方法嘗試鍍覆金屬化陶瓷配線基板的制造。比較例7除了不進行(B)工序以外，用與實施例I同樣的方法嘗試鍍覆金屬化陶瓷配線基板的制造。比較例8除了將(B)工序和(C)工序的順序顛倒以外，用與實施例I同樣的方法嘗試鍍覆金屬化陶瓷配線基板的制造。比較例9 除了在(C)工序中使用在25°C下溶解氧化銀(I)的速度為在25°C下溶解銅(O)的速度的9倍的、后述比較例11的過氧化氫-氨系水溶液作為第3處理液以外,用與實施例I同樣的方法嘗試鍍覆金屬化陶瓷配線基板的制造。比較例10除了在(C)工序中使用在25°C下溶解氧化銀(I)的速度為在25°C下溶解銅(O)的速度的432倍的、后述比較例12的過氧化氫-氨系水溶液作為第3處理液以外,用與實施例I同樣的方法嘗試鍍覆金屬化陶瓷配線基板的制造。評價方法對于實施例I以及比較例f 10，制作200個試樣，算出圖案間部分(陶瓷露出部分)的鍍覆析出的發(fā)生率、以及金屬化圖案上的鍍膜上的變色發(fā)生率。結果示于表I。表I中，金屬化圖案上無法形成鍍膜時的變色發(fā)生率的值以「一」來表示。表I(表I)·
權利要求
1.一種配線基板的鍍覆方法，其為在具有絕緣性基材和導電圖案的配線基板的所述導電圖案上施行鍍覆的方法，所述導電圖案在最外層具有至少含有銀和銅的金屬層，其特征在于，該方法具有以下工序 將所述配線基板用含有氧化劑的第I處理液處理的(A)工序； 將經(jīng)過所述(A)工序的所述配線基板用溶解氧化銅的第2處理液處理，由此從所述導電圖案表面將氧化銅去除的(B)工序； 將經(jīng)過所述(B)工序的所述配線基板用第3處理液處理，由此從所述導電圖案表面將氧化銀去除的(C)工序，所述第3處理液在25°C下溶解氧化銀(I)的速度為在25°C下溶解銅(O)的速度的1000倍以上； 在經(jīng)過所述(C)工序的所述配線基板的導電圖案上施行化學鍍的(D)工序。
2.根據(jù)權利要求I所述的配線基板的鍍覆方法，其特征在于，所述(D)工序具有 在所述配線基板的導電圖案上施行化學鍍鎳的(Dl)工序； 在經(jīng)過所述(Dl)工序的所述配線基板的導電圖案上施行化學鍍貴金屬的(D2)工序。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的配線基板的鍍覆方法，其特征在于，所述第I處理液為包含選自高錳酸鹽和重鉻酸鹽中的至少一種的水溶液。
4.根據(jù)權利要求Γ3中的任一項所述的配線基板的鍍覆方法，其特征在于，所述第2處理液為包含硫酸和過氧化氫的水溶液。
5.根據(jù)權利要求Γ4中的任一項所述的配線基板的鍍覆方法，其特征在于，所述第3處理液為包含過氧化氫和氨的水溶液。
6.根據(jù)權利要求Γ5中的任一項所述的配線基板的鍍覆方法，其特征在于，所述第3處理液為在25°C下以溶解銅(O)的速度的2500倍以上的速度溶解氧化銀(I)的處理液。
7.一種鍍覆配線基板的制造方法，其為具有絕緣性基材和所述絕緣性基材上的導電圖案的鍍覆配線基板的制造方法，所述導電圖案在至少含有銀和銅的金屬層的表面施行了鍍覆，其特征在于，該方法具有以下工序 制作具有絕緣性基材和所述絕緣性基材上的導電圖案的配線基板的(X)工序，所述導電圖案在最外層具有至少含有銀和銅的金屬層； 在通過所述(X)工序制作的所述配線基板的導電圖案上，通過權利要求1飛中的任一項所述的配線基板的鍍覆方法施行鍍覆的(Y)工序。
8.根據(jù)權利要求7所述的鍍覆配線基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣性基材為陶瓷基板， 所述00工序具有 將至少含有銀和銅的糊劑組合物涂布在燒結陶瓷基板或陶瓷坯片表面，由此制作配線基板前體的(Xl)工序； 將通過所述(Xl)工序制作的所述配線基板前體焙燒，由此制作所述配線基板的(X2)工序。
9.一種銀蝕刻液，其特征在于，其在25°C下以溶解銅(O)的速度的1000倍以上的速度溶解氧化銀(I)。
10.根據(jù)權利要求9所述的銀蝕刻液，其特征在于，25°C下的氧化銀(I)的溶解速度為I X 10 16mol/s · m2 以上且 I X 10 12mol/s · m2 以下。
全文摘要
本發(fā)明涉及配線基板的鍍覆方法、鍍覆配線基板的制法及銀蝕刻液。一種具有導電圖案的配線基板的鍍覆方法，該圖案在外表面露出至少含有銀和銅的金屬層，該方法可抑制導電圖案以外的部分的鍍覆析出、且可在導電圖案的表面形成良好的鍍層，具有將配線基板用含有氧化劑的第1處理液處理的(A)工序；將經(jīng)過(A)工序的配線基板用溶解氧化銅的第2處理液處理由此從導電圖案表面將氧化銅去除的(B)工序；將經(jīng)過(B)工序的配線基板用第3處理液處理由此從導電圖案表面將氧化銀去除的(C)工序，所述第3處理液在25℃下溶解氧化銀(I)的速度為在25℃下溶解銅(0)的速度的1000倍以上；在經(jīng)過(C)工序的配線基板的導電圖案上施行化學鍍的(D)工序。
文檔編號H05K3/18GK102858093SQ20121022669
公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月29日 優(yōu)先權日2011年6月30日
發(fā)明者潮田會美, 今井徹郎 申請人:株式會社德山