專利名稱：功率扼流線圈和采用該功率扼流線圈的電磁感應(yīng)加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種功率扼流線圈和采用該功率扼流線圈的電磁感應(yīng)加熱裝置，屬于電磁爐產(chǎn)品的改進技術(shù)。
背景技術(shù)：
目前，現(xiàn)有的2000W電磁爐，由于單管諧振拓撲結(jié)構(gòu)的限制，能做到連續(xù)低功率持續(xù)加熱的最小功率是1000W左右，當(dāng)功率低于1000W時，IGBT因為開通電壓較高而產(chǎn)生較為嚴重的熱損耗，功率越低熱損耗越嚴重，如采用斷續(xù)加熱的方式時加熱效果非常差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于考慮上述問題而提供一種可以連續(xù)低功率加熱，加熱效果好的功率扼流線圈和采用該功率扼流線圈的電磁感應(yīng)加熱裝置。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種功率扼流線圈，包括環(huán)形導(dǎo)磁體和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體上的線圈繞組，環(huán)形導(dǎo)磁體外表面涂覆有絕緣層，其特征在于所述線圈繞組由三股以上漆包線絞合而成。所述漆包線直徑小于0.6毫米。所述環(huán)形導(dǎo)磁體由鐵氧體或硅鋼材質(zhì)制成。所述環(huán)形導(dǎo)磁體為閉合環(huán)體。所述環(huán)形導(dǎo)磁體為不閉合的，其兩端間隙小于5毫米。一種電磁感應(yīng)加熱裝置，包括并聯(lián)的線圈盤及諧振電容，其特征在于所述線圈盤和諧振電容之間還串接有所述功率扼流線圈，所述功率扼流線圈兩端連接有轉(zhuǎn)接裝置。所述功率扼流線圈包括環(huán)形導(dǎo)磁體和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體上的線圈繞組，環(huán)形導(dǎo)磁體外表面涂覆有絕緣層，其特征在于所述線圈繞組由三股以上漆包線絞合而成。所述轉(zhuǎn)接裝置為單刀單擲型繼電器或單刀雙擲型繼電器。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較其具有如下有益效果電磁感應(yīng)加熱裝置通過在線圈盤前端增加本發(fā)明功率扼流線圈，當(dāng)需要低功率加熱時，功率扼流線圈通過轉(zhuǎn)接裝置接入電路中，改變了現(xiàn)有的諧振狀態(tài)，實現(xiàn)了 IGBT的零電壓開通，IGBT熱損耗小，系統(tǒng)安全，因此， 本發(fā)明不僅實現(xiàn)了低功率的連續(xù)加熱，而且能夠使電磁感應(yīng)加熱裝置加熱效果更好。


圖1是本發(fā)明功率扼流線圈的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明繞制線圈繞組的漆包線束截面示意圖。圖3是本發(fā)明電磁感應(yīng)加熱裝置的系統(tǒng)框圖。圖4是本發(fā)明實施例1電磁感應(yīng)加熱裝置的電路原理圖。圖5是本發(fā)明實施例2電磁感應(yīng)加熱裝置的電路原理圖。圖6是本發(fā)明實施例3電磁感應(yīng)加熱裝置環(huán)形導(dǎo)磁體的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合實施例和附圖對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細的說明。實施例1
如圖1、圖2所示，本實施例功率扼流線圈L2，包括環(huán)形導(dǎo)磁體1和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體上的線圈繞組2，環(huán)形導(dǎo)磁體外表面涂覆有絕緣層，所述線圈繞組2由三股以上漆包線21絞合而成。所述漆包線21直徑小于0. 6毫米。所述環(huán)形導(dǎo)磁體1由鐵氧體材質(zhì)制成。所述環(huán)形導(dǎo)磁體為閉合環(huán)體。如圖3、圖4所示，本實施例還公開了一種電磁感應(yīng)加熱裝置，包括并聯(lián)的線圈盤 Li、諧振電容Cl，所述線圈盤Ll和諧振電容Cl之間還串接有所述功率扼流線圈L2，所述功率扼流線圈L2兩端連接有轉(zhuǎn)接裝置Si。本實施例中，所述轉(zhuǎn)接裝置Sl為單刀單擲型繼電器。 實施例2
如圖5所示，本實施例與實施例1的不同之處在于，所述轉(zhuǎn)接裝置Sl為單刀雙擲型繼電器。其它結(jié)構(gòu)與實施例1相同。實施例3
如圖6所示，本實施例與實施例1的不同之處在于，所述環(huán)形導(dǎo)磁體由硅鋼材質(zhì)制成， 中間斷開有3mm間隙。
權(quán)利要求
1.一種功率扼流線圈，包括環(huán)形導(dǎo)磁體(1)和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體(1)上的線圈繞組 (2)，環(huán)形導(dǎo)磁體(1)外表面涂覆有絕緣層，其特征在于所述線圈繞組(2)由三股以上漆包線(21)絞合而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率扼流線圈，其特征在于所述漆包線(21)直徑小于0.6毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率扼流線圈，其特征在于所述環(huán)形導(dǎo)磁體(1)由鐵氧體或硅鋼材質(zhì)制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率扼流線圈，其特征在于所述環(huán)形導(dǎo)磁體(1)為閉合環(huán)體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率扼流線圈，其特征在于所述環(huán)形導(dǎo)磁體(1)為不閉合的， 其兩端間隙小于5毫米。
6.一種電磁感應(yīng)加熱裝置，包括并聯(lián)的線圈盤(Li)及諧振電容(Cl)，其特征在于所述線圈盤(Li)和諧振電容(Cl)之間還串接有權(quán)利要求1所述的功率扼流線圈，所述功率扼流線圈的兩端連接有轉(zhuǎn)接裝置(Si)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁感應(yīng)加熱裝置，其特征在于所述功率扼流線圈包括環(huán)形導(dǎo)磁體(1)和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體(1)上的線圈繞組(2 )，環(huán)形導(dǎo)磁體(1)外表面涂覆有絕緣層，其特征在于所述線圈繞組(2 )由三股以上漆包線(21)絞合而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁感應(yīng)加熱裝置，特征在于所述轉(zhuǎn)接裝置(Si)為單刀單擲型繼電器或單刀雙擲型繼電器。
全文摘要
本發(fā)明功率扼流線圈，包括環(huán)形導(dǎo)磁體和環(huán)繞在環(huán)形導(dǎo)磁體上的線圈繞組，環(huán)形導(dǎo)磁體(1)外表面涂覆有絕緣層，其特征在于所述線圈繞組由三股以上漆包線絞合而成；本發(fā)明電磁感應(yīng)加熱裝置，包括并聯(lián)的線圈盤及諧振電容，其特征在于所述線圈盤和諧振電容之間還串接有所述功率扼流線圈，所述功率扼流線圈兩端連接有轉(zhuǎn)接裝置。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較其具有如下有益效果電磁感應(yīng)加熱裝置通過在線圈盤前端增加一個本發(fā)明功率扼流線圈，當(dāng)需要低功率加熱時，功率扼流線圈通過轉(zhuǎn)接裝置接入電路中，改變了現(xiàn)有的諧振狀態(tài)，實現(xiàn)了IGBT的零電壓開通，IGBT熱損耗小，系統(tǒng)安全，因此，本發(fā)明不僅實現(xiàn)了低功率的連續(xù)加熱，而且能夠使電磁感應(yīng)加熱裝置加熱效果更好。
文檔編號H05B6/02GK102427625SQ20111027917
公開日2012年4月25日 申請日期2011年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月20日
發(fā)明者任玉潔, 唐志明, 柳雋, 王帥 申請人:美的集團有限公司