一種電平移位電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高壓器件的控制技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種適用于浮動電源軌中的電平移位電路。
【背景技術(shù)】
[0002]電平移位電路將低壓控制信號轉(zhuǎn)換為高壓控制信號，實現(xiàn)低壓邏輯對高壓功率輸出級的控制，應(yīng)用于高壓器件的控制技術(shù)領(lǐng)域，在電機(jī)驅(qū)動、等離子顯示(PDP)、有機(jī)發(fā)光二極管顯示(OLED)和FLASH存儲器電路等方面得到了廣泛應(yīng)用。在高壓器件的控制技術(shù)領(lǐng)域，可將控制電路和高壓輸出驅(qū)動電路集成在一起，實現(xiàn)高耐壓、大電流、高精度。
[0003]常規(guī)的電平移位電路將低壓控制信號轉(zhuǎn)換為高壓控制信號用于驅(qū)動高壓下工作的輸出級NMOS (應(yīng)該是NMOS)管。電平移位電路作為連接控制電路和輸出驅(qū)動級的關(guān)鍵電路，既需要快速的響應(yīng)能力，又需要較低的靜態(tài)電流，同時還需要保證較高的穩(wěn)定性和可靠性?，F(xiàn)有技術(shù)中通常采用穩(wěn)壓管作為電平移位電路中的鉗位元器件，這種結(jié)構(gòu)具有成本高、工藝要求高的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種電平移位電路。
[0005]根據(jù)本發(fā)明提供的一種電平移位電路，用于控制功率管的通斷，包括:窄脈沖發(fā)生器、電平移位模塊、信號鎖存器、驅(qū)動級電路；
[0006]所述窄脈沖發(fā)生器用于根據(jù)低壓占空比信號的上升沿輸出第一窄脈沖信號，和根據(jù)輸入的所述低壓占空比信號的下降沿輸出第二窄脈沖信號，所述第一窄脈沖信號和第二窄脈沖信號的翻轉(zhuǎn)速度都大于所述低壓占空比信號，所述窄脈沖發(fā)生器的供電端連接至低壓供電電源，所述窄脈沖發(fā)生器的輸入端接入所述低壓占空比信號；
[0007]所述電平移位模塊用于將所述第一窄脈沖信號反向并提升電位至浮動電源正-地之間獲得第一高電平反向信號，和將所述第二窄脈沖信號反向并提升電位至所述浮動電源正-地之間獲得第二高電平反向信號，所述電平移位模塊的第一輸入端接入所述第一窄脈沖信號，所述電平移位模塊的第二輸入端接入所述第二窄脈沖信號；
[0008]所述信號鎖存器用于根據(jù)所述第一高電平反向信號和第二高電平反向信號輸出高壓占空比信號，所述信號鎖存器的置位輸入端接入所述第一高電平反向信號，置零輸入端接入所述第二高電平反向信號；
[0009]所述驅(qū)動級電路用于根據(jù)所述高壓占空比信號控制功率管的打開和關(guān)斷，所述驅(qū)動級電路的輸入端接入所述高壓占空比信號，輸出端連接所述功率管的柵極。
[0010]作為一種優(yōu)化方案，所述電平移位模塊包括第一高壓MOS場效應(yīng)管、第二高壓MOS場效應(yīng)管、第一鉗位MOS場效應(yīng)管、第二鉗位MOS場效應(yīng)管、第一電阻、第二電阻；
[0011]所述第一高壓MOS場效應(yīng)管的柵極為所述第一輸入端，接入所述第一窄脈沖信號，源極連接所述低壓供電電源的地，漏極連接所述第一鉗位MOS場效應(yīng)管的源極，
[0012]所述第一鉗位MOS場效應(yīng)管的柵極連接所述浮動電源的地，漏極連接所述浮動電源的正極，漏極與源極之間接入所述第一電阻，所述信號鎖存器的置位輸入端接入所述第一高壓MOS場效應(yīng)管的漏極與所述第一鉗位MOS場效應(yīng)管的源極之間；
[0013]所述第二高壓MOS場效應(yīng)管的柵極為所述第二輸入端，接入所述第二窄脈沖信號，源極連接所述低壓供電電源的地，漏極連接所述第二鉗位MOS場效應(yīng)管的源極，
[0014]所述第二鉗位MOS場效應(yīng)管的柵極連接所述浮動電源的地，漏極連接所述浮動電源的正極，漏極與源極之間接入所述第二電阻，所述信號鎖存器的置零輸入端接入所述第二高壓MOS場效應(yīng)管的漏極與所述第二鉗位MOS場效應(yīng)管的源極之間。
[0015]作為一種優(yōu)化方案，所述第一電阻和第二電阻的阻值都是在IkQ?1kQ范圍內(nèi)。
[0016]作為一種優(yōu)化方案，所述第一高壓MOS場效應(yīng)管和第二高壓MOS場效應(yīng)管的閾值電壓都大于所述第一鉗位MOS場效應(yīng)管和第二鉗位MOS場效應(yīng)管的閾值電壓。
[0017]作為一種優(yōu)化方案，所述電平移位模塊包括第一高壓MOS場效應(yīng)管、第二高壓MOS場效應(yīng)管、第一鉗位三極管、第二鉗位三極管、第一二極管、第二二極管；
[0018]所述第一高壓MOS場效應(yīng)管的柵極為所述第一輸入端，接入所述第一窄脈沖信號，源極連接所述低壓供電電源的地，漏極連接所述第一鉗位三極管的發(fā)射極，
[0019]所述第一鉗位三極管的基極連接所述浮動電源的地，集電極連接所述浮動電源的正極，所述信號鎖存器的置位輸入端接入所述第一高壓MOS場效應(yīng)管的漏極與所述第一鉗位三極管的發(fā)射極之間，
[0020]所述第一二極管的負(fù)極連接所述第一鉗位三極管的集電極，正極連接所述第一鉗位三極管的發(fā)射極；
[0021 ]所述第二高壓MOS場效應(yīng)管的柵極為所述第二輸入端，接入所述第二窄脈沖信號，源極連接所述低壓供電電源的地，漏極連接所述第二鉗位三極管的發(fā)射極，
[0022]所述第二鉗位三極管的基極連接所述浮動電源的地，集電極連接所述浮動電源的正極，所述信號鎖存器的置零輸入端接入所述第二高壓MOS場效應(yīng)管的漏極與所述第二鉗位三極管的發(fā)射極之間，
[0023]所述第二二極管的負(fù)極連接所述第二鉗位三極管的集電極，正極連接所述第二鉗位三極管的發(fā)射極。
[0024]作為一種優(yōu)化方案，所述第一二極管和第二二極管的阻值都是在IkQ?1kQ范圍內(nèi)。
[0025]作為一種優(yōu)化方案，所述第一高壓MOS場效應(yīng)管和第二高壓MOS場效應(yīng)管的閾值電壓都大于所述第一鉗位三極管和第二鉗位三極管的閾值電壓。
[0026]作為一種優(yōu)化方案，所述浮動電源正地之間的電位差為1?20V。
[0027]作為一種優(yōu)化方案，還包括噪聲過濾電路；
[0028]所述電平移位模塊輸出的所述第一高電平反向信號通過所述噪聲過濾電路接入所述信號鎖存器的置位輸入端，
[0029]所述電平移位模塊輸出的所述第二高電平反向信號通過所述噪聲過濾電路接入所述信號鎖存器的置零輸入端。
[0030]作為一種優(yōu)化方案，所述噪聲過濾電路由兩組RC濾波器組成；一組所述RC濾波器用于將所述第一高電平反向信號濾波后輸出至所述信號鎖存器的置位輸入端，另一組所述RC濾波器用于將所述第二高電平反向信號濾波后輸出至所述信號鎖存器的置零輸入端。
[0031]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下的有益效果:
[0032]本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，電平移位模塊將窄脈沖發(fā)生器獲得的窄脈沖信號進(jìn)行電平移位，這種短脈沖方式因為驅(qū)動能力大，可以快速的實現(xiàn)電平移位，從而可以提高工作頻率。另外，窄脈沖方式使得電平移位電路短時間工作，節(jié)約了功耗。電平移位模塊通過第一二極管dl、第二二極管d2、第一鉗位三極管Q1、第二鉗位三極管Q2構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，或第一鉗位MOS場效應(yīng)管匪3和第二鉗位MOS場效應(yīng)管匪4的鉗位作用，防止電位過低導(dǎo)致的信號鎖存器損壞問題。相對于現(xiàn)有技術(shù)中的方案，本發(fā)明降低對成產(chǎn)工藝的要求，也降低了制造成本，提高了電路的穩(wěn)定性和可靠性，有利于推廣應(yīng)用。
【附圖說明】
[0033]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單的